资讯
4个常用的单片机防反接电路(2022-12-08)
防反接电路
由场效应管制作工艺决定了，场效应管的导通电阻比较小，是现在很常用的开关器件，特别是在大功率的场合。
以TO-252封装的IRFR1205为例，其主要参数如下：
Vdss=55V
Id......
防反接常用单元电路，收藏了(2024-10-26 11:31:16)
防接反电路。
由场效应管制作工艺决定了，场效应管的导通电阻比较小。是现在很常用的开关器件，特别是在大功率的场合。以TO-252封装的IRFR1205为例......
纯直流场效应管功放电路(2023-06-20)
电路），这样两只管子就变成了并联工作了。因为电子管的栅极是上作在相对阴极为负的情况下，使得偏置电路也极为简单，此原理不能用于晶体管或运放电路中。
场效应管功放级电路原理，差分......
【泰克应用分享】 FET 生物传感器的直流I-V 特性研究(2023-11-17)
了常见的直流I-V测试和用于进行测量的仪器，并解释了测量注意事项以达到理想测量结果。
一、生物场效应管/BioFET感器
生物晶体管传感器包含一个晶体管和一个生物敏感层，用于检测类似于生物分子等生物成分。图2......
H桥电机正反转换控制电路图(2024-11-01 11:31:00)
H桥电机正反转换控制电路图;
电机控制电路
所谓的H桥电路就是控制电机正反转的。下图①就是一种简单的H桥电路，它由2个P型场效应管Q1、Q2与2个N型场效应管Q3......
指针式万用表对场效应管进行判别方法(2023-02-08)
由于人体感应的交流电压较高，而不同的场效应管用电阻档测量时的工作点可能不同（或者工作在饱和区或者在不饱和区）所致，试验表明，多数管的RDS增大，即表针向左摆动；少数管的RDS减小，使表针向右摆动。但无......
用指针万用表检测场效应管的方法(2023-02-07)
两个电极分别是漏极D和源极S。因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极Ｇ。也可以将万用表的黑表笔（红表笔也行）任意接触一个电极，另一只表笔依次去接触其余的两个电极，测其电阻值。当出......
介绍用指针万用表检测场效应管的方法(2023-03-07)
两个电极分别是漏极D和源极S。因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极Ｇ。也可以将万用表的黑表笔（红表笔也行）任意接触一个电极，另一只表笔依次去接触其余的两个电极，测其......
不同的电平信号的MCU怎么通信(2023-01-09)
了电平转换的效果。
到此，该电路就分析完了，这是一个双向的串口电平转换电路。
MOS的优势：
1、场效应管的源极S、栅极G、漏极D分别对应于三极管的发射极e、基极b、集电极c，它们的作用相似，图一所示是N沟道MOS管和......
不同的电平信号的MCU串口通信(2024-10-24 15:47:14)
和普通晶体三极管均可组成各种放大电路和开关电路，但是场效应管制造工艺简单，并且又具有普通晶体三极管不能比拟的优秀特性，在各种电路及应用中正逐步的取代普通晶体三极管，目前的大规模和超大规模集成电路中，已经广泛的采用场效应管......
不同的电平信号的MCU怎么通信？(2024-10-22 16:01:50)
。
7、场效应管和普通晶体三极管均可组成各种放大电路和开关电路，但是场效应管制造工艺简单......
什么是H桥？介绍H桥电机驱动电路(2023-10-30)
，下图就是这种H桥电路。它由2个P型场效应管Q1、Q2与2个N型场效应管Q3、Q4组成，桥臂上的4个场效应管相当于四个开关。 相对于前文4个N型MOS管的H桥电路，此电路的一个......
介绍H桥电机驱动电路(2024-11-05 11:58:11)
状态
下面以控制一个直流电机为例，对H桥的几种开关状态进行简单的介绍，其中正转和反转是人为规定的方向，实际......
什么是SMT分立器件？有哪些类型？内部结构是怎样的？(2024-10-28 11:57:14)
什么是SMT分立器件？有哪些类型？内部结构是怎样的？;
SMT分立器件包括各种分立半导体器件，有二极管、晶体管、场效应管，也有由两三只晶体管、二极管组成的简单复合电路。
典型......
一种低电压、低功耗模拟电路设计方案(2024-07-23)
极由衬底驱动差分级构成，此差分级以PMOS设备M1、M2作为输入，电流镜M3、M4作为主动负载;第二极是一个简单的CMOS到相级，它以M6作为驱动管M7作为主动负载。依靠补偿电容CC和电阻Rc差分......
