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Power Integrations推出900V氮化镓反激式开关IC(2023-03-21)
Integrations 今日宣布推出900V氮化镓(GaN)器件,为InnoSwitch3™系列反激式开关IC再添新品。新IC采用该公司特有的PowiGaN™技术,可提供高达100W的功率,效率超过93......
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芯海科技先锋MCU芯片CSU32P10助力倍思氮化镓充电器实现功率控制功能(2023-09-01)
本电脑的快速充电。另外的USB-C口支持100W输出,USB-A口支持60W快充,都具有很好的快充兼容性。
充电器延续了倍思120W氮化镓快充一样的接口配置和外观设计,可以说是性能加强版,以满......
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Power Integrations推出900V氮化镓反激式开关IC(2023-03-21 10:27)
Power Integrations推出900V氮化镓反激式开关IC;新款PowiGaN InnoSwitch IC面向工业应用和400V系统汽车电源,输出功率可高达100W深耕......
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PI推出高压利器:900V氮化镓反激式开关IC助力节能新时代(2023-03-27 10:32)
于高压集成电路高能效功率变换领域的知名公司Power Integrations 推出900V氮化镓反激式开关IC,新款PowiGaN InnoSwitch IC面向工业应用和400V系统汽车电源,输出功率可高达100W......
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Power Integrations推出900V氮化镓反激式开关IC(2023-03-21)
达克股票代号:POWI)今日宣布推出900V氮化镓(GaN)器件,为InnoSwitch3™系列反激式开关IC再添新品。新IC采用该公司特有的PowiGaN™技术,可提供高达100W的功率,效率超过93%,因而......
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PI推出900V氮化镓InnoSwitch3-AQ,加速取代12V铅酸电池(2023-03-30)
满足汽车中的不同电压和功率等级,PI已先后推出包括750V、900V硅功率开关以及1700V碳化硅产品,而900V氮化镓的推出,更是将功率提升至100W。
900V氮化镓的优势
最新的氮化镓......
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提供900V氮化镓(GaN)选项。 新器件采用PI的PowiGaN技术,可提供高达100W的功率,效率超过93%,并且无需散热片。 更大的功率和更高的设计裕量特别适用于在基于400V母线......
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GaN Systems推出第四代氮化镓平台(2023-09-28)
GaN Systems推出第四代氮化镓平台;全球氮化镓功率半导体领导厂商GaN Systems 今推出全新第四代氮化镓平台 (Gen 4 GaN Power Platform),不仅......
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Transphorm推出参考设计组合,加快USB-C PD氮化镓电源适配器的开发(2022-07-08)
Transphorm推出参考设计组合,加快USB-C PD氮化镓电源适配器的开发;SuperGaN®技术的差异化优势电源适配器参考设计采用SuperGaN第IV代650V FET,具有设计简单、可靠......
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Transphorm推出参考设计组合,加快USB-C PD氮化镓电源适配器的开发(2022-07-08)
Transphorm推出参考设计组合,加快USB-C PD氮化镓电源适配器的开发;SuperGaN®技术的差异化优势电源适配器参考设计采用SuperGaN第IV代650V FET,具有设计简单、可靠......
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Transphorm推出参考设计组合,加快USB-C PD氮化镓电源适配器的开发(2022-07-08)
Transphorm推出参考设计组合,加快USB-C PD氮化镓电源适配器的开发;SuperGaN®技术的差异化优势电源适配器参考设计采用SuperGaN第IV代650V FET,具有设计简单、可靠......
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南芯科技布局全功率段PD快充,推出重磅新品PFC控制芯片SC3201(2022-12-09)
靠性的快充产品。
特别是作为氮化镓快充控制器国产化先驱,率先实现氮化镓控制芯片的自主可控,至今已成功量产多款集成GaN直驱的控制器,凭借成熟的高集成度GaN解决方案,已与多品牌达成深度合作,得到......
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GaN Systems 推出第四代氮化镓平台 突破能源效率瓶颈 加速应用版图拓展(2023-09-28 11:25)
GaN Systems 推出第四代氮化镓平台 突破能源效率瓶颈 加速应用版图拓展;重点摘要• GaN Systems第四代氮化镓平台 (Gen 4 GaN Platform) 帮助......
