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跑分，蓝色为多核跑分，绿色为单核跑分 GPU性能排行，本次对比区分了峰值性能以及持续性能，各占比50%。天玑9300处理器与骁龙8Gen 3的GPU性能都超过了苹果手机最新的A17Pro处理器性能。 图......
科称天玑 9300 是一款“旗舰 5G 生成式 AI 移动芯片”，这是天玑首款“4（超大核）+4（大核）”全大核 AI 旗舰芯片。采用台积电新一代 4nm 工艺，拥有 227 亿个晶体管。 天玑 9300 采用......
妙趣横生的电子小知识　第1篇：初识晶体管;本系列连载将介绍电力电子相关的基础知识和各种小知识。本系列涉及到的内容很广泛，涵盖从基础知识到应用部分的丰富内容，希望能够帮到那些“至今不好意思问别人，但又......
妙趣横生的电子小知识　第1篇：初识晶体管;本系列连载将介绍电力电子相关的基础知识和各种小知识。本系列涉及到的内容很广泛，涵盖从基础知识到应用部分的丰富内容，希望能够帮到那些“至今不好意思问别人，但又......
干货总结｜晶体管的应用知识;是一个简单的组件，可以使用它来构建许多有趣的电路。在本文中，将带你了解是如何工作的，以便你可以在后面的电路设计中使用它们。一旦你了解了的基本知识，这其实是相当容易的。我们将集中讨论两个最常见的晶体管......
性能提升20倍！美国全新纳米级3D晶体管面世; 11月7日消息，据报道，美国麻省理工学院团队利用超薄半导体材料，成功研制出一种全新的纳米级3D晶体管。 这款晶体管......
电子产品废热多？管理有办法，首个固态电化学热晶体管问世; 本研究开发的开创性固态电化学热晶体管。图片来源：物理学家组织网 日本科学家开发出首个固态电化学热晶体管，其能用电来管理热。新问世的固态热晶体管的效率可与目前广泛使用的液态热晶体管......
什么是晶体管呢？ 世界需要更好的晶体管吗？; 泛指一切以半导体材料为基础的单一元件，包括各种半导体材料制成的二极管、三极管、场效应管、晶闸管等。晶体管具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号......
四张图看懂晶体管现状;在过去的 75 年里，晶体管技术最明显的变化就是我们能制造多少。正如这些图表所示，减小设备的尺寸是一项巨大的努力，而且非常成功。但尺......
基于量子干涉的单分子晶体管面世，可用于制造更小更快更节能的新一代电子设备;英国和加拿大科学家组成的一个国际研究团队开发出一种新型单分子晶体管，利用量子干涉来控制电子流。这一......
技术前沿：“环抱”晶体管与“三明治”布线; 在制程技术的前沿，英特尔正稳步推进其“四年五个制程节点”计划，加速实现在2025年推出尖端的制程节点Intel 18A。 今天，我们......
晶体管收音机电路原理图讲解;晶体管收音机是一种简单而有趣的技术小玩意，它改变了我们听音乐的方式。为了放大微弱的无线电信号并将其作为可听声音传输，它使用单个晶体管。本文将解释单晶体管......
基础知识之晶体管;一、的功能 具有放大和开关电信号的功能。 比如在收音机中，会扩大（放大）空中传输过来的非常微弱的信号，并通过扬声器播放出来。这就是的放大作用。 另外，晶体管......
单颗芯片容纳1万亿个晶体管？我们的世界是否还需要更好的晶体管?; 泛指一切以半导体材料为基础的单一元件，包括各种半导体材料制成的二极管、三极管、场效应管、晶闸管等。晶体管具有检波、整流、放大......
英特尔展示下一代晶体管微缩技术突破，将用于未来制程节点;在IEDM 2023上，英特尔展示了结合背面供电和直接背面触点的3D堆叠CMOS晶体管，这些开创性的技术进展将继续推进摩尔定律。 2023年......
GAAFET技术才准备开始，下一世代CasFET技术已在开发;外媒报导，下世代半导体先进制程技术，研究人员已在开发称为“CasFET”的制程技术，除了更低开关电压、更低功耗和更高密度设计，新型芯片在晶体管......
Intel展示全新3D晶体管：氮化镓都用上了; 2023 IEEE国际电子器件会议(IEDM 2023)上，Intel展示了多项新的半导体技术突破，继续推进摩尔定律。 一是3D堆叠CMOS......
