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不同的电平信号的MCU怎么通信(2023-01-09)
数载流子浓度受温度、辐射等因素影响较大,所以场效应管比三极管的温度稳定性好。
5、场效应管在源极未与衬底连在一起时,源极和漏极可以互换使用,且特性变化不大,而三极管的集电极与发射极互换使用时,其特性差异很大,b 值将......
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不同的电平信号的MCU串口通信(2024-10-24 15:47:14)
、场效应管的噪声系数很小,在低噪声放大电路的输入级及要求信噪比较高的电路中要选用场效应管。
7、场效应管......
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不同的电平信号的MCU怎么通信?(2024-10-22 16:01:50)
数载流子浓度受温度、辐射等因素影响较大,所以场效应管比三极管的温度稳定性好。
5、场效应管在源极未与衬底连在一起时,源极和漏极可以......
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使用电机驱动器IC实施的PCB设计(2024-08-30)
栅极过压击穿。一般的场效应管栅极的耐压是18V或20V,直接加上24V电压将会击穿,因此这个稳压二极管不能用普通的二极管代替,但是可以用2千欧的电阻代替,同样能得到12V的分压。3......
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4个常用的单片机防反接电路(2022-12-08)
导致在电源在反接的时候会有一个短暂的导通脉冲。
当然,也可以用P沟道的场效应管,只是要将器件串在正极的输入端,这里不再描述。
......
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防反接常用单元电路,收藏了(2024-10-26 11:31:16)
这会导致在电源在反接的时候会有一个短暂的导通脉冲。
也可以用P沟道的场效应管,只是要将器件串在正极的输入端。这里不再描述。
......
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分享:直流电防接反电路的总结!(2024-12-17 20:30:32)
串联电路一般用作脉冲吸收或延时。用在这里要视负载的情况而定,加了或许反而不好。毕竟这会导致在电源在反接的时候会有一个短暂的导通脉冲。
也可以用P沟道的场效应管,只是......
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指针式万用表对场效应管进行判别方法(2023-02-08)
指针式万用表对场效应管进行判别方法;(1)用测电阻法判别结型场效应管的电极
根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象,可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法:将万用表拨在R×1k档上,任选......
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用指针万用表检测场效应管的方法(2023-02-07)
电阻值不一样的现象,可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法:将万用表拨在R×1k档上,任选两个电极,分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正、反向电阻值相等,且为几千欧姆时,则该......
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介绍用指针万用表检测场效应管的方法(2023-03-07)
的PN结正、反向电阻值不一样的现象,可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法:将万用表拨在R×1k档上,任选两个电极,分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正、反向电阻值相等,且为几千欧姆时,则该......
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从内部结构到电路应用,这篇文章把MOS管讲透了。(2024-04-29)
表示。
控制栅极电压VGS的大小改变了电场的强弱,就可以达到控制漏极电流ID的大小的目的,这也是MOS管用电场来控制电流的一个重要特点,所以也称之为场效应管。
3、MOS管的特性
上述MOS管的工作原理中可以......
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【泰克应用分享】 FET 生物传感器的直流I-V 特性研究(2023-11-17)
,它们被广泛用于各种应用:如生物研究,即时诊断,环境应用,以及食品安全。
生物场效应管将生物响应转换为分析物,并将其转换为可以使用直流I-V技术轻松测量的电信号。输出......
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Nexperia(安世半导体)宣布推出新一代 650V 氮化镓 (GaN) 技术(2020-06-08)
采用了级联结构并优化了器件相关参数,Nexperia的氮化镓场效应管无需复杂的驱动和控制,应用设计大为简化;使用标准的硅MOSFET 驱动器也可以很容易地驱动它们。
新的氮化镓技术采用了贯穿外延层的过孔,减少......
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电动汽车车载充电器过流保护电路分析(2024-04-29)
动方式更简单。因此,用SiC功率场效应管代替传统的场效应管,可以提高车载充电器的充电速率,降低控制难度和成本。具体地,电流检测单元10实时检测车载充电器DC/DC变换器50的输出端电流,并输......
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简述8051单片机结构与原理(2024-01-15)
态的数据输入缓冲器BUF1和BUF2。
2个场效应管(FET)。
多路开关、反相器、与门各1个。
P0口工作原理——用作复用的地址/数据总线
输出:“控制”信号为1,硬件自动使转接开关MUX打向上面,接通......
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8051单片机的结构与原理(2024-01-15)
态的数据输入缓冲器BUF1和BUF2。
2个场效应管(FET)。
多路开关、反相器、与门各1个。
P0口工作原理——用作复用的地址/数据总线
输出:“控制”信号为1,硬件自动使转接开关MUX打向上面,接通......
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关于8051单片机基础结构解析与工作原理及电路结构(2024-02-03)
据输出锁存器。
2个三态的数据输入缓冲器BUF1和BUF2。
2个场效应管(FET)。
多路开关、反相器、与门各1个。
P0口工作原理——用作复用的地址/数据总线
输出:“控制”信号为1,硬件......
