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东芝扩展有助于降低设备能耗的双极型晶体管的产品线; 【导读】东芝电子元件及存储装置株式会社(简称“东芝”)现已推出两款双极型晶体管“TTC022”(采用SC-62封装:东芝封装别名PW......
并自行完成晶圆制造与封装测试的 IGBT 元件。目前该 IGBT 元件通过用户试用,预计今年年内实现量产。 (IGBT,Insulated Gate Bipolar Transistor,即绝缘栅双极型晶体管)   据悉,重庆......
(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由(Bipolar Junction Transistor,BJT)双极型三极管和绝缘栅型场效应管(Metal......
东芝推出两款双极型晶体管——TTA2070和TTC5810; 【导读】东芝电子元件及存储装置株式会社(简称“东芝”)推出两款双极型晶体管“TTA2070和TTC5810”(采用SC-62......
用于各种频率和波形的脉宽调制电路以及作为其它电力电子变换器的功率元件等. 常见的几种类型 (1)普通型双极型晶体管 双极型晶体管的两个电极各有一个沟道和两个基极组成一个p沟道结构和一个n沟道结构的双极型晶体管称为普通双极性晶体三极管简称普通双极......
的半导体闸流管、双极型晶体管、以及大功率IGBT、MOSFET、LED/OLED/MicroLED等器件的热阻测试; 各种复杂的IC以及MCM、SIP、SoC等新型结构的热特性测试; 各种......
显示,合芯半导体投资1.5亿元,建设了半导体、 电子元件生产线,主要用于生产二极管、IGBT(绝缘双极型晶体管)、双极性品体管、三端稳压器、可控硅、半导体三极管、场效应晶体管、肖特基二极管等。公司......
都日报报道,2022年8月,成都高新西区高投芯未高端功率半导体器件和组件研发及产业化项目开工。该项目总投资约10亿元,运营方为成都高投芯未半导体有限公司,主要从事IGBT(绝缘栅双极型晶体管)等功......
MKP386M,该器件可直接安装在绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模块上,容量从0.047µF到10µF,可在+105℃高温下工作,有700VDC~2500VDC和420VAC~800VAC共7个电......
电动汽车及太阳能电厂需求旺盛,IGBT供不应求; 【导读】据中国台湾媒体报道,在半导体市场需求下滑之际,IGBT(绝缘栅双极型晶体管)依然是大缺货,并且......
车规级IGBT有多重要?;作为电力电子行业里的“CPU”,IGBT(绝缘栅双极型晶体管)是国际上公认的电子革命中最具代表性的产品。将多个IGBT芯片集成封装在一起形成IGBT模块,其功率更大、散热......
电子管并没有解决高质量声音的性价、比问题,但它们的确具有比双极型晶体管线性更佳的输入传输特性,因而能提供了较低的开环失真。 电子管还能比某些固态器件更好地驱动难度大的扬声器负载,从而更恰当地解决了负载问题。 功率......
安森美推出全新超高能效1200V绝缘栅双极型晶体管; 【导读】2023 年 3 月 21日—领先于智能电源和智能感知技术的安森美(onsemi,美国纳斯达克上市代号:ON),推出......
是信号链类的通信芯片。 IGBT全称为 绝缘栅双极型晶体管(InsulatedGateBipolarTransistor......
和工作原理有大致的了解。 BJT 双极性晶体管,俗称三极管。内部结构(以PNP型BJT为例)如下图所示。 BJT内部结构......
双面散热汽车IGBT器件热测试评估方式创新;IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由(Bipolar Junction......
芯片包括,绝缘栅双极型晶体管(IGBT)、碳化硅和金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)等技术方向; 驱动芯片包括,通用要求、功率驱动芯片、显示驱动芯片等技术方向; 电源管理芯片包括,通用......
适应于制备高压大电流器件,相较于制备水平结构的MBE样品,其材料具有较低成本。 氧化镓垂直晶体管的若干种结构中,FinFET虽然性能较为优异,但工艺难度大,难以实现大规模量产。因此急需设计新结构氧化镓垂直型晶体管......
授权委托加工服务,包括IGBT芯片、模组及方案组件产品等,实现年营收9亿元。 据介绍,高投芯未是成都高新投资集团有限公司与成都森未科技有限公司合资设立的法人企业,主要从事IGBT(绝缘栅双极型晶体管)等功......
侧控制及环路补偿电路,有助于大幅降低电路物料清单成本。AP1684以外部双极型晶体管驱动,只需少量外部元件,加上采用了SO8封装,让灯具设计师能够减小印刷电路板面积,以及提升功率密度及整体产品的可靠性。 这个......
