资讯
“薄膜生长”国产实验装置在武汉验收(2023-10-27)
“薄膜生长”国产实验装置在武汉验收;据武汉市科技局官微消息，日前，芯片生产中的重要设备——“”实验装置在武汉通过验收，这项原创性突破可提升芯片质量。本文引用地址：据悉，是芯片生产的核心上游。这套......
中国科研团队第四代半导体氧化镓领域获重要突破(2024-04-19)
薄膜生长方面，研究团队利用分子束外延技术（MBE）实现了高质量、低缺陷密度的外延薄膜生长。并通过改变反应物前驱体和精密控制生长参数，成功实现了β-Ga2O3外延薄膜的均匀生长和优良的晶体质量，有力......
中国科研团队第四代半导体氧化镓领域获重要突破(2024-04-19)
-Ga2O3薄膜生长方面，研究团队利用分子束外延技术（MBE）实现了高质量、低缺陷密度的外延薄膜生长。并通过改变反应物前驱体和精密控制生长参数，成功实现了β-Ga2O3外延薄膜的均匀生长......
第四代半导体氧化镓蓄势待发！(2024-08-26)
-Ga2O3薄膜生长方面，研究团队利用分子束外延技术（MBE）实现了高质量、低缺陷密度的外延薄膜生长，并通过改变反应物前驱体和精密控制生长参数，成功实现了β-Ga2O3外延薄膜的均匀生长和优良的晶体质量，有力......
原位拉曼系统--实时监测半导体薄膜生长全过程(2023-08-31)
原位拉曼系统--实时监测半导体薄膜生长全过程; 本文引用地址：
在半导体工艺中，薄膜沉积是在半导体原材料硅晶圆上分阶段生长薄膜的核心工艺。它在半导体电路之间起到区分、连接和保护作用。由于......
半导体所等在氮化物外延方法及新型器件研究中取得系列进展(2022-10-19)
了一种非常有前途的高温热电器件解决方案。
图1 WS2-玻璃晶圆上单晶GaN薄膜的生长
图2 WS2-玻璃晶圆上的AlxGa1-xN成核及单晶GaN薄膜生长。(a) 低温AlxGa1-xN成核......
攻关核心技术，湖北大学团队存储器成果荣获湖北省自然科学奖(2022-06-28)
及阻变存储器研究，取得系列突破：一是解决了高K介质薄膜生长过程中，介电性能和界面难以调控的问题；二是原位观测阻变存储器中氧空位的动态演变过程并揭示其阻变机理；三是发展了系列阻变存储材料及性能优化技术，实现......
日本团队采用新技术制备氧化镓晶体(2024-08-02)
技术和日盲光电探测器制备方面取得了重要进展，利用分子束外延技术（MBE）实现了高质量、低缺陷密度的外延薄膜生长，推动了氧化镓薄膜高质量异质外延的发展；中国电科46所通过改进热场结构和晶体生长工艺，成功......
半导体CVD设备国产化进行到哪步了？(2023-07-24)
学气相沉积（CVD）两大类，前者使用物理的方法（如蒸发、溅射等）使镀膜材料汽化，在基体表面沉积成膜，后者则利用气态或蒸汽态的物质在气相或气固界面上发生反应生成固态沉积物。
当前SiC薄膜生长主要是以CVD为主......
国产半导体设备实现关键突破！(2024-09-12)
统还具备高度的灵活性和适应性，能够满足不同规格、不同结构的硬脆材料加工需求，为半导体产业的多样化发展提供了有力支持。
02“薄膜生长”国产实验装置在汉验收
去年四季度，据长江日报消息，半导......
ReRAM即将跨入3D时代(2017-07-04)
现氧空缺的介电层中，观察其能隙中的电子状态
Egorov说：「为了研究在氧化钽薄膜生长过程中形成的氧空缺，我们使用了一种整合生长PEALD[电浆辅助原子层沉积]和分析XPS(X射线光电子能谱仪)腔室(以真......
设备业繁荣期冲进世界前十，ASM的ALD和EPI有何特色？(2023-01-07)
厚度的精确控制。因此，原子层沉积是一种精确可控的薄膜生长技术。
原子层沉积最早被用来开发电致发光薄膜器件，1974年，Tuomo Suntola发现ALD这种先进的薄膜......
