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重庆万国造出自研自产 IGBT 元件,预计今年内实现量产(2022-08-12)
并自行完成晶圆制造与封装测试的 IGBT 元件。目前该 IGBT 元件通过用户试用,预计今年年内实现量产。 (IGBT,Insulated Gate Bipolar Transistor,即绝缘栅双极型晶体管)
据悉,重庆......
吉利科技旗下晶能微电子自研首款车规级 IGBT 产品成功流片(2023-03-16)
(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由(Bipolar Junction Transistor,BJT)双极型三极管和绝缘栅型场效应管(Metal......
可控硅控制器工作原理(2024-01-22)
用于各种频率和波形的脉宽调制电路以及作为其它电力电子变换器的功率元件等.
常见的几种类型
(1)普通型双极型晶体管
双极型晶体管的两个电极各有一个沟道和两个基极组成一个p沟道结构和一个n沟道结构的双极型晶体管称为普通双极性晶体三极管简称普通双极......
关于T3Ster热阻测试仪的优势分析(2023-03-08)
的半导体闸流管、双极型晶体管、以及大功率IGBT、MOSFET、LED/OLED/MicroLED等器件的热阻测试;
各种复杂的IC以及MCM、SIP、SoC等新型结构的热特性测试;
各种......
遂宁合芯半导体计划今年新增1至2条封装生产线(2022-01-10)
显示,合芯半导体投资1.5亿元,建设了半导体、 电子元件生产线,主要用于生产二极管、IGBT(绝缘双极型晶体管)、双极性品体管、三端稳压器、可控硅、半导体三极管、场效应晶体管、肖特基二极管等。公司......
高新发展:芯未半导体10亿元功率半导体项目厂房已封顶(2023-02-03)
都日报报道,2022年8月,成都高新西区高投芯未高端功率半导体器件和组件研发及产业化项目开工。该项目总投资约10亿元,运营方为成都高投芯未半导体有限公司,主要从事IGBT(绝缘栅双极型晶体管)等功......
MKP386M,该器件可直接安装在绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模块上,容量从0.047µF到10µF,可在+105℃高温下工作,有700VDC~2500VDC和420VAC~800VAC共7个电......
电动汽车及太阳能电厂需求旺盛,IGBT供不应求(2023-03-20)
电动汽车及太阳能电厂需求旺盛,IGBT供不应求;
【导读】据中国台湾媒体报道,在半导体市场需求下滑之际,IGBT(绝缘栅双极型晶体管)依然是大缺货,并且......
车规级IGBT有多重要?(2024-03-11)
车规级IGBT有多重要?;作为电力电子行业里的“CPU”,IGBT(绝缘栅双极型晶体管)是国际上公认的电子革命中最具代表性的产品。将多个IGBT芯片集成封装在一起形成IGBT模块,其功率更大、散热......
用晶体管驱动的电子管放大器(2023-06-27)
电子管并没有解决高质量声音的性价、比问题,但它们的确具有比双极型晶体管线性更佳的输入传输特性,因而能提供了较低的开环失真。
电子管还能比某些固态器件更好地驱动难度大的扬声器负载,从而更恰当地解决了负载问题。
功率......
安森美推出全新超高能效1200V绝缘栅双极型晶体管(2023-03-21)
安森美推出全新超高能效1200V绝缘栅双极型晶体管;
【导读】2023 年 3 月 21日—领先于智能电源和智能感知技术的安森美(onsemi,美国纳斯达克上市代号:ON),推出......
双面散热汽车IGBT器件热测试评估方式创新(2023-03-06)
双面散热汽车IGBT器件热测试评估方式创新;IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由(Bipolar Junction......
国产汽车芯片重磅指南!规范对象包括这10类芯片(2023-04-04)
芯片包括,绝缘栅双极型晶体管(IGBT)、碳化硅和金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)等技术方向;
驱动芯片包括,通用要求、功率驱动芯片、显示驱动芯片等技术方向;
电源管理芯片包括,通用......
中国科大首次研制出氧化镓垂直槽栅场效应晶体管(2023-02-28)
适应于制备高压大电流器件,相较于制备水平结构的MBE样品,其材料具有较低成本。
氧化镓垂直晶体管的若干种结构中,FinFET虽然性能较为优异,但工艺难度大,难以实现大规模量产。因此急需设计新结构氧化镓垂直型晶体管......
总投资约10亿元 高投芯未高端功率半导体器件及模组研发生产项目开工(2022-08-09)
授权委托加工服务,包括IGBT芯片、模组及方案组件产品等,实现年营收9亿元。
据介绍,高投芯未是成都高新投资集团有限公司与成都森未科技有限公司合资设立的法人企业,主要从事IGBT(绝缘栅双极型晶体管)等功......