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GaN Systems 推出第四代氮化镓平台 突破能源效率瓶颈 加速应用版图拓展(2023-09-28)
GaN Systems 推出第四代氮化镓平台 突破能源效率瓶颈 加速应用版图拓展;重点摘要
• GaN Systems第四代氮化镓平台 (Gen 4 GaN Platform) 帮助......
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大联大友尚集团推出基于onsemi和GaN System产品的PD快充电源方案(2022-09-20)
大联大友尚集团推出基于onsemi和GaN System产品的PD快充电源方案;9月20日,大联大控股宣布,其旗下友尚推出基于安森美(onsemi)NCP1623和NCP1343产品以及氮化镓......
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最新氮化镓(GaN)器件可提供高达100W功率,PI InnoSwitch芯片销量突破10亿颗(2020-10-26)
最新氮化镓(GaN)器件可提供高达100W功率,PI InnoSwitch芯片销量突破10亿颗;深耕于高压集成电路高能效功率转换领域的知名公司Power Integrations日前宣布,突破......
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出货1亿颗GaN+1200万颗SiC!纳微半导体Q2总收入增至1810万美元(2023-08-17)
二季度总收入增至1810万美元,比2022年第二季度的860万美元增长110%,比2023年第一季度的1340万美元增长35%。此外,纳微半导体累计已发货超过1亿颗氮化镓(GaN)和1200万颗碳化硅(SiC)功率......
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纳微正式向全球发布GaNSafe高性能宽禁带功率平台(2023-09-08)
在台北举办客户与合作伙伴新闻发布会,正式向全球发布GaNSafe™高性能宽禁带功率平台。纳微通过升级这一第四代氮化镓技术,以满足数据中心、太阳能/储能和电动汽车市场等要求苛刻的高功率应用场景需求,在这些目标应用中,效率、功率......
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InnoSwitch3-AQ现已推出900V PowiGaN开关,可在电动汽车中提供高达100W的输出功率(2023-04-26 15:16)
InnoSwitch3-AQ现已推出900V PowiGaN开关,可在电动汽车中提供高达100W的输出功率;符合AEC-Q100标准的InnoSwitch3-AQ反激式开关IC现在提供900V氮化镓......
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Power Integrations推出900V氮化镓反激式开关IC(2023-03-21)
-AQ器件可以从400V母线提供100W的输出功率,并且具备与800V电动汽车系统所用的广受欢迎的1700V碳化硅InnoSwitch3-AQ IC类似的性能和保护功能。
供货及相关资源
900V氮化镓......
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氮化镓取代碳化硅?PI颠覆式1700V InnoMux2先来打个样(2024-11-12 09:47)
光也给出了自己对市场的观察总结:目前在100W的电源市场中,氮化镓已经获胜,而在更多高功率,甚至到了100kW的应用,也在开始尝试氮化镓产品。而现在,PI的野心不止是与硅抢夺市场,还正打算“碰瓷”碳化......
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GaN材料成本直降90%,“挤掉”SiC提上日程?(2023-09-19)
GaN材料成本直降90%,“挤掉”SiC提上日程?;作为宽禁带半导体家族中的一员,氮化镓(GaN)功率器件近两年获得了比之前更高的关注度,正逐渐成为第三代半导体材料中最耀眼的一颗新星。
根据Yole......
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全新MASTERGAN1,让GaN晶体管更具说服力和直观性(2024-12-11 10:52)
全新MASTERGAN1,让GaN晶体管更具说服力和直观性;前不久意法半导体发布了全新MASTERGAN1产品,它同时集成了半桥驱动器和两个增强模式氮化镓(GaN)晶体管, 类似的竞争产品仅仅只包含单个氮化镓......
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英飞凌与安克联合成立创新应用中心,携手发力PD快充领域并推动节能减碳(2024-01-25)
和系统级解决方案涉及英飞凌多个产品线。在PD充电领域,我们为客户提供全面的产品组合与支持,包括先进的电源控制器、一流的开关电源、性能出色的硅基MOSFET和氮化镓晶体管等等。”
充电解决方案仅是一个开端,未来该联合实验室还将借助英飞凌在氮化镓......