沧州明珠部分锂离子电池隔膜生产线投产(2024-04-02 10:10)
沧州明珠部分锂离子电池隔膜生产线投产;沧州明珠4月1日午间公告，截至公告披露日，由公司全资子公司芜湖明珠制膜科技有限公司负责实施的“年产3.8万吨高阻隔尼龙薄膜项目”的两条BOPA薄膜生......
国际首次，中国芯片再突破！(2024-04-19)
增加到100纳米，并可朝着单片集成发展。
报道称，研究团队通过迭代电子束曝光和干法刻蚀工艺，攻克高质量氮化镓晶体薄膜生长、波导侧壁与表面散射损耗等技术难题，在国......
世界首个！我国团队研制出氮化镓量子光源芯片(2024-04-19)
朝着单片集成发展。
研究团队通过迭代电子束曝光和干法刻蚀工艺，攻克了高质量氮化镓晶体薄膜生长、波导侧壁与表面散射损耗等技术难题，在国际上首次将氮化镓材料运用于量子光源芯片。
据电......
国际首次 中国成功研制出氮化镓量子光源芯片(2024-04-19)
灯泡」，让互联网使用者拥有进行量子信息交互的能力。
研究团队通过迭代电子束曝光和干法刻蚀工艺，攻克了高质量晶体薄膜生长、波导侧壁与表面散射损耗等技术难题，在国际上首次将材料运用于芯片。
目前，量子......
停产、出售工厂，LG化学将退出液晶薄膜业务(2023-09-25)
停产、出售工厂，LG化学将退出液晶薄膜业务;据日经亚洲评论报道，韩国 LG 化学将停止生产液晶面板零部件，表示已结束韩国中部两家工厂的液晶显示薄膜生产，并已开始出售这些设施，因为......
三井化学将量产光刻薄膜新品，支持ASML下一代光刻机(2024-06-19)
三井化学将量产光刻薄膜新品，支持ASML下一代光刻机;日前，日本三井化学宣布将在其岩国大竹工厂设立碳纳米管 (CNT) 薄膜生产线，开始量产半导体最尖端的零部件产品（保护半导体电路原版的薄膜......
全球芯片正在破局...(2024-07-15)
科技大学基础与前沿研究院周强教授课题组、清华大学电子工程系孙长征教授课题组联合中国科学院上海微系统与信息技术研究所等机构，通过迭代电子束曝光和干法刻蚀工艺，攻克高质量氮化镓晶体薄膜生长、波导侧壁与表面散射损耗等技术难题，在国......
我国两条12英寸产线带来好消息！(2024-11-04)
出EPEE 550系列PECVD设备以来，已在客户端销售近千台，并在2019年推出EPEE i200/800系列PECVD设备，为近百家客户提供介质薄膜生长解决方案。2022年，公司推出的Lyra系列12英寸介质薄膜生长......
先导集团半导体沉积及镀膜设备生产基地项目签约徐州(2021-06-17)
（全球领先的薄膜真空设备制造的供应商），拟建设半导体沉积及镀膜设备的国产化生产基地。项目产品包括：化合物半导体薄膜设备、MEMS薄膜设备、MDS薄膜生产线、精密光学薄膜设备、TCO镀膜设备、HIT玻璃......
用于芯片生产的薄膜材料供不应求、价格上涨(2022-12-13)
着芯片制造商致力于开发新的半导体，对于半导体在光刻工艺中所需的薄膜材料需求增加。
此外，加上部分半导体厂商致力于开发更为先进的半导体材料进一步增加需求，以及许多现有的薄膜生产商正开发针对先进工艺的薄膜......
先导徐州51亿元半导体高端设备生产研发项目，预计10月投产(2022-05-13)
真空设备制造的供应商），拟建设半导体沉积及镀膜设备的国产化生产基地。产品包括：化合物半导体薄膜设备、MEMS薄膜设备、MDS薄膜生产线、精密光学薄膜设备、TCO镀膜设备、HIT玻璃镀膜设备、平板......
全球缺芯，传ASML扩产？(2021-04-23)
”传闻，更多是基于下游对短缺行情的声声催促，对ASML来说是“一种甜蜜的困扰”。
有资料显示，半导体制造工艺中涉及扩散、薄膜生长、光刻、刻蚀、离子注入、抛光等多种工艺，对应不同工艺、不同......
