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学子专区—ADALM2000实验：有源整流器(2023-05-12)
基二极管同样有一个内置的固定正向电压。利用FET较低的传导损耗，与输入交流波形同步地主动开关MOSFET器件以模仿二极管，可以实现更高的效率。有源整流常被称为同步整流，是指......
EPC新推由氮化镓场效应晶体管驱动且可扩展的DC/DC演示板(2021-05-14)
EPC新推由氮化镓场效应晶体管驱动且可扩展的DC/DC演示板;EPC9137是一款两相的48 V/12 V双向转换器，以小型化解决方案提供1.5 kW功率，效率为97%，适用于轻度混合动力汽车和电池......
EPC新推由氮化镓场效应晶体管驱动且可扩展的DC/DC演示板(2021-05-14)
EPC新推由氮化镓场效应晶体管驱动且可扩展的DC/DC演示板;EPC9137是一款两相的48 V/12 V双向转换器，以小型化解决方案提供1.5 kW功率，效率为97%，适用于轻度混合动力汽车和电池......
EPC新推由氮化镓场效应晶体管驱动且可扩展的DC/DC演示板(2021-05-14)
EPC新推由氮化镓场效应晶体管驱动且可扩展的DC/DC演示板;EPC9137是一款两相的48 V/12 V双向转换器，以小型化解决方案提供1.5 kW功率，效率为97%，适用于轻度混合动力汽车和电池......
NXP为采埃孚下一代SiC MOSFET提供驱动(2024-06-25)
了比硅更快的开关速度、更低的传导损耗和更好的热性能。
每个 IGBT 和 MOSFET 的前端都有一个充当电容器的栅极。必须充满电才能“打开”功率晶体管，从而允许电流在漏极和源极之间流动。相反，耗尽......
Nexperia建立新的特定型应用FET类别以优化性能(2020-10-22)
品广泛应用于全球各类电子设计。公司丰富的产品组合包括二极管、双极性晶体管、ESD保护器件、MOSFET器件、氮化镓场效应晶体管(GaN FET)以及模拟IC和逻辑IC。Nexperia总部位于荷兰奈梅亨，每年可交付900......
MOSFET开关损耗简介(2024-04-30)
MOSFET开关损耗简介;本文将通过解释功耗的重要来源来帮助您优化开关模式调节器和驱动器电路。本文引用地址：的工作可以分为两种基本模式：线性和开关。在线性模式中，晶体管......
Nexperia发布具备市场领先效率的晶圆级12和30V MOSFET(2022-07-27)
生产大批量基础半导体二极管件的专家，其产品广泛应用于全球各类电子设计。公司丰富的产品组合包括二极管、双极性晶体管、ESD保护二极管件、MOSFET二极管件、氮化镓场效应晶体管(GaN FET)以及模拟IC和逻辑IC。Nexperia......
采用EPC新型车规级GaN FET设计更高分辨率激光雷达系统(2023-02-07)
认证的氮化镓场效应晶体管（GaN FET）EPC2252，为设计人员提供比硅 MOSFET 更小和更高效的解决方案，用于车规级激光雷达、48 V/12 V DC/DC转换和低电感电机驱动器。
作为......
【泰克应用分享】 FET 生物传感器的直流I-V 特性研究(2023-11-17)
传感器基于MOSFET或金属氧化物半导体FET，这是一个带有绝缘栅极的三端或四端FET。
图3显示了一个n沟道MOSFET或nMOS晶体管，具有四个端子：栅极、漏极、源极和体极（块体）。源极......
采用EPC新型车规级GaN FET设计更高分辨率激光雷达系统(2023-02-07 11:58)
采用EPC新型车规级GaN FET设计更高分辨率激光雷达系统;以实现更先进的自主式系统EPC推出 80 V、通过AEC-Q101 认证的氮化镓场效应晶体管（GaN FET）EPC2252，为设......
