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如何测量功率回路中的杂散电感;影响IGBT和SiC MOSFET在系统中的动态特性有两个非常重要的参数：寄生电感和寄生电容。而本文主要介绍功率回路中寄生电感的定义和测试方法，包括直流母线电容的寄生电感......
输入每相增加保险丝作为过流与短路保护，相地间增加压敏作为防雷击保护，此雷击通常指感应雷。 由于直流母排到IGBT以及IGBT本身存在杂散电感，根据电感续流的特性，在IGBT关断瞬间会在CE两端产生感应电压尖峰，杂散电感用Ls......
,setup为设置杂散电感，Lσ,module为模块杂散电感。如[7]中所述，杂散电感对器件性能有显著的影响。在本研究中，主要影响是由于存在ΔLσ,module，因为Lσ,setup未发......
带技术通过顶部散热优化了热管理，提高了功率晶体管的性能。 图 2. 功率晶体管演化史 在电力电子系统中，降低杂散电感对于实现更高开关频率和提高效率起着至关重要的作用。较之传统的THD封装或功率模块，SMD封装可以大幅降低杂散电感......
和SiC功率模块自身电感的影响，电路会产生很高的尖峰电压，因为尖峰电压V=杂散电感L×开关速度di/dt。 尖峰电压过高会带来多个方面问题，一是增加了SiC模块的开关损耗，使系统发热严重；二是会影响......
在系统层面上性价比。 与1200V共集电极IGBT模块组合，可以实现NPC2拓扑结构，与1200V的NPC1拓扑结构相比杂散电感小，可以把IGBT开关得更快，这一相同的封装尺寸下，系统......
谐波可能会使系统过热。 图 2. 电感对浪涌电压的影响。图片由 Bodo’s Power Systems提供 图 3. 转换器的电气图。图片由 Bodo’s Power Systems提供......
接头的屏蔽与电缆中心导体互联， 以降低对地杂散电容的影响。 3.3 4端子法 设置独立的电压检测电缆， 以消除由于测试电缆串联阻抗所引起的电压降和接触电阻的影响， 是一种减少低阻抗测试误差的方法。 但需......
来说并不实用，因为采取了主动措施来减少 GaN 电路中的杂散电感以提高开关性能。因此，GaN 器件需要替代的短路和过流保护方法。近的研究提出了一种用于保护的分立式短路/过流电路，但它......
x 267.5 mm。 在设计系统时，需要考虑五个关键点： 使用碳化硅（SiC）技术可实现的高功率密度。虽然碳化硅（SiC）支持在更高温度下运行，但高功率密度需要采用先进的散热技术。 开关速度快会令系统更容易出现杂散电感......
客户进一步提升整机在热和电气性能方面的能力拓展了空间。 具有低杂散电感、高阻断电压、高功率密度、高可靠性 士兰270A/750V IGBT模块，具有低杂散电感和高阻断电压、高功率密度、高可靠性的特点，可以......
基本都是绑定线这种形式，当然也有带状绑定线的形式。而这类模块的回路杂散电感一般从9nH到20nH以上，其实对于SiC等高速开关器件来说是存在一定限制的。 因为在硬开关操作过程中，回路杂散电感......
电机于2010年开始推出搭载SiC芯片的功率半导体模块。此次，新模块采用低损耗SiC芯片和优化的内部结构，与现有的Si IGBT模块相比，内部杂散电感减少约47%*1，并显......
恶劣工况下内管的电压应力，优化外围直流母线及功率走线杂散电感或是调整外围驱动参数以改善内管的电压应力，避免器件过压失效。 图13 F3L400R10W3S7双脉冲实测波形 同时通过DPT也可量化两种换流回路杂散电感......
能源凭借其卓越的技术实力，研发的高性能汽车功率半导体模块——ECN30系列功率模块，这一创新产品专为电动汽车设计，具备出色的散热性能与极低的杂散电感，确保了在高强度、恶劣......
已集成到欧洲和亚洲 OEM 的多款车辆中。  EMR4 的电力电子控制器（逆变 ）基于第四代电力电子控制器平台(EPF4.0)。Vitesco Technologies 可以利用其在逆变器技术开发方面的广泛和长期经验来实现具有低杂散电感......
确保测量精度不受PCB或测试装置的杂散电容和电感影响。您可以通过使用低电容探头、在PCB上使用短连接线，并且避免在信号走线下大面积铺地来尽可能规避这些问题。   如今，运算放大器已被广泛用于各种电子电路中。它们......