芯片巨头们已着手研发下一代CFET技术;外媒 eNewsEurope 报道，英特尔 (Intel) 和台积电将在国际电子元件会议 (IEDM) 公布垂直堆叠式 () 场效晶体管进展，使 成为......
切换式电源供应器具有体积小、重量轻、效率高的优点；一般切换式电源供应器采用传统硬式切换，功率晶体管操作频率增加时，功率晶体管的切换损失也随着增加，功率晶体管使用的散热片不仅体积变大并且使效率降低。       一般......
未来的制程路线图提供了丰富的创新技术储备，充分说明了摩尔定律仍在不断演进。具体而言，英特尔研究人员在大会上展示了结合背面供电和直接背面触点（direct backside contacts）的3D堆叠CMOS晶体管......
未来的制程路线图提供了丰富的创新技术储备，充分说明了摩尔定律仍在不断演进。具体而言，英特尔研究人员在大会上展示了结合背面供电和直接背面触点（direct backside contacts）的3D堆叠CMOS晶体管，分享......
推挽式B类功率放大器的基本原理;了解B类放大器的工作原理，如何计算其效率，以及其性能与电感性负载A类设计的比较。本文引用地址：正如我们在上一篇文章中所讨论的，单晶体管B类放大器（图1）使用高Q谐振......
率放大器特性 在B类放大器中，晶体管被偏置到刚好低于其导通点。当没有完全导通时，晶体管被输入信号的正半周期驱动导通。对于信号的另一半周期，当输入信号为负时，晶体管保持截止状态。如图1所示。 晶体管......
面积 3、TIP147 3D 模型 TIP147 3D模型 四、TIP147 三极管参数 晶体管类型： PNP 达林顿 最大集电极电流(IC )：-10A 最大集电极-发射极电压（V CE......
集成电路学院任天令团队在小尺寸晶体管研究方面取得重大突破 首次实现亚1纳米栅长晶体管;近日，清华大学集成电路学院任天令教授团队在小尺寸晶体管研究方面取得重大突破，首次实现了具有亚1纳米栅极长度的晶体管......
QORVO GAN－ON－SIC晶体管提高战术和公共安全电台的效率和带宽;紧凑型50V晶体管降低电流损耗、简化设计实现互联世界的创新RF解决方案提供商Qorvo, Inc.今天宣布，推出新的50V......
欧姆的负载（扬声器）。本文引用地址：电路的原理： 该电路的基本原理是双极结型晶体管的不同偏置方式。 麦克风输出的电信号非常低。使用 CE 配置的双极结型晶体管在 A 类模式下偏压，可将......
IBM展示了首个针对液氮冷却进行优化的先进CMOS晶体管;IBM在2023年12月早些时候的IEEE国际电子器件会议（IEDM）上展示了首个针对液氮冷却进行优化的先进CMOS晶体管。纳米片晶体管......
英特尔在ITF World展示了新的堆叠CFET晶体管设计; 在 Beligum 安特卫普的 ITF World 2023 上，英特尔技术开发总经理 Ann Kelleher 概述......
）。 该电路是完全晶体管化和电池供电的。自激振荡电路由两个低功耗、低噪声晶体管T1和T2实现。这两个晶体管中的一个持续导通，而另一个截止。由于电容器C1和C2的正常充电和放电，两个晶体管......
我们从观察典型三星14 nm LPE FinFET晶体管的SEM侧视图开始(图1)。晶体管通道如同矽鳍片(Si Fin)般地形成，而非由图片的左下角向右上方生长。这些......
基于晶体管的90瓦音频功率放大器电路分享;这种音频功率放大器电路由几个晶体管组成，这些晶体管以这样的方式排列以形成一个固体音频放大器电路并合格。该放大器使用四个晶体管，每个晶体管......
说的，诸如，台积电16nm工艺的Nvidia GPU、英特尔14nm工艺的i5，等等，这个长度的含义，具体的定义需要详细的给出晶体管的结构图才行，简单地说，在早期的时候，可以姑且认为是相当于晶体管......
背面供电再迎创新：IEDM2023英特尔放出一个“王炸”;作者: 付斌随着摩尔定律不断推进，晶体管越来越小，密度越来越高，堆栈层数也越来越多。此时，细节就更能为芯片挤压更多性能，背面......
