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特性
- 在接收路径上具有集成功率限制器的高功率发射和接收开关
- 频率范围：6 GHz 至 12 GHz
- 反射式 50 Ω 设计
-
低插入损耗
- TX 到 ANT：8 GHz 至 11 GHz 时为 0.9 dB
- ANT 到 RX：8 GHz 至 11 GHz 时为 1.4 dB
- 高隔离：选择 TX 时 TX 到 RX 的典型值为 55 dB
- 高功率处理能力 (T CASE = 50°C)
- TX 的输入：脉冲 40 dBm，15% 占用比时 >100 ns 脉冲宽度
- ANT 的输入：脉冲 40 dBm，15% 占用比时 >100 ns 脉冲宽度
- RX 平坦泄漏：17 dBm
-
高线性度
- TX 臂的输入为 P0.1dB：41 dBm
- 快速开关时间：50 ns
- 快速响应和恢复时间：<10 ns
- 双电源、无低频杂散
- 正向控制接口：与 CMOS/LVTTL 兼容
- 20 引脚、3 mm × 3mm LGA 封装
- 引脚与 ADRF5144 兼容
ADRF5141 是一款利用硅工艺制造的反射式单刀四掷 (SPDT) 开关。ADRF5141 在接收路径上具有集成功率限制器的发射和接收应用中使用。
ADRF5141 的工作频率为 6 GHz 至 12 GHz。采用集成的功率限制器的 RX 臂具有 17 dBm 的平坦泄露，在 8 GHz 至 11 GHz 时可实现 1.4 dB 的低插入损耗。TX 臂在 8 GHz 至 11 GHz 时的插入损耗为 0.9 dB。
ADRF5141 在 +3.3 V 的正电源上消耗 13 μA 的低电流，在 -3.3 V 的负电源上消耗 360 μA 的低电流。该套件采用兼容互补金属氧化物半导体 (CMOS)/低压晶体管到晶体管逻辑 (LVTTL) 的控件。ADRF5141 无需额外的驱动电路，这使其成为基于氮化镓 (GaN) 和 PIN 二极管的开关的理想替代方案。
ADRF5141 采用符合 RoHS 标准的 20 引脚 3.0 mm x 3.0 mm 岸面栅格阵列 (LGA) 封装，并可在 −40°C 至 +105°C 的温度范围内工作。
应用
ADI 始终高度重视提供符合最高质量和可靠性水平的产品。我们通过将质量和可靠性检查纳入产品和工艺设计的各个范围以及制造过程来实现这一目标。出货产品的“零缺陷”始终是我们的目标。查看我们的 质量和可靠性计划和认证 以了解更多信息。
| 产品型号 | 引脚/封装图-中文版 | 文档 | CAD 符号，脚注和 3D模型 |
|---|---|---|---|
| ADRF5141BCCZN |
20-lead LGA (3mm × 3mm)
|
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|
| ADRF5141BCCZN-R7 |
20-lead LGA (3mm × 3mm)
|
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评估套件 1
EVAL-ADRF5141
利用限制器评估 ADRF5141 硅发射和接收开关，6 GHz 至 12 GHz
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工具及仿真模型 1
S-参数
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