一款先进的半导体器件封装热特性测试仪器,能帮助用户在数分钟内获取各类封装的热特性数据。 T3Ster用来测量封装半导体器件以及其他电子设备的瞬态热特性,测量的器件包括分离或集成的双极型晶体管、MOS晶体管、常见......
则可分为MOSFET(场效应晶体管)、IGBT(绝缘栅双极型晶体管)、双极型晶体管与其它晶体管。 美浦森半导体MOSFET产品涵盖从低压16V到高压2000V全系列的型号,具备出色的开关速度及更柔和的开关曲线。美浦......
则可分为MOSFET(场效应晶体管)、IGBT(绝缘栅双极型晶体管)、双极型晶体管与其它晶体管。美浦森半导体MOSFET产品涵盖从低压16V到高压2000V全系列的型号,具备出色的开关速度及更柔和的开关曲线。美浦......
40A FS5代绝缘栅双极型晶体管/SGTP40V120FDB2P7产品荣获优秀技术创新产品奖。 此次士兰微电子获奖的SGTP40V120FDB2P7芯片......
师们一直在使用硅 (Si) 金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 和绝缘栅双极型晶体管 (IGBT) 功率半导体器件来生产电源和功率转换系统。然而,消费者需要体积更小、重量更轻的电源和系统,而政......
请问一下IGBT是如何实现电路控制的?;绝缘栅双极晶体管(英语:Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT),是半导体器件的一种,主要用于新能源电动汽车、及电......
(半导体氧化物)- Semiconductor(半导体)的三层结构的Field-Effect Transistor(场效应晶体管)。 BIPOLAR 是指使用了双极性元件,将称为p型和n型的......
合计构成电化学储能系统成本的80%,其中储能逆变器占到20%。 IGBT绝缘栅双极型晶体管为储能逆变器的上游原材料,IGBT的性能决定了储能逆变器的性能,占逆变器价值量的20%-30......
更紧密。 晶体管结构使设计人员借调节晶体管通道宽度精确调整,以实现高性能或低功耗要求。GAAFET技术采较宽纳米片,更高功率下有更高性能,采用较薄/窄纳米片可降低功耗和性能。虽距采用GAAFET技术......
Nexperia推出采用空间和能源效率较高的DFN2020D-3封装的热门功率BJT;满足行业对采用更现代封装的功率双极结型晶体管的需求 奈梅亨,2024年 9月2日:Nexperia今日宣布其广受欢迎的功率双极结型晶体管......
设备,化合物半导体,大尺寸硅片等材料;高端电子元器件及电子化学品等;自动驾驶控制器芯片、传感器,高端IGBT(绝缘栅双极型晶体管)模块、功率半导体组件,驱动芯片、主控......
%以上。IGBT即绝缘栅双极型晶体管,是由双极型三极管和绝缘栅型场效应管组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有金氧半场效晶体管的高输入阻抗和电力晶体管的低导通压降两方面的优点,用于......
年产80万只!广汽集团旗下广州青蓝IGBT正式投产;据广汽集团消息,12月5日,广州青蓝半导体有限公司(以下简称“广州青蓝”)IGBT(绝缘栅双极型晶体管)投产仪式在广汽零部件(广州)产业......
安徽省合肥市成立,业务主要涵盖SiC(碳化硅)、IGBT(绝缘栅双极型晶体管)的封装和测试、芯片设计,产品主要应用于新能源汽车及光伏行业,专注于功率半导体在新能源领域的应用。阿基......
元器件零部件和基础材料、油气勘探开发等领域关键核心技术。 图片来源:新华社 其中,集成电路攻关方面,《纲要》指出,集成电路设计工具、中电装备和高纯靶材等关键材料研发、集成电路先进工艺和绝缘栅双极型晶体管......
Nexperia推出采用空间和能源效率较高的DFN2020D-3封装的热门功率BJT;满足行业对采用更现代封装的功率双极结型晶体管的需求Nexperia今日宣布其广受欢迎的功率双极结型晶体管(BJT......
Nexperia推出采用空间和能源效率较高的DFN2020D-3封装的热门功率BJT;满足行业对采用更现代封装的功率双极结型晶体管的需求Nexperia今日宣布其广受欢迎的功率双极结型晶体管(BJT......
改善伴随高耐压化而引起的导通电阻增大的问题,主要采用如IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor : 绝缘栅极双极型晶体管)等少数载流子器件(双极型器件),但是......
Nexperia推出采用空间和能源效率较高的DFN2020D-3封装的热门功率BJT; 【导读】Nexperia宣布其广受欢迎的功率双极结型晶体管(BJT)产品组合再次扩展,推出......
新能源汽车解析丨什么是IGBT?结构与拆解;IGBT (绝缘栅双极晶体管)作为一种功率半导体器件,广泛应用于轨道交通、智能电网、工业节能、电动汽车和新能源装备等领域。具有节能、安装方便、维护......
