资讯
35亿元，山东菏泽砷化镓半导体晶片项目开工(2024-02-29)
35亿元，山东菏泽砷化镓半导体晶片项目开工;菏泽市牡丹区吴店镇消息显示，2月26日，吴店镇举办2024年春季吴店镇省重点项目建设现场推进会暨砷化镓半导体晶片项目开工奠基仪式。
据悉，菏泽市牡丹区砷化镓半导体......
3家半导体厂商正式闯关科创板(2022-01-11)
电信、AT&T等国内外知名运营商网络中，已成为国内领先的光芯片供应商。
北京通美：规划实现新产品8英寸砷化镓衬底量产
招股说明书显示，北京通美此次拟募集资金11.67亿元，扣除发行费用后将按轻重缓急顺序投资砷化镓半导体......
半导体贵族砷化镓，蠢蠢欲动(2024-09-29)
出的发光二极管(LED)、激光器(LD)、光探测器等各类光电器件在以背光显示、半导体照明、汽车、智能手机、可穿戴和安防设备等领域都有广泛的应用。
业界认为，砷化镓性能优异，电子......
第三代半导体项目遍地开花(2024-03-04)
第三代半导体项目遍地开花;近日，多个项目迎来最新进展。其中，重投天科项目、山东菏泽砷化镓半导体晶片项目投资资金超30亿。本文引用地址：总投资32.7亿元，重投天科项目在深圳宝安启用
据滨......
上海、山西、辽宁、湖南...国内再添一批第三代半导体项目(2021-08-12)
集成电路（GaAs MMIC）的纯晶圆代工（Foundry）服务制造商之一，已建成国内第—条6英寸砷化镓/氮化镓半导体晶圆生产线，目前已达到砷化镓2000片/月，氮化镓600片/月的......
第三代半导体项目遍地开花(2024-03-04)
第三代半导体项目遍地开花;近日，多个第三代半导体项目迎来最新进展。其中，重投天科第三代半导体项目、山东菏泽砷化镓半导体晶片项目投资资金超30亿。
总投资32.7亿元，重投天科第三代半导体......
国产4英寸氧化镓晶圆衬底技术获突破！(2022-12-09)
说不具备大尺寸主面（001）晶相氧化镓晶体的生长工艺，氧化镓市场应用端推动过程将极为困难。
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氧化镓是“何方神圣”？
氧化镓，是继Si、SiC及GaN后的第四代宽禁带半导体材料，以β-Ga2O3单晶......
Coherent拟扩建全球首个6英寸磷化铟生产线(2024-12-13)
-V族化合物半导体射频微电子和光电子器件，生产用于战斗机等军事技术的砷化镓半导体。
Coherent首席执行官Jim Anderson表示：“剥离Newton Aycliffe工厂......
铭镓半导体预计2023年底完成扩产计划，将建成氧化镓完整产业线(2022-08-04)
产业集约、集聚、集群发展。
据介绍，铭镓半导体成立于2020年，是专业从事超宽禁带半导体氧化镓材料开发及应用产业化的高科技公司。腾退的989平方米的厂房将用于扩大氧化镓加工线及洁净室。预计扩大后2英寸氧化镓......
百思特达氮化镓半导体芯片项目竣工，进入试生产阶段(2023-01-11)
显示，百思特达是一家集研发、设计、生产、销售、服务于一体的综合性高科技企业，始终致力于开创中国半导体氮化镓芯片领域的科技新格局。该公司投资3亿元建设的氮化镓半导体芯片项目，占地面积125亩，总建......
国内首批！铭镓半导体实现4英寸氧化镓晶圆衬底技术突破(2023-03-13 14:40)
单晶衬底生长技术公司之一。
铭镓半导体工作人员在做相关试验。
北京铭镓半导体有限公司创始人、董事长陈政委向记者介绍，稳态氧化镓晶体为单斜结构，存在（100）和（001）两个解理面，主面（001）晶体的......