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英飞凌与安克联合成立创新应用中心,携手发力PD快充领域并推动节能减碳(2024-01-25)
双方已经在充电领域展开了深度的合作,产品和系统级解决方案涉及英飞凌多个产品线。在PD充电领域,我们为客户提供全面的产品组合与支持,包括先进的电源控制器、一流的开关电源、性能出色的硅基MOSFET和氮化镓晶体管等等。”
充电......
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InnoSwitch3-AQ无需12V电源就可助力电动汽车高效运行(2024-02-23)
可谓是最佳之选。
PI新推出的设计范例DER-953Q是一款紧凑型100W电源,该电源采用集成了900 V PowiGaN氮化镓的InnoSwitch3-AQ器件设计而成。这款设计演示了一种在400V电动......
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航嘉惊艳ChinaJoy2023,用科技点燃你的游戏梦想!(2023-08-01)
插座还有独特的“小魔吸”吸盘底座,可固定在桌面避免位移。
另一款充电器产品,100W安全快充采用第三代GaN(氮化镓)半导体材料,减少了体积,更为高效节能;三口独立输出,智能识别设备,动态分配功率。采用......
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这两个GaN龙头企业公布业绩情况(2023-08-17)
NVIDIA的GH200)功耗高达1,000W。集成氮化镓功率芯片有巨大的潜力和机会来满足所需功率、效率和功率密度的显著增加。纳微全新3.2kW基于GaN IC的服务器电源平台提供了业界领先的100W......
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ST VIPERGAN5065100系列高压氮化镓转换器,支持最高100W输出功率(2023-07-12)
ST VIPERGAN5065100系列高压氮化镓转换器,支持最高100W输出功率;
VIPERGAN50、VIPERGAN65和VIPERGAN100是意法半导体VIPerGaN系列......
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英飞凌与安克联合成立创新应用中心,携手发力PD快充领域并推动节能减碳(2024-01-25)
和系统级解决方案涉及英飞凌多个产品线。在PD充电领域,我们为客户提供全面的产品组合与支持,包括先进的电源控制器、一流的开关电源、性能出色的硅基MOSFET和氮化镓晶体管等等。”
充电解决方案仅是一个开端,未来该联合实验室还将借助英飞凌在氮化镓......
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英飞凌与安克联合成立创新应用中心,携手发力PD快充领域并推动节能减碳(2024-01-25 15:17)
和系统级解决方案涉及英飞凌多个产品线。在PD充电领域,我们为客户提供全面的产品组合与支持,包括先进的电源控制器、一流的开关电源、性能出色的硅基MOSFET和氮化镓晶体管等等。”充电解决方案仅是一个开端,未来该联合实验室还将借助英飞凌在氮化镓......
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高性能数字化电源芯片的新标尺——InnoSwitch4-Pro(2023-04-19)
实现更小巧的便携电源适配器的设计。
从工程师角度来看,InnoSwitch4-Pro采用氮化镓PowiGaN技术、集成I2C接口的数字控制器,支持多种USB-PD协议。再配合MinE-CAP缩减......
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从手机充电器到汽车充电器,氮化镓开启逆袭之路(2023-10-08)
从手机充电器到汽车充电器,氮化镓开启逆袭之路;
【导读】如今的消费类电源市场,要说「几乎人手一个氮化镓快充充电器」并不过分吧?从 2018 年前后开始,氮化镓快充充电器进入国内市场,随后......
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环旭电子投资氮化镓公司,加码功率电子战略(2021-11-25)
环旭电子投资氮化镓公司,加码功率电子战略;11月24日,环旭电子宣布,公司全资子公司环鸿电子股份有限公司与氮化镓系统有限公司(GaN Systems Inc.,以下简称“氮化镓公司”)签订......
