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NTC 热敏电阻阻值和温度的换算(2024-11-12 17:37:00)
热敏电阻是以锰、钴、镍和铜等金属氧化物为主要材料，采用陶瓷工艺制造而成的.这些金属氧化物材料都具有半导体性质，因为在导电方式上完全类似锗、硅等半导体材料.温度低时，这些氧化物材料的载流子（电子......
国外十分重视在人工智能领域的发展和应用！(2022-12-10)
情况下，金属氧化物是绝缘体，这意味着它们不导电。但是，如果有足够的电压，电流就会积累起来，最终穿过材料的薄弱点，形成一条通往另一侧电极的路径。一旦电流突破，它就可以沿着该路径自由流动。
黃教......
5.14亿美元，全球半导体材料领域新添并购案(2021-09-18)
5.14亿美元，全球半导体材料领域新添并购案;9月17日，日本半导体材料制造商JSR株式会社宣布，将收购总部位于美国俄勒冈州科瓦利斯的Inpria，后者为世界领先的极紫外 (EUV) 光刻金属氧化物......
室温打印金属氧化物薄膜实现，可制造坚韧透明的柔性电路(2024-08-16)
室温打印金属氧化物薄膜实现，可制造坚韧透明的柔性电路;据15日《科学》杂志报道，包括美国北卡罗来纳州立大学和韩国浦项科技大学在内的国际研究团队，展示了一种在室温下打印金属氧化物薄膜的技术，并利......
中韩科研人员在新型半导体材料和器件领域取得重大突破(2024-04-11)
研究首创高迁移率稳定的非晶P型(空穴)半导体器件，突破该领域二十余年的研究瓶颈。这一突破将进一步推动现代信息电子学和大规模互补金属氧化物半导体(CMOS)技术的发展。
相比于多晶半导体，非晶体系具有诸多优势，如低......
Intel制程和封装4大突破：封装吞吐量提升100倍(2024-12-09)
在CFET(互补场效应晶体管)之外进一步加速GAA技术创新，Intel代工展示了在2D GAA NMOS(N 型金属氧化物半导体)和PMOS(P
型金属氧化物半导体)晶体......
突破性方法将“顽固”金属转化为薄膜(2023-05-25)
突破性方法将“顽固”金属转化为薄膜;
研究人员开发出一种突破性的方法来制造高质量的金属氧化物薄膜。图片来源：明尼苏达大学
美国明尼苏达大学双城分校领导的一个团队开发出了一种首创的突破性方法，可以......
集成高 k 钙钛矿氧化物和二维半导体的新型晶体管(2023-01-04)
集成高 k 钙钛矿氧化物和二维半导体的新型晶体管;
二维(2D)半导体，如二硫化钼和黑磷，可以与硅技术竞争，因为它们的原子级厚度，优异的物理性能，并与经典的互补金属氧化物半导体(CMOS)技术......
贸泽电子推出内容全面的可穿戴资源中心助力设计创新(2024-03-05)
抗和皮电活动。该传感器包含多个活动监控系统，可测量身体成分和皮肤含水量，适用于从健身手环到医疗贴片等各种应用。
● ScioSense ENS161数字金属氧化物多气体传感器，它基于金属氧化物 (MOX......
贸泽电子推出内容全面的可穿戴资源中心助力设计创新(2024-03-05)
于从健身手环到医疗贴片等各种应用。
•ScioSense ENS161数字金属氧化物多气体传感器，它基于金属氧化物 (MOX) 技术，具有四个传感器元件。ENS161多气体传感器使可穿戴设备能够连续进行空气质量监控。该传感器具有低功耗工作模式，功耗......
请问一下IGBT是如何实现电路控制的？(2024-06-14)
动车的交流电电动机的输出控制。
传统的BJT导通电阻小，但是驱动电流大，而MOSFET的导通电阻大，却有着驱动电流小的优点。IGBT正是结合了这两者的优点：不仅驱动电流小，导通电阻也很低。
这种晶体管结合了金属氧化物半导体......
