资讯
格芯获3500万美元资金补贴，加速制造下一代氮化镓芯片(2023-10-20)
Thomas Caulfield表示：“硅基氮化镓是新兴市场高性能射频、高压功率开关和控制应用的理想技术，对于6G无线通信、工业物联网和电动汽车非常重要。”
格芯......
15亿！台湾8英寸氮化镓功率厂商投资案通过(2024-10-10)
，台亚半导体举行股东会，会议通过了将8英寸GaN（氮化镓）事业群分割的计划。分割后，6英寸氮化镓产线继续保留在台亚，产线同时生产感测组件，且生产6英寸氮化镓是为子公司冠亚或其他厂商代工；8英寸氮化镓......
3500万美元补贴，又一大厂发力氮化镓芯片(2023-10-20)
。
格芯佛蒙特州半导体制造工厂表示，继续朝着大规模生产用于航空航天和国防、蜂窝通信、工业物联网和汽车的下一代氮化镓芯片迈进。
格芯总裁兼CEO Thomas Caulfield表示：“硅基氮化镓是......
英飞凌对英诺赛科提出专利侵权诉讼(2024-03-14)
度增长，达到约 20 亿美元（资料来源：Yole，Power SiC and GaN Compound Semiconductor Market Monitor Q4 2023）。氮化镓是一种宽禁带半导体，具有......
IQE 宣布与 SK siltron 达成战略合作协议(2022-10-13)
全球先进材料领域的领先企业能够联合起来，为氮化镓材料相关的增长市场共同开发产品，这一点可喜可贺。我期待着与 IQE 共同走向成功，并将这种关系发展到涵盖广泛的半导体材料领域。”关于氮化镓氮化镓是......
2026年全球GaN射频器件市场预计超过24亿美元(2021-06-08)
2026年全球GaN射频器件市场预计超过24亿美元;氮化镓是一种无机物，化学式GaN，是氮和镓的化合物，是一种直接能隙（direct bandgap）的半导体，可以用在高功率、高速的光电元件中。
在......
自力更生！韩国研发出替代氮化镓的新材料(2020-03-09)
产品和高频设备的核心设备。
公开资料显示，氮化镓是第三代半导体材料的代表之一，具备易散热，体积小，损耗小，功率大等诸多优点，被业内寄予厚望。可被应用于光电、功率和射频等多个领域，同时能满足高功率密度、低能耗、高频......
纳微半导体发布全新GaNSense Control合封氮化镓芯片(2023-05-22)
前所未有的高集成度和性能表现。
氮化镓是相比传统高压 (HV) 硅 (Si) 功率半导体有着重大升级的下一代半导体技术，同时还减少了提供相同性能所需的能源和物理空间。采用了氮化镓的充电器，能在......
辉煌。”
氮化镓是一种宽禁带材料，功率密度更大、效率更高而尺寸更小，尤其是在高频开关应用中能够发挥重要作用。凭借低能耗和小型化的优势，氮化镓器件的适用范围极广。据市场分析机构预测，氮化镓......
英飞凌将收购氮化镓系统公司（GaN Systems）(2023-03-03)
凌是一家技术实力非常深厚的集成器件制造商，能够帮助我们充分发挥自身潜力，再创辉煌。”
氮化镓是一种宽禁带材料，功率密度更大、效率更高而尺寸更小，尤其是在高频开关应用中能够发挥重要作用。凭借低能耗和小型化的优势，氮化镓......
英飞凌将收购氮化镓系统公司，进一步巩固自身在全球功率系统领域的领导地位(2023-03-03)
辉煌。”
氮化镓是一种宽禁带材料，功率密度更大、效率更高而尺寸更小，尤其是在高频开关应用中能够发挥重要作用。凭借低能耗和小型化的优势，氮化镓器件的适用范围极广。据市场分析机构预测，氮化镓......
三菱电机入局最强半导体，氧化镓将在10年后打败第三代半导体(2023-08-07)
。
氧化镓的禁带宽公开报道是4.9eV，砷化镓的禁带宽为1.6eV，氮化镓是3.36eV。另据报道，硅的禁带宽为1.1eV，如果干瘪的数字不好比较，那我们就打一个比方：假如4.9eV与3.36eV......
