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缺货！涨价！存储厂商纷纷抢滩3D NAND闪存和SSD(2016-12-16)
缺货！涨价！存储厂商纷纷抢滩3D NAND闪存和SSD;
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今年的存储器市场异常火爆，特别......
美光宣布 3D NAND 闪存年底前大量投产(2016-12-16)
高产量。就美光为例，其所生产的 2D NAND 闪存，主力是 16 纳米制程的产品，MLC/TLC 闪存的核心容量不过 128Gb。但是，借由 3D NAND 技术的 MLC 闪存核心容量就有 256Gb......
三星电子批量生产首款256千兆，3D V－NAND闪存(2015-08-12)
（基于48层的3位多级单元（MLC）阵列用于在固态驱动器（SSD）的3D）垂直的NAND（V-NAND）闪存。
“随着我们推出的第三代V-NAND闪存的全球市场，我们现在可以基于改进的性能，功耗......
闪存颗粒到底是何物？浅析闪存及制程(2017-02-13)
颗粒的量产引发固态涨价，闪存颗粒的制程问题引发的厂商竞争，以及“日经贴”般的MLC/TLC颗粒的优劣问题。
那么，到底什么是闪存颗？2D NAND和3D NAND之间又有哪些区别和联系？下面，我们......
Kioxia推出了新一代UFS Ver． 4．0设备(2023-06-02 10:07)
善用户体验。
Kioxia：UFS Ver. 4.0嵌入式闪存存储设备 (照片：美国商业资讯)
Kioxia推出的UFS Ver. 4.0设备将公司创新的BiCS FLASH™ 3D闪存和......
Kioxia推出了新一代UFS Ver． 4．0设备(2023-06-02 10:07)
善用户体验。
Kioxia：UFS Ver. 4.0嵌入式闪存存储设备 (照片：美国商业资讯)
Kioxia推出的UFS Ver. 4.0设备将公司创新的BiCS FLASH™ 3D闪存和......
都在说RAM和ROM 可你真的懂这些储存原件么？(2016-10-12)
NAND闪存都是使用的30nm左右的制程，而不是20nm以下的制程，这也为3D NAND带来了更加优秀的可靠性。例如目前20nm工艺下的MLC闪存的擦写次数普遍是3000次，而使用了3D NAND......
闪存制造商正在研发7级单元的3D NAND闪存？(2022-06-17)
级单元的MLC 3D NAND闪存出现以来，主控芯片变得越来越复杂，开发和制造成本也越来越高。即便闪存芯片的价格下降了，主控芯片的价格上涨也会抹掉成本优势。
当前，NAND闪存......
Marvell推出用于DRAM-less PCIe3.0x2 SSD的NVMe控制器(2016-10-20)
。
Marvell 88NV1160是一个4通道控制器，支持PCIe 3.0 x2接口、NVMe 1.3协议（除了AHCI之外），以及多种类型的NAND闪存，包括15nm TLC、3D TLC以及......
SK海力士打响300层NAND第一枪，NAND闪存格局要变天？(2023-08-18)
。
NAND市场需求疲软，价格持续走跌
近年来，随着3D NAND技术的发展和普及，NAND闪存的容量和性能得到了大幅提升，同时也降低了成本和功耗。这使......
东芝首发15nm eMMC闪存：速度飙升140%！(2016-10-27)
-MMC（JEDEC版本5.1）和UFS（JEDEC版本2.1）提供了强大的集成控制器技术，可提供显著的读写速度改进。
与原来的NAND闪存解决方案相比，e-MMC和UFS将NAND闪存和......
SSD容量“狂飙”！(2023-04-04)
司表示，到2025-2026年，公司将推出300TB NVMe SSD。他们计划使用定制的SSD主控搭配3D NAND闪存，用于FlashArray系统，并在定制的FlashBlade操作......
铠侠目标 2031 年推出 1000 层 NAND 闪存，重组存储级内存业务(2024-04-07)
本应用物理学会春季学术演讲会上表示该企业目标 2030~2031 年推出 1000 层的 3D NAND 闪存，并对存储级内存（SCM）业务进行了重组。
铠侠与西部数据携手开发 NAND 闪存技术，目前......