百斯特达氮化镓半导体芯片项目建成，将增加10条氮化镓外延生产线(2022-05-16)
芯片完整产业链综合高新技术产业企业。
据介绍，氮化镓半导体芯片项目总投资3亿元，占地面积125亩，总建筑面积5万余平方米。项目包括2栋氮化镓外延片及芯片生产车间、1栋芯片封装及应用产品生产制造车间、1栋成品库房、1栋制......
这家企业突破一专业领域芯片研制及试产(2024-10-01)
芯片的重大技术突破：阈值电流小于0.25A，功率大于7W@3.5A，光电转换效率WPE达到45%，芯片综合技术指标处于国内顶尖水平。产品技术可以满足市场对大功率氮化镓半导体激光器的应用要求。
资料......
立昂微：看好功率半导体及硅片下游客户的需求 已与部分12英寸硅片客户签订长约(2022-03-18)
微披露称，看好公司功率半导体、硅片下游客户的需求。从功率半导体板块看，需求端的应用领域在快速增长：一是新能源汽车快速增长，二是清洁能源业务快速增长，三是新的电子化、智能化的应用场景越来越多。这些业务的快速增长带来对半导体......
拟投资不低于100亿元，这家化合物半导体厂商推动新项目落地(2021-09-23)
资已超过25亿，是国内首家提供6吋砷化镓/氮化镓半导体集成电路晶圆制造的芯片制造企业，已完成包括砷化镓（GaAs）、氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）及磷化铟（InP）在内的6大类......
解读射频前端，5G的必争之地(2016-12-26)
及说明
化合物射频器件应用器件工艺分布图
化合物射频器件应用相关信息
（2）工艺独特，产业链自成体系
化合物半导体工艺独特，需要专门的制造产线。 普通硅工艺集成电路和砷化镓/氮化镓......
望远镜式激光测距仪与手持激光测距仪区别(2023-04-18)
相位式激光测距；双异质砷化镓半导体激光器，可用于红外测距；红宝石、钕玻璃等固体激光器，则可用于脉冲式激光测距。
激光测距仪由于激光的单色性好、方向性强等特点，加上电子线路半导体化集成化，与光电测距仪相比，不仅......
铭镓半导体扩产项目、特思迪半导体二期等项目签约北京(2023-05-29)
资额近18亿元。其中，包括国联万众二期、晶格领域二期、特思迪半导体二期、铭镓半导体扩产项目等6个产业项目。
资料显示，国联万众成立于2015年，由中国电子科技集团公司第十三研究所控股，主营业务为第三代半导体氮化镓......
【成电协·会员行】优秀的第三代半导体氮化镓芯片公司——氮矽科技(2022-08-11)
【成电协·会员行】优秀的第三代半导体氮化镓芯片公司——氮矽科技;
氮化镓（GaN）属于第三代半导体，又被称为宽禁带半导体，和第一代的硅（Si）以及第二代的砷化镓（GaAs）等前辈相比，其在......
抢占竞争制高点？国内氧化镓功率器件研发取得重要进展(2022-08-31)
器件在相同耐压情况下具有更低的导通电阻，应用于电能转换领域将实现更低的功耗和更高的转换效率。因此，近年来，氧化镓半导体已成为半导体国际研究热点和大国技术竞争制高点。
西安电子科技大学研究团队通过一系列技术创新实现了氧化镓......
存储器产业最新营收出炉；两会热议半导体等领域；全球或添一座12英寸硅晶圆厂(2024-03-11)
项目迎来最新进展。其中，重投天科第三代半导体项目、山东菏泽砷化镓半导体晶片项目投资资金超30亿。
据滨海宝安消息，2月27日，第三代半导体碳化硅材料生产基地在深圳宝安区启用，其由深圳市重投天科半导体......
除了功率和射频，化合物半导体还有哪些发展契机？(2021-03-29)
防、航天和高技术研究具有重要意义。
1.半导体照明（LED）
LED行业属于技术推动的成长行业，核心技术为氮化镓(GaN)/砷化镓(GaAs)/碳化硅(SiC)等化合物半导体的MOCVD外延......