英飞凌成功收购GaN Systems，氮化镓市场向巨头“靠拢”？(2023-10-29)
宣布已获得美国提供的3500万美元联邦资金，以加速其位于佛蒙特州Essex Junction的工厂在硅半导体上制造差异化氮化镓（GaN）芯片。格芯总裁兼CEO Thomas Caulfield表示：“硅基氮化镓是......
碳化硅风头正劲，小心！氧化镓蓄势待发(2023-04-14)
和销售的科技型企业。
为满足日益增长的多元需求，半导体从以硅、锗为代表的第一代材料，以砷化镓、磷化铟为代表的第二代材料，以碳化硅、氮化镓为代表的第三代材料，发展至以氧化镓为代表的第四代半导体材料。氧化镓是什么？为何......
碳化硅风头正劲，小心！氧化镓蓄势待发(2023-04-17)
等超宽禁带半导体单晶衬底及外延材料研发、生产和销售的科技型企业。
为满足日益增长的多元需求，半导体从以硅、锗为代表的第一代材料，以砷化镓、磷化铟为代表的第二代材料，以碳化硅、氮化镓......
宜普电源转换公司起诉竞争对手英诺赛科，要求保护新兴氮化镓（GaN）技术专利(2023-05-25)
硅： 氮化镓与电力转换的未来
氮化镓（GaN）是下一代电源转换技术，有望在未来十年内取代硅基功率半导体。与硅基半导体相比，氮化镓是更小、更高效、更可靠，并能以更低的成本表现出更良好的性能。其应......
英飞凌将收购氮化镓系统公司（GaN Systems），在扩充氮化镓产品线的同时(2023-03-03 17:28)
非常期待与英飞凌携手开始书写新的篇章。英飞凌是一家技术实力非常深厚的集成器件制造商，能够帮助我们充分发挥自身潜力，再创辉煌。”氮化镓是一种宽禁带材料，功率密度更大、效率更高而尺寸更小，尤其是在高频开关应用中能够发挥重要作用。凭借......
非常期待与英飞凌携手开始书写新的篇章。英飞凌是一家技术实力非常深厚的集成器件制造商，能够帮助我们充分发挥自身潜力，再创辉煌。”
氮化镓是一种宽禁带材料，功率密度更大、效率更高而尺寸更小，尤其......
重点研发“卡脖子”项目，同济大学氧化镓材料项目签约江苏无锡(2023-06-21)
共服务平台，建立院士工作站，挂牌“同济大学人工晶体研究院”等项目内容。
氧化镓是提升集成电路产业市场竞争力、实现产业跨越式技术进步的重要材料，正在逐渐成为半导体材料界一颗冉冉升起的新星，市场......
氧化镓：10年后将直接与碳化硅竞争(2023-01-09)
性质各有千秋。目前研究比较多的是β相（热稳定性最佳，禁带宽度~4.8eV），而α相（高禁带宽度~5.3eV）和ε相（极化率十倍于氮化镓，适合于高电子迁移率晶体管）方面的研究也逐渐增加。所以从材料属性来说，氧化镓是......
损害赔偿，并希望能够禁止英诺赛科公司将其构成侵权的氮化镓产品套件进口至美国。
取代硅： 氮化镓与电力转换的未来
氮化镓（GaN）是下一代电源转换技术，有望在未来十年内取代硅基功率半导体。与硅基半导体相比，氮化镓是......
宜普电源转换公司（EPC）在美国国际贸易委员会起诉竞争对手英诺赛科，要求保护新兴氮化镓（GaN）技术专利(2023-05-25 14:28)
产品套件进口至美国。取代硅： 氮化镓与电力转换的未来氮化镓（GaN）是下一代电源转换技术，有望在未来十年内取代硅基功率半导体。与硅基半导体相比，氮化镓是更小、更高......
氮化镓芯片制造商纳微半导体最快将于今年Q3上市(2021-05-08)
任何适用的监管批准。预计该笔交易最终将于2021年第三季度完成。
氮化镓是下一代半导体技术，其运行速度比传统硅快20倍，且尺寸和重量仅为传统硅器件的二分之一，可实现高达三倍的功耗或三倍的充电速度。Navitas......