消灭机械盘！SSD明年怒掀普及战：便宜大容量(2016-12-29)
这四大NAND豪门都已经涉足3D NAND闪存了，越来越多的闪存及SSD硬盘都会转向3D NAND技术。
而随着美光3D NAND MLC的大规模量产、东芝64层堆叠的问世、早已能够实现量产的三星V......
半导体业者都被3D NAND骗了！(2017-08-19)
制程节点来看，美光(Micron)的Crucial MX300固态硬盘(SSD)采用32层堆栈的三层储存单元(TLC)3D-NAND，比采用多层储存单元(MLC)平面NAND的美光Crucial......
SSD固态盘到底哪家技术强？(2017-02-15)
窝子的黑科技。
使用了和镁光同时研发的3D Xpoint技术，据说可以将存储速度提高1000倍（PPT数据），而且它的耐用性也会比普通闪存更高。理念是把内存和硬盘二合为一，3DXPoint......
3D NAND Flash，剑指1000层堆叠！(2023-07-05)
3D NAND Flash，剑指1000层堆叠！;闪存进入立体堆叠时代之后，在存储大厂推动下，闪存堆叠层数越来越高，目前已经突破200层大关。不过，大厂对于层数的追求永不止步，根据......
3D NAND Flash，剑指1000层堆叠！(2023-07-06)
3D NAND Flash，剑指1000层堆叠！;
【导读】闪存进入立体堆叠时代之后，在存储大厂推动下，闪存堆叠层数越来越高，目前已经突破200层大关。不过，大厂......
PMC公司推出业界第一款PCI Express存储开关和最快固态硬盘控制器(2015-08-12)
控制器具体规格包括：
·百万IOPS (4KB)
·大于20TB的闪存容量（16TB闪存容量采用256Gb的闪存密度）；
·支持3-D、TLC、企业级MLC、MLC及带有Toggle或ONFI接口......
NAND闪存三十五年，看得见与看不见的“江湖春秋”(2022-10-19)
年便与闪迪联合推出了1GB MLC NAND闪存，此时的闪存市场，竞争开始加剧，英特尔、三星、东芝互不相让地追逐NAND闪存的制高点。
2007年，2D NAND已经走到头，这一......
Kioxia因3D NAND闪存发明荣获FMS终身成就奖(2024-07-30 08:56)
Kioxia因3D NAND闪存发明荣获FMS终身成就奖;公司开发团队因研发了开创性的BiCS FLASH 3D闪存技术而受到表彰NAND闪存的发明者Kioxia Corporation荣获2024......
SK海力士成功研发全球最高层238层４D NAND闪存(2022-08-03)
士在2018年研发的96层NAND闪存就超越了传统的3D方式，并导入了4D方式。为成功研发4D架构的芯片，公司采用了电荷捕获型技术(CTF，Charge Trap Flash)*和PUC(Peri. Under......
Kioxia因3D NAND闪存发明荣获FMS终身成就奖(2024-07-29)
Kioxia因3D NAND闪存发明荣获FMS终身成就奖;公司开发团队因研发了开创性的BiCS FLASH 3D闪存技术而受到表彰
NAND闪存的发明者Kioxia Corporation荣获......
三星发布960 PRO/EVO全新SSD：2.1GB/s写入世界最快(2016-09-30)
（北极星）主控，48层3D MLC闪存颗粒+SLC缓存颗粒（提供智能加速写入功能），容量设计有512GB、1TB和2TB。
读写方面，连续读取3500 MB/s，写入2100 MB/s，4K随机......
238层4D NAND已量产，进入智能手机产品验证(2023-06-12)
在与生产智能手机的海外客户公司进行产品验证。
238层NAND闪存特性
238 层“4D Nand”实际上是 3D 的一种形式，238 层NAND器件采用电荷陷阱闪存(CTF) 设计，并采用该公司专有的外围单元 (PUC......