采用EPC新型车规级GaN FET设计更高分辨率激光雷达系统 以实现更先进的自主式系统(2023-02-07)
采用EPC新型车规级GaN FET设计更高分辨率激光雷达系统 以实现更先进的自主式系统;EPC推出 80 V、通过AEC-Q101 认证的氮化镓场效应晶体管（GaN FET）EPC2252，为设......
还在为用氮化镓设计高压电源犯难？试试这两个器件(2023-03-29)
转换效率和功率密度是设计成功的关键。本文引用地址：
为了满足这些要求，开关模式电源系统的设计者需要从使用传统的硅 (Si) 基金属氧化物场效应晶体管 (MOSFET) 和绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 转为使用其它器件，因为......
半导体基础元器件生产领域的高产能生产专家，其产品广泛应用于全球各类电子设计。公司丰富的产品组合包括二极管、双极性晶体管、ESD保护器件、MOSFET器件、氮化镓场效应晶体管(GaN FET)以及模拟IC和逻辑IC......
Nexperia推出用于自动安全气囊的专用MOSFET (ASFET)新产品组合(2022-05-12)
品广泛应用于全球各类电子设计。公司丰富的产品组合包括二极管、双极性晶体管、ESD保护器件、MOSFET器件、氮化镓场效应晶体管(GaN FET)以及模拟IC和逻辑IC。Nexperia总部位于荷兰奈梅亨，每年......
EPC推出80V、通过AEC-Q101认证的氮化镓场效应晶体管(2023-02-07)
EPC推出80V、通过AEC-Q101认证的氮化镓场效应晶体管;
【导读】EPC推出 80 V、通过AEC-Q101 认证的氮化镓场效应晶体管（GaN FET）EPC2252，为设......
Qorvo® 推出D2PAK 封装 SiC FET，提升 750V 电动汽车设计性能(2024-01-30)
宣布一款符合车规标准的碳化硅（SiC）场效应晶体管（FET）产品；在紧凑型 D2PAK-7L 封装中实现业界卓越的 9mΩ 导通电阻 RDS(on)。此款 750V SiC FET 作为 Qorvo 全新......
Qorvo 推出D2PAK 封装 SiC FET，提升 750V 电动汽车设计性能(2024-01-30 14:48)
Qorvo 推出D2PAK 封装 SiC FET，提升 750V 电动汽车设计性能;全球领先的连接和电源解决方案供应商 Qorvo®今日宣布一款符合车规标准的碳化硅（SiC）场效应晶体管（FET......
无刷直流电机的电流换向电路 无刷直流电机的三相全桥驱动电路(2023-03-20)
直流电机之所以既只用直流电，又不用电刷，是因为外部有个电路来专门控制它各线圈的通电。这个电流换向电路最主要的部件是FET(场效应晶体管，Field-EffectTransitor)。可以把FET看作......
请问一下IGBT是如何实现电路控制的？(2024-06-14)
（MOSFET）的高电流单栅控制特性及双极性晶体管的低饱和电压的能力，在单一的IGBT器件里，会透过把一个隔离的场效应晶体管（FET）结合，作为其控制输入，并以双极性晶体管......
Qorvo® 推出D2PAK 封装 SiC FET，提升 750V 电动汽车设计(2024-01-30)
宣布一款符合车规标准的碳化硅（SiC）场效应晶体管（FET）产品；在紧凑型 D2PAK-7L 封装中实现业界卓越的 9mΩ 导通电阻 RDS(on)。此款 750V 作为 全新引脚兼容 系列......
如何利用 SiC 打造更好的电动车牵引逆变器(2024-07-23)
投入到电动车研发中，设法找到最有效的技术来尽可能提高能效、降低体积和重量以及尽可能从昂贵的电池组中获益，从而延长单次充电行驶里程。这让 SiC 晶体管迅速进入电动车的车载充电器和直流转换器中。鉴于牵引逆变器处理 10......
