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Keil C51单片机变量的使用方法详细介绍(2023-05-05)
器的访问速度。在标准C中，不加特别定义的变量是放在存储器中的，使用register可以强制变量存储在寄存器中，对于使用特别频繁且数量不多的变量可以选用这种存储模式，以获得更高的工作效率。
相比之下，51内核单片机的存储结构......
浅谈STM32芯片的存储结构(2023-07-03)
浅谈STM32芯片的存储结构;一、前言
本篇介绍STM32芯片的存储结构，ARM公司负责提供设计内核，而其他外设则为芯片商设计并使用，ARM收取其专利费用而不参与其他经济活动，半导......
STM32芯片的存储结构(2024-07-24)
STM32芯片的存储结构;一、前言
本篇介绍STM32芯片的存储结构，ARM公司负责提供设计内核，而其他外设则为芯片商设计并使用，ARM收取其专利费用而不参与其他经济活动，半导......
51单片机存储器的结构和原理解析(2023-08-23)
compact模式来说，是片外pdata空间；large模式，为片外xdata空间；
以上就是对这几天对8051的重新认识，当然不是很全面。在此之前，一直对其存储结构不是太明了。现在......
cc2530内部存储结构图(2024-01-15)
cc2530内部存储结构图; CPU 和内存
CC253x芯片系列中使用的8051 CPU内核是一个单周期的8051兼容内核。它有三种不同的内存访问总线（SFR，DATA 和CODE......
OC8051内部逻辑分析（1）(2024-07-31)
通过DPTR寄存器）。OC8051使用oc8051_defines.v控制所采用的存储结构，oc8051_defines.v部分代码如下：
1 //
2 // oc8051 ITERNAL ROM
3......
Linux内核代码中常用的数据结构(2024-10-20 12:02:30)
针区用来指向链表的前继节点或者后继节点。因此，链表就是利用指针将各个节点串联起来的一种存储结构。
（1）单向链表
单向......
解析80C51单片机中的cpu、存储器配置以及并行输入/输出口(2023-06-19)
解析80C51单片机中的cpu、存储器配置以及并行输入/输出口;单片机按存储结构可分为二类：一类是哈佛结构，另一类是普林斯顿结构。
①哈佛结构所谓哈佛结构是指程序存储器地址空间与数据存储器地址空间分开的单片机结构......
件;因此，来自单元库的组件是未知的，导致FPGA工具流中形成黑盒。因此，不能够将这种存储组件直接映射到FPGA上提供的存储结构。专门为ASIC原型而设计的专用FPGA逻辑综合工具可以读取ASIC单元......
s3c2440裸机-nandflash编程（一. nandflash原理及结构简介）(2023-08-09)
平表示操作还在进行中，高电平表示操作完成）
2.nandflash内部存储结构
nandflash内部存储结构如下：
我们常见的Nand Flash，内部只有一个chip，每个chip只有一个plane......
s3c2440裸机-nandflash编程-1-nandflash原理及结构简介(2024-07-04)
平表示操作还在进行中，高电平表示操作完成）
##2.nandflash内部存储结构
nandflash内部存储结构如下：
我们常见的Nand Flash，内部只有一个chip，每个......
s3c2440裸机-内存控制器(四、SDRAM原理-cpu是如何访问sdram的)(2023-08-10)
s3c2440裸机-内存控制器(四、SDRAM原理-cpu是如何访问sdram的);1.SDRAM原理
black（1）SDRAM内部存储结构：
（2）再看看与2440连接的SDRAM原理......
三星Galaxy S24即将发布：全系机型参数曝光，采用四边等宽设计(2023-12-26)
拭目以待。本文引用地址：而近日，三星S24系列的三款机型，即S24、S24+和S24 Ultra的配置参数均已公布。
· 三星S24标配8GB内存，提供256GB和128GB两种存储版本，配6.2英寸......
关于单片机的地址总线和数据总线(2024-07-30)
机中，程序存储器通常是ROM，数据存储器通常是RAM。这两种存储器在单片机的运行过程中起着不同的作用。内存一个地址对应一个字节还是一个存储单元？（最困惑的问题）https://www.zhihu.com......
AI推动韩国5月份芯片出口价格创纪录上涨(2024-06-17)
行业正在迅速从低迷中复苏，今年5月，以美元计价的韩国半导体出口价格指数较上年同期上涨42.1%。韩国的大部分芯片出口都是存储，而存储出口激增的部分原因是高带宽存储器（HBM），这种存储与英伟达等公司生产的AI加速......