从手机充电器到汽车充电器，氮化镓开启逆袭之路(2023-10-08)
大幅提高终端产品的功率密度。目前主流的氮化镓是硅基氮化镓，整体相对碳化硅来讲，成本的优势比较大，所以在650V这个等级来看氮化镓相对于碳化硅在性能和成本都具备比较大的优势。
安世......
氮化镓争夺战火热进行中，规模超60亿元的收购案尘埃落定(2023-10-26)
Junction的工厂在硅半导体上制造差异化氮化镓（GaN）芯片。格芯总裁兼CEO Thomas Caulfield表示：“硅基氮化镓是新兴市场高性能射频、高压功率开关和控制应用的理想技术，对于6G无线......
从手机快充到电动汽车，氮化镓功率半导体潜力无限(2022-03-21)
亿美元
氮化镓是第三代半导体核心材料之一，具备开关频率高、禁带宽度大、更低的导通电阻等优势，这种材料通常应用于LED（照明、显示）、射频通讯与高频功率器件领域，手机快充是氮化镓......
氮化镓争夺战火热进行中，规模超60亿元的收购案尘埃落定(2023-10-26)
宣布已获得美国提供的3500万美元联邦资金，以加速其位于佛蒙特州Essex
Junction的工厂在硅半导体上制造差异化氮化镓（GaN）芯片。格芯总裁兼CEO Thomas
Caulfield表示：“硅基氮化镓是......
中国宣布出口限制之后，美国如何采购镓？(2023-08-17)
这项工作的是纳维半导体公司，该公司正在开发氮化镓充电系统，该系统可以将电动汽车的家庭充电时间减少三分之一。这可能会对消费者对电动汽车的接受程度产生巨大影响。
由于大多数镓是作为铝土矿的「伴金属」开采的，因此......
8月1日起！中国正式限制镓、锗等芯片关键材料出口(2023-08-01)
中指出，镓相关物项包含氮化镓、砷化镓、铟镓砷等;锗相关物项包含磷锗锌、锗外延生长衬底、二氧化锗等。
此举也引发了海外厂商囤货，因为没有这些是生产的关键材料，没有将没办法生产。
与铜......
氮化镓激光芯片终于实现国产，氮化镓正在向快充以外的市场进军(2023-08-29)
三代半导体，除了碳化硅，就是近几年声名鹊起，后来者居上的“氮化镓”了。
氮化镓作为第三代半导体材料的前沿代表，与前代半导体材料相比，多项指标有显著提升。氮化镓是......
“半导体口粮”出口管制影响多大？上市公司回应来了(2023-07-05)
大概率会引起下游产品价格变动。
以金属镓为例，目前我国金属镓的消费领域包括半导体和光电材料、太阳能电池、合金、医疗器械、磁性材料等。在半导体材料领域，金属镓是砷化镓、氮化镓的重要原料之一。
国金......
氮化镓取代碳化硅？PI颠覆式1700V InnoMux2先来打个样(2024-11-12 09:47)
的耐压记录，阎金光解释了PI拥有的专利技术。和硅MOSFET一样，氮化镓也分为耗尽型（D-MODE）和增强型（E-MODE）两种，天然情况下氮化镓是常通也就是耗尽型，主要原因是GaN晶体与AlGaN......
12英寸氮化镓，新辅助？(2024-09-10)
剂法和多点晶种法，兼具高质量及易扩径的优点。此外，以该技术为基础，他们将开发兼容8英寸或更大尺寸的晶体生长设备，用于未来进一步开发大尺寸衬底。
02氮化镓：第二次电力电子学革命催化剂
从原理上看，氮化镓是......
第四代半导体氧化镓，被忽略的商机(2023-07-31)
（极化率十倍于氮化镓，适合于高电子迁移率晶体管）方面的研究也逐渐增加。
所以从材料属性来说，氧化镓是一种很有希望的超宽禁带材料。氧化镓的优势不仅是材料性能高，更重要的是成本较低。2019年有......
