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形成了从装备到材料、芯片、模组、封装检测及下游应用的全产业链格局。 山东济南 山东济南以宽禁带半导体材料（亦称第三代半导体）为重点发展产业，建设济南宽禁带半导体小镇。 2018年7月......
积塔/天岳/长电等参与，国内再添半导体产业基地;近日，上海临港区“宽禁带半导体产业基地”正式揭牌，未来将把临港新片区建设成为宽禁带半导体产业基地。 据“上海临港”介绍，临港......
开先进的封装技术。以5G射频技术为例，为了实现5G的高带宽、高速率和低延迟特性，产业界在5G射频技术中大量采用了氮化镓、碳化硅、硅基氮化镓等宽禁带半导体器件。这也意味着需要用更先进的封装技术，将不同物理特性的宽禁带半导体......
新能源多应用市场的蓬勃发展，第三代半导体技术对新质生产力的支撑作用日益增强。以碳化硅和氮化镓为代表的宽禁带半导体已成为绿色能源产业发展的重要推动力，帮助实现更高的功效、更小的尺寸、更轻的重量、以及更低的总成本。作为全球功率系统领域的半导体......
新能源多应用市场的蓬勃发展，第三代半导体技术对新质生产力的支撑作用日益增强。以碳化硅和氮化镓为代表的宽禁带半导体已成为绿色能源产业发展的重要推动力，帮助实现更高的功效、更小的尺寸、更轻的重量、以及更低的总成本。作为全球功率系统领域的半导体......
铝镓等，都被视为新一代半导体材料的重要方向。从带隙宽度来看，锑化物属于窄带半导体，而氧化镓、金刚石、氮化铝属于超宽禁带半导体。新一代半导体材料，将一路向宽，还是一路向窄？ 超宽禁带半导体：“上天......
西安交通大学绍兴市通越宽禁带半导体研究院揭牌成立;据绍兴滨海新区管委会消息，7月27日，由浙江绍兴滨海新区管委会与西安交通大学合作共建的绍兴市通越宽禁带半导体研究院揭牌成立。 消息称，西安交通大学绍兴市通越宽禁带半导体......
济南宽禁带半导体小镇一期项目基本完成;据齐鲁晚报8月4日报道，位于槐荫经济开发区的宽禁带半导体小镇一期建设项目已基本完成，所有单体已完成竣工前验收，目前正在进行正式验收程序，电梯已美化提升，绿化......
特斯拉Model3搭载SiC，宽禁带半导体迎来爆发;去年11月底，特斯拉Model 3新款开售，其产品设计和功能变化都引起了外界关注。 在特斯拉Model 3车型中，SiC得到量产应用，这吸......
特斯拉 Model3 搭载 SiC，宽禁带半导体迎来爆发;去年 11 月底，特斯拉 Model 3 新款开售，其产品设计和功能变化都引起了外界关注。 在特斯拉 Model 3 车型中，SiC 得到......
力科发布更精确的宽禁带半导体分析测量系统;新的1 GHz探头、12位高精度示波器和测试软件相结合，为宽禁带半导体测试提高测量精度 2022年4月12日 纽约 Chestnut Ridge– 力科......
综合评估表现良好的器件成为了市场最终的宠儿。宽禁带半导体亦如此，带隙越宽，电子跃迁到导带所需能量越大，材料能承受的温度和电压也会越高，做出的功率半导体也就越强。 半导体的材料特性，图源丨科技导报 我们常用“Hype Cycle”曲线......
低碳化成半导体强劲增长点 吉林华微电子进入新赛道;据《中国电子报》报道，目前国内功率半导体企业，纷纷在宽禁带半导体产品上发力。国内主要的半导体企业均在积极布局低碳产品线，不断加大低碳类项目投入，深化......
绍兴滨海新区与西电共建宽禁带半导体国家工程研究中心绍兴分中心;据越城发布消息，6月7日，绍兴滨海新区管委会与西安电子科技大学举行合作协议签约仪式，双方将共建宽禁带半导体......
镓(Ga2O3)是金属镓最稳定的氧化物，是制造半导体器件的重要材料，是国际半导体产业普遍关注的第四代材料。 作为一种宽禁带半导体材料，其导电性能和发光特性长期以来是半导体产业关注的重点，在光......
领域发展，centrotherm下一步计划进一步增强宽禁带半导体工艺模块的扩散和退火工艺专业性，并将专业知识拓展至SiC/GaN及其他创新性宽禁带半导体材料领域。 作为......
