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浪涌电流是什么意思？如何抑制浪涌电流？4种浪涌电流抑制电路(2024-06-24)
Vgs电压的升高而变小。
-Vgs>-Vgs(th) 和 -Vgd<-Vgs(th)MOS管 处于饱和模式。Id是固定值，不随Vds变化。而且MOSFET的导通电阻很低，适合......
彻底弄清MOS管 （NMOS为例(2024-01-30)
彻底弄清MOS管 （NMOS为例;来自专栏芯片基础课
说来惭愧，大二学了一遍模电数电，考研专业课又学了一遍模电数电，但拿到如下这张mos管结构图，让我立马说出：【这是什么型mos管，标准......
MOS管的导通条件和MOS驱动电流计算(2023-12-20)
N沟道增强型MOS，只要VGS>VGSth，mos管DS之间就会出现反型层（即mos管已经导通，并在DS间形成了一条通道，该通道形成是因为栅极电压VGS的增大，将电子吸引至耗尽层形成），然后......
带不带软启动有什么区别？来看这个MOS管电源开关电路(2024-12-31 09:43:27)
带不带软启动有什么区别？来看这个MOS管电源开关电路;
引言：加入软启动可平缓电源电压上升沿，限制启动时的浪涌电流。通过电容充电时间实现MOS管导通，实现软开启功能。大电......
MOS管基础及选型指南(2024-03-20)
压控型，导通由G和S极之间压差决定。
对NMOS来说，Vg-Vs>Vgs(th)，即G极和S极的压差大于一定值，MOS管会导通，但是也不能大太多，否则烧坏MOS管，开启电压......
MOS管开通过程的米勒效应及应对措施(2023-02-14)
=Vgs*Gm。其中Gm是跨导。那么可以看出，只要Id不变Vgs就不变。Id在上升到最大值以后，也就是MOS和二极管换流结束后，Id就等于电感电流了，而此时又处于饱和区，所以Vgs就会维持不变，也就是维持米勒平台的电压......
MOS管驱动电流估算(2024-04-02)
要注意的是要用Qg来计算开启关断速度，而不是用栅极电容来计算。
下面讲讲MOS管开通过程
开始给MOS管Cgs充电，当电压升到5V时，Id流过一定的电流。继续充电，Id越来越大，但还没完全导通。当Id......
解析开关电源的冲击电流的几种控制方法(2024-06-10)
冲击电流限制法电路
D1用来限制MOS管 Q1的栅源电压。元器件R1，C1和D2用来保证MOS管Q1在刚上电时保持关断状态。
上电后，MOS管的栅极电压要慢慢上升，当栅源电压Vgs高到一定程度后，二极......
常用电平转换电路汇总！~(2024-11-24 22:52:40)
Vgs = 3.3V，大于导通电压，MOS 管导通，SDA2 通过 MOS 管被拉到低电平。
当 SDA2 输出高电平时：MOS 管 Q1 的 Vgs 不变，MOS 维持......
为什么使用mos管作为电池反向保护?(2024-10-08 16:32:14)
为什么使用mos管作为电池反向保护?;
今天给大家分享的是：使用 MOS管作为电池反向保护。
会分别针对 P 沟道 MOS 管作为电池反向保护和 N 沟道 MOS 管作......
60v mos管万代ao4264E/威兆VS6410AS替代料SVGP069R5NSA(2023-09-12)
、60V的电流、电压， RDS(on) = 8.0mΩ(typ) ，最高栅源电压@VGS =±20 V，和ao mos管 60v AO4264E/威兆VS6410AS封装、电压、导通......
防反接电路、防倒灌电路、过流保护电路(2024-09-14 14:51:48)
VCC为系统电压
当只用电池电压供电时：MOS管Q9 栅极g为0V 源极S Vs=V电池 Vgs=-V电池 PMOS导通 Q9导通了 Q10也导通了 ，然后给到 单片......
NMOS和PMOS详解(2023-12-19)
较麻烦，需采用隔离电压设计。
NMOS PMOS CMOS
CMOS门电路由PMOS场效应管和NMOS场效应管以对称互补的形式组成，先介绍MOS管，然后再介绍由CMOS组成的门电路。
MOS......
