资讯
基础知识之二极管(2024-03-20)
由静电和电源波动引起的意外过电压和浪涌的影响。 整流二极管和肖特基势垒二极管利用的是二极管的正向特性，而TVS二极管与齐纳二极管（ZD）一样，利用的是二极管的反向特性。 如下图所示将TVS二极管与IC并联，当电路正常工作时，TVS二极管......
Bourns 推出首款650 V – 1200 V碳化硅肖特基势垒二极管(2023-07-08)
Bourns 推出首款650 V – 1200 V碳化硅肖特基势垒二极管;
【导读】美国柏恩 Bourns 全球知名电源、保护和传感解决方案电子组件领导制造供货商，隆重宣布首款 650 V......
简述碳化硅SIC器件在工业应用中的重要作用(2022-12-21)
代半导体材料氮化镓（GaN）和SiC功率器件表现出越来越优越的特性。从理论上讲，SiC器件的WBG是硅的三倍，因此可以实现约600°C的结温。
以下是对有前途的碳化硅功率器件的简要介绍。
二极管
碳化硅肖特基势垒二极管......
基础知识之SiC功率器件(2024-03-21)
却存在开关损耗大 的问题，其结果是由此产生的发热会限制IGBT的高频驱动。 SiC材料却能够以高频器件结构的多数载流子器件（肖特基势垒二极管和MOSFET）去实现高耐压，从而同时实现 “高耐压”、“低导通电阻”、“高频......
又一起收购，涉及MOSFET(2024-01-05)
。
X-FAB可生产多种SiC产品，其中包括SiC SBD（肖特基势垒二极管）、合并PiN肖特基 (MPS) 二极管、JBS（结势垒肖特基）二极管、MOSFET和JFET。而公司生产的8英寸GaN......
宁夏一半导体晶圆芯片项目动工建设(2024-05-13)
值达到30亿元以上，新增设备152余台（套），年设计生产沟道金属氧化物半导体势垒肖特基二极管晶圆60万片，规划总占地面积约296.27亩，建构筑物占地面积81851.49平方米，总建......
Diodes 公司发表首款碳化硅萧特基势垒二极管 (SBD)(2023-02-08)
Diodes 公司发表首款碳化硅萧特基势垒二极管 (SBD);Diodes 公司发表首款碳化硅萧特基势垒二极管 (SBD)
【2023 年 02 月 08 日美国德州普拉诺讯】Diodes......
SiC 半导体功率器件对能源效率的重要性(2023-02-16)
体 (ms)
结或肖特基势垒。这提供了低传导压降、高开关速度和低噪声。肖特基二极管用于控制电路内电流的方向，使其仅从阳极流向阴极。当肖特基二极管处于无偏置状态时，自由电子将从
n 型半导体移动到形成势垒......
氧化镓：10年后将直接与碳化硅竞争(2023-01-09)
率器件里，目前主要是肖特基二极管和场效应晶体管，其它器件结构还未开展。
（1）氧化镓基肖特基二极管
对于肖特基二极管，其精准的势垒高度调控仍然是个难题，同时其体电场仍有较大的优化空间，另外......
东芝第3代SiC肖特基势垒二极管产品线增添1200 V新成员，其将助力工业电源设备实现高效率(2024-09-25)
东芝第3代SiC肖特基势垒二极管产品线增添1200 V新成员，其将助力工业电源设备实现高效率;中国上海，2024年9月25日——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，最新推出第3代碳......
SiC功率半导体技术如何助力节碳减排？(2023-03-29)
称之为SiC体二极管双极退化，它带来的是功耗的进一步放大；第二个痛点是负温度系数，并联存在均流问题；第三个痛点是它的双极特性，反向恢复损耗不为零，这导致SiC体二极管在某些应用场景中的功耗大；第四......