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详解:8051单片机的结构与原理(2023-03-28)
。
2个场效应管(FET)。多路开关、反相器、与门各1个。
P0口工作原理——用作复用的地址/数据总线输出:“控制”信号为1,硬件自动使转接开关MUX打向上面,接通反相器的输出,同时使“与门”开启......
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【51单片机】I/O口(2024-07-26)
方面控制电子开关,让电子开关与锁存器的 Q’ 端接通,此时若给写锁存器端CP送入写脉冲信号,内部总线送来的数据就可以通过D端进入锁存器,并从Q和 Q’ 端输出,如果D端输入1,则 Q’ 端输出0,该0使场效应管V2......
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e络盟扩充东芝场效应管产品系列,满足全球市场日益增长的需求(2023-11-16)
e络盟扩充东芝场效应管产品系列,满足全球市场日益增长的需求;全新系列的N通道功率场效应管可供开发人员用于各种应用,包括汽车、绿色能源、工业控制、电源和充电家用电器
中国上海,2023年11月16日......
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吉利科技旗下晶能微电子自研首款车规级 IGBT 产品成功流片(2023-03-16)
(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由(Bipolar Junction Transistor,BJT)双极型三极管和绝缘栅型场效应管(Metal......
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8051单片机基本操作(2024-01-15)
总线送来的信号无法通过与门;另一方面控制电子开关,让电子开关与锁存器的 端接通,此时若给写锁存器端CP送入写脉冲信号,内部总线送来的数据就可以通过D端进入锁存器,并从Q和非Q端输出,如果D端输入1,则非Q端输出0,该0使场效应管......
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纯直流场效应管功放电路(2023-06-20)
纯直流场效应管功放电路;【电路原理】这款场效应管功放,适合那些倾心于电子管音色,因而各种原因无法自制出靓声的胆后级发烧友。此款双极型场效应管功放与电子管的输出特性极为相似,频率特性好,音色......
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e络盟扩充东芝场效应管产品系列,满足全球市场日益增长的需求(2023-11-17 15:24)
e络盟扩充东芝场效应管产品系列,满足全球市场日益增长的需求;全新系列的N通道功率场效应管可供开发人员用于各种应用,包括汽车、绿色能源、工业控制、电源......
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e络盟扩充东芝场效应管产品系列,满足全球市场日益增长的需求(2023-11-17)
e络盟扩充东芝场效应管产品系列,满足全球市场日益增长的需求;
中国上海,2023年11月16日—安富利旗下全球电子元器件产品与解决方案分销商e络盟宣布新增250多种东芝(Toshiba)产品......
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e络盟扩充东芝场效应管产品系列,满足全球市场日益增长的需求(2023-11-17)
e络盟扩充东芝场效应管产品系列,满足全球市场日益增长的需求;全新系列的N通道功率场效应管可供开发人员用于各种应用,包括汽车、绿色能源、工业控制、电源和充电家用电器
安富......
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揭秘十大常用电子元器件背后的那些门道!(2024-10-20 21:14:56)
成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
1、场效应晶体管具有较高输入阻抗和低噪声等优点,因而也被广泛应用于各种电子设备中。尤其用场效管做整个电子设备的输入级,可以......
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STM32控制的电子负载(2022-12-08)
功率部分的地和测控部分的地隔离分开,两个地通过0欧姆电阻点连接,可以减少因压降或噪声导致的测量噪声干扰。
负载晶体管与电流检测
该部分电路负责硬件恒定电流控制,利用运算放大器LM358的负反馈控制场效应管......
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全面解析STC89C52单片机的LED调光系统电路(2023-10-08)
的驱动比较复杂,故使用如下的电路, 使在场效应管关断后让LED的负极电压升高,使得LED关闭。当场效应管导通时,LED的负极电压被拉低,使得LED发光。PWM调节方式使得驱动电路更简单,降低了制造成本,并可以......
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8051单片机的GPIO(2024-07-25)
3.1 构成
1个输出锁存器、1个转换开关MUX、2个三态输入缓冲器、输出驱动电路、1个反相器。
3.2 做输入端口
此时同样需要先通过内部总线向锁存器写1,让Q=1,场效应管截止,P2口输......
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MCS-51单片机最小系统的组成部分及电路图介绍(2023-07-19)
片正常工作后,通过按下按键使RST管脚出现高电平达到手动复位的效果。一般来说,只要RST管脚上保持10ms以上的高电平,就能使单片机有效的复位。图中所示的复位电阻和电容为经典值,实际制作是可以用同一数量级的电阻和电容代替......
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直流有刷电机驱动电路(2024-05-27)
通过改变电枢通电方向或电流大小,来调整电机的输出参数。电机驱动器中的电子元器件常见有晶体管、功率场效应管、功率MOSFET管、IGBT管等,其可以通过控制开关状态或PWM(脉宽调制)信号......
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重庆万国造出自研自产 IGBT 元件,预计今年内实现量产(2022-08-12)
Transistor,BJT)双极型三极管和绝缘栅型场效应管(Metal Oxide Semiconductor,MOS)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有(Metal-Oxide......
