国际电子商情9日讯 综合韩媒报道，全球第二大存储芯片厂商——SK Hynix日前因DRAM缺陷传闻引发业界关注。

本周一（7日）晚间，网上一篇关于SK Hynix 可能亏损的帖子指出：有客户投诉SK Hynix所生产的DRAM晶圆有缺陷，后者因报废了24万片DRAM晶圆。发帖人还宣称，这家韩国存储芯片大厂的潜在损失规模高达2万亿韩元（约114.7亿元人民币）。

对此，SK Hynix周二（8日）声明否认，强调有关”产品缺陷导致潜在损失“并非事实，生产瑕疵在正常范围，已报警调查毁谤传言。

该公司正寻求以诽谤罪和商业障碍罪对最初发布该帖子的人提出指控。不过，SK Hynix拒绝就是否掌握传播谣言人士线索发表评论。

国际电子商情了解到，这家韩国存储芯片大厂产能约为180万个晶圆/月，其中约80%是DRAM专用晶圆，若24万片晶圆存在缺陷，恐加重全球“缺芯”情况。

不过，The Register引述一份声明显示 ，SK Hynix承认了晶圆存在缺陷情况属实，可能会造成“潜在损失”，但强调不会造成重大损失。

报道认为，周一的传言反映了当前全球“缺芯”情况严峻。

“我们可以确认，在一些DRAM产品中发现了缺陷。”但该公司并未就产品缺陷情况加以说明，也没有提供最新产品质量指标的细节。

“目前正与少数受影响的客户商讨，以解决问题。尽管估计潜在损失言之过早，我们不认为数字会很巨大，瑕疵仍在一般品质检查范围。”