资讯
4个常用的单片机防反接电路(2022-12-08)
防反接电路
由场效应管制作工艺决定了，场效应管的导通电阻比较小，是现在很常用的开关器件，特别是在大功率的场合。
以TO-252封装的IRFR1205为例，其主要参数如下：
Vdss=55V
Id......
纯直流场效应管功放电路(2023-06-20)
电路），这样两只管子就变成了并联工作了。因为电子管的栅极是上作在相对阴极为负的情况下，使得偏置电路也极为简单，此原理不能用于晶体管或运放电路中。
场效应管功放级电路原理，差分......
【泰克应用分享】 FET 生物传感器的直流I-V 特性研究(2023-11-17)
了常见的直流I-V测试和用于进行测量的仪器，并解释了测量注意事项以达到理想测量结果。
一、生物场效应管/BioFET感器
生物晶体管传感器包含一个晶体管和一个生物敏感层，用于检测类似于生物分子等生物成分。图2......
指针式万用表对场效应管进行判别方法(2023-02-08)
由于人体感应的交流电压较高，而不同的场效应管用电阻档测量时的工作点可能不同（或者工作在饱和区或者在不饱和区）所致，试验表明，多数管的RDS增大，即表针向左摆动；少数管的RDS减小，使表针向右摆动。但无......
介绍用指针万用表检测场效应管的方法(2023-03-07)
两个电极分别是漏极D和源极S。因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极Ｇ。也可以将万用表的黑表笔（红表笔也行）任意接触一个电极，另一只表笔依次去接触其余的两个电极，测其......
用指针万用表检测场效应管的方法(2023-02-07)
两个电极分别是漏极D和源极S。因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极Ｇ。也可以将万用表的黑表笔（红表笔也行）任意接触一个电极，另一只表笔依次去接触其余的两个电极，测其电阻值。当出......
不同的电平信号的MCU怎么通信(2023-01-09)
了电平转换的效果。
到此，该电路就分析完了，这是一个双向的串口电平转换电路。
MOS的优势：
1、场效应管的源极S、栅极G、漏极D分别对应于三极管的发射极e、基极b、集电极c，它们的作用相似，图一所示是N沟道MOS管和......
什么是H桥？介绍H桥电机驱动电路(2023-10-30)
，下图就是这种H桥电路。它由2个P型场效应管Q1、Q2与2个N型场效应管Q3、Q4组成，桥臂上的4个场效应管相当于四个开关。 相对于前文4个N型MOS管的H桥电路，此电路的一个......
51单片机GPIO结构框图与工作原理(2023-08-09)
端口由锁存器、输入缓冲器、切换开关、一个非门、一个与非门及场效应管驱动电路构成。再看图的最右边，标号为P0.x 引脚的图标，也就是说P0.x 引脚可以是P0.0 到P0.7 的任何一位，即在P0 口有......
e络盟扩充东芝场效应管产品系列，满足全球市场日益增长的需求(2023-11-16)
：基于U-MOS X-H沟槽工艺，这种新型功率场效应管可用于高性能开关电源，例如通信基站及其他工业应用的开关电源。在使用同步整流的高性能电源解决方案中，反向恢复性能非常重要。全新TPH9R00CQ5包括一个......
详解：8051单片机的结构与原理(2023-03-28)
要将锁存器置“1”,使场效应管截止，避免锁存器内数据的干扰。
由于在输入操作前还必须附加一个置“1”的准备动作，因此称为“准双向口”。四个并口（P0-P3）都是准双向口
四、8051单片......
简述8051单片机结构与原理(2024-01-15)
执行“读锁存器”操作，此时Q端信息经过缓冲器BUF1进入内部总线。
四个并口（P0-P3）在读引脚之前，都需要将锁存器置“1”,使场效应管截止，避免锁存器内数据的干扰。
由于在输入操作前还必须附加一个......
8051单片机的结构与原理(2024-01-15)
执行“读锁存器”操作，此时Q端信息经过缓冲器BUF1进入内部总线。
四个并口（P0-P3）在读引脚之前，都需要将锁存器置“1”,使场效应管截止，避免锁存器内数据的干扰。
由于在输入操作前还必须附加一个......
