热离子二极管

 SiC 材料的密度和硬度，要进行掺杂剂的注入、精确布局和活化的难度非常之大，同时还要最大程度降低对晶格的破坏，避免性能和电源效率的降低。应用材料公司通过其全新的 VIISta® 900 3D 热离子...

少了环氧树脂和塑料外壳的厚度，从而实现了薄膜电容器的小型化。   小型锂离子二次电池 小型锂离子二次电池（）是尼吉康近年来的一个创新应用产品，相比于超级电容来说，小型锂离子二次电池放电时间能够更长，比一般使用的锂离子二...

最大限度减少对晶格的破坏，以避免降低效能和功率效率。应材150毫米和200毫米SiC晶圆的新型VIISta 900 3D热离子植入系统，可以解决这些挑战。因热植入技术在注入离子时对晶格结构的破坏最小，与常温植入相比，电阻...

迅速关断，从而实现过电流或短路保护。 二、单节锂电池充电电路 1、二极管充电电路 原理...

的单向导电特性。当输入电压为正半周时，两个与正离子接触的二极管导通，将电流传输至负载。而在输入电压的负半周中，与负离子接触的二极管导通，依然将电流传输至负载。这样，交流...

东芝推出20款适用于汽车设备的浪涌保护齐纳二极管产品; 【导读】东芝电子元件与存储株式公司(“东芝”)推出了浪涌保护齐纳二极管“XCUZ系列”，该二极管通过了AEC-Q101认证，适用...

，寻找符合汽车坚固性标准并确保温度范围为 -55 ### 125°C。为了保护电池组免受系统引起的瞬变、ESD 和其他类型的瞬变的影响，我们建议使用瞬态电压抑制器 （TVS） 二极管。表面...

Vishay推出新型EMIPAK 1B封装二极管和MOSFET功率模块;Vishay推出新型EMIPAK 1B封装二极管和MOSFET功率模块，为车...

比高。 · 安全保护机制：过压、过温、堵风口停机保护。 · 辅助电源BP85226DF，集成VCC电容、续流二极管反馈二极管，支持快速开关机。 MCU原理图 图1：MCU主控是电机的心脏，高速M0...

峰值检波器和缓冲放大器。供电电压范围为以单节锂离子电池或三节 NiMH 电池为电源的操作进行了优化。 采用一个片上肖特基二极管对 RF 输入电压进行峰值检波。检波...

Vishay推出新型EMIPAK 1B封装二极管和MOSFET功率模块; 【导读】宾夕法尼亚、MALVERN — 2022年11月24日 — 日前，Vishay...

吉康的技术无需塑料壳，这样减少了零件数量，提高了冷却效率同时也减少了尺寸。 陈博杰表示，尼吉康很多产品工作温度在-55℃至125℃之间，其高可靠性非常适合户外严苛环境下应用。 小型锂离子二...

作原理就没有改变过。电池中的每个电池都由两个半电池组成，这两个半电池通过电解液串联在一起。电池的 1/3 由阳极和阴极两部分组成，阳极的正离子从电解液流向阴极。 齐纳二极管 - 这种二极管在反向偏置状态下工作，当电...

电池或 3.3V 逻辑电源轨。其 2.2MHz 的恒定开关频率允许使用纤巧外部元件。LT3048-15 采用 2mm x 2mm DFN 封装，集成了一个肖特基二极管，可为...

保护机制：过压、过温、堵风口停机保护。 · 辅助电源BP85226DF，集成VCC电容、续流二极管反馈二极管，支持快速开关机。   MCU原理图 图1：MCU主控是电机的心脏，高速M0内核 （一）MCU...

LTC4088数据手册和产品信息;LTC®4088 是一款高效率 USB 电源路径控制器和锂离子 / 锂聚合物电池充电器。该器件包括一个同步开关输入稳压器、一个全功能电池充电器和一个理想二极管...

MAX1551数据手册和产品信息;MAX1551与MAX1555通过USB和AC适配器电源为单节锂离子(Li+)电池充电。它们不需要外部FET或二极管，可以接受最高7V的输入电压。 片上...