Microsemi扩展高频率垂直扩散金属氧化物半导体MOSFET产品系列(2013-09-16)
Microsemi扩展高频率垂直扩散金属氧化物半导体MOSFET产品系列;Microsemi宣布扩展高频率垂直扩散金属氧化物半导体(VDMOS) MOSFET产品系列，两款更大功率、更高电压(V......
SK启方半导体推出HVIC工艺技术，扩大高压代工服务组合(2024-10-25 08:55)
扩大和增强了高压代工服务组合。SK启方半导体的HVIC工艺特点在于，它可以在一个工艺中实现5V逻辑、25V高压器件、650V+ nLDMOS（横向双扩散金属氧化物半导体）以及650V以上自举二极管，这使......
SK启方半导体推出HVIC工艺技术，扩大高压代工服务组合(2024-10-24)
扩大和增强了高压代工服务组合。
SK启方半导体的HVIC工艺特点在于，它可以在一个工艺中实现5V逻辑、25V高压器件、650V+ nLDMOS（横向双扩散金属氧化物半导体）以及650V以上自举二极管，这使......
贸泽电子推出内容全面的可穿戴资源中心助力设计创新(2024-03-05)
供完整的光体积变化描记图、心电图、体阻抗和皮电活动。该传感器包含多个活动监控系统，可测量身体成分和皮肤含水量，适用于从健身手环到医疗贴片等各种应用。
●ScioSense ENS161数字金属氧化物多气体传感器，它基于金属氧化物......
半导体一代宗师施敏离世，其著作被称为半导体界《圣经》(2023-11-08)
量已经超越DRAM，NVSM成为世界芯片产业的主导产品之一，是手机、笔记本电脑、IC卡、数码相机及便携式电子产品的关键部件。
在中国工程院官方网站上对施敏的成就介绍中写道：在半导体设备，尤其是半导体接触，微波器件和金属氧化物半导体......
基础知识之图像传感器(2024-03-12)
CCD图像传感器中，像素由p 掺杂 金属氧化物半导体(MOS)电容器表示。这些MOS 电容器是 CCD 的基本构建模块，在图像采集开始时偏置高于反转阈值，从而允许在半导体-氧化物......
延续摩尔定律，新型半导体研发实现新突破(2022-06-07)
实现几乎无限的材料组合。
研究人员表示，他们创造的晶体管可用于制造高性能和低功耗互补金属氧化物半导体逆变器电路。未来，他们的设备可以大规模制造，用于开发低功耗的逻辑电路和微芯片。
值得一提的是，除了......
贸泽电子推出内容全面的可穿戴资源中心助力设计创新(2024-03-05 11:31)
感器包含多个活动监控系统，可测量身体成分和皮肤含水量，适用于从健身手环到医疗贴片等各种应用。• ScioSense ENS161数字金属氧化物多气体传感器，它基于金属氧化物 (MOX) 技术，具有......
贸泽电子推出内容全面的可穿戴资源中心助力设计创新(2024-03-05)
感器包含多个活动监控系统，可测量身体成分和皮肤含水量，适用于从健身手环到医疗贴片等各种应用。
ScioSense ENS161数字金属氧化物多气体传感器，它基于金属氧化物 (MOX) 技术，具有......
富士通推出业界最高密度4 Mbit ReRAM量产产品(2016-11-08)
的大幅度电阻变化以记录1和0。其制程化繁为简，由两电极间简易金属氧化物架构组成，使其同时拥有低功耗和高写入速度的优点。松下半导体于2013年即开始量产配备ReRAM的微型计算机。
2.松下电器半导体：......