Bourns推出10款新型号碳化硅肖特基势垒二极管产品(2023-10-06)
Bourns推出10款新型号碳化硅肖特基势垒二极管产品;
【导读】2023年9月26日 - 美国柏恩 Bourns 全球知名电源、保护和传感解决方案电子组件领导制造供货商，今日推出 10......
东芝推出第3代SiC肖特基势垒二极管产品线增添1200 V新成员(2024-09-27)
东芝推出第3代SiC肖特基势垒二极管产品线增添1200 V新成员;
【导读】东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，最新推出第3代碳化硅（SiC）肖特基势垒二极管（SBD）产品......
特瑞仕开始提供使用了SiC的850V/10A肖特基势垒二极管的样品(2023-05-13)
特瑞仕开始提供使用了SiC的850V/10A肖特基势垒二极管的样品;
【导读】特瑞仕半导体株式会社（日本东京都中央区 董事总经理：芝宫 孝司 以下简称“特瑞仕”） 已经开始提供使用了SiC......
基于Labview的锁相放大器的应用(2023-02-06)
电容CT。PN结的电容是随外加电压的变化而变化的，利用这一特性可制作一只变容二极管，在二极管上面加大小可调的反向直流偏压V0，同时加正弦震荡的交流电压，并使其与一个大电容共同分担这个交流电压。将分压V......
东芝开发带嵌入式肖特基势垒二极管的低导通电阻高可靠性SiC MOSFET(2022-12-13)
东芝开发带嵌入式肖特基势垒二极管的低导通电阻高可靠性SiC MOSFET;
【导读】东芝电子元件及存储装置株式会社(Toshiba Electronic Devices &......
ASML确认！荷兰管制新规将影响这几种型号光刻机出口(2023-07-02)
）；
• 可以使晶体管势垒高于4.0ev的金属材料。
3B001.a.4：用于硅（Si）、碳掺杂硅、硅锗（SiGe）或碳掺杂硅锗（SiGe）这几种材料外延生长的设备，具有......
东芝第3代SiC肖特基势垒二极管产品线增添1200 V新成员，其将助力工业电源设备实现高效率(2024-09-25 11:18)
东芝第3代SiC肖特基势垒二极管产品线增添1200 V新成员，其将助力工业电源设备实现高效率;
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，最新推出第3代碳化硅（SiC）肖特基势垒二极管......
具有金属源极和漏极触点的肖特基势垒 (SB) MOSFET 的介绍(2022-12-09)
电极的边缘场调制两个电极之间未覆盖的硅沟道(p 型，10 15 cm
-3)的电荷载流子浓度栅电极，因此允许设备的正常运行。单击此处访问原始文章。
模拟分析肖特基势垒二极管的次线性行为
为研究 SB FET 的次......
）和SBD（肖特基势垒二极管）等，本文提到的基本半导体碳化硅肖特基二极管B1D30120HC基本没有开关损耗，而且VF具有正向温度系数，有利于提高车载充电机实际的效率。
......
2月新品推荐：电源模块、IGBT单管、加速平台、热敏电阻、光电二极管(2021-02-26)
电压的CoolSiC™ Hybrid IGBT单管。新款器件结合了650V TRENCHSTOP™ 5 IGBT及CoolSiC™肖特基势垒二极管的主要优点，具有出色的开关频率和更低的开关损耗，特别适用于DC-DC......
自制简易断点检测电路(2024-10-08 12:33:56)
自制简易断点检测电路;
要想电线中是哪里断开了，其实自制一个检测器也不难，而且只需要几个元器件。
检测器的基本原理就是，检测哪里......
CoolSi 肖特基二极管—IDH08G65C6(2023-10-12 15:12)
CoolSi 肖特基二极管—IDH08G65C6;
极高的效率和性价比
CoolSiC™ 肖特基二极管 650V G6是英飞凌先进的 SiC 肖特基势垒二极管技术，充分......