么一般条件下无需缓冲电容器？   ModCap 采用特殊结构设计，能最大限度减小杂散电感，整个系列的电感值均不超过 14 nH。新颖的设计还使其能靠近 IGBT 模块安装，最大限度缩短了引线。加上低至 14 nH 的超......
“电压振荡”）的形成很大一部分来自电回路中无法消除的杂散电感的存在 。二极管在关闭的过程，杂散电感因变化的电流而产生感应电压。 与传统的Si-IGBT相比，使用SiC-MOSFET会导致更高的di/dt......
面积相对硅基较小，所能容纳的铝绑定线数量变得有限，同时SiC的高速开关特性，对于模块的寄生参数更为敏感，这一点我们在之前的crosstalk现象中有所涉及： SiC Crosstalk小叙 同时铝绑定线的杂散电感......
电动汽车的发展将基于直流电压800V的碳化硅MOSFET逆变器。而基于碳化硅的eMPack便应运而生。 超高峰值电流、快速切换瞬态、高可靠性和便捷组装，以及为了满足和母线电容连接后的低杂散电感，增加......
FWD。因此，采用低电感对称结构十分重要[3]。使用成熟的无基板EasyPACK™平台可以解决这个问题。[12]中已经证明，在基于带状线方式的Easy2B功率模块中，杂散电感仅为8nH。 新开......
;因此，转换器的行为类似于反激式，变压器电感等于并联等效值17.5 μH。 在这种组合式反激式Ćuk转换器（如图16所示）中，低变压器漏感对于高效能量传输仍然至关重要，但它对一个电压域中输出之间的交叉调节的影响......
di/dt会在Lcs上产生正向压降，降低了GaN的实际栅极电压，增大了开通损耗。 NSG65N15K减小杂散电感的影响。 如上图所示，NSG65N15K通过将驱动器和GaN合封在一起，消除了共源极电感......
探头的频率特性设置包括探头的头部。然而，如果在DUT的测量引脚上安装延长电缆的话，在观察几十ns的高速开关波形时，会在杂散电感LEXT和电压探头主体的输入电容C之间引发谐振现象，从而......
额外的开关损耗；此外，在GaN开通过程电流增大，由于di/dt会在Lcs上产生正向压降，降低了GaN的实际栅极电压，增大了开通损耗。 NSG65N15K减小杂散电感的影响 如上图所示，NSG65N15K通过......
减小杂散电感的影响 如上图所示，NSG65N15K通过将驱动器和GaN合封在一起，消除了共源极电感Lcs，并且将栅极回路电感Lg也降到最小，避免了杂散电感的影响，可以有效地提高系统效率与可靠性。 ......
额外的开关损耗；此外，在GaN开通过程电流增大，由于di/dt会在Lcs上产生正向压降，降低了GaN的实际栅极电压，增大了开通损耗。 NSG65N15K减小杂散电感的影响 如上图所示，NSG65N15K通过......
与电容振荡，限制IGBT集电极电压的尖脉冲值。 栅极电阻值小——充放电较快，能减小开关时间和开关损耗，增强工作的耐固性，避免带来因dv/dt的误导通。缺点是电路中存在杂散电感在IGBT上产......
了开通损耗。 NSG65N15K减小杂散电感的影响 如上图所示，NSG65N15K通过将驱动器和GaN合封在一起，消除了共源极电感Lcs，并且将栅极回路电感......
用无铜底板直接液冷设计，以保证更高的功率循环寿命和更低的热阻。同时，还具有杂散电感非常小，适合SiC高速开关等特点。    赛晶半导体始终坚持自主研发的战略方向，以业内顶级技术专家团队为核心，继推出“i20系列......
发送端，使之脉冲波形产生上冲和振铃，因此，应尽量减小负载电路的等效电感和电容。尤其是负载电路的接地线过长时，形成的地线电感和杂散电容相当可观，其影响......
速开关波形时，会在杂散电感LEXT和电压探头主体的输入电容C之间引发谐振现象，从而产生叠加在原始电压波形上的高频电压振铃，这可能会导致观察到的浪涌比实际的浪涌更大。 图4. 电压差分探头的等效电路 ......
