资讯

总投资约5亿元 基尔彼半导体晶圆衬底制造项目签约;据崇川在线消息,7月5日,基尔彼半导体晶圆衬底制造项目签约仪式在南通市北高新区举行。 基尔彼半导体晶圆衬底......
国内首批!铭镓半导体实现4英寸氧化镓晶圆衬底技术突破;近日,从顺义科创集团获悉,入驻企业北京铭镓半导体有限公司实现4英寸氧化镓晶圆衬底技术突破,成为国内首批掌握第四代半导体4英寸氧化镓单晶衬底......
国产4英寸氧化镓晶圆衬底技术获突破!;近期,北京铭镓半导体有限公司(以下简称:铭镓半导体)使用导模法成功制备了高质量4英寸(001)主面氧化镓(β-Ga2O3)单晶,完成了4英寸氧化镓晶圆衬底......
镓仁半导体氧化镓二期工厂正式启用;据镓仁半导体官微消息,镓仁半导体氧化镓二期工厂近日正式启用。新工厂在晶体生长、晶圆加工和外延生长等关键环节引入了先进的产业化设备,预计将显著提升产能,以满足全球市场对氧化镓晶圆衬底......
统解决方案和工艺设备。铭镓半导体成立于2020年,已实现4英寸氧化镓晶圆衬底技术突破,成为国内首批掌握第四代半导体4英寸氧化镓单晶衬底生长技术公司之一。 消息称,此次......
富加镓业在内的国内厂商和研究机构正在加速布局氧化镓产业,并取得了一系列成果。 去年2月,中国电科46所成功制备出6英寸氧化镓单晶,技术达到了国际一流水平。           同年10月,北京铭镓半导体有限公司实现了4英寸氧化镓晶圆衬底......
,官方消息称,比亚迪中央研究院第三代半导体研究中心已成功攻克碳化硅晶圆衬底全环节工艺和设备制造技术,4英寸碳化硅晶圆性能已达到世界先进水平。比亚迪的衬底布局近期也有新的消息,碳化......
端成为SiC关键制约因素之一,技术优势带来的稳定产能将是厂商的重要竞争力。 衬底便是与产能密切相关的一个部分。目前,化合物半导体大多是基于SiC衬底进行外延生长。6寸SiC晶圆衬底是全球主流,已实......
的基础上长上一层薄薄的外延,然后才拿去制作芯片。那衬底又是怎样生产制造出来的呢?这里涉及到两个步骤,首先是将碳化硅粉放到长晶炉里生长成晶体得到碳化硅晶锭,碳化硅晶锭需要打磨抛光,然后送去切割,并经过抛光这样得到了我们生产器件需要的晶圆衬底......
拥有完全自主知识产权,而且使用该技术制备的 2 英寸氧化镓晶圆是全球首次。 2022 年 12 月,铭镓半导体实现了 4 英寸氧化镓晶圆衬底技术突破,成为国内首个掌握第四代半导体氧化镓材料 4......
的基础上长上一层薄薄的外延,然后才拿去制作芯片。那衬底又是怎样生产制造出来的呢?这里涉及到两个步骤,首先是将碳化硅粉放到长晶炉里生长成晶体得到碳化硅晶锭,碳化硅晶锭需要打磨抛光,然后送去切割,并经过抛光这样得到了我们生产器件需要的晶圆衬底......
大学等各大科研高校也在从事相关研究。近期,我国在氧化镓方面的研发进展也频传捷报。 北京铭镓半导体于2022年12月完成4英寸氧化镓晶圆衬底技术突破,成为国内首个掌握第四代半导体氧化镓材料4英寸(001)相单晶衬底......
大学等各大科研高校也在从事相关研究。近期,我国在氧化镓方面的研发进展也频传捷报。 北京铭镓半导体于2022年12月完成4英寸氧化镓晶圆衬底技术突破,成为国内首个掌握第四代半导体氧化镓材料4英寸(001)相单晶衬底......
收入将比去年增加两倍,并在2023年实现超过10亿美元的收入。 2021年11月,安森美宣布收购SiC晶圆衬底供应商GTAT,旨在增强自身SiC的供应能力。而在更早之前的2019年,安森......