51单片机GPIO结构框图与工作原理(2023-08-09)
端口由锁存器、输入缓冲器、切换开关、一个非门、一个与非门及场效应管驱动电路构成。再看图的最右边，标号为P0.x 引脚的图标，也就是说P0.x 引脚可以是P0.0 到P0.7 的任何一位，即在P0 口有......
使用电机驱动器IC实施的PCB设计(2024-08-30)
使用电机驱动器IC实施的PCB设计;直流电机驱动电路的设计目标
在直流电机驱动电路的设计中，主要考虑以下几点：
功能：电机是单向还是双向转动?需不需要调速?对于单向的电机驱动，只要用一个大功率三极管或场效应管......
e络盟扩充东芝场效应管产品系列，满足全球市场日益增长的需求(2023-11-16)
：基于U-MOS X-H沟槽工艺，这种新型功率场效应管可用于高性能开关电源，例如通信基站及其他工业应用的开关电源。在使用同步整流的高性能电源解决方案中，反向恢复性能非常重要。全新TPH9R00CQ5包括一个......
简述8051单片机结构与原理(2024-01-15)
执行“读锁存器”操作，此时Q端信息经过缓冲器BUF1进入内部总线。
四个并口（P0-P3）在读引脚之前，都需要将锁存器置“1”,使场效应管截止，避免锁存器内数据的干扰。
由于在输入操作前还必须附加一个......
8051单片机的结构与原理(2024-01-15)
执行“读锁存器”操作，此时Q端信息经过缓冲器BUF1进入内部总线。
四个并口（P0-P3）在读引脚之前，都需要将锁存器置“1”,使场效应管截止，避免锁存器内数据的干扰。
由于在输入操作前还必须附加一个......
关于8051单片机基础结构解析与工作原理及电路结构(2024-02-03)
脚”操作；
也可执行“读锁存器”操作，此时Q端信息经过缓冲器BUF1进入内部总线。
四个并口（P0-P3）在读引脚之前，都需要将锁存器置“1”，使场效应管截止，避免锁存器内数据的干扰。
由于在输入操作前还必须附加一个......
详解：8051单片机的结构与原理(2023-03-28)
要将锁存器置“1”,使场效应管截止，避免锁存器内数据的干扰。
由于在输入操作前还必须附加一个置“1”的准备动作，因此称为“准双向口”。四个并口（P0-P3）都是准双向口
四、8051单片......
e络盟扩充东芝场效应管产品系列，满足全球市场日益增长的需求(2023-11-17)
e络盟扩充东芝场效应管产品系列，满足全球市场日益增长的需求;
中国上海，2023年11月16日—安富利旗下全球电子元器件产品与解决方案分销商e络盟宣布新增250多种东芝（Toshiba）产品......
e络盟扩充东芝场效应管产品系列，满足全球市场日益增长的需求(2023-11-17 15:24)
e络盟扩充东芝场效应管产品系列，满足全球市场日益增长的需求;全新系列的N通道功率场效应管可供开发人员用于各种应用，包括汽车、绿色能源、工业控制、电源......
一款简单的MOSFET功率音频放大器电路(2023-10-30)
电路原理图
TL071数据表
该放大器的效率为70%，在0Ω和2W的20Hz下，截止频率下的失真最多为8.10%。使用±30V的电源场效应管音频放大器可在45Ω上提供8W的功率，在70Ω上提供4W......
e络盟扩充东芝场效应管产品系列，满足全球市场日益增长的需求(2023-11-17)
e络盟扩充东芝场效应管产品系列，满足全球市场日益增长的需求;全新系列的N通道功率场效应管可供开发人员用于各种应用，包括汽车、绿色能源、工业控制、电源和充电家用电器
安富......
全面解析STC89C52单片机的LED调光系统电路(2023-10-08)
全面解析STC89C52单片机的LED调光系统电路;摘要： 在场效应管关断后让LED的负极电压升高，使得LED关闭。当场效应管导通时，LED的负极电压被拉低，使得LED发光。PWM调节方式使得驱动电路更简单......
【51单片机】I/O口(2024-07-26)
内部上拉电阻，P1口被钳在0电平上，1无法送入P1口。所以与P0口一样，在数据输入P1口之前，先要通过内部总线向锁存器写1，让非Q=0，场效应管截止，P1口输入的1就可以送到输入三态缓冲器的输入端，此时再给三态门的读引脚送一个......
