资讯
中国半导体性单壁碳纳米管获突破，产率大幅提高(2023-04-13)
中国半导体性单壁碳纳米管获突破，产率大幅提高;
4月13日消息，当前的硅基芯片在10nm工艺之后面临更大的困难，学术界一直在研发碳基芯片取代硅基芯片，碳纳米管被称为10nm以下最强候选，我国......
尖端技术突破：全球第一座“氮化镓芯片”生产基地(2023-01-17)
氮化镓晶圆的量产。据悉这是全球第一座“氮化镓”生产基地。目前中企已经掌握了成熟的技术，一旦氮化镓被用于制造芯片，相比于硅基芯片功率将直接提升900倍。
中国科学院院士彭练矛和张志勇教授率碳基......
未来三年内投资 1000 亿美元扩大其芯片制造能力，并计划在 2025 年生产 2nm芯片(2022-12-07)
子的大小。
芯片的制造工艺就是将晶体管注入到硅基材料当中，晶体管越多性能越强，想要提升芯片的工艺，那就要提高单位芯片面积的晶体管数量。
但是随着芯片工艺的不断提升，单位硅基芯片能......
硅光子迎爆发机遇，国内首条光子芯片产线即将开工，能不能实现弯道超车？(2022-11-07)
更大。
所以，从长远的眼光来看，人类需要有一种全新的芯片来取代现有的硅基芯片，那么光子芯片就被认为是一种可能。
3、光子芯片......
最新议程！| 2021碳基半导体材料与器件产业发展论坛(2021-04-13)
体材料国产替代研发进展
4、碳基、硅基优劣势对比
5、新形势下碳基材料与信息器件的发展趋势
6、碳基芯片发展现状及愿景、发展战略
7、科研成果如何指导半导体产业？
8、产业对碳基电子的投入现状、碳基......
总投资30亿元 桑德斯硅基芯片研发生产项目开工(2022-09-02)
总投资30亿元 桑德斯硅基芯片研发生产项目开工;据浦口经开区消息，9月1日，南京市浦口区重大项目建设推进动员会暨桑德斯硅基芯片研发生产项目开工仪式举行。
消息显示，桑德斯硅基芯片......
预计到2028年，1nm工厂的耗电量就相当于所有代工2.3%的用电量(2022-12-30)
管越多性能越强，想要提升芯片的工艺，那就要提高单位芯片面积的晶体管数量。
但是随着芯片工艺的不断提升，单位硅基芯片能够承载的晶体管已经越来越饱和，毕竟硅原子的大小只有0.12nm，按照......
用于量子芯片的光刻机、刻蚀机，EDA，我们都研发成功了(2023-01-09)
用于量子芯片的光刻机、刻蚀机，EDA，我们都研发成功了;众所周知，目前的硅基芯片已经快要发展到极限了，台积电、三星目前已经实现了3nm的量产，而科学家们预测硅基芯片的物理极限是1nm。本文......
1nm 的芯片会有吗? 1nm制造工艺是什么概念？(2022-12-15)
材料当中，晶体管越多性能越强，想要提升芯片的工艺，那就要提高单位芯片面积的晶体管数量。
但是随着芯片工艺的不断提升，单位硅基芯片能够承载的晶体管已经越来越饱和，毕竟......
ASML市值超过了昔日的全球半导体霸主英特尔！(2022-11-29)
突破这个极限，有两条路可以走——一条是用其他材料替代硅来突破目前的1nm极限，例如基于碳纳米管的碳基芯片，氮化镓(GaN)等等;另一条路则是彻底放弃电子芯片，转而使用光子作为信息传递的手段，也就是用光子芯片来替代电子芯片......
复旦团队发明晶圆级硅基二维互补叠层晶体管(2022-12-12)
二维异质集成叠层晶体管。该技术利用成熟的后端工艺将新型二维材料集成在硅基芯片上，并利用两者高度匹配的物理特性，成功实现4英寸大规模三维异质集成互补场效应晶体管。在相......