T3Ster的瞬态热测试技术2大亮点(2023-03-22)
一款先进的半导体器件封装热特性测试仪器,能帮助用户在数分钟内获取各类封装的热特性数据。
T3Ster用来测量封装半导体器件以及其他电子设备的瞬态热特性,测量的器件包括分离或集成的双极型晶体管、MOS晶体管、常见......
Diodes公司推出具有功率因数校正的交流-直流LED驱动器AP1684(2013-11-11)
侧控制及环路补偿电路,有助于大幅降低电路物料清单成本。AP1684以外部双极型晶体管驱动,只需少量外部元件,加上采用了SO8封装,让灯具设计师能够减小印刷电路板面积,以及提升功率密度及整体产品的可靠性。
这个......
美浦森半导体通过SGS可靠性检测 获AEC-Q101认证(2023-09-21)
则可分为MOSFET(场效应晶体管)、IGBT(绝缘栅双极型晶体管)、双极型晶体管与其它晶体管。
美浦森半导体MOSFET产品涵盖从低压16V到高压2000V全系列的型号,具备出色的开关速度及更柔和的开关曲线。美浦......
美浦森半导体通过SGS可靠性检测 获AEC-Q101认证(2023-09-22 09:25)
则可分为MOSFET(场效应晶体管)、IGBT(绝缘栅双极型晶体管)、双极型晶体管与其它晶体管。美浦森半导体MOSFET产品涵盖从低压16V到高压2000V全系列的型号,具备出色的开关速度及更柔和的开关曲线。美浦......
士兰微电子获第十七届“中国芯”优秀技术创新产品奖(2023-02-22)
40A FS5代绝缘栅双极型晶体管/SGTP40V120FDB2P7产品荣获优秀技术创新产品奖。
此次士兰微电子获奖的SGTP40V120FDB2P7芯片......
力科发布更精确的宽禁带半导体分析测量系统(2022-11-21)
师们一直在使用硅 (Si) 金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 和绝缘栅双极型晶体管 (IGBT) 功率半导体器件来生产电源和功率转换系统。然而,消费者需要体积更小、重量更轻的电源和系统,而政......
基础知识之IGBT(2024-03-22)
(半导体氧化物)- Semiconductor(半导体)的三层结构的Field-Effect Transistor(场效应晶体管)。
BIPOLAR 是指使用了双极性元件,将称为p型和n型的......
广东发布“十四五”规划纲要,要重点突破这些集成电路产业链短板(2021-04-25)
设备,化合物半导体,大尺寸硅片等材料;高端电子元器件及电子化学品等;自动驾驶控制器芯片、传感器,高端IGBT(绝缘栅双极型晶体管)模块、功率半导体组件,驱动芯片、主控......
GAAFET技术才准备开始,下一世代CasFET技术已在开发(2021-09-24)
更紧密。
晶体管结构使设计人员借调节晶体管通道宽度精确调整,以实现高性能或低功耗要求。GAAFET技术采较宽纳米片,更高功率下有更高性能,采用较薄/窄纳米片可降低功耗和性能。虽距采用GAAFET技术......
年产80万只!广汽集团旗下广州青蓝IGBT正式投产(2023-12-08)
年产80万只!广汽集团旗下广州青蓝IGBT正式投产;据广汽集团消息,12月5日,广州青蓝半导体有限公司(以下简称“广州青蓝”)IGBT(绝缘栅双极型晶体管)投产仪式在广汽零部件(广州)产业......
投资第三代半导体相关领域 赛微电子拟650万元增资阿基米德(2021-11-01)
安徽省合肥市成立,业务主要涵盖SiC(碳化硅)、IGBT(绝缘栅双极型晶体管)的封装和测试、芯片设计,产品主要应用于新能源汽车及光伏行业,专注于功率半导体在新能源领域的应用。阿基......
“十四五”规划提名集成电路,重点攻关第三代半导体等领域(2021-03-15)
元器件零部件和基础材料、油气勘探开发等领域关键核心技术。
图片来源:新华社
其中,集成电路攻关方面,《纲要》指出,集成电路设计工具、中电装备和高纯靶材等关键材料研发、集成电路先进工艺和绝缘栅双极型晶体管......
基础知识之SiC功率器件(2024-03-21)
改善伴随高耐压化而引起的导通电阻增大的问题,主要采用如IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor : 绝缘栅极双极型晶体管)等少数载流子器件(双极型器件),但是......
新能源汽车解析丨什么是IGBT?结构与拆解(2023-10-08)
新能源汽车解析丨什么是IGBT?结构与拆解;IGBT (绝缘栅双极晶体管)作为一种功率半导体器件,广泛应用于轨道交通、智能电网、工业节能、电动汽车和新能源装备等领域。具有节能、安装方便、维护......
电控IGBT模块入门详解(2023-07-11)
有一个模块需要引起行业内的重视,那就是电机驱动部分最核心的元件IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor绝缘栅双极型晶体管芯片)。作为电力电子行业里的“CPU”,IGBT(绝缘栅双极型晶体管)是国......