涨知识！氮化镓（GaN）器件结构与制造工艺(2024-06-17)
为了让电场分布更加均匀，他们都使用了场板的设计。不同之处在于氮化镓是化合物半导体外延，通过异质结形成高电子迁移率的二维电子气沟道（2DEG）。而硅LDMOS是在硅外延层上进行掺杂形成P-N结。
2、氮化镓......
氮化镓 (GaN) 带来电源管理变革的 3 大原因(2023-04-18)
应用还包括 HVAC 系统、通信电源、光伏逆变器和笔记本电脑充电电源。
了解 GaN 如何突破功率密度和效率界限。
德州仪器 GaN 产品线负责人 David Snook 表示：“氮化镓是......
7天制造1颗芯片，誉鸿锦半导体如何做到？(2023-10-16)
锦不仅是简单做一个半导体材料和芯片制造的整合，而是想把我们核心的部件、设备、优秀的终端应用都整合到一起，并建成一个产业集群。氮化镓是一个非常巨大的市场，未来市场规模有可能达到2000亿到3000亿只左右，单打独斗是不可能覆盖整个市场的，所以......
GaN在射频功率领域会所向披靡吗？(2017-08-01)
个由基于MMIC的发射/接收模块伺服，相对于砷化镓MMIC来说，氮化镓MMIC的尺寸可以更小，再结合氮化镓的高功率输出和更高的工作频率，氮化镓q器件在相控阵雷达中取代砷化镓是理所当然的了。
2.工作......
纳斯达克上市之后，纳微半导体有哪些重点布局？(2021-11-02)
据中心、汽车方面拓展，这个过程中在芯片设计以及产品量产上也面临一些技术难点。查莹杰坦言，往服务器、汽车方向发展会面临一些挑战。氮化镓是平面型结构，很适合做集成，但容易存在散热问题，这些......
7亿美元，印度软件厂商计划进军芯片制造！(2024-05-20)
物半导体材料种类繁多，碳化硅与氮化镓是代表产品，目前二者在消费电子与电动汽车的应用备受关注。
近年印度积极推动芯片组装和本地化生产，旨在成为全球半导体市场的重要参与者。业界指出，印度......
氮化镓 (GaN) 带来电源管理变革的 3 大原因(2023-4-17)
逆变器和笔记本电脑充电电源。
德州仪器 GaN 产品线负责人 David Snook 表示：“氮化镓是提高功率密度和提高多种应用中电源系统和电源效率的关键一步。在设......
一只脚迈进交通领域，另一脚踩进数据中心，氮化镓比碳化硅更出彩(2023-10-10)
硅的大批量供货可能出现问题。
即使 Cree 等一些头部企业加大了投资来扩大碳化硅产能，但供应量仍然有限。相比之下，商用和车用氮化镓是在普通硅片上开发的，大多......
纳微GaNSense™技术性能升级，已获小米、联想商用！(2021-11-22)
的体积更小、质量更轻，把节省出来的空间让给锂电池，从而增加电动汽车的续航里程。
“纳微半导体的氮化镓是实现碳排放、碳中和目标的重要手段，每一颗氮化镓功率芯片一年可减少4公斤二氧化碳的排放。同时，氮化镓......
氧化镓商业化脚步临近，或将与碳化硅直接竞争(2023-09-22)
在实验室中取得越来越多研发进展，其量产、商业化脚步也在不断推进。日本分析机构矢野研究所发布宽禁带半导体全球市场研究结果，氧化镓比碳化硅器件具有更高的成本和性能潜力，参与者的数量正在增加。或许不久之后，氧化镓就会加入与碳化硅和氮化镓......
巨光东来第三代砷化镓太阳能电池项目签约天津(2024-10-31 14:17)
冀产业链供应链重点项目签约仪式上，咸水沽镇人民政府与巨光东来新能源有限公司就第三代（砷化镓）光伏发电系统及钠离子电池产业化项目进行签约。
砷化镓是光电及通信领域不可或缺的原材料，广泛应用于制造高频、高速、大功率、低噪......