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科普丨十大最常用电子元器件介绍(2024-10-22 09:33:32)
晶体管具有较高输入阻抗和低噪声等优点,因而也被广泛应用于各种电子设备中。尤其用场效管做整个电子设备的输入级,可以获得一般晶体管很难达到的性能。
2、场效应管分成结型和绝缘栅型两大类,其控制原理都是一样的。如图1-1-1......
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无刷直流马达控制电路(2023-04-25)
机驱动部分使用6个功率场效应管控制输出电压,四轴飞行器中的直流无刷电机驱动电路电源电压为12 V.驱动电路中,Q1~Q3采用IR公司的IRFR5305(P沟道),Q4~Q6为IRFR1205(N 沟道......
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美浦森宣布完成近亿元A轮融资,资金将用于SiC器件产品线、IGBT等新产品研发(2022-03-17)
,是一家专业功率半导体元器件设计公司,是国内最早开始硅/碳化硅产品系列研发及销售的公司。美浦森产品包括高中低压功率场效应管全系列产品(Trench MOSFET/SGT MOSFET/ Super......
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浅析基本放大电路!(2024-10-05 18:03:02)
为射极输出器)和以基极为公共端的共基放大电路。它们的组成原则和分析方法相同,这里不再赘述。
2、场效应管放大电路
场效应管通过栅-源之......
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IGBT在新能源汽车上的应用(2024-10-22 08:01:16)
就要寻求新的突破
点
。
02
MOS管如何呢?
MOS管,又称为绝缘栅场效应管......
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亦商亦儒 躬身入局半导体江湖——专访深圳市萨科微半导体有限公司总经理宋仕强(2022-05-14)
批量订单是针对新能源汽车和工业级的碳化硅管MOS管、IGBT管;另一部分是消费品市场通用的MOS管场效应管、二极管三极管、霍尔元件等产品。宋仕强和萨科微团队也加快了“国产化”的进度,热销型号可以替换TI德州仪器、ON安森......
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PCB板上各元器件损坏后都有哪些表现?(2024-06-03)
管还是P管可以用数字万用表测量测试两个PN结是否正常。
场效应管:测试场效应管的体内二极管的PN结是否正常,测试GD,GS是否有短路。
电容:无极性电容,击穿短路或脱焊,漏电严重或电阻效应。
电解......
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为什么单片机的I/O口需要驱动(2023-02-01)
/O口使用,不需要多路转换电路MUX。其输出级电路内部有上拉电阻,与场效应管共同组成输出驱动电路。因此,P1口作为输出时,不需要再外接上拉电阻,而当P1口作为输入口使用时,仍然需要先向锁存器写“1......
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H桥电机正反转换控制电路图(2024-11-01 11:31:00)
H桥电机正反转换控制电路图;
电机控制电路
所谓的H桥电路就是控制电机正反转的。下图①就是一种简单的H桥电路,它由2个P型场效应管Q1、Q2与2个N型场效应管Q3......
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有焊盘兼容性的A-selection齐纳二极管代替B-或C-selection,工程师可以将MOSFET的性能发挥到极致。”
奈梅亨,2021 年 11 月 17 日:基础......
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干货 | 11种防雷电路大剖析!(2024-11-07 21:13:11)
击穿电压为470V~600V。当要求的通流容量≤3KA 时,可以用玻璃放电管代替。
4、压敏......
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无刷直流电机的三相六臂全桥驱动电路讲解(2023-03-20)
直流电机的三相六臂全桥驱动电路
无刷直流电机驱动控制电路如图所示。该电路采用三相六臂全桥驱动方式,采用此方式可以减少电流波动和转矩脉动,使得电机输出较大的转矩。在电机驱动部分使用6个功率场效应管......
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51单片机GPIO结构框图与工作原理(2023-08-09)
端口由锁存器、输入缓冲器、切换开关、一个非门、一个与非门及场效应管驱动电路构成。再看图的最右边,标号为P0.x 引脚的图标,也就是说P0.x 引脚可以是P0.0 到P0.7 的任何一位,即在P0 口有......
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什么是H桥?介绍H桥电机驱动电路(2023-10-30)
,下图就是这种H桥电路。它由2个P型场效应管Q1、Q2与2个N型场效应管Q3、Q4组成,桥臂上的4个场效应管相当于四个开关。 相对于前文4个N型MOS管的H桥电路,此电......
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介绍H桥电机驱动电路(2024-11-05 11:58:11)
MOS管的H桥,另外还有包含2个N型、2个P型MOS管的H桥,
下图就是这种H桥电路。它由2个P型场效应管Q1、Q2与2个N型场效应管Q3、Q4组成,桥臂上的4个场效应管......
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必看!IGBT基础知识汇总!(2024-01-03)
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01 是什么?本文引用地址:
,绝缘栅双极型,是由(BJT)双极型三极管和绝缘栅型场效应管(MOS)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有(MOSFET......
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I2C通讯不了?是不是硬件有问题?(2024-03-28)
/SCL线上的主从设备的内部简化结构,其由一个用于读取数据的缓冲器,以及一个用于发送数据的下拉场效应管组成。一个设备只被允许拉低总线(规定为短路到地)或释放总线(对地呈现高阻态)以允......
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