关于8051单片机基础结构解析与工作原理及电路结构(2024-02-03)
脚”操作；
也可执行“读锁存器”操作，此时Q端信息经过缓冲器BUF1进入内部总线。
四个并口（P0-P3）在读引脚之前，都需要将锁存器置“1”，使场效应管截止，避免锁存器内数据的干扰。
由于在输入操作前还必须附加一个......
e络盟扩充东芝场效应管产品系列，满足全球市场日益增长的需求(2023-11-17)
e络盟扩充东芝场效应管产品系列，满足全球市场日益增长的需求;
中国上海，2023年11月16日—安富利旗下全球电子元器件产品与解决方案分销商e络盟宣布新增250多种东芝（Toshiba）产品......
e络盟扩充东芝场效应管产品系列，满足全球市场日益增长的需求(2023-11-17 15:24)
e络盟扩充东芝场效应管产品系列，满足全球市场日益增长的需求;全新系列的N通道功率场效应管可供开发人员用于各种应用，包括汽车、绿色能源、工业控制、电源......
一款简单的MOSFET功率音频放大器电路(2023-10-30)
电路原理图
TL071数据表
该放大器的效率为70%，在0Ω和2W的20Hz下，截止频率下的失真最多为8.10%。使用±30V的电源场效应管音频放大器可在45Ω上提供8W的功率，在70Ω上提供4W......
e络盟扩充东芝场效应管产品系列，满足全球市场日益增长的需求(2023-11-17)
e络盟扩充东芝场效应管产品系列，满足全球市场日益增长的需求;全新系列的N通道功率场效应管可供开发人员用于各种应用，包括汽车、绿色能源、工业控制、电源和充电家用电器
安富......
全面解析STC89C52单片机的LED调光系统电路(2023-10-08)
全面解析STC89C52单片机的LED调光系统电路;摘要： 在场效应管关断后让LED的负极电压升高，使得LED关闭。当场效应管导通时，LED的负极电压被拉低，使得LED发光。PWM调节方式使得驱动电路更简单......
8051单片机基本操作(2024-01-15)
驱动电路、1个反相器。
3.2 做输入端口
此时同样需要先通过内部总线向锁存器写1，让Q=1，场效应管截止，P2口输入的1才能送到三态门的输入端。此时，再给读引脚送一个读控制信号，1就可......
从内部结构到电路应用，这篇文章把MOS管讲透了。(2024-04-29)
表示。
控制栅极电压VGS的大小改变了电场的强弱，就可以达到控制漏极电流ID的大小的目的，这也是MOS管用电场来控制电流的一个重要特点，所以也称之为场效应管。
3、MOS管的特性
上述MOS管的......
MCS-51单片机指令系统（4）(2022-12-12)
脚上反映真实的输入信号，必须要 设法先让该引脚内部的场效应管截止才行，否则当场效应管导通时，P1口引 脚上将永远为低电平，无法正确反映外设的输入信号。让场效应管截止，就是用指令给P1口的相应位送一个“１”电平，这就......
STM32控制的电子负载(2022-12-08)
1000次的累加。
散热风扇控制部分原理图
散热风扇控制电路实际上就是一个低侧Buck降压电路，单片机产生的PWM驱动场效应管，通过调节PWM的占空比，可以调节风扇两端的电压值，从而控制风扇的转速。风扇......
【干货】抛开教材，从实用的角度聊聊MOS管(2022-11-29)
晶体管，以硅片为秤体，利用扩散工艺制作.......有N沟道和P沟道两个型。不仅如此，它还有两个兄弟，分别是结型场效应管以及晶体场效应管.......
面对这么大一段话，我不......
无刷直流马达控制电路(2023-04-25)
机驱动部分使用6个功率场效应管控制输出电压，四轴飞行器中的直流无刷电机驱动电路电源电压为12 V.驱动电路中，Q1~Q3采用IR公司的IRFR5305（P沟道），Q4~Q6为IRFR1205（N 沟道......
为什么单片机的I/O口需要驱动(2023-02-01)
/O口使用，不需要多路转换电路MUX。其输出级电路内部有上拉电阻，与场效应管共同组成输出驱动电路。因此，P1口作为输出时，不需要再外接上拉电阻，而当P1口作为输入口使用时，仍然需要先向锁存器写“1......
基于C8051F的镍氢电池管理系统设计参考(2024-01-18)
实现充电电流的恒流闭环调节。
在一个PWM周期中，当PWM信号为高时，低边NPN三极管5551导通，使高边NPN三极管5551基极拉低，三极管关断，场效应管门级变为低电平，场效应管关断;当PWM信号为低时，低边NPN三极......
51单片机CPU结构各部件的原理详细分析(2023-08-09)
的结构及工作原理
P0端口8位中的一位结构图见下图：
由上图可见，P0端口由锁存器、输入缓冲器、切换开关、一个与非门、一个与门及场效应管驱动电路构成。再看图的右边，标号为P0.X引脚的图标，也就是说P0.X引脚......