电压的温度特性 MOSFET具有负的温度特性,而且变化率比双极型晶体管......
电路重点围绕芯片架构等开展技术攻关,发展绝缘栅双极型晶体管(IGBT)、微机电系统(MEMS)等特色工艺,发展碳化硅等化合物半导体。 《纲要》提出打造自主可控、安全高效的产业链供应链。其中,实施全产业链发展战略,围绕......
于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管......
有一个模块需要引起行业内的重视,那就是电机驱动部分最核心的元件IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor绝缘栅双极型晶体管芯片)。作为电力电子行业里的“CPU”,IGBT(绝缘栅双极型晶体管)是国......
1948年:结型晶体管的构想 威廉·肖克利(William Shockley)基于对P-N结效应的理论理解,构想了一种改进的晶体管结构......
是“TTL串口”。TTL(Transistor-Transistor Logic)也称双极型晶体管(三极管)逻辑,由于在早期的半导体都是双极型晶体管工艺的,所以就用这个名字来称呼我们常用的那个串口。在......
Transistor):绝缘栅双极型晶体管,IGBT是由MOS和PN两个基本单元构成。 HBT(Heterojunction Bipolar Transistor):异质结双极晶体管。 Triacs......
(MOSFET)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)、栅极驱动器、电源模块、开关和传感器。 Littlefuse电路保护产品在保护电气系统和人员方面发挥至关重要的作用。他们的产品可防止静电放电、电涌、短路、电压......
)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)、栅极驱动器、电源模块、开关和传感器。 Littlefuse电路保护产品在保护电气系统和人员方面发挥至关重要的作用。他们的产品可防止静电放电、电涌、短路......
家多元化的工业技术制造公司,为可持续、互联和更安全的世界赋能。本文引用地址:e络盟供应的产品包括保险丝、断路器、浪涌保护器、瞬态抑制二极管、二极管、晶闸管、二极管、MOS晶体管(MOSFET)、绝缘栅双极型晶体管......

相关企业

;深圳市雄基电子器材有限公司;;是深圳老牌的电子产品供应商,公司位于华强北电子大厦。主要产品:稳压电路 .稳压二极管 1瓦 . 集成电路 . 稳压二极管 .To-92双极型晶体管 . 贴片
灯 仪器仪表 产品以下; D I P S M D 桥式整流器/稳压二极管/普通二极管/恢复二极管/能量二极管/开关二极管/高效整流二极管/TO-9双极型晶体管/TO-92M0D双极型晶体管TO-92L
/SOT-23 MOS 管CJ5853DC 数字晶体管DTA144EE/SOT-523 双极型晶体管MMST2222A/SOT-323 双极型晶体管MMBT2222A/SOT-23 双极型晶体管
;深圳市中环星科技有限公司;;深圳市中环星科技有限公司主要以厂家直销方式。主要有双极型晶体管.开关二极管.肖特基二极管.场效应管(MOSFET)。我们有过硬的质量,优质的服务,优势的价格。真诚的希望与贵司有合作的机会!
美好的明天。我厂生产的FJ系列高频电镀电源,是以逆变技术与纳米材料应用为主要特征的高科技产品。该产品以进口大功率绝缘栅双极型晶体管“IGBT”模块为主功率器件,以超微晶(又称纳米晶)软磁合金材料为主变压器铁芯,主控
着与您携手,共创美好的明天。我厂生产的FJ系列高频电镀电源,是以逆变技术与纳米材料应用为主要特征的高科技产品。该产品以进口大功率绝缘栅双极型晶体管“IGBT”模块为主功率器件,以超微晶(又称纳米晶)软磁
;无锡固电半导体股份有限公司;;isc固电半导体的事业始于1991年,位于江苏省无锡新区创新产业园,拥有40亩土地及一万多平方米厂房,主营双极型晶体管、场效应晶体管MOSFET、可控硅、肖特
;深圳市创兴泰电子有限公司;;深圳市福田区创兴泰电子有限公司 专业代理分销原装正品SMD、DIP系列,产品有稳压管、开关管、三端稳压管、触发二极管、双极型晶体管、大小功率三极管、肖特基、整流管、场效
亿只/年。主要产品有机箱电源用双极型功率晶体管、彩色电视机行输出管及电源管、节能灯、镇流器、变压器用双极型功率晶体管、VDMOS场效应功率晶体管、半导体放电管、单/双向晶闸管、肖特基、快恢
生产的产品有整流二极管、开关二极管、触发二极管、快恢复二极管、双极型晶体管,年产量达二十亿只以上。 同时代理分销长电、科威、ST先科、粤晶、ON、AUK、FSC、IR、华邦、MIC等国