资讯
国外十分重视在人工智能领域的发展和应用！(2022-12-10)
情况下，金属氧化物是绝缘体，这意味着它们不导电。但是，如果有足够的电压，电流就会积累起来，最终穿过材料的薄弱点，形成一条通往另一侧电极的路径。一旦电流突破，它就可以沿着该路径自由流动。
黃教......
5.14亿美元，全球半导体材料领域新添并购案(2021-09-18)
5.14亿美元，全球半导体材料领域新添并购案;9月17日，日本半导体材料制造商JSR株式会社宣布，将收购总部位于美国俄勒冈州科瓦利斯的Inpria，后者为世界领先的极紫外 (EUV) 光刻金属氧化物......
中韩科研人员在新型半导体材料和器件领域取得重大突破(2024-04-11)
研究首创高迁移率稳定的非晶P型(空穴)半导体器件，突破该领域二十余年的研究瓶颈。这一突破将进一步推动现代信息电子学和大规模互补金属氧化物半导体(CMOS)技术的发展。
相比于多晶半导体，非晶体系具有诸多优势，如低......
突破性方法将“顽固”金属转化为薄膜(2023-05-25)
突破性方法将“顽固”金属转化为薄膜;
研究人员开发出一种突破性的方法来制造高质量的金属氧化物薄膜。图片来源：明尼苏达大学
美国明尼苏达大学双城分校领导的一个团队开发出了一种首创的突破性方法，可以......
集成高 k 钙钛矿氧化物和二维半导体的新型晶体管(2023-01-04)
集成高 k 钙钛矿氧化物和二维半导体的新型晶体管;
二维(2D)半导体，如二硫化钼和黑磷，可以与硅技术竞争，因为它们的原子级厚度，优异的物理性能，并与经典的互补金属氧化物半导体(CMOS)技术......
贸泽电子推出内容全面的可穿戴资源中心助力设计创新(2024-03-05)
抗和皮电活动。该传感器包含多个活动监控系统，可测量身体成分和皮肤含水量，适用于从健身手环到医疗贴片等各种应用。
● ScioSense ENS161数字金属氧化物多气体传感器，它基于金属氧化物 (MOX......
贸泽电子推出内容全面的可穿戴资源中心助力设计创新(2024-03-05)
于从健身手环到医疗贴片等各种应用。
•ScioSense ENS161数字金属氧化物多气体传感器，它基于金属氧化物 (MOX) 技术，具有四个传感器元件。ENS161多气体传感器使可穿戴设备能够连续进行空气质量监控。该传感器具有低功耗工作模式，功耗......
Microsemi扩展高频率垂直扩散金属氧化物半导体MOSFET产品系列(2013-09-16)
Microsemi扩展高频率垂直扩散金属氧化物半导体MOSFET产品系列;Microsemi宣布扩展高频率垂直扩散金属氧化物半导体(VDMOS) MOSFET产品系列，两款更大功率、更高电压(V......
贸泽电子推出内容全面的可穿戴资源中心助力设计创新(2024-03-05)
供完整的光体积变化描记图、心电图、体阻抗和皮电活动。该传感器包含多个活动监控系统，可测量身体成分和皮肤含水量，适用于从健身手环到医疗贴片等各种应用。
●ScioSense ENS161数字金属氧化物多气体传感器，它基于金属氧化物......
基础知识之图像传感器(2024-03-12)
CCD图像传感器中，像素由p 掺杂 金属氧化物半导体(MOS)电容器表示。这些MOS 电容器是 CCD 的基本构建模块，在图像采集开始时偏置高于反转阈值，从而允许在半导体-氧化物......
半导体一代宗师施敏离世，其著作被称为半导体界《圣经》(2023-11-08)
量已经超越DRAM，NVSM成为世界芯片产业的主导产品之一，是手机、笔记本电脑、IC卡、数码相机及便携式电子产品的关键部件。
在中国工程院官方网站上对施敏的成就介绍中写道：在半导体设备，尤其是半导体接触，微波器件和金属氧化物半导体......