摊牌了，MOS管的真面目！(2025-01-01 18:07:51)
马达驱动器都集成了电荷泵，要注意的是应该选择合适的外接电容，以得到足够的短路电流去驱动MOS管。
MOS管是电压驱动，按理说只要栅极电压到到开启电压就能导通DS，栅极......
从内部结构到电路应用，这篇文章把MOS管讲透了。(2024-04-29)
意这种保护状态的后果。
但愿上述描述能通俗的理解mos管，下面说说几个约定俗成电路：
1：pmos应用
一般用于管理电源的通断，属于无触点开关，栅极低电平就完全导通，高电平就完全截止。
而且，栅极可以加高过电源的电压，意味......
1分钟搞懂三极管和MOS管(2024-10-16 11:40:39)
1分钟搞懂三极管和MOS管;
基极电流是指穿过基极进入集电极的，还是指少量电子与基极空穴复合形成的电流？为什么电流放大里说集电极电流是发射极电流的B倍（电流增益），放大区里又说集电极电流与基极电流成比例？
......
H桥电机驱动解析(2024-03-04)
于高端和低端的位置不同，而MOS的开启条件为Vgs>Vth，这便会导致想要高端MOS导通，则其栅极对地所需的电压较大。
补充说明：因为低端MOS源极接地，想要导通只需要令其栅极电压大于开启电压......
必看！IGBT基础知识汇总！(2024-01-03)
必看！IGBT基础知识汇总！;
01 是什么？本文引用地址：
，绝缘栅双极型，是由（BJT）双极型三极管和绝缘栅型场效应管（MOS）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有（MOSFET......
在ROS学习平台中常常使用到的直流电机控制原理与驱动电路(2023-09-18)
上（24V），所以MOS管G极电压应该比源极高12V时才能够导通（Vgs=36V）,这里利用电容两端电压不能突变的特性，半桥驱动芯片内部电路将MOS管栅极抬升至36V，此时MOS栅源电压......
大牛多年研发电源问题汇总（受益匪浅）！(2024-11-14 22:46:54)
我们的电源开关频率提高了，直接带来的影响是什么?当然是MOS开关损耗增大，因为单位时间开关次数增多了。
如果频率减小了会带来什么？
开关损耗是减小了，但是......
直流电动机的工作原理简述 直流电机工作原理图 直流电机有几种类型(2024-07-12)
个同侧的MOS管不会同时导通非常重要，如果MOS管Q1和Q2同时导通，那么电流就会从电源正极穿过两个MOS管直接回到负极，此时电路中除了MOS管外没有其它任何负载，因此电路上的电流就达到最大值，烧坏......
功率MOS管总烧毁，看看是不是这些原因？(2024-09-27 19:49:51)
而另一个器件打开时，这会导致电流“续流”通过 mos 管的内部体二极管。
这个原本不是什么问题，但当对面的 mos 管 试图开启时，内部体二极管的缓慢关断（或反向恢复）就会......
锂电池充电及保护电路(2024-05-06)
~ 4.2V之间变化，也就是锂电池的最大电压为4.2V，最小电压为3.0V。最大电压与最小电压，对于锂电池而言，隐藏着什么电路含义呢？
单节锂电池
最大电压是4.2V，也就是锂电池两端能承受的极限电压......
【干货】抛开教材，从实用的角度聊聊MOS管(2022-11-29)
【干货】抛开教材，从实用的角度聊聊MOS管;我们把单片机的一个IO口接到这个的gate端口，就可以控制这个灯泡的亮灭了。当然别忘了供电。当这个单片机的IO口输出为高的时候，NMOS就等......
MOS管的三个极怎么判定？(2024-03-08)
MOS管的三个极怎么判定？;相信很多工程师在使用电子测量仪器的时候大家都了解，下面一起看看究竟是什么。本文引用地址：
1. MOS的三个极怎么判定？
符号上的三个脚，辨认......
一文解析MOS管/三极管/IGBT之间的关系(2024-11-09 00:48:11)
的控制。我们从图上观察，发现N-MOSFET管的源极S和漏极D之间存在两个背靠背的pn结，当栅极-源极电压VGS不加电压时，不论漏极-源极电压VDS之间加多大或什么极性的电压，总有一个pn结处于反偏状态，漏......