GaN材料成本直降90%，“挤掉”SiC提上日程？(2023-09-19)
规格较高的高端电源而言，氮化镓是成本最低的方法，因为它可以节省散热片和高效硅基设计的复杂拓扑所需的额外开关。
意法半导体(ST)汽车和分立器件产品部(ADG)，功率晶体管事业部市场沟通经理Gianfranco......
西安邮电大学成功在8英寸硅片上制备出了高质量的氧化镓外延片(2023-03-13)
成果标志着我校在超宽禁带半导体研究上取得重要进展。
据陈海峰教授介绍，氧化镓是一种超宽禁带半导体材料，具有优异的耐高压与日盲紫外光响应特性，在功率器件和光电领域应用潜力巨大。硅上氧化镓异质外延有利于硅电路与氧化镓......
中国开发芯片技术，美国疑虑重重(2016-10-21)
构也表示，担心中国的目标是这种材料。声明称，大批量生产氮化镓是中国的“经济重点发展项目”，并称担心大陆从与该材料有关的台湾企业窃取商业秘密，也担......
英飞凌：布局碳化硅是一场超级马拉松(2020-04-28)
价比是最高的。因此对于一些追求性价比的应用，硅绝对是首选。但如果说要追求效率最高、功率密度最大，那切换速度最快的氮化镓是首选，它的效率和功率密度是无可取代的，不过价格优势就不及硅。如果要考虑到有“易使......
我国成功制备6英寸氧化镓单晶，第四代半导体正式“撒网”(2023-03-01)
传感器以及光电子器件领域具有广阔的应用前景。富士经济预测2030年氧化镓功率元件的市场规模将会达到1,542亿日元（约人民币92.76亿元），这个市场规模要比氮化镓功率元件的规模（1,085亿日元，约人民币65.1......
相关企业
manufacturing in Taiwan.
; EPC设计，开发，市场，销售基于氮化镓的电源管理设备，采用成熟的晶圆代工厂。使最高效的能源转换，利用优越的半导体材料，EPC是率先推出增强型氮化镓
;东莞中和光电有限公司;;本产品采用树脂封装，材料采用氮化镓（GaN），结构为电解出型，封装形式为直插型，型号有3mm,5mm,8mm,10mm及其他特殊型号，形状有圆头，椭圆，草帽，钢盔，方形
(GaAs)、氮化镓 (GaN)、声表面波 (SAW) 和体声波 (BAW)技术设计、开发和生产先进的高性能射频解决方案，满足全球客户需求。我们是市场领导者，专门为移动设备，3G和4G蜂窝基站，WLAN
;深圳市科莱特电子有限公司;;深圳市科莱特电子有限公司自2002年开始，在国内率先采用美国ANADIGICS砷化镓(GaAs)集成芯片与国外技术机构合作共同研制、开发出第一代、第二代砷化镓（GaAs
;璨圆光电深圳市场部;;璨圆光电股份有限公司是一家LED芯片专业生产厂家,提供以氮化镓（GaN）为材质的超高亮度蓝、绿、紫光等LED晶粒!目前产品波长范围可达385nm-560nm；可应
子体 (PDP)显示荧光粉、氮化镓基白光二级管光源材料，新型太阳能光源等新型环保节能产品的研发生产。
;深圳市希奇电子科技有限公司;;希奇电子科技有限公司是一家以台湾LED芯片为龙头，集LED芯片及成品销售、服务于一体的专业团队。提供以氮化镓（GaN）为材质的超高亮度蓝、绿、白、紫外光等LED晶粒
兆龙； 【氮化镓】： 英诺赛科、GaN systems； 【单片机】： GA (格安电子)、HK (航顺芯片)、RENESAS 分销IR、ON、ST、NXP、INFINEON、CREE等半导体电子元器j件。
度四元晶粒（C系列）、金属基板倒装晶粒（MS）、氮化镓晶粒（AllnGaN）、覆晶晶粒（Flip chip）； K＊on：红外芯片（940nm）、高速红外芯片（850nm,875nm,880nm） 用过
;江苏苏州谷邦（等离子氮化）表面技术有限公司;;谷邦公司拥有多台国内最先进的金属表面离子渗氮设备-真空＊辉光＊脉冲-等离子氮化炉（可承载直径2000mm氮化工件），炉内气压、气体气氛、温度