彻底弄清MOS管 （NMOS为例(2024-01-30)
电流是空穴移动产生的也行，是电子移动产生的也行。
6. 二极管正向（从P到N接正电压）导通，反向（从N到P接正电压）不导通。
好，可以开始了。
拿到这副mos管的结构图，首先看到s极和d极连着的是N参杂......
东芝开发带嵌入式肖特基势垒二极管的低导通电阻高可靠性SiC MOSFET(2022-12-13 11:33)
东芝开发带嵌入式肖特基势垒二极管的低导通电阻高可靠性SiC MOSFET;
东芝电子元件及存储装置株式会社(Toshiba Electronic Devices & Storage......
东芝推出具有低导通电阻和高可靠性的适用于车载牵引逆变器的最新款1200 V SiC MOSFET(2024-11-13 10:40)
MOSFET的体二极管在反向传导操作[3]期间双极通电时，其可靠性会因导通电阻增加而降低。东芝SiC MOSFET通过在MOSFET中嵌入SBD（肖特基势垒二极管）以弱化体二极管......
东芝推出适用于车载牵引逆变器的最新款1200 V SiC MOSFET(2024-11-12)
在反向传导操作[3]期间双极通电时，其可靠性会因导通电阻增加而降低。东芝SiC MOSFET通过在MOSFET中嵌入SBD（肖特基势垒二极管）以弱化体二极管工作的器件结构来缓解上述问题，但如若将SBD布置......
Diodes推出首款碳化硅萧特基势垒二极管(2023-02-08)
Diodes推出首款碳化硅萧特基势垒二极管;
【导读】Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD) 今日宣布推出首款碳化硅 (SiC) 萧特基势垒二极管 (SBD......
使用绿光和双层电池，“哈利·波特”光传感器实现200%高效率(2023-02-20)
的效率时，指的是量子效率，简单理解，就是一个入射光子可以产生大约多少个电子。光电二极管是一种能将光转化为电流或者电压信号的探测器。此次，科研人员创造了一种串联二极管，用绿光照射它使电子积聚，并在......
英飞凌与威迈斯加强合作，为电动汽车提供节能经济的快速充电服务(2024-03-04)
高速 TRENCHSTOP 5 IGBT与碳化硅（SiC）肖特基势垒二极管相结合，在硬开关和软开关拓扑结构中具有完美的性价比。凭借卓越的性能、优化的功率密度和领先的质量，该功率半导体器件与的车载充电器实现了高度适配。本文......
揭秘十大常用电子元器件背后的那些门道！(2024-10-20 21:14:56)
种利用PN结电容(势垒电容)与其反向偏置电压Vr的依赖关系及原理制成的二极管。
管变容二极管是根据普通二极管内部“PN结”的结电容能随外加反向电压的变化而变化这一原理专门设计出来的一种特殊二极管......
ROHM开发出支持更高电压xEV系统的SiC肖特基势垒二极管(2024-11-15)
ROHM开发出支持更高电压xEV系统的SiC肖特基势垒二极管;
【导读】全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）开发出引脚间爬电距离*1更长、绝缘电阻更高的表面贴装型SiC肖特基势垒二极管......
e络盟开售Littelfuse完整解决方案(2023-10-17)
：DST系列超低VF值肖特基势垒整流器旨在提供高温、低泄漏和更低VF值的产品，从而满足商业和工业应用的基本要求。该系列产品适用于高频开关电源、续流二极管和极性保护二极管。
客户......
e络盟开售Littelfuse完整解决方案(2023-10-17)
各种项目需求。Littelfuse是一家多元化的工业技术制造公司，为可持续、互联和更安全的世界赋能。
e络盟供应的产品包括、、、瞬态抑制二极管、二极管、晶闸管、二极管、MOS晶体管（MOSFET......
e络盟开售Littelfuse完整解决方案(2023-10-17)
超低VF值肖特基势垒整流器旨在提供高温、低泄漏和更低VF值的产品，从而满足商业和工业应用的基本要求。该系列产品适用于高频开关电源、续流二极管和极性保护二极管。
客户现可通过 Farnell（欧洲、中东......