钠电池正极材料技术路线多样，我国布局企业快速增多(2023-04-19)
国钠电池正极材料行业市场深度调研及发展前景预测报告》显示，目前，全球已经开发问世的钠电池正极材料种类众多，主要包括过渡金属氧化物、聚阴离子类化合物、普鲁士蓝类化合物等几大类，其中，过渡金属氧化物又包括层状氧化物、隧道状氧化物两种，研究......
iDEAL推出SuperQ技术，开创硅功率器件性能新时代(2023-05-17 09:57)
术最初针对高达850伏(V)的电压，为系统工程师提供改进的功率半导体器件，例如二极管、金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)、绝缘栅双极晶体管(IGBT)和集成电路(IC)。 例如，基于SuperQ的......
iDEAL推出SuperQ™技术，开创硅功率器件性能新时代(2023-05-17)
原子水平的科学和工程实现，SuperQ提供了创纪录的单位面积电阻(RSP)。 该技术最初针对高达850伏(V)的电压，为系统工程师提供改进的功率半导体器件，例如二极管、金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)、绝缘......
NXP推出一款用于X电容的自动放电IC GreenChip TEA1708(2013-12-20)
耗。
除了自动放电功能，TEA1708还集成有500伏钳位电路，可在电源浪涌期间保护IC，令器件更加坚固耐用。无需额外的金属氧化物压敏电阻 (MOV) 来保护TEA1708。对于仅有2个200 kΩ电阻......
ADRF5301数据手册和产品信息(2024-11-11 09:19:45)
加到 VDD 引脚的 3.3 V 单一正电源供电。该器件采用兼容互补金属氧化物半导体 (CMOS)/低电压晶体管至晶体管逻辑 (LVTTL) 的控制。
ADRF5301 采用符合 RoHS 标准......
上海雷卯推出稳定性和效率兼备的MOSFET新产品(2023-09-04)
上海雷卯推出稳定性和效率兼备的MOSFET新产品;
【导读】MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种常用的半导体器件，由源(Source)、漏(Drain)和栅(Gate)三个......
三菱电机开始提供用于xEV的SiC-MOSFET裸片样品(2024-11-15)
）电驱逆变器的碳化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）裸片样品。这是三菱电机首款标准规格的SiC-MOSFET功率半导体芯片，将助力公司应对xEV逆变器的多样化需求，并推动xEV的日......
台积电首座欧洲晶圆厂8月20日举行动土典礼，规划月产能达4万片(2024-08-19)
位于德国德累斯顿，预计导入 28/22nm 平面互补金属氧化物半导体（CMOS）技术，以及 16/12nm 鳍式场效晶体管（FinFET）制程，规划初期月产能约 4 万片。
据了解，台积电董事长魏哲家将率团前往，包括......
宁夏一半导体晶圆芯片项目动工建设(2024-05-13)
值达到30亿元以上，新增设备152余台（套），年设计生产沟道金属氧化物半导体势垒肖特基二极管晶圆60万片，规划总占地面积约296.27亩，建构筑物占地面积81851.49平方米，总建......
事关存储器，华为公布新专利(2024-04-11)
存储器。只要处于上电状态，SRAM中写入的信息就不会消失，不需要刷新电路。传统的硅(Si)基SRAM包括6个金属氧化物半导体场效应品体管。
在计......
北方华创携手睿科微赋能全球首颗嵌入式RRAM显示驱动芯片(2024-08-28 08:50)
，是混合技术集成电路，结合了双极型晶体管、CMOS（互补金属氧化物半导体）和DMOS（双扩散金属氧化物半导体）的优点，常用于功率放大器和电源管理电路。[5] 信息来源：英飞凌官网......
2024年度动力电池新时代——钠离子电池的崛起(2024-06-24)
了多种技术路线。接下来，我们将详细介绍其中一种主流的技术路线：层状氧化物+碳基。
01
正极材料——层状过渡金属氧化物目前，钠离子电池正极材料的研发有多条技术路线，主流的有层状过渡金属氧化物、聚阴......
ADUM341E数据手册和产品信息(2024-11-11 09:19:32)
ADUM341E数据手册和产品信息;ADuM340E/ADuM341E/ADuM342E 是基于 ADI 公司 iCoupler® 技术的四通道数字隔离器。这些隔离元件结合了高速、互补金属氧化物半导体......