单片机学习笔记1：单片机最小系统设计(2024-08-13)
、MCS-51系列单片机组成结构
（1）中央处理器-CPU：8位数据宽度，能同时处理8位二进制数据或代码。
（2）数据存储器-RAM：8051单片机有128B数据存储器和21个专用寄存器，用户......
STC8G系列存储结构二(2024-07-29)
STC8G系列存储结构二;STC8G 系列单片机的程序存储器【RAM】和数据存储器【 Flash 类型的程序储存器ROM】是各自独立编址的。
备注：也就是他们的地址开始都是从0开始。但是......
PLC的硬件组成(2023-10-30)
程序和数据。PLC通常配有ROM(只读存储器)和RAM(随机存储器)两种存储器，ROM用来存储系统程序，RAM用来存储用户程序和程序运行时产生的数据。系统程序由厂家编写并固化在ROM存储......
SIMATIC S7-1500数据块介绍其应用(2024-07-19)
鼠标右键，在弹出的快捷菜单中，单击“属性”选项，弹出如图5所示的界面，选中“属性”，如果取消“优化的块访问”则切换到“非优化存储方式”这种存储方式与S7-300/400兼容。
图5
如楚”非优化存储......
将ASIC IP核移植到FPGA上——更新概念并推动改变以完成充满挑战的任务!(2024-07-31)
，来自单元库的组件是未知的，导致FPGA工具流中形成黑盒。因此，不能够将这种存储组件直接映射到FPGA上提供的存储结构。专门为ASIC原型而设计的专用FPGA逻辑综合工具可以读取ASIC单元库，但此......
涉专利侵权！中国芯片大厂起诉美国芯片巨头！(2023-11-13)
的重要参与者。长江存储表示，去年11月，分析和跟踪闪存市场的TechInsights公司得出结论：长江存储是3D NAND闪存领域的领导者，超过了美光。
NAND Flash和DRAM是目前最主要的两种存储......
Enovix宣布其标准物联网及可穿戴设备电池全面上市(2023-08-04)
升体积和活性材料的封装效率，并能适应100%活性硅负极的使用。硅是一种存量丰富且永续的材料，以体积计算，硅能存储的锂离子数量超过石墨的两倍之多（1800 mAh/cc1相比800 mAh/cc2），现今......
s3c2440裸机-内存控制器3-SDRAM原理-cpu是如何访问sdram的(2024-07-08)
s3c2440裸机-内存控制器3-SDRAM原理-cpu是如何访问sdram的;1.SDRAM原理
black （1）SDRAM内部存储结构：
（2）再看看与2440连接的SDRAM原理......
Enovix宣布其标准物联网及可穿戴设备电池全面上市(2023-08-04)
精准的激光切割与电极的精准对位，来提升体积和活性材料的封装效率，并能适应100%活性硅负极的使用。硅是一种存量丰富且永续的材料，以体积计算，硅能存储的锂离子数量超过石墨的两倍之多（1800 mAh/cc1相比......
OC8051简介(2024-07-31)
架构
1、存储器组织结构
8051的存储结构有点特殊，它的程序存储空间（ROM）和数据存储空间（RAM）是逻辑分离的，另外它必须使用16-bit的DPTR寄存器来访问外部的数据存储器。
程序存储......
单片机的存储器(2024-04-10)
单片机的存储器;虽然断断续续写了几个程序，但是对单片机的很多基础知识了解还不是很透彻，所以今天彻底对存储器百度了一下，有了很多新的发现。
单片机的存储空间有两种基本结构。一种是普林斯顿结构......
三星与西部数据官宣合作，推动下一代存储技术标准化(2022-03-30)
设备的起点。在此后阶段，合作计划将扩展至其他新兴的D2PF技术，如计算存储和存储结构（包括NVMe-oF）。......
巨头们低调发力，3D DRAM或在未来3年成为主要方向(2023-03-16)
当今计算中的最大问题之一。
一般来说，计算机中的 DRAM 存储单元由单个晶体管和单个电容器制成，即所谓的 1T1C 设计。这种存储单元在写入时打开晶体管，电荷被推入电容器 (1) 或从电容器 (0) 去除；读取......
MAX11801数据手册和产品信息(2024-11-11 09:19:42)
周期性扫描触摸屏的触摸事件，而无需主机处理器干预，这样可降低系统功耗。在自主模式下，片上FIFO用于存储结果，增加数据的有效吞吐率，并降低系统功耗。
MAX11800–MAX11803支持数据标签，可以......
打造数据存储靠谱“家园”，铁威马D8 Hybrid实现冷热数据一体化(2024-07-12)
所有数据都需要同等的关注与保护。冷数据与热数据,作为数据分类的两大阵营,各有其独特的存储需求。冷数据,如历史文件、备份资料等,访问频率低,但对长期保存有着较高的要求;而热数据,如工作文档、视频剪辑等,则需......
