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(SBD)是2001年上市的第一款商用碳化硅功率器件。SBD是SiC材料和肖特基二极管结构的组合,是Si PIN二极管的完美替代品。SBD优于Si PIN二极管的最重要特性是其快速反向恢复特性。它不......
(12V)或 10W(6V) 输出电压范围 5 至 14V 最大功率耗散: 10W (包括肖特基二极管的功率耗散) 典型压降值:2 至 2.75V(取决于负载电流) 最大电流:1.5A(内部......
耗为129W(@25℃)。相对其他同类产品来说导通特性好、损耗小、功率效率更高,具有更高的稳定性。 此外,B1D05120K碳化硅肖特基二极管的工作温度和储存温度范围都为-55℃~+175℃,满足的电动车充电工作......
降低开关频率或者采用dead time更小的MOS驱动芯片,或者外部并联肖特基二极管,减小VSD。 体二极管导通压降损耗 我们来比较因体二极管的正向压降Vf引起的损耗与理想4 mohm的......
电荷浓度的器件击穿特性比较。(c)封装器件反向恢复特性测试电路。(d)与已报道的氧化镓肖特基二极管的性能比较。 氧化镓光电探测器 光电探测器在目标跟踪、环境监测、光通信、深空探索等诸多领域发挥着越来越重要的作用......
硬件工程师入门基础元器件与电路原理; 本文介绍了硬件工程师入门的基础元器件,包括二极管、三极管、MOS管和IGBT。对比了肖特基二极管与硅二极管的特性,探讨了三极管作为开关的应用和......
它的性能和可靠性已经得到主要汽车厂商的认可。” 要了解有关Nexperia面向汽车和工业应用的650 V SiC肖特基二极管扩展系列的更多信息,请访问nexperia官网。 免责声明:本文......
卓越反向恢复性能意味着在实际使用中将具有较高效率。我们非常高兴推出我们第一款符合汽车标准的产品,并且它的性能和可靠性已经得到主要汽车厂商的认可。” 要了解有关Nexperia面向汽车和工业应用的650 V SiC肖特基二极管......
10kHz,可以看到单向导通特性出现了一些变化。将三角波的频率提高到 100kHz,可以观察到二极管在反向电压下,出现了恢复电流。将二极管替换成肖特基二极管。在同样的频率下,肖特基二极管的......
结构,且是多数载流子导电器件,不存在少数载流子寿命和反向恢复问题,因此碳化硅肖特基二极管可以降低对应换流回路中的开关损耗,在更高的频率环境中工作,且在相同工作频率下具有更高的效率。 在光......
器件反向恢复特性测试电路。(d)与已报道的氧化镓肖特基二极管的性能比较。 2.氧化镓光电探测器 光电探测器在目标跟踪、环境监测、光通信、深空探索等诸多领域发挥着越来越重要的作用。响应......
确设置输入共模电平,滤波器或驱动器输入需要一个钳位和偏置电路。 采用肖特基二极管的直流恢复 对视频设备的输出进行交流耦合时,直流内容会丢失。要恢复直流偏置电平,视频......
非常高兴推出我们第一款符合汽车标准的产品,并且它的性能和可靠性已经得到主要汽车厂商的认可。”要了解有关Nexperia面向汽车和工业应用的650  V SiC肖特基二极管扩展系列的更多信息,请访......
; ·与使用传统肖特基二极管的阵列相比,更低的正反向工作泄漏电流可提高光伏阵列的能量采集量; ·D2PAK 封装可直接替换传统表面贴装肖特基二极管。        供货情况与封装 采用 10.2 毫米......
功耗低。 B1D10065F封装TO-263-2 基本半导体碳化硅肖特基二极管的低开关损耗和高开关频率可达MHz特性,可无限的将PFC效率提升至99%以上。B1D10065F可替代罗姆的SCS210AJ......
流用水流比喻的话,阳极是上流,阴极是下流,水从上流到下流能流下去,就是说电流能流下去,但从下流不能流到上流。这就是二极管的整流作用。 5. 结合构造也有多样 二极管的接合构造现在大有PN结合和肖特基形。前者......
