资讯
生产最新12nm芯片，三星逆势计划新增10台EUV光刻机(2022-12-27)
生产最新12nm芯片，三星逆势计划新增10台EUV光刻机;
由于内存价格暴跌，、SK海力士两家内存厂商都已经大幅削减了投资，降低了产能，然而作为内存一哥不为所动，不仅不打算减产，甚至......
三星半导体开始量产 12nm 工艺节点 DDR5 DRAM(2023-05-19)
年底的时候该公司宣布开发 16Gb DDR5 DRAM，通过量产先进的 12nm DDR5 DRAM 印证了其在存储芯片中的主导地位。
三星电子官方表示 16Gb DDR5 DRAM 的功......
联电X英特尔，2024年晶圆代工炸裂开局(2024-01-26)
联电X英特尔，2024年晶圆代工炸裂开局;1月25日，联电与英特尔共同宣布正式合作，英特尔（Intel）将提供现有厂房及设备产能，联电（UMC）提供12nm技术IP，并负......
瞄准Arm处理器代工市场，英特尔携手联电共同开发12nm工艺平台(2024-01-26)
瞄准Arm处理器代工市场，英特尔携手联电共同开发12nm工艺平台;
【导读】处理器大厂英特尔与晶圆代大厂联华电子公司（简称“联电”）联合宣布，他们将合作开发 12nm 半导体工艺平台，以满......
联电、英特尔宣布合作开发 12nm 芯片制程，2027 年投产(2024-01-26)
联电、英特尔宣布合作开发 12nm 芯片制程，2027 年投产;IT之家 1 月 26 日消息，（联电）和 25 日共同宣布，双方将合作开发 12nm 制程平台。本文引用地址：这项......
联电、英特尔宣布合作开发 12nm 芯片制程，2027 年投产(2024-01-29 14:19)
联电、英特尔宣布合作开发 12nm 芯片制程，2027 年投产;联华电子（联电）和英特尔 25 日共同宣布，双方将合作开发 12nm 制程平台。这项长期合作结合英特尔位于美国的大规模制造产能，和联......
华为禁令波及代工产业，后续影响恐不乐观(2020-05-21)
集邦咨询调查，目前海思在台积电投片占比约两成左右，主要为16/12nm（含）以下先进制程，"其中16/12nm"产品以5G基站相关芯片为主，另有中端4G智能手机SoC- Kirin 710（海思......
2024年1月25日正式宣布合作开发12nm，TrendForce集邦咨询认为，此合作藉由UMC提供多元化技术服务、Intel提供现成工厂设施，双方共同营运。不仅帮助Intel衔接由IDM转换......
现有资源降低投资成本
英特尔（Intel）与联电（UMC）于2024年1月25日正式宣布合作开发12nm，TrendForce集邦咨询认为，此合作藉由UMC提供多元化技术服务、Intel提供......
三星电子首款12纳米级DDR5 DRAM开发成功(2022-12-21)
与技术负责人Jooyoung Lee表示："三星12nm级DRAM将成为推动整个市场广泛采用DDR5 DRAM的关键因素。凭借卓越的性能和能效，我们希望新款DRAM能够成为下一代计算、数据中心和AI驱动......
三星电子首款12纳米级DDR5 DRAM开发成功(2022-12-21 10:42)
与技术负责人Jooyoung Lee表示："三星12nm级DRAM将成为推动整个市场广泛采用DDR5 DRAM的关键因素。凭借卓越的性能和能效，我们希望新款DRAM能够成为下一代计算、数据中心和AI驱动......
代工“一哥”要涨价一到两成？最新回应(2021-08-25)
代工“一哥”要涨价一到两成？最新回应;国际电子商情讯 有台媒报道称，晶圆代工大厂台积电对客户涨价自今年第四季对客户涨价，其中，对12nm以上的先进制程涨10%，12nm以下成熟制程20%。
另有......
