专注于氮化镓（GaN）功率IC和碳化硅（SiC）技术的纳微半导体（Navitas Semiconductor）日前公布了最新的人工智能数据中心技术路线图。

该公司表示，正在考虑将功率密度提高 3 倍，以支持预计未来 12-18 个月人工智能功率需求的类似指数增长。

传统 CPU 通常仅需要 300W，而数据中心交流/直流电源通常可提供相当于 10 个 CPU，也就是3kW的功率。

然而，像 NVIDIA 的“Grace Hopper”H100 这样的高性能 AI 处理器功耗已经到了700W，下一代“Blackwell”B100 和 B200 芯片预计到明年将增加到 1000W 或更高。

为了满足这种指数级的功率增长，纳微目前正在开发服务器功率平台，该平台的功率可从 3kW 快速扩展到 10kW。 2023 年 8 月，纳微推出了 3.2kW 数据中心电源平台，该平台利用最新的 GaN 技术，可实现超过 100W/in3 的功率和超过 96.5% 的效率。 现在，纳微发布了由 GaN 和 SiC 组合实现的 4.5kW 平台，可将密度提高到超过 130W/in3，效率超过 97%。

据纳微称，这两个平台已经引起了巨大的市场兴趣，有 20 多个数据中心客户项目正在开发中。

纳微现已宣布计划在 2024 年底推出 8-10kW 功率平台，以支持 2025 年人工智能功率需求。 该平台将使用更新的 GaN 和 SiC 技术以及架构的进一步进步，在功率密度、效率和上市时间方面设定全新的行业标准。

纳微表示，它已经与主要数据中心客户接洽，预计在 24 年第 4 季度推出完整平台，将在 12-18 个月内完成电力需求 3 倍的增长。

纳微的设计中心正在创建这些系统设计，以满足 AI 数据中心电力需求的急剧增长，并帮助客户快速有效地部署平台，以满足 AI 快速发展对加快上市时间的要求。

系统设计包括完整的设计资料，包括经过全面测试的硬件、原理图、物料清单、布局、仿真和硬件测试结果，以最大限度地提高一次性设计成功率和产品快速上市。

纳微首席执行官兼联合创始人 Gene Sheridan 表示：“人工智能 (AI) 的快速发展和在全球数据中心的部署给我们整个行业带来了巨大且意想不到的电力挑战。我们对领先的 GaN 和 SiC 技术的投资，加上我们独特的设计中心能力，使我们处于有利地位。”