种情况下，降压- 升压转换器是最常见的双向DC-DC 拓扑，因为它需要的组件少且易于控制。在此类双向系统中，两个带有并联二极管的650 V IGBT 或MOSFET 就足够了。例如，安森美的650 V...

它需要的组件少且易于控制。在此类双向系统中，两个带有并联二极管的650V IGBT或MOSFET就足够了。例如，650V FS4 IGBT FGH4L75T65MQDC50集成了二极管，可在...

个极高输入阻抗的缓冲放大器组成，一个二极管电桥开关将两个放大器相连。 高精度和低下降率 SMP11使用双极性达林顿电路，并通过离子植入工艺来产生Super-beta晶体管，从而实现了高输入阻抗和低下降率。 输出...

架构 宽VDD电压，工作范围为6V至18V（最大绝对值为20V） HS引脚可承受高达-10V的电压和50V/ns电压转换速率 集成0.5Ω典型自举二极管，无需使用外部分立二极管 VDD和引导UVLO...

吉尼亚大学 (University of Virginia) 取得电机工程硕士和博士学位，致力于为太赫兹应用开发的肖特基二极管技术上。Dr. Crowe团队的重要成就为创造平面二极管和集成二极管电路，其中最引人注目的是首款平面混频器和变容倍频二极管...

吉尼亚大学 (University of Virginia) 取得电机工程硕士和博士学位，致力于为太赫兹应用开发的肖特基二极管技术上。Dr. Crowe团队的重要成就为创造平面二极管和集成二极管...

的规划中，又“老老实实”把沟槽器件当作最终目标。在这背后，国产是否也有机会？ 挖坑提升性能 SiC功率器件研究要追溯到上世纪80年底啊，自从2001年Infineon推出第一款商业SiC二极管...

和适配器电源工作。 TC4056A 高达 1000mA 的可编程充电电流无需 MOSFET、检测电阻器或隔离二极管用于单节锂离子电池、采用 SOP 封装的完整线性充电器恒定电流/恒定电压操作，并具...

电池充电器 ADP3810/3811控制输出的电流驱动直接连接到光耦合器的光电二极管，无需额外电路。其 4mA 输出电流能力可驱动各种光耦合器 - 此处使用 MOC8103。光电晶体管的电流流过RF，在 3845...

，R17和R18是Q1和Q2的关机栅极电荷泄放电阻，D9是开机瞬间浪涌电流分流二极管。 2、三星等离子V4屏开关电源PFC部分激励电路分析 图3-3所示是三星V4屏开关电源PFC激励...

后其输出端(CD4011BP第④脚)为高电平，故发光二极管LED截止而不能点亮。同时D3输出端(CD4011BP第⑩脚)也为高电平。 根据两输入端与非门：“有低出高，全高出低”的逻辑功能可知.D3输出端将始终为高电平，D4...

第三代半导体更是各方竞相角逐的重点领域。 半导体设备龙头应用材料（Applied Material）9日推出新产品Mirra Durum CMP系统及VIISta 900 3D热离子植入系统，帮助...

关于家电产品LED发光二极管引脚不上锡的失效机理研究与分析;本文引用地址：0   引言 发光是家用电器中常用的电子元器件，引脚焊接不上锡将严重影响电器产品性能，而电...

等。 二极管又称晶体二极管,简称二极管(diode)，另外，还有早期的真空电子二极管；它是一种具有单向传导电流的电子器件。在半导体二极管内部有一个PN结两个引线端子，这种...

。 器件采用了内部PMOSFET架构，内置防倒充电路，不需要额外增加外部隔离二极管。PLC40561T充电...

应用 HO系列产品广泛适用于电泳，质谱，光谱，电子束，离子束，核辐射探测、光电倍增管、雪崩二极管...

●   全集成功率开关管，无需外部阻断二极管 ●   内置可靠充电保护功能，包括电池温度监测和可编程定时器 ●   内置电池断开功能 ●   芯片...