程师仅从一家供应商即可获取市场上最为广泛的CFP封装二极管产品组合。 这些新平面肖特基二极管的工作范围为30-100 V和3-15 A。针对低正向电压优化的版本(VF)(包括 PMEG100V080ELPE/-Q)可在......
基本半导体​1200V碳化硅肖特基二极管B1D30120HC(替代科锐C4D30120D)助力车载充电机;车载充电机可实现交流输入(85VAC~265VAC)/直流输出(200VDC-750VDC......
货FET来驱动LED。 我们通常所说的“续流二极管”由于在电路中起到续流的作用而得名,一般选择快速恢复二极管或者肖特基二极管来作为“续流二极管”,它在电路中一般用来保护元件不被感应电压击穿或烧坏,以并......
V EliteSiC MOSFET和两款1700 V雪崩EliteSiC肖特基二极管。这些新的器件为能源基础设施和工业驱动应用提供可靠、高能效的性能,并突......
强调了 SiC 二极管的一些特性。 与普通的 PiN 二极管不同,肖特基二极管没有恢复电流,因为它们是具有多数电荷载流子的单极元件。然而,它们......
产能的提升及技术改进项目主要投向面向新型能源供给的45V-150V高能效低导通压降硅基沟槽型肖特基二极管的产能提升,以及200V-300V高压硅基肖特基二极管的研发和产业化,产品主要应用于光伏接线盒、各种拓扑电源等领域。项目......
满足100kHz以上高频脉冲的整流,对整流二极管的反向恢复时间、电流有很高的性能要求。 基本半导体的高性能碳化硅肖特基二极管,可以实现高频整流,开关损耗非常低。下面以一个常用的40A/1200V的碳化硅肖特基二极管......
产品组合将为市场带来更多选择和便利性。” Nexperia的SiC肖特基二极管的初始目标市场是工业和消费类应用,包括: 开关模式电源(SMPS) AC-DC和DC-DC转换器 电池充电基础设施 不间断电源(UPS) 光伏逆变器 Nexperia还计......
自动转换开关(2023-09-07)
我们的要求是驱动两个串联的 LED 和一个肖特基二极管,因此我们选择了能产生 9V 电压的 LM7809 稳压器。由于稳压器的输入电压必须至少为 12V,因此我们确定输入电压约为 20V。 下一步是选择变压器。由于......
电荷浓度的器件击穿特性比较。(c)封装器件反向恢复特性测试电路。(d)与已报道的氧化镓肖特基二极管的性能比较。 氧化镓 在目标跟踪、环境监测、光通信、深空探索等诸多领域发挥着越来越重要的作用。响应......
周美国拉斯维加斯消费电子展览会(CES)上,将展示 系列的3款新成员:一款1700 V MOSFET和两款1700 V雪崩EliteSiC肖特基二极管。这些新的器件为能源基础设施和工......
V EliteSiC MOSFET和两款1700 V雪崩EliteSiC肖特基二极管。这些新的器件为能源基础设施和工业驱动应用提供可靠、高能效的性能,并突......
,支持通过内部MOSFET的栅极电压来调节“阳极”到“阴极”之间的电压,与额定值类似的肖特基二极管相比,其正向压降低8到10倍。除正向压降很低以外,基于MOSFET的理想二极管还有助于将反向直流漏电流降低到典型肖特基二极管的......
对标C4D40120D,1200V SiC肖特基二极管B2D40120HC1让车载充电机更高效;车载充电机是电动汽车的核心部件,其功能是按照电池管理系统的指令,动态调节充电电流和电压参数,完成......
保护电路 1、二极管反极性保护电路 肖特基二极管常用于保护电路,如反极性电路,因为它的正向压降低,下图......
英飞凌与威迈斯加强合作,为电动汽车提供节能经济的快速充电服务;科技股份公司的新型CoolSiC™混合分立器件采用 TRENCHSTOP™ 5 快速开关 IGBT 和 CoolSiC 肖特基二极管......
SemiQ推出高性能1700V SiC肖特基二极管和双二极管模块;近日,半导体器件领域企业SemiQ宣布,其QSiC™产品系列中新增了1700V SiC(碳化硅)肖特基分立二极管和双二极管模块。这一......