ROHM推出实现业界超快trr的100V耐压SBD“YQ系列”(2024-01-24)
trr*1超快的100V耐压肖特基势垒二极管（以下简称“SBD”）“YQ系列”。
●采用沟槽MOS结构，使存在权衡关系的VF和IR相比......
英飞凌与威迈斯加强合作，为电动汽车提供节能经济的快速充电服务(2024-03-04)
凌的元件采用 D²PAK 封装，将超高速 TRENCHSTOP 5 IGBT与碳化硅（SiC）肖特基势垒二极管相结合，在硬开关和软开关拓扑结构中具有完美的性价比。凭借卓越的性能、优化......
通俗易懂讲解三极管(2023-10-11)
流必须≥1mA可保证三极管处于饱和状态，此时Ic满足三极管最大的驱动能力。
另外，对于三极管的放大倍数β，指的是输出电流的驱动能力放大了β，比如100倍，并不是把输出电流真正的放大了100倍，切记。......
放下教科书，来看下三极管的应用电路(2024-10-16 16:16:17)
最大的驱动能力。
另外，对于三极管的放大倍数β，指的是输出电流的驱动能力放大了β，比如100倍，并不是把输出电流真正的放大了100倍。
......
90%的工程师会忽略的 40 个实用模拟电路小常识，你是其中之一吗？(2024-10-20 23:26:13)
因为带损耗的传输线反射同频率相关，这种情况下，尽量缩短PCB走线就显得异常重要。
2、稳压二极管就是一种稳定电路工作电压的二极管，由于特殊的内部结构特点，适用反向击穿的工作状态，只要限制电流的大小，这种......
科普丨十大最常用电子元器件介绍(2024-10-22 09:33:32)
变容二极管(VaractorDiodes)又称"可变电抗二极管"。是一种利用PN结电容(势垒电容)与其反向偏置电压Vr的依赖关系及原理制成的二极管，其结构如右图所示。
管变容二极管是根据普通二极管......
全面升级！安森美第二代1200V SiC MOSFET关键特性解析(2024-04-09)
，VGS=−3V/18V，RG=4.7Ω，25°C。续流二极管用作碳化硅SBD（肖特基势垒二极管），型号为FFSH30120A，对EON没有反向恢复电荷影响，只有电容损耗影响EON。产品封装为TO247......
什么是DC-DC转换器的热仿真(2022-12-02)
的电源电路进行电路工作仿真，还会介绍可以同时执行该IC和外置器件肖特基势垒二极管“RB088BM100TL”温度仿真的仿真环境及其使用方法。本文引用地址：
本文的关键要点
・ Solution Simulator的热......
万用表各种功能挡位的使用方法图解(2022-12-27)
结果如图4所示，请大家作一下判断，此二极管是否为良品。
图4 二极管在路测量
测量篇外话
一个元器件的好坏，可以在路测量，也可以脱开电路来测量，这里所指的一般是用电阻挡在路测量的。在路......
单片机 Mooc 课程讨论区问题集锦(2024-08-09)
，不同的型号对应的指令不一样，但基本原理类似。
寄存器间接寻址时片类数据存储器的低 128 单元只能采用 R0 和 R1，我一直不知道这两个寄存器是哪里的寄存器。工作寄存器区有 4组R0～R7，这两个寄存器是指的......
90%的人会忽略的40个实用模拟电路小常识(2024-11-30 17:23:02)
模型→二极管诞生了→再来一个PN结，三极管诞生了。
4、高频电路中，必须考虑PN结电容的影响（正向偏置为扩散电容，反相偏置为势垒......
电子工程师必备！40个模拟电路小常识！(2024-12-15 01:50:33)
稳压二极管就是一种稳定电路工作电压的二极管，由于特殊的内部结构特点，适用反向击穿的工作状态，只要限制电流的大小，这种......