电动汽车车载充电器过流保护电路分析(2024-04-29)
收到过流保护信号时关闭SiC开关管的控制信号输出通道，以使AC/DC变换器40和DC/DC变换器50停止工作。预设电流阈值可以根据实际情况进行预设。
其中，在本实用新型实施例中，SiC开关管为SiC功率场效应管。与传统的场效应管......
12W场效应管音频放大器电路图(2024-04-19)
12W场效应管音频放大器电路图;这是一款8Ω负载下的12W小型功率放大器，将NE5534集成技术与晶体管作为V-MOSFET输出级相结合，获得出色的音质。输入灵敏度最大为 3V rms，1 kHz......
12W场效应管音频放大器电路图(2024-04-19)
12W场效应管音频放大器电路图;这是一款8Ω负载下的12W小型功率放大器，将NE5534集成技术与晶体管作为V-MOSFET输出级相结合，获得出色的音质。输入灵敏度最大为 3V rms，1 kHz......
30V MOS管N沟道PKC26BB替代料SVG032R4NL5(2023-09-26)
LVMOS工艺技术制造是100A、30VN沟道增强型场效应管，可兼容替代尼克森PKC26BB。
PKC26BB替代料SVG032R4NL5特点
■ 100A,30V,RDs(on)(典型值)=2.0mΩ......
无刷直流电机的三相六臂全桥驱动电路讲解(2023-03-20)
直流电机的三相六臂全桥驱动电路
无刷直流电机驱动控制电路如图所示。该电路采用三相六臂全桥驱动方式，采用此方式可以减少电流波动和转矩脉动，使得电机输出较大的转矩。在电机驱动部分使用6个功率场效应管......
OptiMOS线性场效应晶体管兼具低R值与大安全工作区(2017-07-31)
OptiMOS线性场效应晶体管兼具低R值与大安全工作区;英飞凌科技股份公司推出OptiMOS™线性场效应晶体管系列。这个全新产品系列兼具沟槽型功率场效应管的低导通电阻（RDS(on)）与平......
NMOS和PMOS详解(2023-12-19)
较麻烦，需采用隔离电压设计。
NMOS PMOS CMOS
CMOS门电路由PMOS场效应管和NMOS场效应管以对称互补的形式组成，先介绍MOS管，然后再介绍由CMOS组成的门电路。
MOS......
从华强北贸易商到设计原厂，萨科微“国产替代”发展秘笈(2022-04-06)
和军工等对高性能的苛求；（2）中低端为高中低压的场效应管、可控硅（晶闸管）、桥堆（整流桥）等消费类功率器件，肖特基二极管、ESD静电保护二极管、TVS瞬态抑制二极管、通用型二极管三极管，和电......
华强北宋仕强：山寨手机后，TWS蓝牙耳机会造就华强北新亿万富翁群吗？(2022-06-09)
微slkor官网（www.slkormicro.com）产品图
slkor萨科微（www.slkormicro.com）的场效应管mos管SL2301替换CJ长电LRC乐山VISHA威世CJ2301......
华强北宋仕强：华强北假货初探(2022-06-09)
（www.slkormicro.com）产品图
slkor萨科微（www.slkormicro.com）的场效应管mos管SL2301替换CJ长电LRC乐山VISHA威世CJ2301，LP2301LT1G,SI2301CDS......
I2C通讯不了？是不是硬件有问题？(2024-03-28)
/SCL线上的主从设备的内部简化结构，其由一个用于读取数据的缓冲器，以及一个用于发送数据的下拉场效应管组成。一个设备只被允许拉低总线（规定为短路到地）或释放总线（对地呈现高阻态）以允......
以单片机C8051F020为核心通用性强的多台电机控制平台设计(2024-01-11)
单片机输出信号均经光耦隔离。单片机输出信号为3. 3 V TTL电平，这对电机来说驱动力不够，因此采用场效应管经功率放大电路后，用来驱动电机。本系统步进电动机的驱动采用了单电压驱动方式，这种驱动电路的优点是线路简单......
STM32单片机的GPIO端口设置(2024-04-16)
式输出级即提高电路的负载能力，又提高开关速度。
4.2 开漏电路
场效应管是电压控制型元器件，当对场效应管的栅极施加电压时，漏极与源极会导通。结型场效应管有一个特性就是它的输入阻抗非常大，这意味着：没有......
Nexperia（安世半导体）宣布推出新一代 650V 氮化镓 (GaN) 技术(2020-06-08)
推出一系列采用新一代H2技术的全新高压氮化镓场效应管。新器件包含两种封装，TO-247 和Nexperia专有的CCPAK。两者均实现了更出色的开关和导通性能，并具有更好的稳定性。由于......