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好马配好鞍——镓未来氮化镓和纳芯微隔离驱动器比翼双飞,助力氮化镓先进应用(2022-11-29)
好马配好鞍——镓未来氮化镓和纳芯微隔离驱动器比翼双飞,助力氮化镓先进应用;未来已来,氮化镓的社会经济价值加速到来。
本文介绍了镓未来和纳芯微在氮化镓方面的技术合作方案。 镓未来提供的紧凑级联型氮化镓......
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好马配好鞍——镓未来氮化镓和纳芯微隔离驱动器比翼双飞,助力氮化镓先进应用(2022-11-29)
好马配好鞍——镓未来氮化镓和纳芯微隔离驱动器比翼双飞,助力氮化镓先进应用;好马配好鞍——镓未来氮化镓和纳芯微隔离驱动器比翼双飞,助力氮化镓先进应用
未来已来,氮化镓的社会经济价值加速到来。
本文介绍了镓未来和纳芯微在氮化镓......
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从手机快充到电动汽车,氮化镓功率半导体潜力无限(2022-03-21)
从手机快充到电动汽车,氮化镓功率半导体潜力无限;近期,苹果“爆料大神”郭明錤透露,苹果可能在今年某个时候推出下一款氮化镓充电器,最高支持30W快充,同时采用新的外观设计。
与三星、小米......
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不容错过!航嘉将在ChinaJoy2023展示哪些最“硬”产品?(2023-07-28)
&CQC双认证,还拥有航天品质保障。
手机充电器方面,航嘉100W安全快充采用第三代半导体材料GaN(氮化镓),减少体积,高效节能。三口独立输出,智能识别设备,动态分配功率,同样经过CCC......
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纳微公布人工智能数据中心电源技术路线图,预计12个月功率密度提升三倍(2024-03-12)
纳微公布人工智能数据中心电源技术路线图,预计12个月功率密度提升三倍;专注于氮化镓(GaN)功率IC和碳化硅(SiC)技术的纳微半导体(Navitas Semiconductor)日前......
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纳微公布人工智能数据中心电源技术路线图,预计12个月功率密度提升三倍(2024-03-13 09:00)
纳微公布人工智能数据中心电源技术路线图,预计12个月功率密度提升三倍;专注于氮化镓(GaN)功率IC和碳化硅(SiC)技术的纳微半导体(Navitas Semiconductor)日前......
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全球首款12英寸功率氮化镓晶圆问世!(2024-09-13)
全球首款12英寸功率氮化镓晶圆问世!;9月11日,英飞凌宣布,公司已成功开发出全球首款12英寸(300mm)功率氮化镓(GaN)晶圆。
英飞凌表示,公司......
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氮化镓激光芯片终于实现国产,氮化镓正在向快充以外的市场进军(2023-08-29)
氮化镓激光芯片终于实现国产,氮化镓正在向快充以外的市场进军;
【导读】8月26日,安徽格恩半导体有限公司氮化镓激光芯片产品发布会圆满举行。本次格恩半导体共发布了十多款令人期待的氮化镓......
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好马配好鞍——镓未来氮化镓和纳芯微隔离驱动器比翼双飞,助力氮化镓先进应用(2022-11-29)
好马配好鞍——镓未来氮化镓和纳芯微隔离驱动器比翼双飞,助力氮化镓先进应用;未来已来,的社会经济价值加速到来。本文引用地址:
本文介绍了镓未来和在方面的技术合作方案。 镓未......
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去年全球氮化镓射频器件市场达13亿美元,电信基础设施占比过半(2023-06-27)
去年全球氮化镓射频器件市场达13亿美元,电信基础设施占比过半;
【导读】yole group近期发布了关于射频氮化镓器件市场的调查研究。报告显示,2022年射频氮化镓器件市场价值13亿美......
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英飞凌成功收购GaN Systems,氮化镓市场向巨头“靠拢”?(2023-10-29)
英飞凌成功收购GaN Systems,氮化镓市场向巨头“靠拢”?;
【导读】10月25日,英飞凌科技宣布完成收购氮化镓系统公司(GaN Systems)。这家......