存储大厂先进制程竞赛迎新进展(2022-12-24)
标准，三星12nm级DRAM将解锁高达7.2千兆每秒（Gbps）的速度，这意味着一秒钟内处理两部30GB的超高清（UHD）电影。
新款DRAM同时拥有卓越的速度与更高的能效。与上一代三星DRAM产品......
DRAM制程失速，全球存储市场在竞争什么？(2023-02-17)
DRAM制程失速，全球存储市场在竞争什么？;
【导读】近期由于半导体实况低迷，DRAM价格一路走低，像三星和SK海力士这样的内存芯片大厂苦不堪言，后者2022年第四季度的财务报表显示，甚至......
联电与英特尔宣布合作，聚焦12nm制程(2024-01-26)
联电与英特尔宣布合作，聚焦12nm制程;1月25日，联电与英特尔共同宣布，双方将合作在英特尔美国亚利桑那州厂开发和制造12nm制程平台，以因应行动、通讯......
三星电子首款12纳米级DDR5 DRAM开发成功(2022-12-21)
完成了兼容性方面的产品评估。
三星电子首款12纳米级DDR5 DRAM
三星电子高级副总裁兼DRAM产品与技术负责人Jooyoung Lee表示："三星12nm级DRAM将成......
基于EUV光刻机，三星宣布率先量产12nm DRAM(2023-05-24)
基于EUV光刻机，三星宣布率先量产12nm DRAM;
【导读】近日据BusinessKorea消息，三星电子已开始量产12纳米级的16Gb DDR5 DRAM，成为......
跃昉科技发布重磅可量产新品，引领自主RISC-V芯生态迈向工业高端应用(2022-08-18)
产品的高科技公司跃昉科技于8月16日在深圳举办“跃昉智慧物联芯，助力双碳新基建”新品发布会暨媒体沟通会，并于会上重磅发布全球首款定位高端工业级应用的可量产12nm RISC-V SoC芯片NB2及其配套板卡产品，预计Q4量产......
首个国内《芯粒互联接口标准》Chiplet 接口 PB Link 测试成功，12nm 工艺制造(2023-09-06)
首个国内《芯粒互联接口标准》Chiplet 接口 PB Link 测试成功，12nm 工艺制造;9 月 6 日消息，近日，北极雄芯宣布自主研发的首个基于国内《芯粒互联接口标准》的 Chiplet......
跃昉科技发布重磅可量产新品，引领自主RISC-V芯生态迈向工业高端应用(2022-08-18)
日在深圳举办“跃昉智慧物联芯，助力双碳新基建”新品发布会暨媒体沟通会，并于会上重磅发布全球首款定位高端工业级应用的可量产12nm RISC-V SoC芯片NB2及其配套板卡产品，预计Q4量产。四核......
跃昉科技发布重磅可量产新品，引领自主RISC-V芯生态迈向工业高端应用(2022-08-19)
会上重磅发布全球首款定位高端工业级应用的可量产12nm RISC-V SoC芯片NB2及其配套板卡产品，预计Q4量产。
四核1.8G的CPU，算力超过32000 DMIPS，850MHz 的GPU，1.4GHz NPU，支持......
三星推出12纳米级DRAM 明年开始量产(2022-12-23)
DRAM将解锁高达7.2千兆每秒（Gbps）的速度。与上一代三星DRAM产品相比，12nm级DRAM的功耗降低约23%。
但在全球经济低迷导致存储芯片......
三星电子首款12纳米级DDR5 DRAM开发成功(2022-12-22)
副总裁兼产品与技术负责人Jooyoung Lee表示："三星12nm级DRAM将成为推动整个市场广泛采用
DRAM的关键因素。凭借卓越的性能和能效，我们希望新款DRAM能够成为下一代计算、数据中心和AI驱动......
日本拟追加“百亿美元补贴”，台积电/Rapidus或受益(2023-10-27)
量约6万片左右，预估将生产6nm或12nm运算用逻辑芯片，计划贩售给Sony等客户。
END
会议预告：经济逆风、消费电子需求不显，半导体身处下行周期中。展望2024年，半导......