于2021年5月，专注于以创新技术制备氧化镓为代表的新一代半导体材料。 稍早之前，镓仁半导体宣布完成数千万天使轮融资。该公司是一家专注于氧化镓等超宽禁带半导体......
材料。 稍早之前，镓仁半导体宣布完成数千万天使轮融资。该公司是一家专注于氧化镓等超宽禁带半导体单晶衬底及外延材料研发、生产......
) 、氮化镓 (GaN) 等宽禁带半导体的电气性能更优异，有助于开发更小、更轻、更高效的高性能电子器件和系统，尤其特别适合那些需要高功率、高频或高温开关操作的应用领域。 该合......
材料相比，碳化硅 (SiC) 、氮化镓 (GaN) 等宽禁带半导体的电气性能更优异，有助于开发更小、更轻、更高效的高性能电子器件和系统，尤其特别适合那些需要高功率、高频......
多功能集成与器件设计理论基础、光电子器件及集成技术、宽禁带半导体、电子器件、射频电路关键技术、多功能与高效能集成电路等。 量子材料与器件 围绕量子材料制备、物性研究和器件物理中的基础性重大科学前沿问题，重点......
交付的多台/套设备的首台，这是泰克和忱芯科技围绕宽禁带半导体测试领域的合作进一步深入，也是双方为中国半导体行业在SiC应用领域长期发展贡献的一份力量，为三安半导体......
多功能集成与器件设计理论基础、光电子器件及集成技术、宽禁带半导体、电子器件、射频电路关键技术、多功能与高效能集成电路等。 量子材料与器件 围绕量子材料制备、物性研究和器件物理中的基础性重大科学前沿问题，重点......
目的建设周期为五年，第一阶段对现有洁净实验室的扩建就于明年正式运营。 对于该研究中心来说，这是一笔不菲的资金，但对于美国国家科学基金（NSF）来说，这只是其在宽禁带半导体布局的一个缩影。 01美国持续加注化合物半导体......
蓉矽半导体顺利完成Pre-A轮融资，碳化硅NovuSiC® MOSFET 将于本月底亮相！;2022年8月，四川省首家专注于宽禁带半导体碳化硅功率器件设计与开发的高新技术企业——成都蓉矽半导体......
英飞凌将投资逾20亿欧元在马来西亚居林前道工厂扩大宽禁带半导体的产能，进一步增强市场领导地位;英飞凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）将显著扩大宽禁带（碳化......
存在边缘错位、三角形缺陷等问题，这阻碍了SiC半导体的商业化进程。尽管SiC适用于许多潜在应用，但目前落地的应用还相对较少。 SiC是宽禁带半导体材料，比传统硅这类半导体材料有更大的能量差，具备......
安世半导体将在汉堡投资2亿美元 研发下一代宽禁带半导体产品;半导体制造商Nexperia（安世半导体）近日宣布，计划投资2亿美元（约合1.84亿欧元）研发下一代宽禁带半导体产品(WBG)，例如......
安世半导体将在汉堡投资2亿美元 研发下一代宽禁带半导体产品;6月28日消息，半导体制造商Nexperia（安世半导体）近日宣布，计划投资2亿美元（约合1.84亿欧元）研发下一代宽禁带半导体......
功率器件体积和性能均有显著提升。 那么什么是第三代半导体GaN呢？它是由氮和镓组成的一种半导体材料，由于其禁带宽度大于2.2eV, 因此又被称为宽禁带半导体材料。 广告 表一  GaN与Si的关键特性......
正通过全面的电力测试设备及方案，满足不同的测试需求。从高带宽、高电流的宽禁带半导体测量，到低带宽、低电流的电池驱动的设备休眠功耗测试，泰克都可以通过可扩展的测试解决方案，促成清洁、可再生和可靠的能源生态系统的发展。近日，泰克......
其目标是 800 伏汽车应用；但对于400伏汽车应用，我们认为 GaN 是最理想的解决方案。问：使用宽禁带半导体器件和传统硅基器件之间有何权衡？Doug Bailey：这是一个复杂的答案，但我......
品中使用碳化硅，因为其目标是 800 伏汽车应用；但对于400伏汽车应用，我们认为 GaN 是最理想的解决方案。 问：使用宽禁带半导体器件和传统硅基器件之间有何权衡？ Doug Bailey：这是......
研究上取得重要进展。 据陈海峰教授介绍，氧化镓是一种超宽禁带半导体材料，具有优异的耐高压与日盲紫外光响应特性，在功率器件和光电领域应用潜力巨大。硅上......