效率的方法。OLEDos是指将OLED沉积在用于半导体生产的硅晶圆衬底上,与目前的OLED面板相比,它可以实现更轻、更灵活、质量更好的显示。 苹果公司上个月推出的Vision Pro......
元,包括意大利政府按照《欧盟芯片法案》框架提供的20亿欧元资金 ●   卡塔尼亚产业园将实现ST的制造全面垂直整合计划,在一个园区内完成从芯片研发到制造、从晶圆衬底到模块的碳化硅功率器件全部生产,赋能......
区销售存储芯片、模组等产品,预计实现年营收约8亿元;二期拟投资9亿元,建设芯片封装项目、企业总部,预计实现年营收20亿元。 基尔彼半导体晶圆衬底制造项目签约 据崇川在线消息,7月5日,基尔彼半导体晶圆衬底......
多年长期投资计划预计投资总额达50亿欧元,包括意大利政府按照《欧盟芯片法案》框架提供的20亿欧元资金 卡塔尼亚碳化硅产业园将实现ST的碳化硅制造全面垂直整合计划,在一个园区内完成从芯片研发到制造、从晶圆衬底......
电总裁魏哲家上周在法说会上表示,人工智能让台积电看到了非常强劲的需求,对于前端部分没有任何问题可以支持...对于先进封装,尤其是台积电的晶圆衬底上芯片(CoWoS)产能非常紧张,预计......
方案部(模拟、混合信号、逻辑)及智能感知部(CIS))进行了投资并扩大了产能,企业预计今年年底产能增长5倍。 “基于GTAT生产的晶圆衬底,在2022年我们已经有器件产品出货了。”安森......
方案部(功率)、先进方案部(模拟、混合信号、逻辑)及智能感知部(CIS))进行了投资并扩大了产能,企业预计今年年底产能增长5倍。 “基于GTAT生产的晶圆衬底,在......
芯片法案》框架提供的20亿欧元资金 卡塔尼亚碳化硅产业园将实现ST的碳化硅制造全面垂直整合计划,在一个园区内完成从芯片研发到制造、从晶圆衬底到模块的碳化硅功率器件全部生产,赋能......
尼亚碳化硅产业园将实现ST的碳化硅制造全面垂直整合计划,在一个园区内完成从芯片研发到制造、从晶圆衬底到模块的碳化硅功率器件全部生产,赋能......
意大利政府按照《欧盟芯片法案》框架提供的20亿欧元资金• 卡塔尼亚碳化硅产业园将实现ST的碳化硅制造全面垂直整合计划,在一个园区内完成从芯片研发到制造、从晶圆衬底到模块的碳化硅功率器件全部生产,赋能......
低器件性能并影响良率。BPD 可以从晶圆衬底传播到制造器件的外延层厚度。BPD 也可以在高温离子注入制造过程中产生。在商用晶圆中,超过 95% 的衬底 BPD 在通过 CVD 离轴生长的外延层中传播为相对“良性”的螺......
,北京铭镓半导体有限公司实现了4英寸氧化镓晶圆衬底技术突破,推出多规格氧化镓单晶衬底并首发4英寸(100)面单晶衬底参数。 今年3月,镓仁半导体联合浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院、硅及......
光电核心专注于第三代/第四代超宽禁带半导体氮化铝晶圆衬底材料、蓝宝石基/硅基/碳化硅基氮化铝/氮化铝钪薄膜模板、全自动氮化铝PVT气相沉积炉及其相关产品的研发、制造与销售,核心产品被列入《中国制造2025》关键......
化硅制造全面垂直整合计划,在一个园区内完成从芯片研发到制造、从晶圆衬底到模块的碳化硅功率器件全部生产,赋能汽车和工业客户的电气化进程和高能效转型。 按照规划,该项目预计2026年运营投产,在2033年前......
在氧化镓方面的研发进展也频传捷报。 北京铭镓半导体于2022年12月完成4英寸氧化镓晶圆衬底技术突破,成为国内首个掌握第四代半导体氧化镓材料4英寸(001)相单晶衬底......