超结MOS/低压MOS在微型逆变器上的应用(2023-10-23)
超结MOS/低压MOS在微型逆变器上的应用;，一般指的是光伏发电系统中的功率小于等于1000瓦、具组件级MPPT的逆变器，全称是微型光伏并网逆变器。“微型”是相对于传统的集中式逆变器而言的。传统......
英飞凌与威迈斯加强合作，为电动汽车提供节能经济的快速充电服务(2024-03-04)
充电器。英飞凌的元件采用 D²PAK 封装，将超高速 TRENCHSTOP 5 IGBT与碳化硅（SiC）肖特基势垒二极管相结合，在硬开关和软开关拓扑结构中具有完美的性价比。凭借卓越的性能、优化......
英飞凌与威迈斯加强合作，为电动汽车提供节能经济的快速充电服务(2024-03-04 10:27)
/DCDC车载充电器。英飞凌的元件采用 D²PAK 封装，将超高速 TRENCHSTOP 5 IGBT与碳化硅（SiC）肖特基势垒二极管相结合，在硬开关和软开关拓扑结构中具有完美的性价比。凭借卓越的性能、优化......
相关企业
体放电管／数字三极管／可编程过压保护器件／齐纳二极管／肖特基势垒二极管／场效应管／气体放电管/可控硅器件等。 涉及的经典应用如以太网口的保护，RS485／ RS232口的保护，USB2.0的端口保护，CCTV的音
、肖特基势垒二极管、双向触发二极管、稳压二极管、高压二极管、瞬态抑制二极管（TVS）以及1-50A的整流桥堆等，产品广泛应用于照明、电源、计算机、通讯、日用家电等行业。产品50％以上出口欧洲、美国
及整流桥堆的生产基地。 公司主要产品：普通整流二极管、快恢复整流二极管、超快恢复二极管、高效整流二极管、肖特基势垒二极管、双向触发二极管、高压二极管、瞬态抑制二极管以及1-50A的整
及整流桥堆的生产基地。公司主要产品：普通整流二极管、快恢复整流二极管、超快恢复二极管、高效整流二极管、肖特基势垒二极管、双向触发二极管、高压二极管、瞬态抑制二极管以及1-50A的整流桥堆等，产品
;丰泰电子（香港）公司;;ROHM大中华区专业经销商。分离式半导体如晶体管，场效应晶体管MOSFET、双极晶体管、数字晶体管、复合晶体管；二极管，肖特基势垒二极管、整流二极管、整流二极管、开关二极管
体系认证，ISO14000:2004环境管理体系认证。 公司生产的“MIC”二极管产品在国际国内市场上有较高的声誉。主要产品包括：1A-10A硅整流系列、快恢复系列、超快恢复系列、肖特基势垒系列、稳压系列、开关
便利的浙江金华市生态环境优良的婺城区琅琊镇。公司主要研制生产快恢复二极管模块、整流二极管模块、肖特基势垒二极管模块。快恢复二极管模块和普通的肖特基模块相比有价格优势，具有较高的性价比，产品质量好，性能优。产品主要用于电镀、电焊、变频
、快恢复整流二极管、超快恢复二极管、肖特基势垒二极管、双向触发二极管、高压二极管、瞬态抑制二极管以及1-50A的整流桥堆等，产品广泛应用于照明、电源、计算机、通讯、日用家电等行业。产品80％以上
、超快恢复二极管、肖特基势垒二极管、双向触发二极管、高压二极管、瞬态抑制二极管以及1-50A的整流桥堆等，产品广泛应用于照明、电源、计算机、通讯、日用家电等行业。产品80％以上
;济南昊普电子有限公司;;济南昊普电子有限公司是集科研，生产与销售于一体的专业半导体器件公司。 公司主要产品：普通整流二极管、快恢复整流二极管、超快恢复二极管、高效整流二极管、肖特基势垒二极管、双向触发二极管