GaN和SiC在电动汽车中的应用(2024-01-24)
气转换过程中提取热量变得更具挑战性，散热问题也重新进入到要专业解决方案的状态，但这带来的是数倍的功率密度，这对电动汽车来说是十分值得的。
就电动汽车而言，牵引逆变器可以节省大部分电力，其中SiC FET 可以取代绝缘栅双极晶体管......
基于FET的100W音频放大器电路图(2024-04-19)
基于FET的100W音频放大器电路图;该 100W 音频放大器设计采用两个 V-MOSFET 晶体管技术作为输出级，可在 4 Ω 负载下提供 100W 输出。重要的是，通过添加散热器或风扇等方式使输出级的晶体管......
Nexperia推出用于热插拔的全新特定型应用MOSFET (ASFET)，SOA性能翻倍(2022-11-18)
品广泛应用于全球各类电子设计。公司丰富的产品组合包括二极管、双极性晶体管、ESD保护二极管件、MOSFET二极管件、氮化镓场效应晶体管(GaN FET)以及模拟IC和逻辑IC。Nexperia总部位于荷兰奈梅亨，每年......
EPC与MPS合作开发推出更高效、更小、更快的EPC9165双向转换器(2022-01-26)
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关于EPC
宜普电源转换公司是基于增强型氮化镓（eGaN®）的功率管理器件的领先供货商，氮化镓(eGaN)场效应晶体管及集成电路的性能比最好的硅功率MOSFET器件高出很多倍，其目......
EPC新推80 V和200 V eGaN®FET,进一步扩大其高性能氮化镓产品阵容(2021-06-18)
EPC新推80 V和200 V eGaN®FET,进一步扩大其高性能氮化镓产品阵容;宜普电源转换公司（EPC）是增强型硅基氮化镓 (eGaN) 功率 晶体管和集成电路的全球领导者。新推......
Nexperia的新型双极结晶体管采用DPAK封装，为汽车和工业应用提供高可靠性(2021-07-29)
有符合行业标准的管脚尺寸。双极性晶体管应用广泛，如LED汽车照明系统；LCD显示器中的背光灯调光；线性稳压器；继电器替代产品、电机驱动和 MOSFET 驱动器。
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Nexperia的产......
牵引逆变器 – 汽车电气化的推动力(2022-12-23)
级包括一个高压直流总线，该总线通过一个与 IGBT 或 SiC MOSFET 等功率晶体管的三个相位相连的大电容器组去耦。功率级应该在将直流电压转换为交流时具有极小的功率损耗，并且尺寸较小，以便高效地使用电池......
牵引逆变器 – 汽车电气化的推动力(2024-07-16)
牵引逆变器尺寸的因素有以下两个：高电压晶体管的类型，以及电池的电压电平。与具有相同额定电压的 IGBT 相比，SiC MOSFET 具有更低的开关损耗和更小的裸片尺寸，因此......
Electronics) 即日起备货采用行业标准D2PAK-7L表面贴装封装的UnitedSiC（现已被 Qorvo®收购）UJ4C/SC FET。UJ4C/SC系列器件是750 V碳化硅场效应晶体管......
Electronics) 即日起备货采用行业标准D2PAK-7L表面贴装封装的UnitedSiC（现已被 Qorvo®收购）UJ4C/SC FET。UJ4C/SC系列器件是750 V碳化硅场效应晶体管......
Electronics) 即日起备货采用行业标准D2PAK-7L表面贴装封装的UnitedSiC（现已被 Qorvo®收购）UJ4C/SC FET。UJ4C/SC系列器件是750 V碳化硅场效应晶体管......
LT8673数据手册和产品信息(2024-11-11 09:21:06)
含两个电压监控保护引脚，以使用外部电阻分压器和 ADC（模数转换器）安全地检测电池电压。高度集成的比较器和有源整流器解决方案大大简化了物料清单 (BOM)，并缩小了印刷电路板 (PCB) 面积。该控制器驱动一个外部 N 通道金属氧化物半导体场效应晶体管......