深圳:加快推进中芯国际12英寸晶圆代工生产线建设(2021-06-09)
电路重点围绕芯片架构等开展技术攻关,发展绝缘栅双极型晶体管(IGBT)、微机电系统(MEMS)等特色工艺,发展碳化硅等化合物半导体。
《纲要》提出打造自主可控、安全高效的产业链供应链。其中,实施全产业链发展战略,围绕......
聊聊你知道的串口(2023-10-12)
是“TTL串口”。TTL(Transistor-Transistor Logic)也称双极型晶体管(三极管)逻辑,由于在早期的半导体都是双极型晶体管工艺的,所以就用这个名字来称呼我们常用的那个串口。在......
世界半导体极简编年史(2023-01-02)
1948年:结型晶体管的构想
威廉·肖克利(William Shockley)基于对P-N结效应的理论理解,构想了一种改进的晶体管结构......
西门子变频器的工作原理 西门子变频器的特点(2023-05-22)
通过调整输入直流电压的占空比来实现的,通常使用IGBT(绝缘栅双极型晶体管)开关器件来控制电压。变频器将输入的直流电转换为高频脉冲信号,输出到驱动电动机的电缆中。
4. 控制系统:最后,变频......
e络盟开售Littelfuse完整解决方案(2023-10-17)
(MOSFET)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)、栅极驱动器、电源模块、开关和传感器。
Littlefuse电路保护产品在保护电气系统和人员方面发挥至关重要的作用。他们的产品可防止静电放电、电涌、短路、电压......
e络盟开售Littelfuse完整解决方案(2023-10-17)
)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)、栅极驱动器、电源模块、开关和传感器。
Littlefuse电路保护产品在保护电气系统和人员方面发挥至关重要的作用。他们的产品可防止静电放电、电涌、短路......
e络盟开售Littelfuse完整解决方案(2023-10-17)
家多元化的工业技术制造公司,为可持续、互联和更安全的世界赋能。本文引用地址:e络盟供应的产品包括保险丝、断路器、浪涌保护器、瞬态抑制二极管、二极管、晶闸管、二极管、MOS晶体管(MOSFET)、绝缘栅双极型晶体管......
利用低电平有效输出驱动高端MOSFET输入开关以实现系统电源循环(2024-01-23)
用于软复位和电源循环
NPN双极结型晶体管用作驱动电路
驱动P沟道高端开关的一种方法是使用NPN双极结型晶体管(BJT),如图4所示。此电路形成一个逆变器,将来自看门狗输出的低电平有效信号转换为P沟道MOSFET开关......
利用低电平有效输出驱动高端MOSFET输入开关以实现系统电源循环(2024-01-23)
不活动或系统无响应状态下断开输入开关,实现电源循环。
图3.使用了两个具有不同看门狗超时时长的MAX16155看门狗定时器,分别用于软复位和电源循环
NPN双极结型晶体管用作驱动电路
驱动P沟道......
一文看懂MOS器件的发展与面临的挑战(2017-07-10)
,是FD-SOI晶体管的剖面图。
另外,1989年,Hitachi公司的工程师Hisamoto对传统的平面型晶体管的结构作出改变提出的基于体硅衬底,采用局部氧化绝缘隔离衬底技术制造出全耗尽的侧向沟道三维晶体管......
X-FAB与莱布尼茨IHP研究所达成许可协议推出创新的130纳米SiGe BiCMOS平台(2022-09-13)
语:BiCMOS 双极互补金属氧化物半导体HBT 异质结双极型晶体管mmW 毫米波PDK 工艺设计套件RF 射频SiGe......
知名半导体芯片制造企业——扬州晶新微电子参展CITE2023(2023-03-21)
、晶闸管、开关二极管、稳压二极管、肖特基二极管、镀银点二极管、瞬态电压抑制二极管、光电二极管、FRD和双极型集成电路(IC)、电力电子器件及模块等。公司的功率器件芯片、高频小信号晶体管芯片等均采用了独特的芯片结构......
今年功率晶体管销售额可望达到245亿美元,增长11%(2022-10-12)
半导体大致可以分为功率半导体分立器件(Power Discrete,包括功率模块)和功率半导体集成电路(Power IC)两大类,晶体管属于功率分立器件其中的一种,包括金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和绝缘栅双极型晶体管......
Nexperia 授予 Digi-Key Electronics 2021 年度电子零售商奖(2022-11-18 09:10)
半导体基础元器件生产领域的高产能权威专家。其产品广泛应用于全球各类电子设计。公司丰富的产品组合包括二极管、双极型晶体管、ESD 保护器件、MOSFET 器件、氮化镓场效应晶体管 (GaN FET) 以及模拟 IC 和逻辑 IC......