7天制造1颗芯片，誉鸿锦半导体如何做到？(2023-10-16)
7天制造1颗芯片，誉鸿锦半导体如何做到？;很多分析认为是氮化镓器件规模仍然不足，导致成本均摊困难。但在誉鸿锦半导体看来，规模是结果而并非原因，本质问题出现在产业效率上，只有把系统效率提升，才能用更低的成本推动器件的大规模应用......
誉鸿锦半导体GaN技术发布会，携Super IDM模式推动产业效率革命(2023-10-17)
年度GaN功率电子器件及招商发布会活动。发布会由誉鸿锦品牌战略官张雷主持，首次向行业展示了Super IDM产业集群的生态模式，带来了氮化镓半导体产业链的效率革命。实现了1.5年从......
誉鸿锦半导体GaN器件品牌发布会，携全产业链Super IDM模式实现产业效率革命(2023-10-13)
年度GaN功率电子器件及招商发布会活动。发布会由誉鸿锦品牌战略官张雷主持，首次向行业展示了Super IDM产业集群的生态模式，带来了氮化镓半导体产业链的效率革命。实现了1.5年从......
激励核心技术团队 立昂微1元转让立昂东芯9%股权(2021-02-09)
芯片，以及车载雷达、卫星通讯等方面。
据公告披露，立昂东芯拥有自主知识产权的砷化镓半导体集成电路全套工艺制程技术所生产的产品已经通过多家客户认证，为下游两个以上客户批量化采购应用，达到......
华为哈勃持股23.91%，年产能15万片的化合物半导体项目投产(2022-04-25)
科技关联方供应有保障
资料显示，鑫耀半导体成立于2013年，是云南锗业旗下控股子公司，主要负责化合物半导体材料砷化镓晶片（衬底）、磷化铟晶片（衬底）的研发和生产，产品被广泛应用于垂直腔面发射激光器（VCSEL......
铭镓半导体在氧化镓材料开发及应用产业化方面实现新突破(2024-06-06)
铭镓半导体在氧化镓材料开发及应用产业化方面实现新突破;据北京顺义消息，北京铭镓半导体有限公司（以下简称“铭镓半导体”）在超宽禁带半导体氧化镓材料开发及应用产业化方面实现新突破，已领......
碳化硅风头正劲，小心！氧化镓蓄势待发(2023-04-17)
单晶衬底及外延材料研发、生产和销售的科技型企业。
为满足日益增长的多元需求，半导体从以硅、锗为代表的第一代材料，以砷化镓、磷化铟为代表的第二代材料，以碳化硅、氮化镓......
我国成功制备6英寸氧化镓单晶，第四代半导体正式“撒网”(2023-03-01)
是目前在投融资市场较为活跃的四家公司——
北京镓族科技是国内入局比较早的一家公司，注册成立于2017年年底，是国内首家、国际第二家专业从事氧化镓半导体材料开发及应用产业化的高科技公司，是北......
碳化硅风头正劲，小心！氧化镓蓄势待发(2023-04-14)
和销售的科技型企业。
为满足日益增长的多元需求，半导体从以硅、锗为代表的第一代材料，以砷化镓、磷化铟为代表的第二代材料，以碳化硅、氮化镓为代表的第三代材料，发展至以氧化镓为代表的第四代半导体材料。氧化镓是什么？为何......
又贵又强的砷化镓电池 未来能便宜点吗(2024-04-10)
又贵又强的砷化镓电池 未来能便宜点吗;我们都知道，半导体材料对5G、人工智能、物联网等新兴电子信息产业有着举足轻重的作用。其中，有一种叫的半导体材料，以它制成的，还有着更强大和广阔的应用。本文......
氮化镓激光芯片终于实现国产，氮化镓正在向快充以外的市场进军(2023-08-29)
激光全产业链的蓬勃发展。
据了解，氮化镓半导体激光器具有体积小、寿命长、效率高等优点，波长范围覆盖可见光和紫外波段，应用场景包括激光显示、工业......
华为再次投资半导体企业，这次瞄准它(2020-12-11)
产品质量的提升和推动其市场开拓工作，鑫耀半导体将向哈勃科技关联方提供砷化镓及磷化铟衬底，并保障供应，对方则通过对相关产品的实际应用为鑫耀半导体提供技术及产品验证上的反馈。
哈勃......
