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研发客服1.nandflash的原理图如下：
引脚属性见下表：
| 引脚名称 | 引脚功能 |
|---|---|
| IO0~IO7 | 数据输入输出（命令、地址、数据共用数据总线） |
| CLE | 命令使能 |
| ALE | 地址使能 |
| /CE | 芯片使能（片选） |
| /RE | 读使能 |
| /WE | 写使能 |
| R/B | 就绪/忙输出信号（低电平表示操作还在进行中，高电平表示操作完成） |
| ##2.nandflash内部存储结构 | |
| nandflash内部存储结构如下： | |
我们常见的Nand Flash，内部只有一个chip，每个chip只有一个plane。但也有些复杂的，容量更大的Nand Flash，内部有多个chip，每个chip有多个plane，这类的Nand Flash，其实就是多了一个主控将多块flash叠加在一起，如下图：
2.1 Block块
一个Nand Flash由很多个块（Block）组成，块的大小一般有64K，128KB，256KB，512KB，Block是Nand Flash的擦除操作的基本/最小单位。Nand Flash中，一个块中含有1个或多个位是坏的，就称为其为坏块Bad Block。
2.2 Page页
每个块里面又包含了很多页（page）。每个页的大小，对于现在常见的Nand Flash多数是2KB，当然也有的nand flash的页大小为4KB、8KB等。页Page，是读写操作的基本单位。
2.3. oob （ Spare Area）
每一个page页，对应还附加了一块区域，一般为64byte，叫做空闲区域（spare area）/oob区域（Out Of Band），由于nandflash在操作过程中容易产生位反转，这是nandflash的物理特性决定的，所以必须要有对应的检测和纠错机制，这种机制被叫做Error Checking and Correcting，所以设计了多余的oob区域，用于放置数据的校验值。oob的读写操作，一般是随着页的操作一起完成的，即读写页的时候，对应地就读写了oob。 关于oob具体用途，总结起来有：
标记是否是坏快 存储ECC数据 存储一些和文件系统相关的数据。如jffs2就会用到这些空间存储一些特定信息，
总结：一般情况下：1block = 64page = 64 * (2K+64B) = 128K + 4K
3.特性（以K9F2G08U0C为例）
可以看出此款nandflash容量为256M，外加8M的冗余oob存储区。
page大小为2K，block大小为128K
读一个page时顺序读取至少25*2048ns(数据可以每字节25ns的循环时间读出)，随机读取不超过40us
写一个page一般为250us
擦除一个block一般为2ms
封装上分为TSOP分装和FBGA封装（TSOP是指引脚在侧面，FBGA是引脚封在芯片底部，更能保障数据安全，有些客户为了保障数据安全性，防止被飞线进行数据破解，会要求用FBGA封装的flash）
4.常见的flash厂商
常见的flash厂商有：Micron（镁光）、Toshiba（东芝）、Samsung（三星）、MXIC(旺宏)、dosilicon(东芯)，（Winbond）华邦、ESMT等。