突破！复旦团队发明晶圆级硅基二维互补叠层晶体管(2022-12-12)
二维异质集成叠层晶体管。该技术利用成熟的后端工艺将新型二维材料集成在硅基芯片上，并利用两者高度匹配的物理特性，成功实现4英寸......
芯片巨头们已着手研发下一代CFET技术(2023-10-09)
二维异质集成叠层晶体管。该技术将新型二维原子晶体引入传统的硅基芯片制造流程，绕过 EUV 光刻工艺，实现了晶圆级异质 CFET 技术。
该团队利用硅基集成电路的成熟后端工艺，将二硫化钼 (MoS2) 三维堆叠在传统的硅基芯片......
2022(第二届)碳基半导体材料与器件产业发展论坛将于8月3-5日在浙江·宁波举行(2022-07-26)
半导体材料及产业化应用领域未来发展趋势与突破性成果最新进展分享以外， 论坛还设置“碳基芯片国产化内部研讨会”（8月3日下午）、产业化产品展示参观、会场互动、茶歇社交等环节，并面向全国广大科研工作者和工程技术人员进行征文活动、学术海报。
（主题......
复旦大学周鹏、包文中、万景团队合作发明晶圆级硅基二维互补叠层晶体管(2022-12-13)
二维异质集成叠层晶体管。该技术利用成熟的后端工艺将新型二维材料集成在硅基芯片上，并利用两者高度匹配的物理特性，成功实现4英寸......
恩智浦、英飞凌、意法角逐车用芯片市场(2023-09-04)
技术，正在取代硅基芯片。意法半导体在这个16亿美元市场上占有37%的份额，紧随其后的是英飞凌，占有13%的份额。
来源......
国星光电推出4437系列接收器及2516系列发射器(2022-12-20)
封装
成功攻克超薄芯片封装壁垒，创新突破了硅基芯片封装产品尺寸局限，实现了大尺寸超薄硅基芯片封装的可量产；
■抗干扰，高敏......
中国芯片“B计划”曝光！(2023-02-03)
突破了纳米材料应用的极限，二是不需要光刻机。
首先，传统的芯片是基于硅打造的，目前量产的最先进的硅基芯片是5nm，而即使未来能够做到1nm，那也就是极限了。但量子是已知物理中最小的单位，如果要追求更小、更精......
武汉光谷实验室攻克成像芯片新技术(2024-03-07)
波段高度可定制化，探测波段不受衬底吸收影响；可大面积加工，兼容12寸CMOS晶圆制备工艺 ，同时成本极低。
消息称，光谷实验室团队通过4年时间，全力攻关量子点技术，通过低温的溶液法制备工艺，实现可与硅基芯片一体化集成的量子点短波红外成像芯片......
硅光子重大突破！我国首次成功点亮硅基芯片内部激光光源(2024-10-08)
硅光子重大突破！我国首次成功点亮硅基芯片内部激光光源;
10月7日消息，近日，湖北九峰山实验室再次在硅光子集成领域取得里程碑式突破性进展。
2024年9月，实验室成功点亮集成到硅基......
复旦大学研发出晶圆级硅基二维互补叠层晶体管，集成度翻倍并实现卓越性能(2022-12-12)
有技术节点下能够大幅提升集成密度的三维叠层互补晶体管 (CFET) 技术价值凸显，但全硅基 CFET 的工艺复杂度高且性能在复杂工艺环境下退化严重。
据介绍，这种硅基二维互补叠层晶体管利用成熟的后端工艺将新型二维材料集成在硅基芯片......
国内光芯片以国产替代为目标，政策支持促进产业发展(2022-12-22)
行业作为化合物半导体这个新兴的半导体赛道里的一个分支，随着光学应用的快速发展，将会成为高速增长的明日之星。
光芯片是光电子领域核心元器件，相对于传统的硅基芯片——第一代半导体，光电芯片......
光刻机已经落伍？硅光子将成中美新战场！(2024-02-01)
子是中国能弯道超车的技术：“光子芯片具有诸多技术优势，它运算速度更快，信息容量更大，将比目前的硅基芯片提升1000倍以上”。
据悉，目前中国中科鑫通微电子（SinTone）正筹建光子芯片生产线，总裁......