A股上市企业与武汉理工开发SiC晶圆外延设备(2024-06-14)
和销售光学镀膜设备、功能性薄膜涂层设备、装饰涂层设备、卷绕镀膜设备、汽车零部件镀膜设备、连续式磁控溅射镀膜生产线、超高真空系统等真空设备、ALD原子层沉积设备、半导体设备、电子生产设备、光电设备、光伏设备、动力......
8寸晶圆的产能在2022增长5%，2023年增长3%，2024年增长2%(2022-12-30)
工序皆由晶圆代工厂完成。主要包括扩散、薄膜生长、光刻、刻蚀、离子注入、抛光等工序，对应设备主要有扩散炉、氧化炉、CVD/PVD设备、清洗设备、光刻机、刻蚀系统、离子注入机、抛光机等。作为......
六部委对集成电路部分材料免于办理进口许可等证明(2024-01-03)
明确“对γ-丁内酯含量低于60%（含）的光刻胶、聚酰亚胺取向液、稀释剂、感光液、防反射薄膜生成液，免于办理进口许可；免于办理国内购买和运输备案证明。”公告自2024年1月1日起施行。
资料......
南京大学、东南大学在双层二维半导体外延生长核心技术取得新突破(2022-05-10)
南京大学、东南大学在双层二维半导体外延生长核心技术取得新突破;据科技日报报道，近日，南京大学王欣然教授团队与东南大学王金兰教授团队合作，实现了厘米级均匀的双层二硫化钼薄膜可控外延生长，该成......
江西2022重点招商引资项目公布，多个半导体产业项目上榜(2022-03-31)
高新区半导体芯片封装测试、薄膜生产项目，总投资额为30亿元，占地250亩，引进半导体芯片封装测试、薄膜生产线。
壕门电子传感器及应用设备生产基地项目，总投资额为10亿元，项目规划用地30亩，建设厂房、办公......
仿人眼传感器捕获生动图像，有助推动人工视网膜技术发展(2023-05-16)
过滤器可以将红色、绿色和蓝色分开，但过滤器只允许一种颜色到达光传感器的每个部分，浪费了2/3的入射光。
此次研究团队创造了具有严重不平衡电子空穴传输的薄膜钙钛矿，通过操纵不平衡钙钛矿的结构，或者......
干货|锂电池容量衰退因素汇总(2024-02-24)
干货|锂电池容量衰退因素汇总;一、析锂和SEI膜本文综合分析了锂离子电池容量衰退机理，对影响锂离子电池老化与寿命的因素进行分类整理，详细阐述了过充、SEI膜生长与电解液、自放电、活性材料损失、集流......
智能家居取暖控制系统解析(2024-09-19)
广东省和佛山市政府三千万元人民币研发经费支持，经过三年的不断钻研，开创了具有完全自主知识产权的石墨烯发热薄膜生产技术。中科四维在母公司深圳市奇信建设集团股份有限公司、中国科学院、广东省和佛山市政府的大力支持下，不断投入研发，开拓......
TDK 推出面向USB3.2/4应用的小型薄膜共模滤波器(2024-08-22)
范围内的阻抗匹配可控制高速USB线路的反射。内部线圈导体图案采用TDK专有的精细图案排列设计，使用了薄膜生产法并应用了TDK磁头......
中科院化学所在印刷制备单一取向有机半导体单晶阵列方面取得进展(2022-04-06)
界和低缺陷密度等特点，广泛应用于光电器件构建。由于有机单晶中载流子的输运具有各向异性，可控取向有利于实现最佳的电荷输运性能，同时取向一致的单晶阵列有利于减少器件集成串扰与性能差异。然而，有机半导体晶体的成核和生长......
我国科研团队成功突破新型太阳能电池制备难题(2024-08-05)
高质量晶核加速“生长”，抑制低质量晶核“生长”，从而制备出均匀的高质量宽带隙钙钛矿薄膜。
北理工材料学院助理教授陈怡华介绍，团队基于这一创新思路，分别制备出1平方厘米和25平方厘米的钙钛矿/晶硅......
自力更生！韩国研发出替代氮化镓的新材料(2020-03-09)
在光电效率和长期设备稳定性方面的表现也很出色。”
研究人员开发的碘化铜半导体可以在缺陷少的低成本硅基板上生长，因此具有使用目前可商购的大尺寸硅基板（300毫米）的优势。此外，碘化铜薄膜的生长......