重磅,中芯绍兴拟A股IPO,将启动160亿二期项目建设?(2021-07-13)
和模组年出货19.95亿颗的产业规模,规模化量产麦克风、射频、MOSFET(金氧半场效晶体管)及IGBT(绝缘栅双极型晶体管)等产品的芯片和模组。
2020年1月,该项......
功率半导体需求巨大,国内IGBT龙头拟斥资111亿扩产(2022-09-23)
全称为绝缘栅双极型晶体管,是目前发展最快的功率半导体器件之一,被业界称为电力电子装置的“CPU”,可广泛应用于新能源、新能源汽车、电机节能、轨道交通、智能电网、航空航天、家用电器、汽车......
10分钟狂充80%电量!东风碳化硅功率模块明年量产装车(2022-12-13)
方面开辟两条全新产线,按订单需求生产IGBT模块及功率模块,到2025年,每年可为东风新能源汽车生产提供约120万只功率模块。
作为电力电子行业里的“CPU”,IGBT(绝缘栅双极型晶体管)是国......
携手斯达半导 华虹半导体车规级IGBT芯片暨12英寸IGBT规模量产!(2021-06-25)
量产仪式”,并签订战略合作协议。双方共同宣布,携手打造的高功率车规级IGBT(绝缘栅双极型晶体管)芯片,已通过终端车企产品验证,广泛进入了动力单元等汽车应用市场。
图片来源:华虹宏力
据介......
安森美开发IGBT FS7开关平台,性能领先,应用工业市场(2023-03-21)
日—领先于智能电源和智能感知技术的安森美(onsemi),推出一系列全新超高能效1200V绝缘栅双极型晶体管(IGBT),具备业界领先的性能水平,最大程度降低导通损耗和开关损耗。这些......
安森美开发IGBT FS7开关平台,性能领先,应用工业市场(2023-03-21)
绝缘栅双极型晶体管(IGBT),具备业界领先的性能水平,最大程度降低导通损耗和开关损耗。这些新器件旨在提高快速开关应用能效,将主要用于能源基础设施应用,如太阳能逆变器、不间断电源(UPS)、储能......
相关企业
;深圳市雄基电子器材有限公司;;是深圳老牌的电子产品供应商,公司位于华强北电子大厦。主要产品:稳压电路 .稳压二极管 1瓦 . 集成电路 . 稳压二极管 .To-92双极型晶体管 . 贴片
灯 仪器仪表 产品以下; D I P S M D 桥式整流器/稳压二极管/普通二极管/恢复二极管/能量二极管/开关二极管/高效整流二极管/TO-9双极型晶体管/TO-92M0D双极型晶体管TO-92L
/SOT-23 MOS 管CJ5853DC 数字晶体管DTA144EE/SOT-523 双极型晶体管MMST2222A/SOT-323 双极型晶体管MMBT2222A/SOT-23 双极型晶体管
;深圳市中环星科技有限公司;;深圳市中环星科技有限公司主要以厂家直销方式。主要有双极型晶体管.开关二极管.肖特基二极管.场效应管(MOSFET)。我们有过硬的质量,优质的服务,优势的价格。真诚的希望与贵司有合作的机会!
美好的明天。我厂生产的FJ系列高频电镀电源,是以逆变技术与纳米材料应用为主要特征的高科技产品。该产品以进口大功率绝缘栅双极型晶体管“IGBT”模块为主功率器件,以超微晶(又称纳米晶)软磁合金材料为主变压器铁芯,主控
着与您携手,共创美好的明天。我厂生产的FJ系列高频电镀电源,是以逆变技术与纳米材料应用为主要特征的高科技产品。该产品以进口大功率绝缘栅双极型晶体管“IGBT”模块为主功率器件,以超微晶(又称纳米晶)软磁
;无锡固电半导体股份有限公司;;isc固电半导体的事业始于1991年,位于江苏省无锡新区创新产业园,拥有40亩土地及一万多平方米厂房,主营双极型晶体管、场效应晶体管MOSFET、可控硅、肖特
;深圳市创兴泰电子有限公司;;深圳市福田区创兴泰电子有限公司 专业代理分销原装正品SMD、DIP系列,产品有稳压管、开关管、三端稳压管、触发二极管、双极型晶体管、大小功率三极管、肖特基、整流管、场效
亿只/年。主要产品有机箱电源用双极型功率晶体管、彩色电视机行输出管及电源管、节能灯、镇流器、变压器用双极型功率晶体管、VDMOS场效应功率晶体管、半导体放电管、单/双向晶闸管、肖特基、快恢
生产的产品有整流二极管、开关二极管、触发二极管、快恢复二极管、双极型晶体管,年产量达二十亿只以上。 同时代理分销长电、科威、ST先科、粤晶、ON、AUK、FSC、IR、华邦、MIC等国