8051单片机基本操作(2024-01-15)
驱动电路、1个反相器。
3.2 做输入端口
此时同样需要先通过内部总线向锁存器写1，让Q=1，场效应管截止，P2口输入的1才能送到三态门的输入端。此时，再给读引脚送一个读控制信号，1就可......
模拟电路入门100个知识点！(2024-11-10 22:13:28)
。
35、场效应管同双极型三极管相比，其输入电阻
大
，热稳定性
好......
硬件工程师的哲学人生~(2024-10-17 22:45:34)
你把自己献给梦想了。
场效应管篇
（1）如果你爱一个......
8051单片机的GPIO(2024-07-25)
3.1 构成
1个输出锁存器、1个转换开关MUX、2个三态输入缓冲器、输出驱动电路、1个反相器。
3.2 做输入端口
此时同样需要先通过内部总线向锁存器写1，让Q=1，场效应管截止，P2口输......
从内部结构到电路应用，这篇文章把MOS管讲透了。(2024-04-29)
表示。
控制栅极电压VGS的大小改变了电场的强弱，就可以达到控制漏极电流ID的大小的目的，这也是MOS管用电场来控制电流的一个重要特点，所以也称之为场效应管。
3、MOS管的特性
上述MOS管的......
PCB板上各元器件损坏后都有哪些表现?(2024-06-03)
管还是P管可以用数字万用表测量测试两个PN结是否正常。
场效应管：测试场效应管的体内二极管的PN结是否正常，测试GD,GS是否有短路。
电容：无极性电容，击穿短路或脱焊，漏电严重或电阻效应。
电解......
MCS-51单片机指令系统（4）(2022-12-12)
脚上反映真实的输入信号，必须要 设法先让该引脚内部的场效应管截止才行，否则当场效应管导通时，P1口引 脚上将永远为低电平，无法正确反映外设的输入信号。让场效应管截止，就是用指令给P1口的相应位送一个“１”电平，这就......
STM32控制的电子负载(2022-12-08)
1000次的累加。
散热风扇控制部分原理图
散热风扇控制电路实际上就是一个低侧Buck降压电路，单片机产生的PWM驱动场效应管，通过调节PWM的占空比，可以调节风扇两端的电压值，从而控制风扇的转速。风扇......
【干货】抛开教材，从实用的角度聊聊MOS管(2022-11-29)
晶体管，以硅片为秤体，利用扩散工艺制作.......有N沟道和P沟道两个型。不仅如此，它还有两个兄弟，分别是结型场效应管以及晶体场效应管.......
面对这么大一段话，我不......
揭秘十大常用电子元器件背后的那些门道！(2024-10-20 21:14:56)
三极管主要用于放大电路中起放大作用，在常见电路中有三种接法。
八、场效应管......
无刷直流马达控制电路(2023-04-25)
机驱动部分使用6个功率场效应管控制输出电压，四轴飞行器中的直流无刷电机驱动电路电源电压为12 V.驱动电路中，Q1~Q3采用IR公司的IRFR5305（P沟道），Q4~Q6为IRFR1205（N 沟道......
浅析基本放大电路！(2024-10-05 18:03:02)
为射极输出器）和以基极为公共端的共基放大电路。它们的组成原则和分析方法相同，这里不再赘述。
2、场效应管放大电路
场效应管通过栅-源之......
非线性器件混频器的相乘作用及线性时变状态(2024-07-30)
波频率改变。
高质量的通信接收机广泛采用高性能的相乘器电路，如二极管双平衡混频器或双差分对平衡调制器。而一般接收机(如广播电视接收机)，从简化电路降低成本考虑，或会采用简单的三极管或场效应管混频器。
......
混频器的特性(2024-07-30)
量的通信接收机广泛采用高性能的相乘器电路，如二极管双平衡混频器或双差分对平衡调制器。而一般接收机(如广播电视接收机)，从简化电路降低成本考虑，或会采用简单的三极管或场效应管混频器。
......
为什么单片机的I/O口需要驱动(2023-02-01)
/O口使用，不需要多路转换电路MUX。其输出级电路内部有上拉电阻，与场效应管共同组成输出驱动电路。因此，P1口作为输出时，不需要再外接上拉电阻，而当P1口作为输入口使用时，仍然需要先向锁存器写“1......