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2026年全球GaN射频器件市场预计超过24亿美元(2021-06-08)
2026年全球GaN射频器件市场预计超过24亿美元;氮化镓是一种无机物,化学式GaN,是氮和镓的化合物,是一种直接能隙(direct bandgap)的半导体,可以用在高功率、高速的光电元件中。
在......
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英飞凌将收购氮化镓系统公司(GaN Systems),在扩充氮化镓产品线的同时(2023-03-03 17:28)
英飞凌将收购氮化镓系统公司(GaN Systems),在扩充氮化镓产品线的同时;英飞凌将收购氮化镓系统公司(GaN Systems),在扩充氮化镓产品线的同时,进一......
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英诺赛科敲钟上市!(2024-12-31)
,每股发行价为30.86港元。此次募集资金主要用于扩大氮化镓产能、产品组合以及应用研发等。
据悉,英诺赛科成立于2017年,是一家专注于第三代半导体氮化镓芯片研发与制造的高新技术企业,产品......
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英飞凌将收购氮化镓系统公司,进一步巩固自身在全球功率系统领域的领导地位(2023-03-03)
英飞凌将收购氮化镓系统公司,进一步巩固自身在全球功率系统领域的领导地位;英飞凌将收购氮化镓系统公司(GaN Systems),在扩充氮化镓产品线的同时,进一......
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新兴市场加速渗透,氮化镓产业链存在哪些挑战?(2022-08-23)
新兴市场加速渗透,氮化镓产业链存在哪些挑战?;以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体被视为后摩尔时代材料创新的关键角色,凭借高温、高耐压及承受大电流等多方面显著优势,氮化镓......
相关企业
manufacturing in Taiwan.
; EPC设计,开发,市场,销售基于氮化镓的电源管理设备,采用成熟的晶圆代工厂。使最高效的能源转换,利用优越的半导体材料,EPC是率先推出增强型氮化镓
;东莞中和光电有限公司;;本产品采用树脂封装,材料采用氮化镓(GaN),结构为电解出型,封装形式为直插型,型号有3mm,5mm,8mm,10mm及其他特殊型号,形状有圆头,椭圆,草帽,钢盔,方形
(GaAs)、氮化镓 (GaN)、声表面波 (SAW) 和体声波 (BAW)技术设计、开发和生产先进的高性能射频解决方案,满足全球客户需求。我们是市场领导者,专门为移动设备,3G和4G蜂窝基站,WLAN
;深圳市科莱特电子有限公司;;深圳市科莱特电子有限公司自2002年开始,在国内率先采用美国ANADIGICS砷化镓(GaAs)集成芯片与国外技术机构合作共同研制、开发出第一代、第二代砷化镓(GaAs
;璨圆光电深圳市场部;;璨圆光电股份有限公司是一家LED芯片专业生产厂家,提供以氮化镓(GaN)为材质的超高亮度蓝、绿、紫光等LED晶粒!目前产品波长范围可达385nm-560nm;可应
子体 (PDP)显示荧光粉、氮化镓基白光二级管光源材料,新型太阳能光源等新型环保节能产品的研发生产。
;深圳市希奇电子科技有限公司;;希奇电子科技有限公司是一家以台湾LED芯片为龙头,集LED芯片及成品销售、服务于一体的专业团队。提供以氮化镓(GaN)为材质的超高亮度蓝、绿、白、紫外光等LED晶粒
兆龙; 【氮化镓】: 英诺赛科、GaN systems; 【单片机】: GA (格安电子)、HK (航顺芯片)、RENESAS 分销IR、ON、ST、NXP、INFINEON、CREE等半导体电子元器j件。
度四元晶粒(C系列)、金属基板倒装晶粒(MS)、氮化镓晶粒(AllnGaN)、覆晶晶粒(Flip chip); K*on:红外芯片(940nm)、高速红外芯片(850nm,875nm,880nm) 用过
;江苏苏州谷邦(等离子氮化)表面技术有限公司;;谷邦公司拥有多台国内最先进的金属表面离子渗氮设备-真空*辉光*脉冲-等离子氮化炉(可承载直径2000mm氮化工件),炉内气压、气体气氛、温度