我国攻克短波红外成像芯片新技术，成本降至传统方式百分之一(2024-03-07)
造价极其昂贵，使得短波红外相机均价高达 25 万元，严重制约着市场增长。
光谷实验室团队通过 4 年时间，全力攻关量子点技术，通过低温的溶液法制备工艺，实现可与硅基芯片一体化集成的量子点短波红外成像芯片......
ST在SiC和GaN的发展简况(2023-10-16)
取得业界最低的通态电阻，可以实现能效和功率密度更高的产品设计。ST 还提供 功率器件，例如650 V 增强型HEMT 开关管用于开发超快速充电和高频功率转换应用，功率损耗很小。与硅基芯片相比， 和......
有望颠覆市场！我国攻克短波红外成像芯片新技术，成本降至传统方式百分之一(2024-03-07)
造价极其昂贵，使得短波红外相机均价高达 25 万元，严重制约着市场增长。
光谷实验室团队通过 4 年时间，全力攻关量子点技术，通过低温的溶液法制备工艺，实现可与硅基芯片一体化集成的量子点短波芯片，其探测波段范围远超传统铟镓砷芯片......
告别晶体管迎来忆容器，AI芯片可用电场而非电流执行计算(2024-02-04)
对计算资源的未来产生重大影响。
我们在使用电子设备时经常出现“充电焦虑”。这一方面与电池续航不足有关；另一方面也与芯片的能耗较高有关。如今，普通硅基芯片在计算性能、能耗等方面遭遇摩尔定律“天花板”。随着......
告别晶体管迎来忆容器，AI芯片可用电场而非电流执行计算(2024-02-04 14:32)
对计算资源的未来产生重大影响。我们在使用电子设备时经常出现“充电焦虑”。这一方面与电池续航不足有关；另一方面也与芯片的能耗较高有关。如今，普通硅基芯片在计算性能、能耗等方面遭遇摩尔定律“天花板”。随着......
为什么要重视芯片？新的硅基文明由它开启(2017-04-08)
正在AI 、智能驾驶、电动汽车、云计算布局的巨头，都最终将在芯片行业会师，完成终极决战。
碳基文明的玩具 VS 硅基文明的神经元定价模型彻底翻转
作为硅基文明的核心要素，芯片......
宁夏一半导体晶圆芯片项目动工建设(2024-05-13)
伏发电组件的重要部件之一。与普通芯片不同的是，肖特基芯片的导电是通过肖特基势垒，具有更低的导通损耗、反向截止更低漏电、快速开关和低噪声特性。
封面图片来源：拍信网......
动态范围扩展能力
6. 低成本，采用硅基芯片解决方案
7. 高可靠性，全固态焦平面成像技术
8. 人眼安全性高，采用散斑发射及焦平面接收形式
应用场景：
可广泛应用于汽车辅助驾驶与自动驾驶领域，解决......
1nm芯片采用比2nm芯片更先进的工艺，将会用到铋电极的物质(2023-01-28)
制程。而就在5月18日这一天，台积电传来新消息，与台湾大学和麻省理工学院联手攻克了1nm芯片的关键技术。
据了解，1nm制程是硅基芯片能达到的物理极限，传统......
国产5nm碳纳米管研究新突破，摩尔定律有救了(2017-01-21)
发展将受到来自物理规律和制造成本的限制，很难继续提升，“摩尔定律”可能面临终结。
20多年来，科学界和产业界一直在探索各种新材料和新原理的晶体管技术，以望替代硅基CMOS技术。 但是......
盘点半导体行业最新投融资事件！(2023-07-25)
级封装、WLCSP等晶圆级封装，封装产品广泛应用于智能手机，消费电子，安防产品及汽车电子，物联网等行业。
消息称，爱矽科技立足于中高端硅基芯片与碳化硅封测服务，可在短时间内获取封测设备，具有......
是德科技使用数字孪生信令实现先进的半导体流片原型设计(2023-05-12)
是德科技使用数字孪生信令实现先进的半导体流片原型设计;
•测试平台提供独特的实时开发环境，可降低与硅基芯片原型设计和验证相关的风险、成本和时间
•与是德科技完整的全速数字孪生信号库高度集成，可在......