延续摩尔定律，新型半导体研发实现新突破(2022-06-07)
实现几乎无限的材料组合。
研究人员表示，他们创造的晶体管可用于制造高性能和低功耗互补金属氧化物半导体逆变器电路。未来，他们的设备可以大规模制造，用于开发低功耗的逻辑电路和微芯片。
值得一提的是，除了......
贸泽电子推出内容全面的可穿戴资源中心助力设计创新(2024-03-05 11:31)
感器包含多个活动监控系统，可测量身体成分和皮肤含水量，适用于从健身手环到医疗贴片等各种应用。• ScioSense ENS161数字金属氧化物多气体传感器，它基于金属氧化物 (MOX) 技术，具有......
贸泽电子推出内容全面的可穿戴资源中心助力设计创新(2024-03-05)
感器包含多个活动监控系统，可测量身体成分和皮肤含水量，适用于从健身手环到医疗贴片等各种应用。
ScioSense ENS161数字金属氧化物多气体传感器，它基于金属氧化物 (MOX) 技术，具有......
钠电池正极材料技术路线多样，我国布局企业快速增多(2023-04-19)
国钠电池正极材料行业市场深度调研及发展前景预测报告》显示，目前，全球已经开发问世的钠电池正极材料种类众多，主要包括过渡金属氧化物、聚阴离子类化合物、普鲁士蓝类化合物等几大类，其中，过渡金属氧化物又包括层状氧化物、隧道状氧化物两种，研究......
富士通推出业界最高密度4 Mbit ReRAM量产产品(2016-11-08)
的大幅度电阻变化以记录1和0。其制程化繁为简，由两电极间简易金属氧化物架构组成，使其同时拥有低功耗和高写入速度的优点。松下半导体于2013年即开始量产配备ReRAM的微型计算机。
2.松下电器半导体：......
NXP推出一款用于X电容的自动放电IC GreenChip TEA1708(2013-12-20)
耗。
除了自动放电功能，TEA1708还集成有500伏钳位电路，可在电源浪涌期间保护IC，令器件更加坚固耐用。无需额外的金属氧化物压敏电阻 (MOV) 来保护TEA1708。对于仅有2个200 kΩ电阻......
iDEAL推出SuperQ技术，开创硅功率器件性能新时代(2023-05-17 09:57)
术最初针对高达850伏(V)的电压，为系统工程师提供改进的功率半导体器件，例如二极管、金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)、绝缘栅双极晶体管(IGBT)和集成电路(IC)。 例如，基于SuperQ的......
iDEAL推出SuperQ™技术，开创硅功率器件性能新时代(2023-05-17)
原子水平的科学和工程实现，SuperQ提供了创纪录的单位面积电阻(RSP)。 该技术最初针对高达850伏(V)的电压，为系统工程师提供改进的功率半导体器件，例如二极管、金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)、绝缘......
上海雷卯推出稳定性和效率兼备的MOSFET新产品(2023-09-04)
上海雷卯推出稳定性和效率兼备的MOSFET新产品;
【导读】MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种常用的半导体器件，由源(Source)、漏(Drain)和栅(Gate)三个......
事关存储器，华为公布新专利(2024-04-11)
存储器。只要处于上电状态，SRAM中写入的信息就不会消失，不需要刷新电路。传统的硅(Si)基SRAM包括6个金属氧化物半导体场效应品体管。
在计......
X-FAB率先向市场推出110纳米BCD-on-SOI代工解决方案(2023-06-02)
-Essonnes）工厂制造。量产将于2023年下半年启动。
缩略语：
BCDBipolar-CMOS-DMOS
CMOS互补金属氧化物半导体
DTI深槽隔离
EDA电子设计自动化
SOI绝缘......
英特尔展示下一代晶体管微缩技术突破，将用于未来制程节点(2023-12-10)
尔将展示高迁移率（high-mobility）的过渡金属二硫属化物晶体管原型，用于NMOS（n型金属氧化物半导体）和PMOS（p型金属氧化物半导体）这两大CMOS关键组件。此外，英特......