三星首款12纳米级DDR5 DRAM 2023年量产(2022-12-21)
输速度上，三星12nm级DRAM基于DDR5最新标准，拥有7.2千兆每秒（Gbps）的传输速度，一秒内可处理两部30GB超高清电影。
功耗方面，与上一代三星DRAM产品相比，12nm级DRAM的功耗降低约23......
异格技术完成2.86亿元天使轮融资，计划研发500K FPGA芯片(2022-08-31)
的第一款产品计划研发500K的FPGA芯片，希望填补国内高端FPGA的空白。
红点创投消息显示，异格技术已经在7月份完成了第一颗芯片的定义，研发12nm的500K芯片，两年内推出产品；计划五年内将推出2KK产品......
超星未来-智能驾驶计算芯片「惊蛰R1」(2023-11-01)
超星未来-智能驾驶计算芯片「惊蛰R1」;
智能驾驶计算芯片「惊蛰R1」
产品描述：
「惊蛰R1」是超星未来基于自研NPU「平湖」推出的智能驾驶计算芯片，采用TSMC 12nm先进工艺，确保......
英特尔与联电宣布12nm制程工艺合作(2024-01-29 10:39)
英特尔与联电宣布12nm制程工艺合作;当地时间1月25日，英特尔(Intel)与联华电子(UMC)宣布，将合作开发12nm半导体工艺平台，以满足移动、通信基础设施和网络等高增长市场的需求。这项......
RISC-V架构不断崛起，跃昉科技高端“芯”品助力(2022-08-18)
-V架构生态不断壮大，RISC-V架构芯片布局也从低端逐渐迈向高端。
跃昉科技高端RISC-V“芯”品亮相，12nm工艺、Q4量产
8月16日，跃昉科技召开新品发布会暨媒体沟通会，宣布......
全面用自研芯！华为新机畅享70来了：14nm麒麟神U降临(2023-11-28)
芯片，采用台积电12nm工艺，大核是2.2GHz的cortex-A73，随后麒麟710A采用的是中芯国际14nm，大核心变为2.0GHz的A73。
除了搭载麒麟710A芯片，畅享70还采......
网传中芯国际今年出产7nm？真相其实是...(2020-03-20)
网传中芯国际今年出产7nm？真相其实是...;由于中芯国际联席CEO梁孟松博士在中芯国际2月份的财报会议上首次公开了N+1、N+2代工艺的情况。随后有外媒报道，称中芯国际或在今年生产7nm的芯片......
荣耀没了“麒麟臂”，与紫光展锐组起“CP”(2021-04-27)
博主爆料的一天之后，荣耀官方发布了消息，荣耀畅玩20将于4月30日全渠道开售，其参数配置与数码博主@看山的叔叔爆料的一致。
虎贲首次挤进大厂供应链
此次荣耀畅玩20搭载的虎贲T610芯片采用的是12nm工艺......
传音 Tecno Spark 10C 新手机现身 Google Play 管理中(2023-02-22)
一款经济实惠的手机，拥有 720 x 1612px 屏幕，采用紫光展锐 Unisoc T606 芯片和 4GB 内存，预装运行安卓 12 系统。
紫光展锐 T606 LTE 平台于 2021 年发布，基于......
全球存储市场在竞争什么？(2023-02-03)
nm工艺阶段，即第五代10nm级别DRAM产品，芯片容量将达到 24Gb（3GB）- 32Gb（4GB），原生速度将在6.4-7.2Gbp之间。
同年12月，三星开发出首款采用12nm级工......
存储大厂们DRAM先进制程进行到哪一步了？(2023-10-20)
造工厂量产。
三星方面，今年5月，三星量产12nm级16Gb DDR5 DRAM；9月，三星开发出基于12nm级工艺技术的32Gb DDR5 DRAM，将于今年年底开始量产。
三星计划于2023......