之后表示,此次收购已逾一年,基于GTAT生产的碳化硅晶圆衬底,在2022年安森美已有器件产品出货。在产能上,基于安森美的投资,到今年年底,GTAT的产能可增长5倍。 Hassane El......
,媒体报道中国科学技术大学微电子学院龙世兵教授课题组联合中科院苏州纳米所加工平台,分别采用氧气氛围退火和氮离子注入技术,首次研制出了氧化镓垂直槽栅场效应晶体管。去年12月,铭镓半导体完成了4英寸氧化镓晶圆衬底......
凌与Resonac签署新的供应和合作协议,以此扩大与碳化硅供应商的合作。英飞凌选择Resonac的原因在于其前身是昭和电工,具备很强的碳化硅晶圆技术,并且Resonac还在突破下一代8英寸碳化硅晶圆技术,拟大规模生产更大尺寸的晶圆衬底......
功率器件市场份额,所面临的竞争也相当激烈。以中国本土的SiC产业为例:在供应方面,最近几年,中国SiC晶圆衬底/外延市场增长强劲,且大批量扩张的产能即将陆续达产。而在需求方面,近年......
国际最高水平。此外,铭镓半导体完成了4英寸氧化镓晶圆衬底技术突破,成为国内首个掌握第四代半导体氧化镓材料4英寸(001)相单晶衬底生长技术的产业化公司。浙大杭州科创中心也首次采用新技术路线成功制备2......
赛科是跻身全球氮化镓产业第一梯队的国产半导体企业代表,是硅基氮化镓领域全球龙头,生产基地主要位于珠海和苏州两地。 目前,英诺赛科通过自主研发,攻克了8英寸硅晶圆衬底......
热度持续上涨趋势下,南砂晶圆积极投身8英寸赛道。2022年9月8日,南砂晶圆联合山东大学成功实现8英寸导电型4H-SiC单晶和衬底的制备,采用物理气相传输法(PVT)扩径制备了8英寸导电型4H-SiC单晶......
,将处理后的表面键合到多晶碳化硅晶圆作为支撑衬底,然后将单晶衬底分割成薄膜,从而从一个碳化硅单晶衬底生产出多个高质量的碳化硅晶圆,由此显著提高了生产效率。 其中单晶碳化硅衬底......
不断增长的市场需求,包括晶圆厂在内的众多重量级玩家已经意识到必须扩大投资,以支持供应链建设。  以安森美为例,早在2021年11月,安森美就宣布收购SiC晶圆衬底供应商GTAT,旨在增强自身SiC的供......
这个新兴行业的未来仍然存在一些重要问题。最令人担忧的是碳化硅衬底的成本和供应。尽管Wolfspeed、Coherent和其他公司宣布在不久的将来增加晶圆供应,但材料的可用性仍然是行业的一个具有挑战性的限制,导致......
 SmartSiC™ 晶圆的研发水准再创新高,可满足汽车市场不断增长的需求。 首批 200mm SmartSiC™ 衬底诞生于 Soitec 与 CEA-Leti 合作的衬底创新中心的先进试验线,该中......
主要制造商积极开发它们的主要原因。 目前,6英寸SiC衬底仍然占主导地位,但8英寸衬底已经开始渗透市场。例如,2023年7月,Wolfspeed宣布其8英寸晶圆厂已经开始向中国客户发货SiC......
美在未来3年预计可以实现40亿美元的SiC收入,这意味着2022年该公司的SiC收入比2021年增加了两倍,并有望在2023年实现超过10亿美元的收入。 早在2021年11月,安森美就宣布收购SiC晶圆衬底......
色。 Wolfspeed是当之无愧的第一梯队成员。2015年Wolfspeed展示了8英寸碳化硅衬底、2019年完成了首批8英寸碳化硅衬底样品的制样。产能方面,2022年4月,Wolfspeed启用了全球第一家8英寸碳化硅晶圆......
英寸晶圆厂进行代工生产。这一合作预计将于2026年下半年开始量产。 他进一步点出,最近在传出碳化硅降价的部分,是针对衬底端,至于做生产代工的制程端,则没有降价。 方略指出,碳化硅成本很高的主要原因是衬底......