Nexperia发布P沟道MOSFET，采用节省空间的坚固LFPAK56封装(2020-05-08)
半导体基础元器件生产领域的高产能生产专家，其产品广泛应用于全球各类电子设计。公司丰富的产品组合包括二极管、双极性晶体管、ESD保护器件、MOSFET器件、氮化镓场效应晶体管(GaN FET)以及模拟IC和逻......
品广泛应用于全球各类电子设计。公司丰富的产品组合包括二极管、双极性晶体管、ESD保护器件、MOSFET器件、氮化镓场效应晶体管(GaN FET)以及模拟IC和逻辑IC。Nexperia总部位于荷兰奈梅亨，每年......
Nexperia发布超小尺寸DFN MOSFET(2022-07-06)
-MOSFETs
关于Nexperia
Nexperia，作为生产大批量基础半导体二极管件的专家，其产品广泛应用于全球各类电子设计。公司丰富的产品组合包括二极管、双极性晶体管、ESD保护二极管件、MOSFET......
选择合适的集成度来满足电机设计要求(2023-06-13)
电机状态的反馈，并发送信号来调节电机的扭矩、位置和速度。栅极驱动器将来自 MCU 的信号放大，以驱动电机的金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)。
图 1：基本电机控制方框图
您可以使用 BJT......
Nexperia推出的超微型MOSFET占位面积减小36%(2020-04-23)
关于Nexperia
Nexperia，作为半导体基础元器件生产领域的高产能生产专家，其产品广泛应用于全球各类电子设计。公司丰富的产品组合包括二极管、双极性晶体管、ESD保护器件、MOSFET器件、氮化镓场效应晶体管......
Nexperia推出全新高性能碳化硅(SiC)二极管系列，继续扩充宽禁带半导体产品(2021-11-05)
半导体基础元器件生产领域的高产能生产专家，其产品广泛应用于全球各类电子设计。公司丰富的产品组合包括二极管、双极性晶体管、ESD保护器件、MOSFET器件、氮化镓场效应晶体管(GaN FET)以及模拟IC和逻辑IC......
基础知识之晶体管(2024-03-21)
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FET
Field Effect Transistor的简称，是指场效应晶体管。有接合型FET和MOS型FET以及GaAs型。
接合型FET多用于音频设备等的模拟电路中，MOS型FET主要......
生产大批量基础半导体器件的专家，其产品广泛应用于全球各类电子设计。公司丰富的产品组合包括二极管、双极性晶体管、ESD保护器件、MOSFET器件、氮化镓场效应晶体管(GaN FET)以及模拟IC和逻辑IC......
正确选择MOSFET以优化电源效率(2023-03-27)
下找到电路中的最小损耗点。设计人员在选择 MOSFET 比率时必须牢记这些规范。
图 8：最佳效率的比较
结语 MOSFET 的选择与电路效率密切相关，而精确的数学模型可以简化 MOSFET 晶体管......
大联大诠鼎集团推出Toshiba半导体应用于云端存储装置的完整解决方案(2013-08-01)
及通讯科技）产业。
晶体管
另外晶体管也是本次推出产品之一，包括高-VDSS MOSFET—TKxx系列，低-VDSS MOSFET—TPCA系列以及小信号MOSFET: SSM系列......
谈一谈现行稳压器和开关稳压器的区别(2024-04-22)
着的电压降低到升压和升降压等各种拓扑。
开关稳压器
开关稳压器使用电源开关、电感器和二极管将能量从输入传输到输出并调节电压。 它们通过电源开关（通常是场效应晶体管（FET），并由......
于移动设备USB端口、电池管理系统、逆变器和整流器等。CoolGaN™ Smart Sense 产品具有无损电流检测功能，简化了设计并进一步降低了功率损耗，同时将各种晶体管开关功能集成到一个封装中，适用......