国产芯片技术突破！麒麟处理器回归(2023-03-17)
此前麒麟710的降频版(12nm工艺、大核是2.2GHz的cortex-A73)。“麒麟710A”代表着实现国产化零的突破，是中国半导体芯片技术的破冰之举。
......
中国全自主可控Chiplet高速串口标准ACC1.0正式发布(2023-03-24)
中国全自主可控Chiplet高速串口标准ACC1.0正式发布;
随着放缓，单一芯片的微缩越来越难，因此近年来Chiplet小芯片成为继续提升芯片集成度的重要解决方案，AMD、Intel等芯片......
芯盛智能总部暨固态硬盘制造基地项目将落地成都高新区(2023-12-04)
固态硬盘的先进设计及生产制造能力。
成都高新消息显示，芯盛智能科技有限公司于2018年成立，现已推出全球首款基于RISC-V架构的12nm PCIe4.0主控芯片、PCIe3.0主控芯片、企业级SATA3.0主控芯片......
晶圆代工业务首次跻身前十，这家大厂未来或拆成五家公司？(2023-12-26)
、晶圆代工事业、芯片制造设备单位IMS Nanofabrication Global及产品部门。并且认为，英特尔分拆事业独立后，可能比合并实体还更有价值。
对此，Gelsinger近期回应，英特......
单芯片超过 100Gb，三星表示将挑战业界最高密度 DRAM 芯片(2023-10-22)
了内存和闪存产品线的最新路线图和时间表并发布针对高性能计算（HPC）市场的 HBM3E 内存芯片。
三星在会上表示其已在 2023 年 5 月开始量产 12nm 级 DRAM，11nm 级正在开发中，它将......
十铨科技推出新款PCIe 5.0 SSD(2024-01-11)
，十铨科技选择了与主控芯片厂商英韧科技（InnoGrit Corporation）继续合作，采用了12nm工艺制造的PCIe IG5666主控芯片。其具有高性能、高可靠性、高稳定性和低延迟等特点，支持......
一家独大！台积电晶圆代工独占超六成份额(2024-04-03)
；其它制程领域，28nm/22nm以及16nm/14nm/12nm制程占据约9%的份额，前者主要受惠于智能手机带动下AMOLED DDIC显示驱动芯片的需求增长。
Counterpoint......
台积电德国建厂依然无法完全消除欧洲汽车厂商芯片短缺忧虑(2023-08-16)
台积电德国建厂依然无法完全消除欧洲汽车厂商芯片短缺忧虑;日前，台积电已在官网宣布，他们将同博世、英飞凌和恩智浦半导体，在德国萨克森州的德累斯顿成立合资的欧洲半导体制造公司，建设一座 12 英寸......
传台积电停止华为5nm投片 新接高通大单(2020-06-23)
现在“120天宽限期内出货完毕”所做的努力没有白费。
据悉，自5月下旬以来，台积电5nm、7nm和12nm投片量急速拉升，由原本每天出货700片增至1000片，增幅逾40%。而得到这批芯片的海思，或可......
耗先进连接解决方案的全球创新领导者Credo, 于今日发布其最新产品Nutcracker ——业内首款3.2Tbps XSR 低功耗，单通道速率为112Gbps的高速连接Chiplet。为适应下一代MCM (多芯片......
上海：争取集成电路12纳米先进工艺规模量产(2021-01-27)
财联社的报道并未提及量产的具体情况，不过有媒体报道称，该12纳米先进工艺或是中芯国际位于上海的中芯南方的新工艺。
据了解，中芯南方2016年12月成立于上海，为中芯国际“12英寸芯片SN1项目......
面向游戏手机市场，联发科发布 Helio G36 处理器(2023-02-15)
器采用 12nm 制程工艺，可以为入门级游戏智能手机带来更大摄像头、更快显示屏、联发科技 HyperEngine 2.0
Lite 游戏技术以及采用智能连接技术的全球双 4G 连接等优势。
拥有......