 SP A2 系统可提供 Soitec 所需的灵敏度和产能,将帮助 Soitec 进一步提升其碳化硅和其他宽禁带衬底的质量,满足更严苛的要求。”  Soitec 采用 KLA 检测设备为 SOI 晶圆......
种半导体材料进行切割,其优化衬底已经非常成熟,一年来该公司更将重点转向了5G和汽车行业的战略布局,特别是在开发第三代宽带隙半导体材料方面获得了长足进展 何为衬底晶圆晶圆......
硅(SiC)衬底晶圆多年长期供货协议基础上,继续扩大合作。 根据新签署的长期供货协议,SiCrystal公司将对意法半导体加大德国纽伦堡产的碳化硅衬底晶圆供应力度,预计协议总价不低于2.3亿美......
意法半导体 ST在全球整体的SiC业务中(从晶圆到器件甚至延伸至衬底)均占据着较大的竞争优势。受纯电动汽车(BEV)应用的推动,碳化硅功率器件行业保持强劲增长,而ST长期以来在SiC功率......
将其作为供体可提供十倍的重复利用率,并结合了创新性的高导电多晶衬底作为操作晶圆(handle wafer)。 SmartSiC™ 晶圆可提供卓越性能:更环保、更高效、更出色 SmartSiC™ 晶圆......
商正在加速研发和扩产布局。 观碳化硅衬底市场尺寸趋势,4英寸渐渐淡出,6英寸长时间引领,而今年市场频繁传出的积极信号预示着未来碳化硅衬底晶圆将从6英寸逐渐向8英寸升级。 技术......

相关企业

;山东天岳先进材料科技有限公司;;山东天岳先进材料科技有限公司是专业从事蓝宝石和碳化硅单晶生长加工的高新技术企业。公司的主要产品有2-6英寸蓝宝石和2-4英寸碳化硅单晶衬底,其产
;上海来彩;;来彩电子材料有限公司成立於2008年,专业为中国地区微电子、纳米制造、半导体、LED、液晶显示及特种镀膜等领域的客户提供系统解决方案。 我们在LED行业的产品涵盖上游晶棒、衬底、图形衬底
动动清洗台、兆声波清洗机、片盒清洗设备、理片机、装片机、工作台、单晶圆通风柜、倒片器、导片机,硅片边缘腐蚀机、硅片甩干机、炉管清洗机、石英舟清洗机,CVD清洗台,衬底清洗台,光刻腐蚀清洗台,光刻清洗台,溅射
物外墙照明设备、水底灯、机场跑道灯、路灯等;3.车辆照明:头灯、尾灯、阅读灯、方向灯、雾灯等。另本公司可提供高导散热板样品和资料,欢迎来电来函询问。衬底: 提供生产LED的蓝宝石衬底,生产
,公司被大连市政府批准为高新技术企业并给予资金扶持。2001年公司“高速双面抛超精密加工大面积蓝宝石单晶基片项目”获国家科技部下放的重点科技创新基金扶持 ,并获得相关专利。 LED蓝宝石衬底 经过
;硕凯电子集团;;硕凯电子股份有限公司最早在台湾拥有巨大的晶圆前后制造工艺网络(前道工序为晶圆制造
;深圳硕凯电子有限公司;;硕凯电子股份有限公司最早在台湾拥有巨大的晶圆前后制造工艺网络(前道工序为晶圆制造
;亚昕(安庆)科技有限公司深圳分公司;;亚昕是我们自己的品牌,我们有自己的晶圆厂和封装厂.晶圆厂在台湾桃圆县,封装厂在安徽安庆.
;深圳市硕凯科技有限公司;;深圳市硕凯电子有限公司最早在台湾拥有巨大的晶圆前后制造工艺网络(前道工序为晶圆制造
;盛世科技有限公司;;主要经营:半导体材料、晶圆提篮、研磨轮、铁环、硅片、切割胶带、除片胶带、晶片环、晶圆盒、晶粒盒泰维克、晶粒盒夹子、导电片、铝铂片、抽真空防静电屏蔽袋..