NMOS 、 PMOS管 原理、选型、应用（非常实用值得参考）(2024-11-04 21:17:04)
NMOS 、 PMOS管 原理、选型、应用（非常实用值得参考）;
一、原理介绍
如上图MOS管符号，要注......
电源防反接电路笔记(2024-11-11 14:18:47)
简化等效电路
如下图所示为等效的N-MOS管内部构造。
当Vgs大于阈值电压时MOS管打开，此时DS之间等效的电阻为R1（图中为10毫欧）。但是注意GS之间的电压也有范围，一般是正负20伏，超过......
分享一个PMOS的电路设计，详细解析电路中各个元器件的作用(2024-09-20 13:53:37)
管，Q2为PMOS管，MCU通过高低电平控制三极管Q1的导通和关断。
当Q1关断时，由于电阻R没有电流流过，A点的电压等于Vin，也就是说Q2的栅极电压VG等于Vin，此时Q2的源极电压VS也等......
过流保护的电路方案——限制的电流1A是怎么来的？(2024-02-26)
有一个P沟道的MOS管，它是作为一种功率开关，控制输出的电压VOUT。也就是说，NCP380芯片，本质上可以把它看成一个MOS管。当MOS管导通，5V电压就可以输出；当MOS管关闭，5V电压......
IGBT在新能源汽车上的应用(2024-10-22 08:01:16)
源。
在一些高电压驱动场景中，需要高耐压的MOS，这样就要从构造上做调整，内部结构就要做的很厚，同时带来的新的问题就是导致导通电阻增大。不同耐压的MOS管，其导......
无刷直流电机的电流换向电路 无刷直流电机的三相全桥驱动电路(2023-03-20)
/R2/R3为Q1/Q2/Q3的上拉电阻，连接到二极管和电容组成的倍压整流电路(原理请自行分析)，为上臂驱动管提供两倍于电源电压(2×11V)的上拉电平，使上臂MOSFET在工作时有足够高的VGS压差......
基于比较器的过压保护电路设计方案（完整版）(2024-06-17)
压差避开比较器线性区），比较器输出高电平（轨对轨满幅电压），P沟道MOS管Q1截止，断开电源Us对负载Load的供电。相反的，当同相端电压小反相端电压时，Q1导通，电源向负载正常供电。
图5.电阻分压检测电源电压
5......
电机控制器中的MOS驱动(2024-10-18 15:10:10)
寄生电容充电，栅源电压（VGS）达到一定阈值后，MOS才能完全开通。在MOS开通后，还需要维持合适的栅源电压（VGS），才可以保持开通状态。相关
文章：
MOS......
升降压原理浅析(2023-03-20)
管架构LDO的工作原理进行简单介绍。
LDO主要由功率MOS管、运放、基准电压和反馈电阻组成。
主要工作流程是Vout电压通过分压电阻分压，分得的电压和基准电压Vref进行比较，通过运放比较后，输出的电压......
PMOS做信号开关NMOS做电平转换(2024-12-02 10:02:21)
是仿真电路，D2相当于寄生二极管。
仿真结果如此，但为什么是这个结果？
二极管有反向截止特性，为什么没有阻隔电压？
有没有办法使VB=0V？
这要......
常用的锂电池充电IC芯片(2023-02-24)
值8.4V 充电电流600毫安 单灯指示 线性SOP8
FS4059A 5V输入充8.4V芯片 充电1A 单灯指示 双节内置MOS管 SOP8
FS4062A 5V输入充8.4V芯片 充电4A 单灯......
电源防反接和防倒灌 - 使用MOS 管和运放实现理想二极管(2024-10-21 20:54:06)
对小信号的检测。
为了消除偏置电路引入的噪声和漂移，同时还能提供足够的电流用来驱动MOS 管，比较器的公共端（接地端）悬空连接到电源电压（
V B A T T V_{BATT......
初学者，这样认识电阻，电容，二极管，三极管？(2024-12-05 18:40:15)
锻炼焊接能力。
实际电子元件就那几类，电阻，电容，二极管，三极管，MOS管，IGBT,可控硅（也叫晶闸管）电感，变压器（实际变压器就是电感），芯片(芯片的种类很多，只要知道它是芯片就可以，具体......