NAND Flash层数之争：谁先触抵天花板？(2022-08-19)
解决方案提供商Solidigm在闪存峰会上展示了全球首款正在研发的PLC（五层单元）SSD。与QLC（四层单元）SSD相比，PLC SSD可在每个存储单元内存储5bit的数据。
NAND闪存从SLC、MLC、TLC、QLC......
铠侠推出工业级BiCS FLASH 3D闪存 预计将于2022年Q4末量产(2022-09-16)
铠侠推出工业级BiCS FLASH 3D闪存 预计将于2022年Q4末量产;近日，铠侠宣布推出新的工业级闪存设备，该产品采用最新一代铠侠BiCS FLASH 3D闪存和3-bit-per-cell......
2024年QLC SSD出货量大增4倍，然供应商寥寥无几(2024-04-25)
、TLC、QLC性能对比
SLC（Single-Level Cell）：即单层单元闪存，每个单元存储 1 个比特的数据。
MLC（Multi-Level Cell）：即多层单元闪存，每个单元存储 2......
耕升SSD来了：良心MLC闪存(2016-10-07)
耕升SSD来了：良心MLC闪存;随着SSD日渐普及，现如今越来越多的显卡厂商开始不务正业，做起了SSD产品线。这不，耕升的SSD也来了。
耕升的SSD共有两大产品线，均以“风”系列来命名，分别......
耕升SSD来了：良心MLC闪存(2016-09-30)
耕升SSD来了：良心MLC闪存;随着SSD日渐普及，现如今越来越多的显卡厂商开始不务正业，做起了SSD产品线。这不，耕升的SSD也来了。
耕升的SSD共有两大产品线，均以“风”系列来命名，分别......
未来存储技术如何创新？西部数据提出“芯”想法(2021-12-13)
3D NAND技术、OptiNAND™技术闪存增强型硬盘、以及RISC V研发情况。
今年2月份西部数据发布了第六代162层3D NAND技术，通过横向拓展cell单元存储密度，与BiCS5相比......
三星完成400层NAND Flash开发，最快2025年二季度末量产(2024-12-09)
年就推出的3D NAND Flash闪存，提升了容量与读取速率之后，随着最新的400层堆叠TLC NAND Flash闪存的开发完成，显示哲该公司在相关技术上的显著进步。
三星......
SK海力士开发面向AI PC的高性能固态硬盘“PCB01”(2024-06-28)
（Peripheral Component Interconnect express）：用于数字设备主板上串行结构的高速输入/输出接口。
** 接口：在固态硬盘内NAND闪存和控制器之间数据输入/输出（I/O......
SK海力士开发面向AI PC的高性能固态硬盘‘PCB01’(2024-06-28)
储器市场。”
* PCIe（Peripheral Component Interconnect express）：用于数字设备主板上串行结构的高速输入/输出接口。
** 接口：在固态硬盘内NAND闪存和......
签约、开工、投产... 2021年一批存储芯片项目上马(2021-10-09)
和西数推出第六代162层3D NAND闪存；SK海力士量产采用EUV技术的第四代10纳米级DRAM。
企业战略规划方面，SK海力士90亿美元对英特尔NAND闪存和SSD业务......
铠侠第二代XL-FLASH™预计今年11月送样，明年量产(2022-08-06)
铠侠第二代XL-FLASH™预计今年11月送样，明年量产;8月2日，铠侠宣布推出第二代基于BiCS 3D闪存技术的存储级存储器（SCM）XL-FLASH™，可显着降低平均bit成本，同时......
TDK推出支持串行ATA 6Gbps的高可靠性CFast卡CAS1B系列(2015-11-17)
保面向工业用途的可靠性的同时，推出了与以往的CAG3B系列相比，实现了约3.2倍的高速读取、约1.9倍的高速写入性能的CFast卡。
在工业用途方面，人们为实现高容量化而使用MLC NAND闪存，但除......
谁是存储器市场下一个“宠儿”？(2024-04-25)
在断开电源时保留数据，此外它还具有极低延迟、高性能特性，能填补易失性存储器（如DRAM）和当前闪存之间存在的性能缺口，2022年铠侠推出了可支持MLC模式的第二代 XL-FLASH。
随着......