背面供电再迎创新：IEDM2023英特尔放出一个“王炸”;随着摩尔定律不断推进，晶体管越来越小，密度越来越高，堆栈层数也越来越多。此时，细节就更能为芯片挤压更多性能，背面供电就是一个。与此同时，它可......
基于LM391的35W音频放大器电路;该电路方案是一种音频放大器，可以产生35瓦输出，失真很小。该电路的核心是LM391型IC。LM391IC是专门用于驱动基于晶体管的放大器的驱动器。该IC的优......
成电路填满更多的元件"，文中预言半导体芯片上集成的晶体管和电阻数量将每年增加一倍。1975年，戈登·摩尔在IEEE国际电子组件大会上提交了一篇论文，根据当时的实际情况对进行了修正，把"每年增加一倍"改为"每两......
半导体大厂万亿晶体管技术路线曝光，1nm芯片2030年完成？;在近日举办的IEEE国际电子元件会议（IEDM）上，台积电分享了一个包含1万亿晶体管的芯片封装路线。据悉，这或成为行业2030年以......
推出采用1.1-mm x 1-mm x 0.37-mm超薄DFN封装的晶体管;NXP推出首款采用1.1-mm x 1-mm x 0.37-mm超薄DFN（分立式扁平无引脚）封装的晶体管。全新......
功率晶体管，连续六年创新高;据ICinsights分析，功率晶体管销售额在 2022 年有望增长 11%，预计今年将达到 245 亿美元，连续第六次创下历史新高，这主......
的最新进展以及对 SRAM 设计的影响。 3纳米GAA MBCFET的优越性 GAA指的是晶体管的结构。晶体管是电子电路的组成部分，起到开关的作用，也就是当门极施加电压时，电流......
英特尔展示下一代晶体管微缩技术突破，将用于未来制程节点;在IEDM 2023上，英特尔展示了结合背面供电和直接背面触点的3D堆叠CMOS晶体管，这些开创性的技术进展将继续推进摩尔定律。2023年12......
英特尔展示下一代晶体管微缩技术突破，将用于未来制程节点;在IEDM 2023上，英特尔展示了结合背面供电和直接背面触点的3D堆叠CMOS晶体管，这些开创性的技术进展将继续推进摩尔定律。 2023年......
使用这个项目来控制电器，而不是使用昂贵的稳压器。 带和的高低压切断原理： 当电源电压较高时，齐纳二极管 D4 阴极的直流电压大于 5.6V。因此，晶体管 Q1 导通，晶体管 Q2 关断。因此，继电器 RL1 断开，负载......
高效晶体管如何推动组串式光伏逆变器发展;在今天的博文中，我们会进一步深入探讨——随着时代的发展，高效功率晶体管技术对组串式的影响。在电力储能系统中，是进行电流转换必不可缺的组件。本文引用地址：首先......
、 Si半导体材料、第二代 GaAs、 InP化合物半导体材料之后的第三代半导体材料。 硅可以算得上是半导体行业内的老油条。60年来，硅一直占据着半导体行业的核心位置，也是晶体管的首要选择，而晶体管......
加大柏克莱分校发现新晶体管设计，以帮助芯片降低运算功耗;根据外电报道，近期在《自然》期刊上所发表的一项研究中，加州大学柏克莱分校的研究人员表示，对芯片的晶体管设计有了重大突破。也就是藉由改良其在晶体管......
CLAP在CES 2023上展示有机薄膜晶体管应用技术;• 高性能有机材料（有机薄膜晶体管(OTFT)、有机光电二极管(OPD)、交联仪等）的广泛专利组合• 提供环保型解决方案 - 有机薄膜晶体管......
负载级如何提供大于其电源电压的电压摆动？一种可能的解释是，节点A处的直流电压等于VCC，因为电感器在直流下是短路。RFC只承载直流电流，其值由连接到晶体管基极的偏置电路（图中未显示）确定。由于......
芯片三巨头发力CFET晶体管，进军埃米时代; 【导读】日前，台积电资深副总经理暨副共同首席运营官张晓强在2024技术论坛上宣布，台积电已成功集成不同晶体管架构，在实验室做出CFET（互补式场效应晶体管......

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