英特尔在IEDM 2023上展示3D堆叠、背面供电、背面触点研究成果(2023-12-10)
材料让晶体管物理栅极长度有机会微缩到10纳米以下。在IEDM 2023上，英特尔将展示高迁移率（high-mobility）的过渡金属二硫属化物晶体管原型，用于NMOS（n型金属氧化物半导体）和PMOS（p型金属氧化物半导体......
英特尔在IEDM 2023上展示3D堆叠、背面供电、背面触点研究成果(2023-12-11 11:28)
尔将展示高迁移率（high-mobility）的过渡金属二硫属化物晶体管原型，用于NMOS（n型金属氧化物半导体）和PMOS（p型金属氧化物半导体）这两大CMOS关键组件。此外，英特......
柔性32比特微处理器问世(2021-07-22)
柔性32比特微处理器问世;据英国《自然》杂志21日发表的一项电子学最新进展，英国一个科研团队报告称，他们结合金属氧化物薄膜晶体管和柔性聚酰亚胺，制成了一种柔性32比特微处理器，这一......
超越锂：一种很有前途的镁可充电电池正极材料(2023-02-16)
能正极材料的缺乏阻碍了它们的发展。与锂离子对应物一样，过渡金属氧化物是
MRB 中的主要阴极材料。然而，镁离子在氧化物内部的缓慢扩散造成了一个严重的问题。为了克服这个问题，一些研究人员探索了硫基材料。但是用于 MRB
的硫......
基美电子推出了七个新型金属氧化物压敏电阻器系列(2016-11-15)
基美电子推出了七个新型金属氧化物压敏电阻器系列;基美电子（KEMET），推出了七个新型金属氧化物压敏电阻器系列。这些产品系列补充了该公司现有的电路保护解决方案，并可......
半导体制造工艺——挑战与机遇(2024-01-12)
是它取决于所使用的相关技术和芯片的设计复杂程度。
▲ 半导体器件制造中主要工艺的步骤及概要：1）p型衬底晶片 2）热氧化 3）光刻 4）氧化物蚀刻 5）n+离子注入 6）热氧化 7）栅极光刻 8）栅极氧化物蚀刻 9）金属......
市场有哪些产品用了三星14nm FinFET 制程(2016-10-26)
与PMOS功函数金属层，用于设定晶体管的阈值电压，这些金属分别拥有不同的组成。
闸极填充部份也有一点不同。从图中可看到NMOS晶体管的内层部份衬着氧化钛(TiN)，再以钨(W)填充，但......
三菱电机发布商用手持双向无线电用6.5W硅射频高功率MOSFET样品(2024-03-05)
三菱电机发布商用手持双向无线电用6.5W硅射频高功率MOSFET样品;
【导读】三菱电机集团近日（2024年2月27日）宣布，将于2月28日开始提供其新型6.5W硅射频（RF）高功率金属氧化物半导体......
如何用万用表测试MOSFET(2024-04-03)
如何用万用表测试MOSFET;介绍：
MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）晶体管是一种广泛用于电子设备中开关和放大电子信号的半导体器件。
MOSFET 是一种四端子器件，具有......
新型电极材料可提高混动汽车超级电容器的性能(2023-02-06)
可以改善存储和保留电荷的性能，而且增加了能量和功率密度，这要归功于电极材料的独特形态。
下一代电子设备和混动汽车，需要出色的电荷存储设备，才能正常运行。目前，大多数电荷存储设备，由传统的金属硫化物或金属氧化物......
东芝开发带嵌入式肖特基势垒二极管的低导通电阻高可靠性SiC MOSFET(2022-12-13)
; Storage Corporation)和东芝株式会社(Toshiba Corporation)（统称“东芝”）已经开发了一种碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。该晶......
X-FAB率先向市场推出110纳米BCD-on-SOI代工解决方案(2023-06-02)
半年启动。
缩略语：
BCD Bipolar-CMOS-DMOS
CMOS 互补金属氧化物半导体
DTI 深槽隔离
EDA 电子设计自动化
SOI......