GaN开启了“无限复制”时代！(2024-02-22)
的研究团队已经开发出了仅采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）的氮化镓（GaN）半导体远程同质外延技术。
外延技术，即在半导体制造中将半导体材料生长成对齐良好的薄膜，对于半导体制造至关重要。使用外延技术进行的GaN远程......
总投资60亿元的先进化合物半导体项目落户江苏宜兴(2022-03-16)
砷化镓光伏电池、锗基砷化镓和高比能量储能电池等，拥有从砷化镓薄膜外延生长到薄膜电池组件覆盖生产全过程的全部关键技术的知识产权。
消息显示，截至目前，德融科技已在宜兴建设总投资20亿元的柔性薄膜......
太阳能发电材料技术迎来突破 浙大成果登上《自然》(2023-07-05)
科学家都没明白短短几秒时间里，到底发生了什么。
钙钛矿薄膜成核及生长的全过程原位监测
为此，薛晶晶团队就把研究方向聚焦到这个“反应盲盒”里，研究晶体结构的生成奥秘。通过0.18秒的速度“拍照”，发现......
60亿元德融科技先进化合物半导体材料及元器件项目落户宜兴(2022-03-15)
宜兴德融科技有限公司成立于2015年，是一家研发和生产航空航天飞行器电源系统核心器件的高科技企业，主要产品包括柔性薄膜砷化镓光伏电池、锗基砷化镓和高比能量储能电池等，拥有从砷化镓薄膜外延生长到薄膜......
离子电子学的突破：用于改进电池和先进计算的单晶薄膜设备诞生(2023-08-14)
马克斯-普朗克微结构物理研究所、剑桥大学和宾夕法尼亚大学的研究人员在 7 月 27 日发表在《自然-材料》（Nature Materials）杂志上的一篇论文中，成功地展示了高质量 T-Nb2O5 单晶薄膜的生长......
奥趋光电成功制备出高质量3英寸氮化铝单晶(2022-12-23)
硅基氮化铝、氮化铝钪薄膜模板、氮化铝单晶气相沉积炉及热处理设备等产品，同时向客户及合作伙伴提供从设备设计、热场设计、热场模拟仿真技术开发、咨询及生长工艺优化到晶圆制程等全环节的完整工艺解决方案与专业技术服务。截止......
Shin-Etsu Chemical进一步推进QST®基板业务，促进在GaN功率器件中的应用(2023-09-06)
一个例子是显著改进了源自键合工艺的缺陷问题，从而实现了高质量QST®基板的供应。此外，针对众多客户要求的更厚的GaN薄膜，我们还推动了提供具有优化缓冲层的模板基板，使客户能够实现厚度超过10μm的薄膜的稳定外延生长。另外，我们......
速度！湖北恩捷16条隔膜生产线全线贯通(2024-08-23)
速度！湖北恩捷16条隔膜生产线全线贯通;近日，恩捷股份旗下湖北恩捷16条隔膜生产线全线贯通，这是继恩捷股份旗下江西恩博10条干法隔膜生产线全线贯通、江苏恩捷16条隔膜生产线全线贯通后，又一......
芯片上“长”出原子级薄晶体管，可大幅提高集成电路密度(2023-05-04)
芯片上“长”出原子级薄晶体管，可大幅提高集成电路密度;
研究人员拿着一块8英寸的二硫化钼薄膜的CMOS晶圆。右边是研究人员开发的熔炉，使用不损害晶片的低温工艺在晶片上“生长”一层二硫化钼。图片......
总投资2.5亿元！又一光伏胶膜项目建成投产(2024-04-03 09:36)
总投资2.5亿元！又一光伏胶膜项目建成投产;3月31日，浙江光晖达新材料一期光伏胶膜项目建成投产。据悉此次投产的一期项目，计划建设15条光伏胶膜生产线，项目建成后产能将达到1.5亿平方米。本次投产6......
11家半导体等企业披露IPO最新进展(2024-12-09)
方米，总建筑面积9.28万平方米。该项目一期购置安装3条德国布鲁克纳双向拉伸聚丙烯薄膜生产线，配备分切机及相关辅助设备。二期购置安装4条德国布鲁克纳双向拉伸聚丙烯薄膜生产线，配备分切机及相关辅助设备。预计......
