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研发客服世界先进董座方略宣布，未来公司在化合物半导体端不会缺席，旗下氮化镓（GaN）今年实现量产，而随着碳化硅（SiC）衬底价格下降，应用会更广。
方略提到，世界先进的氮化镓业务已经运作了7~8年，今年实现量产。在碳化硅方面，随着衬底价格往下降，其应用范围有望进一步扩大。
值得一提的是，今年，世界先进与汉磊科技签订了战略合作协议，后者将利用世界先进的8英寸晶圆厂进行代工生产。这一合作预计将于2026年下半年开始量产。
他进一步点出，最近在传出碳化硅降价的部分，是针对衬底端，至于做生产代工的制程端，则没有降价。
方略指出，碳化硅成本很高的主要原因是衬底昂贵，而目前市场上衬底的产能过剩问题也导致了价格的下降。尽管衬底的价格有所降低，但晶圆厂在生产制造环节的成本并未随之减少。
此外，碳化硅目前尚未广泛应用8英寸晶圆，这限制了其成本效益的进一步提升。随着衬底价格的下降，碳化硅的应用范围有望进一步扩大，这对碳化硅晶圆代工厂而言是有利的——厂商能够以更低的价格购买衬底，进而降低生产成本。
方略最后表示，8英寸晶圆代工厂在CMOS技术与设备方面确实存在落后现象，与12英寸晶圆厂竞争时处于不利地位，且制程能力也相对落后。
不过，相比于化合物半导体行业过去使用的4/5/6英寸晶圆而言，8英寸晶圆厂在制程设备和技术方面具有明显优势。并且，短时间也未看到12英寸晶圆厂有进入化合物半导体领域的趋势。
因此，对于世界先进这样的8英寸晶圆代工厂来说，进军第三代半导体领域将是一个具有竞争优势的战略选择。
文章来源于:全球半导体观察 原文链接
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