SIMATIC S7-1500数据块介绍其应用（1）(2024-07-18)
换到“非优化存储方式”这种存储方式与S7-300/400兼容。
图****5
如楚”非优化存储方式”，可以使用绝对为式说回该数据块(如** DB1.DBX0.0)**，如是“优化存储方式”则只......
科学家：UltraRAM技术可整合内存与闪存，耐用性极高(2022-01-13)
产品中。
报道称，用于UltraRAM的制造工艺与光电器件（如LED，激光器，光电二极管和光电晶体管）中使用的半导体元件相似。从结构上看，这种存储技术采用硅衬底，相比砷化镓成本大幅降低。这意......
英飞凌宣布推出SEMPER Nano NOR Flash闪存产品(2023-04-23)
耗等优势特性。这种存储器经过专门优化，适合在电池供电的小型电子设备中使用。
据介绍，英飞凌本次推出的SEMPER Nano NOR Flash闪存产品外形小巧，功耗超低。该器件采用了英飞凌MIRRORBIT™......
Enovix宣布其标准物联网及可穿戴设备电池全面上市(2023-08-04 10:32)
精准的激光切割与电极的精准对位，来提升体积和活性材料的封装效率，并能适应100%活性硅负极的使用。硅是一种存量丰富且永续的材料，以体积计算，硅能存储的锂离子数量超过石墨的两倍之多（1800 mAh/cc1相比800 mAh......
Arm内核由哪些结构组成和特点介绍(2023-06-10)
或者RR系统结构。在这类机器中，操作数和运算结果不是通过主存储器直接取回而是借用大量标量和矢量寄存器来取回的。与RR体系结构相反，还有一种存储器/存储器体系结构，在这种体系结构中，源操作数的中间值和最后的运算结果是直接从主存储......
Pure Storage 2021年预测(2021-02-22)
在数据规模到达一定程度之前运作良好。然而，随着数据的爆炸性成长，塞满数十亿非结构化数据 (Blob) 的对象存储，其架构就变得窒碍难行。越来越多的企业希望能对自己的数据进行调查和分析，从而避免整合文件与对象两种存储......
在STM32中为什么要引入链表？(2024-01-26)
存资源很紧缺的单片机程序中，当区域数据很少时，这种程序的处理方法浪费了大量的内存空间。
2、数值固定，需要存储更多区域，即使还有内存，还是需要修改宏定义，重新编译固件，不灵活。
这时需要引入链表来解决这个问题。
2、链表实现
链表实际上是线性表的链式存储结构......
深度解析链表在STM32中的应用(2024-09-26)
域数据很少时，这种程序的处理方法浪费了大量的内存空间。
2、数值固定，需要存储更多区域，即使还有内存，还是需要修改宏定义，重新编译固件，不灵活。
这时需要引入链表来解决这个问题。
2、链表实现
链表实际上是线性表的链式存储结构......
存储芯片规模，十年后将达到3400亿美元(2023-04-27)
2032 年收入将超过 3400 亿美元，2023 年至2032年的年增长率为 7.5%。”
游戏行业玩家为智能机器和虚拟现实小工具的应用开发的几种存储......
掌握HAL API中面向对象设计的思想(2023-10-24)
*) (0x40800400UL))
#define GPIOC ((GPIO_TypeDef *) (0x40800800UL))
结合C语言存储结构体变量的特点，我们......
国产闪存受阻：三星马上涨价！(2022-12-21)
％。
2022年内存及闪存两种存储芯片的价格一直在下滑，以致于SSD硬盘跌成白菜价了，2TB不到700元，价格已经触底，甚至是亏本卖的，这样的形势让存储......
17个图解数字电路基础知识！！(2024-11-15 23:57:25)
）和 1024（2 的 10 次方）两种计数方法。通常，衡量计算机内存和网络数据包大小时，1K 相当于 1024 比特。而在硬盘等存储器的标签上记述的尺寸或物理学中的 1K 相当于 1000......
S3C2440存储系统-SDRAM驱动(2024-08-21)
选择。在内存芯片的外部管脚上多出了两个管脚BA0, BA1，用来片选4个L-Bank。如前所述， 32位的地址长度由于其存储结构特点，分成了行地址和列地址。通过下面的内存结构图可知，内存......
S3C2440 SDRAM驱动配置编程(2024-06-06)
选择。在内存芯片的外部管脚上多出了两个管脚BA0, BA1，用来片选4个L-Bank。如前所述， 32位的地址长度由于其存储结构特点，分成了行地址和列地址。通过下面的内存结构图可知，内存......