SK海力士开发面向AI PC的高性能固态硬盘‘PCB01’(2024-06-28 09:20)
Component Interconnect express）：用于数字设备主板上串行结构的高速输入/输出接口。** 接口：在固态硬盘内NAND闪存和控制器之间数据输入/输出（I/O）接口的数量。随着......
廉价SSD要小心：别拿4K对齐不当回事(2016-09-30)
闪存不靠谱，但笔者想说的是，你想多了。
TLC闪存越来越靠谱
众所周知，TLC闪存虽然成本相对较低，但其寿命却远不如MLC闪存，也因此让不少童鞋担心低价SSD会因TLC闪存的加盟而容易“夭折”。实际......
Kioxia开始运营两个新的研发机构(2023-06-02)
Front。这些新机构的启用进一步增强了该公司在闪存和固态硬盘(SSD)领域的研发能力。未来，神奈川县的其他研发职能将迁移到这两个新的研发中心，以提高研究效率并促进技术创新的进一步发展。
横滨......
SSD价格“卷”到HDD门口，挑选闪存颗粒很重要(2023-04-25)
原厂颗粒的原厂品牌SSD
原厂，顾名思义就是那些既能自己设计、制造闪存，也有自己SSD品牌的一线巨头。他们的闪存和SSD都经过了最严格的测试，质量一流，故障率极低。
最为重要的是，原厂......
SSD价格“卷”到HDD门口，挑选闪存颗粒很重要(2023-04-26)
类
自产自销，使用原厂颗粒的原厂品牌SSD
原厂，顾名思义就是那些既能自己设计、制造闪存，也有自己SSD品牌的一线巨头。他们的闪存和SSD都经......
Kioxia提供最新一代UFS Ver．4．0嵌入式闪存器件样品(2024-04-25 09:49)
封装中集成了公司创新的BiCS FLASH™ 3D闪存和控制器。UFS 4.0整合了MIPI M-PHY 5.0和UniPro 2.0，支持每通道高达23.2Gbps或每器件46.4Gbps的理论接口速度。UFS 4.0向下......
铠侠3D NAND合资新厂第一期完工，预计今秋量产(2022-04-18)
铠侠3D NAND合资新厂第一期完工，预计今秋量产;全球NAND型闪存大厂铠侠（Kioxia）和西部数据（Western Digital）敲定正式协议，共同投资Fab7（Y7）厂第一阶段工程，地点......
西部数据携手铠侠推出第八代3D闪存技术(2023-04-03)
西部数据携手铠侠推出第八代3D闪存技术;采用突破性缩放和晶圆键合技术的架构创新，在性能、密度和成本效益方面实现了重大飞跃西部数据公司（NASDAQ：WDC）日前宣布，与合......
Kioxia 将于 IEDM 2024 揭晓新兴存储器技术(2024-10-24 10:46)
商业资讯）
Kioxia 致力于半导体存储器的研发，这对于人工智能的进步和社会数字化转型至关重要。除了其最先进的 3D 闪存技术 BiCS FLASH™ 之外，Kioxia 在新......
Kioxia提供最新一代UFS Ver. 4.0嵌入式闪存器件样品(2024-04-27)
. 4.0器件在JEDEC标准封装中集成了公司创新的BiCS FLASH™ 3D闪存和控制器。UFS 4.0整合了MIPI M-PHY 5.0和UniPro 2.0，支持每通道高达23.2Gbps或每......
30万次寿命 国产厂商绿芯推出超耐用SSD：10GB起步(2022-12-22)
的是3D TLC闪存，寿命也有5000次P/E循环，容量64GB到512GB之间。
目前ArmourDrive EX系列及ArmourDrive PX系列硬盘都已经量产，售价未知。
......
NAND闪存翻盘利器：QLC SSD？(2024-10-18)
到3D，从空间上改变提升闪存容量，增加堆叠层数的同时达到优化成本的效果。其次是逻辑上，即提升存储单元存储的位数，从而提高闪存存储容量和降低成本。目前，闪存技术从只能存储1bit数据的SLC、MLC......
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