GaN在射频功率领域会所向披靡吗？(2017-08-01)
式天线系统和一些微波链路：砷化镓MMIC在这些市场的优势是射频功率低，TriQuint 半导体T2G4005528-FS(图1)是GaN竞争的典型代表，这种碳化硅衬底的氮化镓HEMT(高电子迁移率晶体管)工作......
GaN将成PA主流技术，这家公司恐成最大赢家(2017-07-27)
(CMOS)制程为主，3G、4G则是砷化镓制程，5G因为高频的关系，络达十分看好氮化镓制程，该技术同时还能让电压撑得更久。
林珩之分析，未来5G时代，手机功率放大器采用的半导体制程，预估将会是砷化镓......
Transphorm携手Allegro MicroSystems提升大功率应用中氮化镓电源系统性能;专为大功率应用而设计的隔离式栅极驱动器，有助于加速氮化镓半导体在数据中心、可再生能源和电动汽车领域的应用......
Transphorm携手Allegro MicroSystems提升大功率应用中氮化镓电源系统性能(2023-12-07 10:36)
Transphorm携手Allegro MicroSystems提升大功率应用中氮化镓电源系统性能;专为大功率应用而设计的隔离式栅极驱动器，有助于加速氮化镓半导体在数据中心、可再生能源和电动汽车领域的应用全球领先的氮化镓......
半导体行业阵痛期，库存调整周期拉长，市场何时回温?(2022-11-05)
中作出相关报道。
据了解，相较于常见的硅晶圆，砷化镓半导体具有高频、抗辐射、耐高电压等特性，因此广泛应用在主流的商用无线通讯、光通讯以及先进的国防、航空及卫星等领域。其中，手机PA对砷化镓......
功率半导体，未来怎么卷(2023-09-06)
是结构，还是集成程度，厂商都已做到极致，作为对制程敏感度更低的功率IC，材料成为成倍加强功率半导体的神兵利器。所以厂商才不遗余力地投入在SiC（碳化硅）、GaN（氮化镓）等第三代半导体和Ga2O3（氧化镓......
摩尔定律对半导体行业的加速度已经明显放缓(2023-03-27)
都表现出了相当的渗透力。1.GaN在5G方面的应用射频氮化镓技术是5G的绝配，基站功放使用氮化镓。氮化镓（GaN）、砷化镓（GaAs）和磷化铟（InP）是射频应用中常用的半导体材料。与砷化镓......
新型半导体技术可为人工智能提供动力(2024-04-25 10:29)
提高器件的效率。碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）这两种材料尤为重要。这两种材料并不新鲜，但迄今为止，对它们的需求一直受到成本，产能以及可靠性的担忧。不过，这种情况正在开始改变。越来越多的碳化硅和氮化镓半导体被应用......
射频从业者必看，全球最大的砷化镓晶圆代工龙头解读(2017-02-08)
)、手机及无线区域网路用功率放大器 ( PA )与雷达系统上。
砷化镓电晶体制程技术分为三类：
A.异质接面双极性电晶体(HBT)
B.应变式异质接面高迁移率电晶体(pHEMT)
C.金属半导体......
高通PA杀入供应链，大补贴抢市场吓慌Skyworks(2017-08-02)
日前法说会焦点之一。
高通执行长莫伦科夫（Steve Mollenkopf）回应时表示，与TDK合作推出的“gallium arsenide PAs”（即砷化镓PA）将于2017年生产，这是一个比较合适的时间点，届时会再寻找合适的应用......
中国首颗6英寸氧化镓单晶成功制备，第四代半导体呼啸而来(2023-02-28)
材料也凭借其高耐压、低损耗、高效率、小尺寸等特性，成功进入人们的视野。
据了解，在第四代半导体材料中，尤以氧化镓备受业界关注。作为新型超宽禁带半导体材料，氧化镓在微电子与光电子领域均拥有广阔的应用前景，可以......