X－FAB率先向市场推出110纳米BCD－on－SOI代工解决方案(2023-06-02 16:25)
语：BCD Bipolar-CMOS-DMOSCMOS 互补金属氧化物半导体DTI 深槽隔离EDA 电子设计自动化SOI 绝缘体上硅SONOS 硅-氧化物-氮化物......
半导体工业的关键——晶圆专题(2024-02-23)
1980年成立以来，一直是中国台湾地区半导体产业的领跑者。其不仅是中国台湾地区首家提供晶圆制造服务的公司，更是中国台湾地区首家上市的半导体公司，于1985年上市。
联电专注于半导体代工业务，广泛提供互补式金属氧化物半导体......
力科发布更精确的宽禁带半导体分析测量系统(2022-11-21)
师们一直在使用硅 (Si) 金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 和绝缘栅双极型晶体管 (IGBT) 功率半导体器件来生产电源和功率转换系统。然而，消费者需要体积更小、重量更轻的电源和系统，而政......
基础知识之烟雾传感器和空气质量传感器(2024-03-11)
设备现在体积小、便携，广泛用于工业卫生应用。随着人们对环境污染的关注增加，对空气质量监测的需求也逐渐增加。空气质量传感器简史
2：常见空气质量传感器工作原理介绍
（1）金属氧化物半导体式传感器
工作......
众芯坚亥陶瓷薄膜混合集成电路项目试产成功(2021-08-11)
推动关键领域核心技术的国产化替代贡献力量。
据介绍，陶瓷薄膜混合集成电路是指将整个电路的有源元件、无源元件以及它们之间的互连引线，全部用厚度在几微米(一般为1微米)以下的金属、半导体、金属氧化物、多种金属混合相、合金或绝缘介质薄膜，并通......
中国科学家在铁电多值存储器方面取得进展(2022-11-28)
与二维铁电材料的特殊能带对齐方式，将金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）与非隧穿型的铁电忆阻器垂直组装，首次构筑了基于垂直架构的门电压可编程的二维铁电存储器。
据了解，基于垂直架构的二维纳米电子学器件，已经......
下一代纳米结构开启制造超低功率电子元件的可能(2023-04-25 09:55)
长出一个多层TMDC结构。资料来源：东京都立大学
场效应晶体管（FET）是几乎所有数字电路的一个重要组成部分。它们根据跨接的电压来控制电流的通过。虽然金属氧化物半导体场效应晶体管（或称MOSFET）构成......
下一代纳米结构开启制造超低功率电子元件的可能(2023-04-23)
长出一个多层TMDC结构。资料来源：东京都立大学
场效应晶体管（FET）是几乎所有数字电路的一个重要组成部分。它们根据跨接的电压来控制电流的通过。虽然金属氧化物半导体场效应晶体管（或称MOSFET）构成......
国家监管总局反垄断局公示SK海力士收购启方半导体股权案(2022-04-19)
的相关业务包括：（1）存储器半导体，例如动态随机存取存储器、NAND闪存；（2）存储解决方案，例如固态硬盘;以及（3）系统半导体，例如互补式金属氧化物半导体图像传感器。
△Source：反垄......
下一代半导体：一路向宽，一路向窄(2021-09-28)
下一代半导体：一路向宽，一路向窄;随着以氮化镓、碳化硅为代表的第三代半导体步入产业化阶段，对新一代半导体材料的探讨已经进入大众视野。走向产业化的锑化物，以及国内外高度关注的氧化镓、金刚石、氮化......
突破！中国科学家在铁电多值存储器方面取得进展(2022-11-28)
突破！中国科学家在铁电多值存储器方面取得进展;近期，中国科学院金属研究所（以下简称金属所）沈阳材料科学国家研究中心与国内多家单位合作，研究团队通过设计二维半导体与二维铁电材料的特殊能带对齐方式，将金属氧化物半导体......