是德科技使用数字孪生信令实现先进的半导体流片原型设计(2023-05-12)
是德科技使用数字孪生信令实现先进的半导体流片原型设计;
•测试平台提供独特的实时开发环境，可降低与硅基芯片原型设计和验证相关的风险、成本和时间
•与是......
日本入局，全球2纳米制程争夺战升级！(2022-06-16)
电的2纳米工艺也将采用GAAFET架构。
随着芯片制造工艺的精进，硅基芯片材料已无法满足行业未来进一步发展的需要。2纳米制程的制作过程中或将引入一些新的材料，其中二维材料（如石墨烯、过渡......
TPU芯片：国内面对AI大模型的另一个解法(2024-07-23)
传统冯诺依曼架构已经无法满足高速、高带宽的数据搬运和处理需求；二是构建芯片的硅基互补金属氧化物半导体晶体管，进入了尺寸缩减、功耗剧增的困境，亟需发展超薄、高载流子迁移率的半导体作为沟道材料。
而碳......
全球芯片正在破局...(2024-07-15)
大学官网
团队负责人魏大程表示，他们正在积极寻求产业界合作，希望能够推动科研成果的应用转化。未来，这种材料一方面能够用于制造高集成度柔性芯片，另一方面由于其光刻兼容性，还有可能实现有机芯片与硅基芯片......
是德科技使用数字孪生信令实现先进的半导体流片原型设计(2023-05-13)
平台提供独特的实时开发环境，可降低与硅基芯片原型设计和验证相关的风险、成本和时间
•与是德科技完整的全速数字孪生信号库高度集成，可在流片前进行完整的系统验证
•支持6G等新......
是德科技使用数字孪生信令实现先进的半导体流片原型设计(2023-05-12)
是德科技使用数字孪生信令实现先进的半导体流片原型设计;
测试平台提供独特的实时开发环境，可降低与硅基芯片原型设计和验证相关的风险、成本和时间
与是德科技完整的全速数字孪生信号库高度集成，可在......
是德科技使用数字孪生信令实现先进的半导体流片原型设计(2023-05-15 09:45)
是德科技使用数字孪生信令实现先进的半导体流片原型设计;• 测试平台提供独特的实时开发环境，可降低与硅基芯片原型设计和验证相关的风险、成本和时间• 与是德科技完整的全速数字孪生信号库高度集成，可在......
另辟蹊径，石墨烯带来不一样的半导体制造方法(2017-05-04)
材料集成电路主频越高，热量也随之提高，并最终撞上功耗墙。目前硅基芯片最高的频率是在液氮环境下实现的8.4G，日常使用的桌面芯片主频基本在3G到4G，笔记本电脑为了控制CPU功耗，主频普遍控制在2G到3G之间......
2024年国际消费电子展：博世科技助力消费者实现能源的可持续利用(2024-01-10)
亿美元，在美国加州Roseville翻新打造另一座晶圆厂，以进一步增强博世的全球半导体制造网络。公司计划到2026年在美国晶圆厂投产首批碳化硅芯片，以在未来数年实现产能的十倍增长。在电动车领域，碳化硅芯片比硅基芯片......
纳芯微电子姚迪：模拟芯片不完全依赖先进制程，是国产芯片机会所在(2023-11-02)
需求数量呈现指数级增长，原来燃油车所需的很多机械部件，现在很多都被芯片取代。也就是说，电子架构已经由原来机器传动，变成了传感、处理、执行。
这会给未来带来几个变化。一是芯片需求量大幅度增加，芯片......
宜普电源转换公司起诉竞争对手英诺赛科，要求保护新兴氮化镓（GaN）技术专利(2023-05-25)
： 氮化镓与电力转换的未来
氮化镓（GaN）是下一代电源转换技术，有望在未来十年内取代硅基功率半导体。与硅基半导体相比，氮化镓是更小、更高效、更可靠，并能以更低的成本表现出更良好的性能。其应......