X-FAB率先向市场推出110纳米BCD-on-SOI代工解决方案(2023-06-02)
-Essonnes）工厂制造。量产将于2023年下半年启动。
缩略语：
BCDBipolar-CMOS-DMOS
CMOS互补金属氧化物半导体
DTI深槽隔离
EDA电子设计自动化
SOI绝缘......
英特尔展示下一代晶体管微缩技术突破，将用于未来制程节点(2023-12-10)
尔将展示高迁移率（high-mobility）的过渡金属二硫属化物晶体管原型，用于NMOS（n型金属氧化物半导体）和PMOS（p型金属氧化物半导体）这两大CMOS关键组件。此外，英特......
英特尔在IEDM 2023上展示3D堆叠、背面供电、背面触点研究成果(2023-12-10)
材料让晶体管物理栅极长度有机会微缩到10纳米以下。在IEDM 2023上，英特尔将展示高迁移率（high-mobility）的过渡金属二硫属化物晶体管原型，用于NMOS（n型金属氧化物半导体）和PMOS（p型金属氧化物半导体......
英特尔在IEDM 2023上展示3D堆叠、背面供电、背面触点研究成果(2023-12-11 11:28)
尔将展示高迁移率（high-mobility）的过渡金属二硫属化物晶体管原型，用于NMOS（n型金属氧化物半导体）和PMOS（p型金属氧化物半导体）这两大CMOS关键组件。此外，英特......
北方华创携手睿科微赋能全球首颗嵌入式RRAM显示驱动芯片(2024-08-27)
] 双极CMOS DMOS，是混合技术集成电路，结合了双极型晶体管、CMOS（互补金属氧化物半导体）和DMOS（双扩散金属氧化物半导体）的优点，常用于功率放大器和电源管理电路。
[5] 信息来源：英飞......
柔性32比特微处理器问世(2021-07-22)
柔性32比特微处理器问世;据英国《自然》杂志21日发表的一项电子学最新进展，英国一个科研团队报告称，他们结合金属氧化物薄膜晶体管和柔性聚酰亚胺，制成了一种柔性32比特微处理器，这一......
半导体制造工艺——挑战与机遇(2024-01-12)
是它取决于所使用的相关技术和芯片的设计复杂程度。
▲ 半导体器件制造中主要工艺的步骤及概要：1）p型衬底晶片 2）热氧化 3）光刻 4）氧化物蚀刻 5）n+离子注入 6）热氧化 7）栅极光刻 8）栅极氧化物蚀刻 9）金属......
超越锂：一种很有前途的镁可充电电池正极材料(2023-02-16)
能正极材料的缺乏阻碍了它们的发展。与锂离子对应物一样，过渡金属氧化物是
MRB 中的主要阴极材料。然而，镁离子在氧化物内部的缓慢扩散造成了一个严重的问题。为了克服这个问题，一些研究人员探索了硫基材料。但是用于 MRB
的硫......
ADRF5141数据手册和产品信息(2024-11-11 09:19:43)
8 GHz 至 11 GHz 时的插入损耗为 0.9 dB。
ADRF5141 在 +3.3 V 的正电源上消耗 13 μA 的低电流，在 -3.3 V 的负电源上消耗 360 μA 的低电流。该套件采用兼容互补金属氧化物半导体......
ADUM252N数据手册和产品信息(2024-11-11 09:19:42)
ADUM252N数据手册和产品信息;ADuM250N/ADuM251N/ADuM252N是采用ADI公司iCoupler®技术的5通道数字隔离器。这些隔离器件将高速、互补金属氧化物半导体(CMOS......
基美电子推出了七个新型金属氧化物压敏电阻器系列(2016-11-15)
基美电子推出了七个新型金属氧化物压敏电阻器系列;基美电子（KEMET），推出了七个新型金属氧化物压敏电阻器系列。这些产品系列补充了该公司现有的电路保护解决方案，并可......