东芝荣获AspenCore世界电子成就奖(2022-11-25)
是世界领先的科技媒体集团之一，其备受推崇的WEAA每年都会表彰为创新和推动电子行业做出杰出贡献的公司和个人。今年，东芝的战略性低压金属氧化物半导体场效应晶体管XPQR3004PB MOSFET获得......
英特尔发布硅自旋量子芯片：用上EUV工艺(2023-06-16)
栅极和接触层加工技术。
在硅自旋量子比特中，信息(0/1)被编码在单个电子的自旋(上/下)中。
硅自旋量子比特本质上是一个单电子晶体管，因此英特尔能够采用与标准CMOS(互补金属氧化物半导体)逻辑......
搞懂电阻，最全的一篇干货(2023-09-07)
在镀膜上加工出螺旋沟槽来精确控制电阻。
金属膜电阻可以说是性能好精度高，可以做E192系列，然后温度特性也好，噪声低，更加稳定。
06 金属氧化物膜电阻
与金属膜电阻结构类似，金属氧化物膜主要是在陶瓷棒形成一层锡氧化物......
热敏电阻与温度的关系及应用(2023-08-30)
热敏电阻，是用锰、钻、镍、铜、铝等具有半导体性质的金属氧化物为主要材料，采用陶瓷工艺制成的。其电阻值与温度变化成反比，当温度升高时，电阻值随之减小，温度下降时，电阻值反之变大。
NTC热敏......
相关企业
电阻材料（不同于PTC及NTC热敏电阻）。其性能达到甚至超过同类进口产品。它是以氧化锌（ZnO）为基料配以其他少量多种金属氧化物，用制备陶瓷的工艺制造而成（比普通制陶工艺更为复杂）。比一
;温州市金都开关厂;;上海金都电器成套有限公司位于上海市松江区玉树路518号，下设公司有上海金玉树避雷器制造有限公司和温州市金都开关厂，现有厂房2000平方米，生产金属氧化物
;宝鸡亨鑫稀有金属材料有限公司;;我们公司长期供应钨/钼/铌/锆/铪/钽/钛/这些金属的板棒带丝材料的生产和深加工。我们公司长期供应钨/钼/铌/锆/铪/钽/钛/这些金属
;霸州市康仙庄得力线路工具厂;;本厂专业生产电力金具，电力施工机具，主要生产生产避雷器、防雷器、金属氧化物避雷器、复合外套无间隙氧化锌避雷器、跌落式避雷器、三合一防雷器、信号防雷器、视频防雷器、避雷
;常州荣鑫电子有限公司;;我公司是专业生产和销售电子变压器,电感和线圈,开关电源、半导体整流模块,整流管,二、三极管等半导体器件,陶瓷电容,薄膜电容,直插固定碳膜电阻，金属膜和金属氧化膜电阻，熔断
电瓷弯扭试验机、超声波探伤仪等专用设备，工厂还拥有具有国际先进水平的复合外套金属氧化物避雷器和高压熔断器制造技术和生产线关键设备，和其完备的检测仪器。企业主要生产绝缘子、穿墙套管、避雷
定性和低衰减性能，获得了广泛的应用和好评，并已成功进入台湾、韩国和欧美市场。 中村宇极的氮氧化物荧光粉多次获得国家权威技术部门的认可。半导体照明用氮氧化物黄色荧光粉在2010年“南海杯”国家半导体
;江门市唯是半导体科技有限公司;;生产LCD
镜、滤光片、分光片等镜片所需要的光学精密抛光片。光学镀膜材料：硅氧化物系列（一氧化硅，二氧化硅）、五氧化三钛、氟化镁、氧化锆、三氧化二铝、硫化锌等各种金属氧化物、氟化物、混合膜料 。以上
in 2009.;为Aptina，形象就是一切。该公司是一家在CMOS（互补金属氧化物半导体）影像技术的领导者。其数字图像传感器元件和处理器仍然使用标准数字和视频相机，以及摄像机内置到手机，电脑，监控