英飞凌推出 256 Mbit SEMPER™ Nano NOR Flash 闪存产品(2023-04-10)
英飞凌推出 256 Mbit SEMPER™ Nano NOR Flash 闪存产品;
【导读】英飞凌科技股份公司近日推出 SEMPER™ Nano NOR Flash 闪存产品。这种存储......
SMART200的数据类型和变量寻址方式(2024-08-27)
左边的子程序形参类型决定了实参变量的类型，在调用子程序时，会按照形参定义的数据类型处理对应长度的变量。
变量的寻址
因为各种存储空间已经被划分好，不需要再定义，那么我们怎样才能找到这片存储空间呢？这就是寻址的概念。西门子PLC的寻址方式分为两种......
realme 在印度推出 C33 2023 手机：紫光展锐 T612 芯片 +(2023-03-14)
芯片，5000mAh 容量电池，起售价为 9999 卢比。本文引用地址：
realme C33 2023 共有 4GB+64GB 和 4GB+128GB 两种存储组合，售价分别为 9999 卢比......
一文了解STM32启动过程(2024-03-04)
过程涉及的文件不仅包含 startup_stm32f10x_hd.s，还涉及到了MDK自带的连接库文件 entry.o、entry2.o、entry5.o、entry7.o等（从生成的 map文件可以看出来）。
2 程序在Flash上的存储结构
在真......
嵌入式存储器的前世今生(2017-06-19)
断所存数据是0还是1。
图四 MJT结构示意图
（3）相变存储器(PRAM)
PRAM的存储原理是利用某些薄膜合金的结构结构相变存储0和1的信息。通常这些合金具有两种稳定状态：具有......
库存高企巨头计划减产 三星旗舰级1TB SSD 899元只是开始(2022-10-11)
下跌的情况要到明年年中才会触底甚至放缓。在7月至9月期间，DRAM和NAND闪存这两种主要类型的内存的平均合同价格分别比上一季度下降了15%和28%。台湾集邦咨询预计，随着库存不断积压，这两种存储......
相关企业
你我的洽谈和合作中. 凯胜源电子与你共同发展, 共创美好明天!!!! 本公司长期收购( SAMSUNG HYUNDAI ) 各种存储芯片!!
的辉煌, 就在你我的洽谈和合作中. 凯胜源电子与你共同发展, 共创美好明天!!!! 本公司长期收购（ SAMSUNG HYUNDAI ） 各种存储芯片!!
家具瑞通电动轿车的设计研发技术成熟，造型时尚 流畅，主要部件采用长寿命，高效率的发动机，高性能电子控制系统，高容量动力电池，车身采用全身玻璃钢和夏利原装铁门两种结构，整车有全封闭和半封闭两种类型，动力有点击和汽油机（助残
、Micron、Infineon、等品牌的IC，产品主要有：NOR FLASH MEMORY（闪存）、SDRAM（动态存储器）、SRAM（静态存储器）、电脑集成、各种存储芯片、28、29、39、49以及
;深圳市宏芯创科技有限公司;;深圳市宏芯创科技有限公司长期备有大量现货库存，产品有ARM、SRAM、DRAM、SDRAM、DDR、FLASH、电脑集成、各种存储芯片、28、29、39、49以及
能力强，可提供二、三级管，运放、电源管理、A/D、D/A等多种模拟电路，通讯接口电路，逻辑电路、门阵列，各种存储器件，单片机、DSP等控制电路。根据客户要求可提供冷门IC、偏冷门IC、停产IC、民品
;深圳智祥电子;;本公司作为中国大陆电子元器件代理销售已有近十年的行业经验和发展历史，作为中国民营企业的新生力量，我们公司致力于开拓各种存储器和消费类电子和工业应用IC市场，并且在同业中以诚恳、专业
IC（MTK.高通.字库.CPU.FLASH.中频.功放.电源.蓝牙等）、电脑IC（南北桥.声卡显卡网卡.内存.CPU）、以及其它各类冷门IC、各种存储器(RAM随机存储器、SRAM静态随机存储
经营的种类有：汽车IC、通讯IC、手机IC（MTK.高通.字库.CPU.FLASH.中频.功放.电源.蓝牙等）、电脑IC（南北桥.声卡显卡网卡.内存.CPU）、以及其它各类冷门IC、各种存储器(RAM
;英盛美半导体技术有限公司;;我司自己研发LED驱动芯片和控制系统,其中LPD6803三路输出，恒流驱动，兼容恒压模式，可直接替换ZQL9712等常规芯片；仅需时钟线/数据线的两线传输结构，级联