重大进展！中国团队成功实现12英寸二维半导体晶圆批量制备技术(2023-07-11)
单层过渡金属硫族化合物晶圆的高质量制备。多个生长模块可通过纵向堆叠组成阵列结构，实现多种尺寸晶圆薄膜的低成本批量化制备。
该研究成果为二维半导体晶圆的大尺寸、规模化制备提供了一种全新的技术方案，有望......
集成高 k 钙钛矿氧化物和二维半导体的新型晶体管(2023-01-04)
兼容。实现大规模二维半导体集成电路的先决条件是原材料的高质量和均匀性的大规模生产。硅晶片是通过切割大块单晶锭获得的，而大面积的二维半导体通常是通过自下而上的沉积方法获得的。生长......
复旦最新成果：用于规模化集成电路制造的12英寸高质量二维半导体问世(2023-10-07)
果展示的绝缘体上二维材料（2D-OI）具有原子级的半导体沟道，在先进制程中可以充分发挥二维半导体的优势。此外材料表征结果证明，生长的二维薄膜晶粒间有着良好的原子级拼接，在室温下二维晶体管的电学性能和晶粒大小、多晶......
相关企业
;上海翔升新型薄膜有限公司;;上海翔升新型薄膜有限公司是中国国内第一家防爆膜生产厂家，专业生产建筑玻璃膜,安全膜,隔热膜,建筑玻璃膜,汽车贴膜,汽车膜,防爆膜,建筑玻璃贴膜,建筑贴膜,玻璃贴膜的美国高端贴膜生
产量不足，每年需依赖进口，公司把握这一市场契机，聘请了高阻隔聚酯薄膜生产技术专家，为本项目的实施作好了充分的技术准备。因此，引进国际先进的三层共挤双向拉伸聚脂薄膜生产线有可靠的技术保障。 公司还引进国际先进的三层共挤聚酯薄膜生
界多家先进仪器和设备的代理。涵盖薄膜生长设备、半导体测试设备、低温制冷设备、真空设备以及微电子、光电子产品的检测设备等。飞斯科科技公司本着专业、重信誉和注重服务的宗旨为客户提供整体解决方案，以最佳的成本效益将最先进的仪器和设备提供给客户。
;富维薄膜（山东）有限公司;;公司占地120亩，规划用地200亩，是山东省科委认定的高新技术企业。公司现拥有2条具有当今世界先进技术水平的双向拉伸聚酯薄膜生产线，年产8－75μm各种高档聚酯薄膜
平方米，建筑面积9800平方米，企业总资产1.8亿元，固定资产6400万元，拥有7条PVC压延薄膜生产流水线。专业生产PVC压延薄膜系列产品，主要产品有：最新欧盟REACH标准,不含6p环保
动超声波口罩机、口罩上带机、全自动超声波园帽机，一次性全自动乳垫生产线、乳垫成型机，全自动床垫机； PE 流延膜生产线， PE 多层共挤流延膜生产线，大型涂膜机、淋膜机、塑料薄膜造粒机，塑料薄膜粉碎机，流延
PC薄膜，包含丝印PC，环保阻燃PC，无卤阻燃PC,防静电PC，加硬PC，拉丝PC等。 公司具有专业的薄膜生产产线，同时配备齐全的实验设备，可检测材料的各项物性资料。有关阻燃材料环保和阻燃性能，每批
;河北世纪恒塑胶有限公司;;本公司专业生产PE流延膜、无纺布。现有国内先进的流延膜生产线4套，热轧无纺布一套、热风无纺布一套。年生产薄膜3600吨，无纺布1000吨，产品主要用于个人卫生护理，医疗
;苏州华亿宝包材有限公司;;苏州华亿宝薄膜电子材料有限公司，是一家及科研开发、生产加工、经营销售为一体的PE静电膜生产企业。公司座落在美丽的苏州相城区北桥经济开发区，交通便捷，毗邻苏虞张公路，紧挨
多年被评为浙江诚信企业暨质量达标单位、中国消费者公认诚信示范单位…… 本厂拥有最先进的共挤薄膜生产线，具备各种最新类型的塑料挤出机系列，随着高新技术的发展，为满足市场需求，企业一直致力于技术水平的提高、更新