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研发客服2022年12月15日，宣布推出首款超大靶面可拼接背照式sCMOS图像传感器-。该产品主要面向天文观测领域， 能满足极度微光探测、长曝光的应用需求。
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作为目前靶面最大的图像传感器，具有89 mm x 91.2 mm的超大感光面积和8100万的高分辨率。针对天文成像，芯片采用了10μm的大像素设计方案，得益于背照式技术的加持，可获得大于95%的峰值量子效率和超高的灵敏度，在实际应用中更易探测到来自深空天体的微弱信号。
具有91.7 ke-满阱容量以及小于5e-的读出噪声，单幅动态范围可达85dB。片上16bit ADC可大幅度提高对原始信号的采样精度，使画面中保留更加丰富的亮度信息，有效提升天文观测数据的精准度和科学研究价值。
根据天文观测中长曝光和深度制冷的应用需求，GSENSE1081BSI针对暗电流指标进行了优化，在-70℃摄氏度下，暗电流仅为0.0026 e-/s/pixel。芯片采用了anti-glowing技术，在极端的温度条件下，超长曝光时间，也可有效消除辉光现象。
和其他应用不同，天文应用对CMOS芯片的感光面平整度、像素内响应不均匀性都提出了更高的要求。天文望远镜成像系统的景深极小，感光面的不平整极易导致成像系统离焦。GSENSE1081BSI采用了表面平整度较高的碳化硅封装基底，碳化硅基底和感光面硅材料的热膨胀系数接近，使得芯片深度制冷至-50℃以下，也可保持极高的平整度，更好的满足天文领域的使用要求。像素内响应不均匀性是指点源斑在单个像素中的分布一致性，其包括点源像斑的重心位置误差及点源像斑的椭率等，针对天文测光的特殊需求，GSENSE1081BSI芯片在像素设计中针对性优化，降低了该芯片的像素内响应不均匀性。
GSENSE1081BSI采用三面可拼接的碳化硅基底封装设计，通过柔性线缆进行片上数据传输，更适合大视场、多芯片拼接应用。