中国首颗6英寸氧化镓单晶成功制备，第四代半导体呼啸而来(2023-02-28)
材料也凭借其高耐压、低损耗、高效率、小尺寸等特性，成功进入人们的视野。
据了解，在第四代半导体材料中，尤以氧化镓备受业界关注。作为新型超宽禁带半导体材料，氧化镓在微电子与光电子领域均拥有广阔的应用前景，可以......
中国研发再突破！15亿美元的氧化镓市场如何引发多国博弈？(2022-05-12)
从事超宽禁带（第四代）半导体氧化镓材料开发及器件芯片应用产业化的国家高新技术产业公司，涵盖完整的产业中试产线，具备研发和小批量生产能力，初步构建了氧化单晶衬底、氧化镓异质/同质......
Transphorm按功率段发布氮化镓功率管可靠性评估数据(2022-12-16)
的高性能、高可靠性的氮化镓半导体功率器件。Transphorm拥有最庞大的功率氮化镓知识产权组合之一，持有或取得授权的专利超过1,000多项，在业界率先生产经JEDEC和AEC-Q101认证的高压氮化镓半导体......
Transphorm按功率段发布氮化镓功率管可靠性评估数据(2022-12-16 09:12)
-technology/关于TransphormTransphorm, Inc.是氮化镓革命的全球领导者，致力于设计、制造和销售用于高压电源转换应用的高性能、高可靠性的氮化镓半导体......
Transphorm发布新的氮化镓场效应管可靠性指标，现已按照功率级别划分(2022-12-19)
问此处：http://bit.ly/38HHGF7。
关于Transphorm
Transphorm, Inc.是氮化镓革命的全球领导者，致力于设计、制造和销售用于高压电源转换应用的高性能、高可靠性的氮化镓半导体......
相关企业
;深圳市科莱特电子有限公司;;深圳市科莱特电子有限公司自2002年开始，在国内率先采用美国ANADIGICS砷化镓(GaAs)集成芯片与国外技术机构合作共同研制、开发出第一代、第二代砷化镓（GaAs
研究所为技术支持，具有雄厚的技术实力和研发力量，在半导体元器件、光电技术及应用、传感器等方面拥有多项专利及技术。 公司引进了国际先进的半导体技术和专家、及全套芯片和后道封装生产设备，以完
期主要从事外延片生产及芯片封装，装配外延片生产线（MOCVD）20条，芯片生产线12条，芯片封装生产线14条，共投资7亿元；第三期是在第一期和第二期的基础上，根据企业发展的需要，生产半导体照明材料，装配砷化镓、氮化镓
电力电子器件、特种高可靠器件、砷化镓集成电路、光电集成电路、微波混合封装集成电路、微波模块和小整机、半导体材料、半导体封装和半导体工艺设备。产业公司的产品包括：微波介质陶瓷与器件（DR）、PTC正温
上硅晶体管（EGAN®）。这些产品的应用，包括服务器，笔记本电脑，笔记本电脑，手机，基站，平板显示器和D类放大器具有更大的比最好的硅功率MOSFET器件性能多次。成立于2007年11月，EPC是一个在台湾的分包制造的无晶圆厂半导体公司。
and passive components and unique in our ability to provide integrated solutions.;TriQuint 半导体公司采用砷化镓
务范围包括：磁敏、光电、新型元器件、传感器的研发和销售。 公司引进了国际先进的半导体技术，匹配全套芯片和后道封装生产设备，以完善的配套设施和优良的生产环境，致力于高科技产品的规模化生产。 主导产品有砷化镓
;珠海市矽格电子科技有限公司;;珠海市矽格电子科技有限公司座落于美丽的海滨城市珠海，公司由一群资深半导体器件工程师和应用工程师组成，立志于新型半导体器件的研发和应用推广，为客户提供优质的产品和完整的应用
通讯系统及双向数据寻呼机的元备件，并致力于开拓基站及地方无线局域网（WLAN）的市场。
RFMD精通广泛应用于射频领域的多种处理技术，是生产砷化镓双极晶体管，或称作是GaAs HBT的主要厂家。RFMD还投资半导体
;科理集创科技有限公司;;致力于开发先进的半导体技术应用于无线智能通讯的应用领域，启动和承担各类以半导体材料为起点的创新工程。