近日,英飞凌宣布推出SEMPER Nano NOR Flash闪存产品,该闪存产品具有高功率密度、较小占板面积、低功耗等优势特性。这种存储器经过专门优化,适合在电池供电的小型电子设备中使用。
据介绍,英飞凌本次推出的SEMPER Nano NOR Flash闪存产品外形小巧,功耗超低。该器件采用了英飞凌MIRRORBIT™专利技术,可采用KGW,WL-CSP和BGA等不同封装形式。关键的技术参数包括256Mbit密度、1.8V工作电压和高达40Mbps的SPI吞吐量等。
该闪存产品提供了工业级和商用级两种256Mbit1.8V配置,其SPI吞吐量高达40Mbyte/s,可实现业内领先的待机电流和有效电流。内置纠错码(ECC)增强了可靠性,可配置的扇区架构则支持对代码或数据存储进行优化。
封面图片来源:拍信网
文章来源于:全球半导体观察 原文链接
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