不同的电平信号的MCU串口通信(2024-10-24 15:47:14)
控制电流器件，由VGS控制ID，普通的晶体三极管是电流控制电流器件，由IB控制IC。MOS管道放大系数是（跨导gm）当栅极电压改变一伏时能引起漏极电流变化多少安培。晶体......
不同的电平信号的MCU怎么通信？(2024-10-22 16:01:50)
沟道MOS管和NPN型晶体三极管引脚，图二所示是P沟道MOS管和PNP型晶体三极管引脚对应图。
2、场效应管是电压控制电流器件，由VGS控制ID......
不同的电平信号的MCU怎么通信(2023-01-09)
比起三极管，MOS管有挺多优势，后面将会详细讲起。下图是MOS管实物3D图和电路图。简单的讲，要让他当做开关，只要让Vgs（导通电压）达到一定值，引脚D、S就会导通，Vgs没有达到这个值就截止。
那么......
【干货】4种升压转换短路保护总结，图文结合，一文帮你快速搞定(2024-11-11 23:11:45)
沟道 MOS 管
MOS管可能需要额外的电路来偏置栅极。
N 沟道MOS管
要求其栅极电压高于其源极端子。这可能需要栅极驱动器IC或者......
STM32的GPIO介绍(2024-02-03)
尽管如此，还是不能直接外接大功率器件，须加大功率及隔离电路驱动，防止烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。P-MOS管和N-MOS管：由P-MOS管和N-MOS管组成的单元电路使得GPIO具有“推挽......
STM32中GPIO工作原理详解(2024-10-26 11:28:55)
烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。
P-MOS管和N-MOS管：由P-MOS管和N-MOS管组成的单元电路使得GPIO具有“推挽输出”和“开漏输出”的模式。这里......
STM32的GPIO电路原理详解(2023-06-15)
的二极管导通;当引脚电压低于VSS时，下方的二极管导通，防止不正常电压引入芯片导致芯片烧毁。但是尽管如此，还是不能直接外接大功率器件，须加大功率及隔离电路驱动，防止烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。
P-MOS......
STM32的GPIO电路原理(2023-01-09)
低于VSS时，下方的二极管导通，防止不正常电压引入芯片导致芯片烧毁。但是尽管如此，还是不能直接外接大功率器件，须加大功率及隔离电路驱动，防止烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。
P-MOS管和N......
详解STM32单片机GPIO的工作原理(2024-04-15)
端口的模拟信号（电压信号，而非电平信号）直接模拟输入到片上外设模块，比如ADC模块等等。
开漏输出模式
开漏输出模式下，通过设置位设置/清除寄存器或者输出数据寄存器的值，途经N-MOS管，最终......
MOS管防护电路解析实测(2023-12-20)
荷，会导致mos管误触发，可靠的放电电路还是需要依赖mos管g极->D507->驱动芯片地回路来进行可靠的放电。
3）防护漏源极之间过电压 :
虽然漏源击穿电压VDS一般都很大，但如......
STM32单片机的八种GPIO口模式(2024-08-22)
-MOS管和N-MOS管：
由P-MOS管和N-MOS管组成的单元电路使得GPIO具有“推挽输出”和“开漏输出”的模式。
TTL肖特基触发器：
信号经过触发器后，模拟信号转化为0和1的数字信号。但是......
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;台湾联益电子有限公司;;台湾联益深圳分公司 - IC生产厂家:升压IC. 稳压IC. 锂电池充电IC. 恒流IC.LED驱动IC. 电压检测IC. MOS管 15012776766
、INTERSIL、BROADCOM、TOSHIBA、AD、MURATA等。 我们承诺：所售出的货物确定是什么货就是什么货,是原装的就是原装，实话实说，绝不作虚假，请各位新老客户放心购买！ 价格方面：我们
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;北京展创世纪科技有限公司;;经销商一个，现货不多，承诺什么货就是什么货，不卖假货，不坑人。保证原装就是已知可靠来源。绝不做缺德事。可供一些冷偏门及部分军工，主营自己的终端客户，少有贸易。感谢