三菱电机发布商用手持双向无线电用6.5W硅射频高功率MOSFET样品(2024-03-05)
三菱电机发布商用手持双向无线电用6.5W硅射频高功率MOSFET样品;
【导读】三菱电机集团近日（2024年2月27日）宣布，将于2月28日开始提供其新型6.5W硅射频（RF）高功率金属氧化物半导体......
如何用万用表测试MOSFET(2024-04-03)
如何用万用表测试MOSFET;介绍：
MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）晶体管是一种广泛用于电子设备中开关和放大电子信号的半导体器件。
MOSFET 是一种四端子器件，具有......
台积电欧洲晶圆厂即将举行动土典礼(2024-08-19)
亿欧元（108亿美元）。至此，台积电在德、日、美三地合计高达近千亿美元的海外投资全面启动。
根据规划，台积电的德国勒斯登厂预计2024年底动工，2027年底量产，预计导入28/22nm平面互补金属氧化物半导体......
市场有哪些产品用了三星14nm FinFET 制程(2016-10-26)
与PMOS功函数金属层，用于设定晶体管的阈值电压，这些金属分别拥有不同的组成。
闸极填充部份也有一点不同。从图中可看到NMOS晶体管的内层部份衬着氧化钛(TiN)，再以钨(W)填充，但......
东芝开发带嵌入式肖特基势垒二极管的低导通电阻高可靠性SiC MOSFET(2022-12-13)
; Storage Corporation)和东芝株式会社(Toshiba Corporation)（统称“东芝”）已经开发了一种碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。该晶......
相关企业
电阻材料（不同于PTC及NTC热敏电阻）。其性能达到甚至超过同类进口产品。它是以氧化锌（ZnO）为基料配以其他少量多种金属氧化物，用制备陶瓷的工艺制造而成（比普通制陶工艺更为复杂）。比一
;温州市金都开关厂;;上海金都电器成套有限公司位于上海市松江区玉树路518号，下设公司有上海金玉树避雷器制造有限公司和温州市金都开关厂，现有厂房2000平方米，生产金属氧化物
;宝鸡亨鑫稀有金属材料有限公司;;我们公司长期供应钨/钼/铌/锆/铪/钽/钛/这些金属的板棒带丝材料的生产和深加工。我们公司长期供应钨/钼/铌/锆/铪/钽/钛/这些金属
;霸州市康仙庄得力线路工具厂;;本厂专业生产电力金具，电力施工机具，主要生产生产避雷器、防雷器、金属氧化物避雷器、复合外套无间隙氧化锌避雷器、跌落式避雷器、三合一防雷器、信号防雷器、视频防雷器、避雷
;常州荣鑫电子有限公司;;我公司是专业生产和销售电子变压器,电感和线圈,开关电源、半导体整流模块,整流管,二、三极管等半导体器件,陶瓷电容,薄膜电容,直插固定碳膜电阻，金属膜和金属氧化膜电阻，熔断
电瓷弯扭试验机、超声波探伤仪等专用设备，工厂还拥有具有国际先进水平的复合外套金属氧化物避雷器和高压熔断器制造技术和生产线关键设备，和其完备的检测仪器。企业主要生产绝缘子、穿墙套管、避雷
定性和低衰减性能，获得了广泛的应用和好评，并已成功进入台湾、韩国和欧美市场。 中村宇极的氮氧化物荧光粉多次获得国家权威技术部门的认可。半导体照明用氮氧化物黄色荧光粉在2010年“南海杯”国家半导体
;江门市唯是半导体科技有限公司;;生产LCD
镜、滤光片、分光片等镜片所需要的光学精密抛光片。光学镀膜材料：硅氧化物系列（一氧化硅，二氧化硅）、五氧化三钛、氟化镁、氧化锆、三氧化二铝、硫化锌等各种金属氧化物、氟化物、混合膜料 。以上
in 2009.;为Aptina，形象就是一切。该公司是一家在CMOS（互补金属氧化物半导体）影像技术的领导者。其数字图像传感器元件和处理器仍然使用标准数字和视频相机，以及摄像机内置到手机，电脑，监控