察几十ns的高速开关波形时，会在杂散电感LEXT和电压探头主体的输入电容C之间引发谐振现象，从而产生叠加在原始电压波形上的高频电压振铃，这可能会导致观察到的浪涌比实际的浪涌更大。 图4. 电压差分探头的等效电路　　 ......
逆变元件耐压和电流的选择： 考虑到瞬间过电压，IGBT的耐压通常为直流母线电压的两倍。 瞬间过电压受回路杂散电感和IGBT开关速度的影响，所以实际耐压的选择要视回路的杂散电感而定。 ①额定电压 方法......
储和家电应用领域。 具体来看，围绕汽车应用，带来了Mini HD2 灌胶模块。该模块主要应用于新能源汽车主驱逆变器，它使用高功率密度和效率的G3+ IGBT 芯片技术，可在保持杂散电感不变的基础上，让封......
内的旋转式实现方式中为±0.36°）。此外，其低于20μs的延迟可通过编程减少至零，这意味着可以实现快速控制环路，确保系统具有卓越的响应能力。这种基于电感的标准产品对杂散电磁场具有天然的抗扰度（ISO 11452......
) 基于氮化镓器件的激光雷达解决方案 是什么？ 飞行时间(ToF)激光雷达的应用案例 驱动设计与控制 杂散电感的影响 使用氮化镓器件的优势 3) 激光雷达专用eToF GaN集成电路(EPC21601......
出从逻辑高电平准换为逻辑低电平时，门1内部的晶体管将杂散电容连接到由接地路径创建的电感。 如果将电容连接到接地电感的晶体管表现出较小的电阻，则会创建高Q至串联谐振电路。可能......
坏图 十、杂散振荡 mos 管 能够在极短的时间内切换大量电流，输入也具有相对较高的阻抗，这会导致稳定性问题 。在某些条件下，由于周围电路中的杂散电感......
乘用车到高性能Formula-E赛车等各种应用。     日立能源的高性能汽车功率模块 RoadPak 兼具散热性、低杂散电感和长期稳定性，可以承受充满挑战的汽车环境，并能够发挥SiC MOSFET的功能和优势。 ......
连接，体积小巧，它可以支持从电动公交车、电动乘用车到高性能Formula-E赛车等各种应用。     日立能源的高性能汽车功率模块 RoadPak 兼具散热性、低杂散电感和长期稳定性，可以......
车用硅基 IGBT 的工作频率一般为10kH，同时由于电路中杂散电感等寄生参数的存在，IGBT 在开通和关断 瞬间会产生较高的du/dt 和 di/dt，如图 1(b)所示某款纯电动汽车用IGBT 模块......
 的工作频率一般为10kH，同时由于电路中杂散电感等寄生参数的存在，IGBT 在开通和关断 瞬间会产生较高的du/dt 和 di/dt，如图 1(b)所示某款纯电动汽车用IGBT 模块......
关断的过程中，IGBT 的电流下降产生较大的 di/dt, 由于回路中存在杂散电感，在IGBT 的上叠加反向电动势，delta V=L*di/dt。  产生较大的电压尖峰，由于优化了线路中的杂散电感......
简单粗暴的切换可能无法充分利用新的半导体材料的潜力，即使它的工作没有问题。应该考虑尽量减少直流母线连接和栅极驱动器上的杂散电感，而且在大多数情况下，保护方案也需要调整。由于这需要时间，开发项目应尽早开始，即使目前SiC的供应情况看起来很紧张。......
-T1S采用无开关的多点连接，因此当单根线路上连接有多个ECU时，线束长度、分支引起的辐射及ECU电容成分增大，容易产生通信波形引起的振铃。因此，应对EMC的需尽可能减少线路间的杂散电容，并且......
于20μs的延迟可通过编程减少至零，这意味着可以实现快速控制环路，确保系统具有卓越的响应能力。这种基于电感的标准产品对杂散电磁场具有天然的抗扰度（ISO 11452-8标准要求）。同时，该传感器芯片的灵敏度不受热漂移的影响......
于20μs的延迟可通过编程减少至零，这意味着可以实现快速控制环路，确保系统具有卓越的响应能力。这种基于电感的标准产品对杂散电磁场具有天然的抗扰度（ISO 11452-8标准要求）。同时，该传感器芯片的灵敏度不受热漂移的影响......
能逆变器和风力发电机等。 器件的AI2O3直接敷铜（DBC）衬底改进了热性能，经过优化的布局有助于减小杂散电感，提高EMI性能。模块PressFit引脚......

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