Nexperia推出用于热插拔的全新特定型应用MOSFET(2022-11-18)
品广泛应用于全球各类电子设计。公司丰富的产品组合包括二极管、双极性晶体管、ESD保护二极管件、MOSFET二极管件、氮化镓场效应晶体管(GaN FET)以及模拟IC和逻辑IC。Nexperia总部......
Nexperia首次推出 用于48 V汽车和其他更高电压总线电路的80 V RET(2021-01-12)
器件、MOSFET器件、氮化镓场效应晶体管(GaN FET)以及模拟和逻辑IC。Nexperia总部位于荷兰奈梅亨，每年可交付900多亿件产品，产品符合汽车行业的严苛标准。其产品在效率（如工艺、尺寸、功率及性能）方面......
车规级氮化镓ToF可在28A并具1.2ns脉宽的脉冲电流驱动激光(2020-01-14)
测物件的速度及准确性非常重要。EPC9144演示板展示出通过AECQ101认证的车规级EPC2216氮化镓场效应晶体管具备快速转换性能，与等效MOSFET相比，EPC2216的功率脉冲可以快速10倍的......
扩产！安世半导体新8英寸晶圆生产线启动(2021-06-24)
（安世半导体）是闻泰科技的子公司，分立式器件、逻辑器件与MOSFET器件的专业制造商，其生产的产品包括二极管、双极性晶体管、ESD保护器件、MOSFET器件、氮化镓场效应晶体管 (GaN FET) 以及......
相关企业
;苍南INT;;苍南INT 从国际知名品牌获得半导体原材料：IC，二极管，晶体管，FET ，Mos管等。代理供货商为Didoes ,Atmel,Vishay,Dialog,Little fuse
和FET,功率双极晶体管和FET, IGBT, etc） h. 二极管（整流、齐纳、开关二极管,SBD,变容二极管,etc） i. 晶闸管/可控硅 II 罗姆电子 a. ASSP（音视频用IC
;思高捷科技有限公司;;Mosfet晶片组（IR）与FPGA（Xilinx） 、CPLD（Altera） 、特定应用IC（Intersil,TI）、晶体管（ROHM,ST）, 模拟IC（ADI
;丰泰电子（香港）公司;;ROHM大中华区专业经销商。分离式半导体如晶体管，场效应晶体管MOSFET、双极晶体管、数字晶体管、复合晶体管；二极管，肖特基势垒二极管、整流二极管、整流二极管、开关
电源、电焊机、仪器仪表、汽车电子等领域的推广，服务与销售。 代理产品线： ROHM（罗姆）半导体：电源管理IC；MOSFET；晶体管（包括：双极晶体管，复合晶体管，数字晶体管）；二极管（包括：肖特
,锂离子电池保护，充电控制，MOSFET/IGBT驱动，78/79系列，LDO，电压参考，电压监控分立器件：功率晶体管，达林顿管，MOSFET，IGBT，小信号,整流,稳压,肖特基,调谐二极管，可控
桩、变频器、逆变器、BMS电池保护板及通信等领域 ◆ RENESAS（瑞萨） MCU RL78 78K RX RH850 RZ 等系列 ◆ TOSHIBA（东芝） 功率MOSFET 二极管 晶体管 光电
管 晶体管 光电半导体 通用线性IC ◆FUJI（富士电机） 功率MOSFET 电源控制IC 功率半导体（IGBT） 整流二极管 ◆德国EPCOS（爱普科斯） 气体放电管 Surge Arresters
;易信通科技有限公司;;深圳市易信通科技有限公司是一家MOS-FET(场效应晶体管)销售的专家,现推出台湾茂钿半导体股份有限(WWW.MTSEMI.COM)公司全线产品.产品主要有MT2300
日本的物流和基础设施问题导致硅供应中断，不仅会影响NAND闪存、DRAM、微控制器、标准逻辑、LCD面板和LCD元件，而且会影响分立器件等产品，如MOSFET、双极晶体管和小信号晶体管。 本文来自维库电子市场网 http