器件本身的发热所导致的温升，使得器件耐温能力的选择和热管理系统的设计尤显重要；其二，由于受应用环境和成本的影响，许多高温环境应用通常是没有液冷条件的，这样就更加考验器件本身的耐温能力及其高温工作寿命。因此，高温半导体技术对于第三代宽禁带半导体......
研发和产业化驶入快车道 人们对高压、高频、大功率、紫外发光和探测的需求，直接推动了宽禁带半导体和超宽禁带的出现和发展。就功率应用来说，在其他参数相同的情况下，禁带更宽的半导体特性......
产品Q4问世，中国集成电路行业第一家上市公司布局SiC市场;近日，上海贝岭在互动平台介绍了公司IGBT和宽禁带半导体功率器件的研发进展。 IGBT方面，上海贝岭表示，公司具备独立的IGBT芯片......
光电核心专注于第三代/第四代超宽禁带半导体氮化铝晶圆衬底材料、蓝宝石基/硅基/碳化硅基氮化铝/氮化铝钪薄膜模板、全自动氮化铝PVT气相沉积炉及其相关产品的研发、制造与销售，核心产品被列入《中国制造2025》关键......
的自动化的核心是能源转换，宽禁带半导体可大幅提升能源转换效率。 SiC和GaN各有各的特性，比如SiC适合高功率、高电压应用，主要支持650V以上甚至3000V以上的电压的应用。GaN主要适用于中功率100-900V的应......
的大批量生产和销售。2021年10月，陈小龙研究团队最终在自研的衬底上初步生长出了8英寸SiC晶体。 中国科学院物理研究所表示，8英寸SiC导电单晶研制成功是物理所在宽禁带半导体领域取得的又一个标志性进展，研发......
年建成投产。 据相关负责人介绍，“十四五”期间，陕西电子信息集团有限公司将在现有基础上布局建设高性能特色工艺半导体芯片生产线，月产能达到5万片。同时，建设1条6英寸宽禁带半导体器件生产线，实现......
的工业级碳化硅功率器件及模块。 此外，国投创业表示，本次独家投资芯聚能半导体，将精准支持广东“强芯工程”关于宽禁带半导体的总体规划，助力广东打造我国集成电路产业发展第三极，填补国产宽禁带半导体产业短板。 封面......
，由于受应用环境和成本的影响，许多高温环境应用通常是没有液冷条件的，这样就更加考验器件本身的耐温能力及其高温工作寿命。因此，高温半导体技术对于第三代宽禁带半导体技术的广泛应用至关重要。重庆平创半导体......
氧化镓商业化脚步临近，或将与碳化硅直接竞争; 【导读】在宽禁带半导体迅猛发展势头的影响下，超禁带半导体也悄然入局。氧化镓（Ga2O3）作为第四代半导体的代表，不仅......
市场具有高度相关性，能补充其他业务。 SiC作为第三代宽禁带半导体材料，目前在半导体市场上受到广泛关注。它的特性适合用于功率半导体，有助于电流和电压的转换。其根本贡献是减少能量通过芯片时造成的热损失，与Si......
“第三代半导体”迎来新方向，新能源车成为主线，重点在5家短线大牛;以碳化硅、氮化镓为代表的宽禁带半导体材料具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率等特点，可以极大满足新能源汽车电动化、网联......
司近期计划总投资16亿元，进一步向第四代超宽禁带半导体氧化镓材料及芯片产业升级发展。据悉，晶旭半导体正在建设30条以上超宽禁带半导体射频芯片和外延片生产线，产品聚焦5G/6G通讯、智能......
西电芜湖研究院宽禁带半导体器件试制线通线;据西电芜湖研究院消息，3月25日，西电芜湖研究院宽禁带半导体器件试制线成功通线，这标志着西电芜湖研究院半导体器件研发与产业化迎来了新的里程碑。 该项......
于未来的混动飞机和纯电动城市飞行器发展至关重要。 在签署该合作协议前，双方已充分评估了宽禁带半导体材料给飞机电动化带来的种种好处。与硅等传统半导体材料相比，碳化硅 (SiC) 、氮化镓 (GaN) 等宽禁带半导体......
于未来的混动飞机和纯电动城市飞行器发展至关重要。 在签署该合作协议前，双方已充分评估了宽禁带半导体材料给飞机电动化带来的种种好处。与硅等传统半导体材料相比，碳化硅 (SiC) 、氮化镓 (GaN) 等宽禁带半导体......

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