三星电子在硅谷设立新实验室，负责下一代 3D DRAM 内存研发(2024-01-29)
月推出了业界首款且容量最高的 32 Gb DDR5 DRAM 芯片，采用 12nm 级工艺打造，可生产出 1TB 的内存产品，从而巩固了三星在 DRAM 技术方面的领导地位。
IT之家注：Gb 即兆......
赛昉科技宣布自主研发的高性能RISC-V处理器“昉·天枢”正式交付客户(2021-12-08)
12nm，SPECint2006 8.9/GHz，Dhrystone 6.6 DMIPS/MHz、CoreMark7.6/MHz。客户普遍认为在高性能方面天枢能够较好满足要求，同时......
功耗降低23%，三星12nm级DDR5 DRAM成功量产(2023-05-19)
功耗降低23%，三星12nm级DDR5 DRAM成功量产;当地时间5月18日，三星电子宣布其采用12纳米级工艺技术的16Gb DDR5 DRAM已开始量产，可以......
相关企业
;深圳宏立电子;;你在为超多、超赶、超难的芯片烧录、芯片测试、芯片清空、芯片检测而繁忙吗？----- 深圳宏立电子―15年专业代烧/IC测试---它将以专业芯片烧录芯片测试芯片清空芯片检测IC代烧
;深圳市启明微电子有限公司;;存储芯片（EEPROM 和 Nor flash）、电源稳压芯片（线性稳压和 DC\DC 稳压）、功放芯片、运放芯片、锂电池充电管理芯片、保护芯片、液晶驱动芯片、比较芯片
;深圳市鼎智宏科技有限公司;;深圳市鼎智宏科技有限公司是台湾鼎元(T.K)芯片大陆总代理, 长期代理鼎元LED全系列芯片，产品高中低档俱全.主要代理的产品有:，主营发射管芯片、940发射管芯片
及各种分立器件芯片。是芯片设计、研发、生产为一体的高新技术企业，具有软件设计开发及芯片生产的综合能力。 经营的产品有:稳压电路芯片、运算放大器芯片、比较器电路芯片、低压差电路芯片、 电话机电路芯片
;深圳斯达特来电子;;深圳市斯达特来电子科技有限公司是俄罗斯LBBJX公司在中国的办事处。LBBJX公司依托俄罗斯联邦科研机构及微电子厂的产业基础，不断设计研发各种集成电路IC及各种分立器件芯片
、IR芯片。是IC、IR芯片设计、研发、生产为一体的高新技术企业，具有强大的软件设计开发能力及芯片生产能力。 经营产品有：稳压电路IC芯片、运算放大器IC芯片、比较器IC芯片、低压差IC芯片、 电话
芯片。是IC、IR芯片设计、研发、生产为一体的高新技术企业，具有强大的软件设计开发能力及芯片生产能力。 经营产品有：稳压电路IC芯片、运算放大器IC芯片、比较器IC芯片、低压差IC芯片、 电话机电路IC
、IR芯片。是IC、IR芯片设计、研发、生产为一体的高新技术企业，具有强大的软件设计开发能力及芯片生产能力。 经营产品有：稳压电路IC芯片、运算放大器IC芯片、比较器IC芯片、低压差IC芯片、 电话
;深圳市安华利科技有限公司;;深圳市安华利科技有限公司 专注提供音视频接口转换IC和方案，包括HDMI分配器芯片，HDMI切换器芯片，HDMI信号延长放大芯片，各类信号转换芯片，矩阵芯片，USB接口芯片
设计研发各种集成电路IC及各种分立器件芯片。是芯片设计、研发、生产为一体的高新技术企业，具有软件设计开发及芯片生产的综合能力。 经营的产品有:稳压电路芯片、运算放大器芯片、比较器电路芯片、低压差电路芯片、 电话机电路芯片