新一代安全储存架构将提供最佳解决方案(2020-07-17)
改保护、唯一辨识码、抗重放攻击、以及执行如随机数生成器在内的通用功能。
在应用处理器中，这些功能可以在硅基芯片的极小区域内执行，而该电路的有效成本可能仅需0.01美元。那么......
微纳制造赋能百业！2024（首届）微纳制造技术应用峰会盛大举办！(2024-04-25)
印刷电子技术中心主任 魏军教授做主题演讲：《国际竞争环境下柔性印刷电子产业化机遇与应用》。他指出，随着集成电路技术的发展，柔性印刷电子产品逐渐取代硅基芯片，在智能穿戴、医疗健康等领域有广泛应用。魏教......
损害赔偿，并希望能够禁止英诺赛科公司将其构成侵权的氮化镓产品套件进口至美国。
取代硅： 氮化镓与电力转换的未来
氮化镓（GaN）是下一代电源转换技术，有望在未来十年内取代硅基功率半导体。与硅基半导体相比，氮化......
宜普电源转换公司（EPC）在美国国际贸易委员会起诉竞争对手英诺赛科，要求保护新兴氮化镓（GaN）技术专利(2023-05-25 14:28)
望能够禁止英诺赛科公司将其构成侵权的氮化镓产品套件进口至美国。取代硅： 氮化镓与电力转换的未来氮化镓（GaN）是下一代电源转换技术，有望在未来十年内取代硅基功率半导体。与硅基半导体相比，氮化镓是更小、更高......
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际著名半导体公司及浙江大学半导体材料研究所和硅材料国家重点实验室等国内半导体行业科研院所长期紧密合作，消化吸收国际先进的高端半导体芯片工艺技术并不断创新，目前已经成为国内硅基太阳能专用肖特基芯片市场的最大供应商，塑造了国内外肖特基芯片
;扬州赛米电子科技发展有限公司;;我公司半导体事业部专业从事制造半导体器件产品,主要产品有：肖特基芯片；单、双向可控硅；大功率晶闸管、整流管、模块系列产品。贸易部主要代理经营二极管、桥堆、CL
;深圳市吉福电子有限公司（销售公司）;;我们公司是全国最大的肖特基二极管和DB双向触发管的生产厂家之一.我们拥有近400位高科技科研人员，我们的三极管生产线被中国国防科工委指定为唯一军用生产线.我们公司自行研制生产的肖特基芯片
平面线月生产能力25000片、5英寸生产线月生产能力30000片，主要生产小信号晶体管芯片、开关晶体管芯片、大功率晶体管芯片、开关二极管芯片、肖特基芯片、达林顿芯片、高频晶体管芯片和双极IC芯片；4英寸
的硅基板，实现单电极芯片做集成 4）45MIL大功率白光方片，成品可以做100LM以上 5）1W 660NM植物生长灯芯片.可以做到20－25LM 欢迎来电咨询；13602678929肖先生
）58MIL的硅基板，实现单电极芯片做集成 4）45MIL大功率白光方片，成品可以做100LM以上 5）1W 660NM植物生长灯芯片.可以做到20－25LM 欢迎来电咨询；13602678929肖先生
参考，也可根据客户要求的功能和性能，进行芯片电路设计，版图设计； 4. 对用量少的芯片，可提取原芯片网表，写入到FPGA或CPLD，取代客户所使用芯片； 5. 对用量大的FPGA或CPLD方案，根据
的价格及弹性的交货模式! 以来自日本、台湾的稳定质量!下列概略说明我司主项产品类别:1.萧特基芯片(SKY Wafer)a.芯片尺寸齐全,从28mil 到165mil !b.安培数从1A~40A, 电压从20v
-2.8伏的宽范围。 3：I/O管脚驱动能力强，可驱动多个设备或者较长的数据线。 4：芯片内部整合了上电复位电路。 5：芯片能自行产生时钟，无需外挂晶振钟振。 6：内部集成了电源去耦RC电路。 7：此芯片
、XL6005、XL6006LED升压-升降压方案2、LED-DC/DC Driver: SD42522-3W-内置MOS（取代PT6903、PT4107）、 3、LED-Display: 16路恒流驱动芯片