科普丨十大最常用电子元器件介绍(2024-10-22 09:33:32)
10分贝)中(约15～20分贝)频率特性高频差好好续表应用多级放大器中间级，低频放大输入级、输出级或作阻抗匹配用高频或宽频带电路及恒流源电路。
八、场效应管......
基于C8051F的镍氢电池管理系统设计参考(2024-01-18)
实现充电电流的恒流闭环调节。
在一个PWM周期中，当PWM信号为高时，低边NPN三极管5551导通，使高边NPN三极管5551基极拉低，三极管关断，场效应管门级变为低电平，场效应管关断;当PWM信号为低时，低边NPN三极......
51单片机CPU结构各部件的原理详细分析(2023-08-09)
的结构及工作原理
P0端口8位中的一位结构图见下图：
由上图可见，P0端口由锁存器、输入缓冲器、切换开关、一个与非门、一个与门及场效应管驱动电路构成。再看图的右边，标号为P0.X引脚的图标，也就是说P0.X引脚......
12W场效应管音频放大器电路图(2024-04-19)
12W场效应管音频放大器电路图;这是一款8Ω负载下的12W小型功率放大器，将NE5534集成技术与晶体管作为V-MOSFET输出级相结合，获得出色的音质。输入灵敏度最大为 3V rms，1 kHz......
12W场效应管音频放大器电路图(2024-04-19)
12W场效应管音频放大器电路图;这是一款8Ω负载下的12W小型功率放大器，将NE5534集成技术与晶体管作为V-MOSFET输出级相结合，获得出色的音质。输入灵敏度最大为 3V rms，1 kHz......
电动汽车车载充电器过流保护电路分析(2024-04-29)
收到过流保护信号时关闭SiC开关管的控制信号输出通道，以使AC/DC变换器40和DC/DC变换器50停止工作。预设电流阈值可以根据实际情况进行预设。
其中，在本实用新型实施例中，SiC开关管为SiC功率场效应管。与传统的场效应管......
30V MOS管N沟道PKC26BB替代料SVG032R4NL5(2023-09-26)
LVMOS工艺技术制造是100A、30VN沟道增强型场效应管，可兼容替代尼克森PKC26BB。
PKC26BB替代料SVG032R4NL5特点
■ 100A,30V,RDs(on)(典型值)=2.0mΩ......
相关企业
;嵘威科技有限公司;;万代AOS的场效应管mosfet，IGBT，东芝Toshiba的场效应管mosfet，光耦TLP系列。
营理念，坚持“客户第一”的原则为广大客户提供优质的服务。公司经过严格的科学认证，市场调研区分，选取市场信誉好，品质稳定可靠的场效应管与二三极管品牌作为公司的主营业务。作为一家专业的场效应管
;深圳古东科技;;深圳古东科技有限公司代理国际整流器（IR）、仙童半导体（FSC）、意法半导体（ST）、英飞凌（Infineon）的场效应管，古东科技最大优势在于专业！尤其在通信电源、汽车电子、开关
;宁波港达电子有限公司;;本公司专业代理销售国外品牌的场效应管等电子元器件产品
;根本电子有限公司;;我司主要代理韩国光电子AUK品牌的场效应管，肖特基，IC及二三极管等产品。
;结型场效应管 深圳市古东科技有限公司;;深圳市古东科技有限公司（销售部）位于中国全国，深圳市古东科技有限公司（销售部）是一家IR/VISHAY、FCS、ST、INF的场效应管、音响功放IC、UPS
;结型场效应管 郑映辉;;汕头市泽森电子有限公司位于中国汕头市，汕头市泽森电子有限公司是一家场效应管、IC、三极管、二极管、可调电感等产品的经销批发的个体经营。汕头市泽森电子有限公司经营的场效应管
;结型场效应管 林春德;;汕头市长春电子有限公司位于中国汕头潮南区陈店电子城南街20号，汕头市长春电子有限公司是一家场效应管、可控硅、达林顿三极管等产品的经销批发的个体经营。汕头市长春电子有限公司经营的场效应管
;锂电保护IC代理;;我司是一家专业从事锂电保护IC代理的公司,现主要代理“中星微-VIMICRO”，与之配套的场效应管(Mosfet)是“意法半-ST”。
;结型场效应管 深圳市富仕茗电子有限公司销售部;;深圳市富仕茗电子有限公司专业代理和经销ST,IR,ON,FAIRCHIL,NXP等国际品牌的场效应管、电源控制IC、IGBT.整流桥、可控硅、二三