软启动和变频启动的区别(2023-09-05)
主电路是又6个场效应管组成的电路，在控制电路精准的控制之下，使六个场效应管轮流导通，在单位时间内，管子导通的次数越多，那么输出的电压和频率就越高，因此......
MOS管基础及选型指南(2024-03-20)
通双极型晶体管相比，具有输入阻抗高、噪声低、动态范围大、功耗小、易于集成等优势，在开关电源、镇流器、高频感应加热、高频逆变焊机、通信电源等高频电源领域得到了越来越普遍的应用。
▉ 场效应管分类
场效应管......
Nexperia针对工业和可再生能源应用推出采用紧凑型SMD封装CCPAK的GaN FET(2023-12-12)
方面积累了丰富的专业知识，如今成功将这一突破性的封装方案CCPAK应用于级联氮化镓场效应管（GaN FET），Nexperia对此感到非常自豪。
结合......
驱动氮化镓（GaN）场效应管和逻辑电平 MOSFET。器件可应用于激光雷达、飞行时间、面部识别和使用低侧驱动器的电源转换器等领域。SGM48521 提供 7A 拉电流和 6A 灌电流输出能力。分路输出配置允许依据场效应管......
60v mos管万代ao4264E/威兆VS6410AS替代料SVGP069R5NSA(2023-09-12)
60v mos管万代ao4264E/威兆VS6410AS替代料SVGP069R5NSA;MOS管是电压控制电流器件，用栅极电压的变化控制漏极电流的变化，N沟道增强型功率MOS场效应管......
关于二维/石墨烯材料及电子器件测试介绍(2023-04-18)
泛研究并使用在这个领域。在半导体特性上，石墨烯具有优良的导电特性及易掺杂改性的特性，因此被用来制作为各种半导体器件，如零带隙、顶栅石墨烯场效应管，双层石墨烯晶体管，双极超导石墨烯晶体管，石墨烯纳米带场效应管等。在应......
蓝箭电子创业板IPO获受理 募资6亿元投建半导体封测项目(2021-12-02)
体封装测试生产线扩产建设项目拟投资购买先进生产、检测设备等，打造全新的自动化生产线，进一步完善 DFN 系列、SOT系列等封装技术，开展如功率场效应管、功率 IC 等具有高技术附加值半导体产品的生产。
据悉，半导......
亦商亦儒 躬身入局半导体江湖——专访深圳市萨科微半导体有限公司总经理宋仕强(2022-05-14)
强说起当初入局半导体江湖，激情犹在，目光依然坚定。
发展：扎实基础，维护拓展市场
萨科微的碳化硅场效应管刚销售的时候，产品型号只有8个，包括4个型号碳化硅MOS管和4个型号的碳化硅二极管，应用......
相关企业
;嵘威科技有限公司;;万代AOS的场效应管mosfet，IGBT，东芝Toshiba的场效应管mosfet，光耦TLP系列。
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;深圳古东科技;;深圳古东科技有限公司代理国际整流器（IR）、仙童半导体（FSC）、意法半导体（ST）、英飞凌（Infineon）的场效应管，古东科技最大优势在于专业！尤其在通信电源、汽车电子、开关
;宁波港达电子有限公司;;本公司专业代理销售国外品牌的场效应管等电子元器件产品
;根本电子有限公司;;我司主要代理韩国光电子AUK品牌的场效应管，肖特基，IC及二三极管等产品。
;结型场效应管 深圳市古东科技有限公司;;深圳市古东科技有限公司（销售部）位于中国全国，深圳市古东科技有限公司（销售部）是一家IR/VISHAY、FCS、ST、INF的场效应管、音响功放IC、UPS
;结型场效应管 郑映辉;;汕头市泽森电子有限公司位于中国汕头市，汕头市泽森电子有限公司是一家场效应管、IC、三极管、二极管、可调电感等产品的经销批发的个体经营。汕头市泽森电子有限公司经营的场效应管
;结型场效应管 林春德;;汕头市长春电子有限公司位于中国汕头潮南区陈店电子城南街20号，汕头市长春电子有限公司是一家场效应管、可控硅、达林顿三极管等产品的经销批发的个体经营。汕头市长春电子有限公司经营的场效应管
;锂电保护IC代理;;我司是一家专业从事锂电保护IC代理的公司,现主要代理“中星微-VIMICRO”，与之配套的场效应管(Mosfet)是“意法半-ST”。
;结型场效应管 深圳市富仕茗电子有限公司销售部;;深圳市富仕茗电子有限公司专业代理和经销ST,IR,ON,FAIRCHIL,NXP等国际品牌的场效应管、电源控制IC、IGBT.整流桥、可控硅、二三