得该器件成为大功率电动汽车充电系统的上佳之选。此外,坚固耐用的第5代 CoolSiC肖特基二极管还具有更强的抗浪涌电流能力,最大程度地提高了可靠性。该SiC二极管的扩散焊接改善了封装的热阻 (Rth),使芯片尺寸变得更小,从而......
SemiQ推出高性能1700V SiC肖特基二极管和双二极管模块; 【导读】近日,半导体器件领域企业SemiQ宣布,其QSiC™产品系列中新增了1700V SiC(碳化硅)肖特基分立二极管和双二极管......
Vishay推出新型第三代1200 V SiC肖特基二极管; 【导读】日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出16款新......
EliteSiC肖特基二极管。这些新的器件为能源基础设施和工业驱动应用提供可靠、高能效的性能,并突......
控制器驱动一个外部 MOSFET开关管,替代过去在输入反向保护和输出电压保持电路中常用的肖特基二极管。MOSFET上的电压降比肖特基二极管的正向电压降低,因此,正常工作期间的耗散功率也低于二极管。当电......
控制器驱动一个外部 MOSFET开关管,替代过去在输入反向保护和输出电压保持电路中常用的肖特基二极管。MOSFET上的电压降比肖特基二极管的正向电压降低,因此,正常工作期间的耗散功率也低于二极管。当电......
屏驱动电源中的应用。 众所周知,大功率LED显示屏其电光转换效率仅为15%~20%,其余的电能都转化成大量的热量,碳化硅肖特基二极管B1D02065E工作结温范围为-55℃-175℃,可满......
将多种版本的器件推向市场,Nexperia强调了其扩大产能、加快向体积更小和热优化的封装过渡的承诺。让工程师仅从一家供应商即可获取市场上最为广泛的CFP封装二极管产品组合。 这些新平面肖特基二极管的工作......
。MOSFET上的电压降比肖特基二极管的正向电压降低,因此,正常工作期间的耗散功率也低于二极管。当电源失效、掉电......
充电器上的瞬时高压损坏芯片; 3.R15的作用:防止出现拔掉充电线,充电灯还亮的问题; 4.肖特基二极管D2的正向电流要大于1A,不能使用IN5819(S4......
。MOSFET上的电压降比肖特基二极管的正向电压降低,因此,正常工作期间的耗散功率也低于二极管。当电源失效、掉电或输入短路等故障导致反向电压事件时,关断 MOSFET功率......
高的正向电压。二极管的该正向压降与交流电源串联,这会降低潜在的直流输出电压。此外,该压降与通过二极管提供的电流的乘积意味着功耗和发热量可能相当大。 肖特基二极管的较低正向电压是对标准二极管的改进。但是,肖特基二极管......
极电压来调节“阳极”到“阴极”之间的电压,与额定值类似的肖特基二极管相比,其正向压降低8到10倍。除正向压降很低以外,基于MOSFET的理想二极管还有助于将反向直流漏电流降低到典型肖特基二极管的100倍......
Vishay推出新型第三代1200 V SiC肖特基二极管,提升开关电源设计能效和可靠性;器件采用MPS结构设计,额定电流5 A~ 40 A,低正向压降、低电容电荷和低反向漏电流低 美国 宾夕......
功能是为电路提供短路保护。 ▲ 图1.1 恒流二极管的符号 二、恒流二极管工作原理 恒流二极管的内部结构如下图所示。该二极管包括一个 N 沟道 JFET 晶体管,其中晶体管的......
半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布推出650 V碳化硅(SiC)肖特基二极管,主要面向需要超高性能、低损耗和高效功率的电源应用。10 A、650 V SiC肖特基二极管满足工业级器件标准,可应......
成,这个二极管选用肖特基二极管,因为肖特基二极管的导通压降比普通二极管低。 2.2驱动LED稳压电路 由于所选用的LED灯的额定电压为3.3 V,而超级电容器的电压为5.0 V,并且......

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 barrier)。 法商矽莱克半导体,主要做(1)高压大功率肖特基二极管,大功率的有20A-60A/60-200V TO-220,TO-3P封装,(2)降低成本肖特基二极管有10A/100-150V
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