列是为了满足电源系统中需要产生高电压、并且对输出电压稳定性要求高的应用场合而设计开发的产品。同时，可针对特殊需求提供产品定制。 二、产品应用 HO系列产品广泛适用于电泳，质谱，光谱，电子束，离子束，核辐射探测、光电倍增管、雪崩二极管...

池正负极反接保护•高达 1A 的可编程充电电流•无需 MOSFET、检测电阻器或隔离二极管•直接从 USB 端口给单节锂离子电池充电•精度达到±1%的 4.2V 预设充电电压•用于...

携式电子设备中的应用特征： •锂电池正负极反接保护 •高达 1A 的可编程充电电流 •无需 MOSFET、检测电阻器或隔离二极管 •直接从 USB 端口给单节锂离子电池充电 •精度达到±1%的 4.2V 预设...

注入机以提升器件性能或产能。新兴应用推动了离子注入技术创新，以消费市场为例，智能手机对于相机像素的要求越来越高，图像传感器（CIS）需要制备更高深宽比的深层光电二极管。此时，离子...

传感器，功率半导体等热门应用领域均可利用离子注入机以提升器件性能或产能。新兴应用推动了离子注入技术创新，以消费市场为例，智能手机对于相机像素的要求越来越高，图像传感器（CIS）需要制备更高深宽比的深层光电二极管...

传感器，功率半导体等热门应用领域均可利用离子注入机以提升器件性能或产能。新兴应用推动了离子注入技术创新，以消费市场为例，智能手机对于相机像素的要求越来越高，图像传感器（CIS）需要制备更高深宽比的深层光电二极管...

手机对于相机像素的要求越来越高，图像传感器（CIS）需要制备更高深宽比的深层光电二极管。此时，离子注入的能量将达到8MeV、最高甚至超过10MeV，高能离子注入机成为不可替代的选择。同时，先进...

注入机以提升器件性能或产能。新兴应用推动了离子注入技术创新，以消费市场为例，智能手机对于相机像素的要求越来越高，图像传感器（CIS）需要制备更高深宽比的深层光电二极管。此时...

至18V（最大绝对值为20V）• HS引脚可承受高达-10V的电压和50V/ns电压转换速率• 集成0.5Ω典型自举二极管，无需使用外部分立二极管• VDD和引导UVLO防止低栅极电压驱动NFET...

备的模块化设计允许将多个单元组合在一起，使产生的电压和电流增加。串联20个这样的单元，就能点亮一个发光二极管。 ...

在大功率工作或环境温度高的条件下限制硅片温度。该功能使用户可设定一个大充电电流，而不会有损害 LTC1733 或手持产品的危险。 由于采用了内部 MOSFET 的结构，因此无需外部电流检测电阻和隔离二极管。充电...

于各种有色或无色物质，具有灵敏度高、可靠性强等优点。 光电二极管阵列检测器(DAD检测器)：实际上是紫外检测器的一种，可以进行全波长检测，实现3D光谱分析。虽然使用量不大，但由于其关键技术尚未被广泛掌握，制造...

均包括一个具自动负载优先级处理功能的双向开关 PowerPath™ 控制器、一个电池充电器和一个理想二极管。 LTC4160 / LTC4160-1 的双向开关稳压器能够把可从 USB 端口获得的功率几乎全部传输至负载，而产生的损耗和发热量极少，从而...

是产生硅应力的另一个原因，因为封装会吸收水分。硅应力会随着时间的推移而松弛，从而导致基准电压的长期漂移。 电池测量IC使用带隙基准电压或齐纳基准电压。IC设计人员使用反向击穿时的NPN发射极-基极结作为齐纳二极管...

式应用的理想选择。SD130T可以适合USB 电源和适配器电源工作。 由于采用了内部PMOSFET架构，加上防倒充电路，所以不需要外部检测电阻器和隔离二极管。热反馈可对充电电流进行自动调节，以便...

ADR293数据手册和产品信息;ADR293是一款低噪声、微功耗、精密基准电压源，采用XFET®（外加离子注入场效应管）基准电压源电路。与传统的带隙和嵌入式齐纳二极管基准电压源相比，XFET架构...