资讯
指针式万用表对场效应管进行判别方法(2023-02-08)
指针式万用表对场效应管进行判别方法;（1）用测电阻法判别结型场效应管的电极
根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选......
用指针万用表检测场效应管的方法(2023-02-07)
加上1.5Ｖ的电源电压，此时表针指示出的漏源极间的电阻值。然后用手捏住结型场效应管的栅极Ｇ，将人体的感应电压信号加到栅极上。这样，由于管的放大作用，漏源电压VDS和漏极电流Iｂ都要发生变化，也就......
介绍用指针万用表检测场效应管的方法(2023-03-07)
介绍用指针万用表检测场效应管的方法; 用指针式万用表检测场效应管的一些方法，判断电极、检查好坏、无标志场效应管的检测以及放大能力的检测
１、用测电阻法判别结型场效应管的电极
根据场效应管......
什么是H桥？介绍H桥电机驱动电路(2023-10-30)
，下图就是这种H桥电路。它由2个P型场效应管Q1、Q2与2个N型场效应管Q3、Q4组成，桥臂上的4个场效应管相当于四个开关。 相对于前文4个N型MOS管的H桥电路，此电......
介绍H桥电机驱动电路(2024-11-05 11:58:11)
MOS管的H桥，另外还有包含2个N型、2个P型MOS管的H桥，
下图就是这种H桥电路。它由2个P型场效应管Q1、Q2与2个N型场效应管Q3、Q4组成，桥臂上的4个场效应管......
MOS管基础及选型指南(2024-03-20)
英文全称是Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，应用广泛，MOSFET一般称。
MOS管是FET的一种（另一种为JFET结型场效应管......
一种低电压、低功耗模拟电路设计方案(2024-07-23)
驱动MOS晶体管的原理类似于结型场效应晶体管，也就是一个耗尽型器件，它可以工作在负、零、甚至略微正偏压条件下[2].由于衬底电压影响与反型层(即导电沟道)相连的耗尽层厚度，通过MOS晶体管的体效应改变衬底电压就能调制漏极电流......
无刷直流电机的三相六臂全桥驱动电路讲解(2023-03-20)
直流电机的三相六臂全桥驱动电路
无刷直流电机驱动控制电路如图所示。该电路采用三相六臂全桥驱动方式，采用此方式可以减少电流波动和转矩脉动，使得电机输出较大的转矩。在电机驱动部分使用6个功率场效应管......
30V MOS管N沟道PKC26BB替代料SVG032R4NL5(2023-09-26)
特性参数
SVG032R4NL5 100A、30VN沟道增强型场效应管采用PDFN56封装，具有100A、30V的电流、电压，RDS(on) = 2.0mΩtyp) ，封装、参数和PKC26BB基本......
e络盟扩充东芝场效应管产品系列，满足全球市场日益增长的需求(2023-11-16)
列产品基于东芝最新一代工艺，采用了超级结结构，被广泛认为是功率场效应管的最新分水岭。新型场效应管的RDS(on)仅为55毫欧，性能较东芝DTMOSIV-H系列的同类器件提升了13%。
TPH9R00CQ5功率场效应管......
e络盟扩充东芝场效应管产品系列，满足全球市场日益增长的需求(2023-11-17)
基站及许多工业用途。
•DTMOSVI系列：TK055U60Z1功率场效应管是600V DTMOSVI系列的第一款产品，该系列产品基于东芝最新一代工艺，采用了超级结结构，被广泛认为是功率场效应管的最新分水岭。新型场效应管......
4个常用的单片机防反接电路(2022-12-08)
本不高。
缺点：一旦接反需要更换保险丝，操作比较麻烦。
3、正接反接都可正常工作的电路
优点：输入端无论怎样接，电路都可以正常工作。
缺点：存在两个二极管的压降，适用于小电流电路。
4、N沟道增强型场效应管......
防反接常用单元电路，收藏了(2024-10-26 11:31:16)
电路。
04
N沟道增强型场效应管......
分享：直流电防接反电路的总结！(2024-12-17 20:30:32)
都可以正常工作。
缺点：
存在两个二极管的压降。适用于小电流电路。
4、N沟道增强型场效应管......
e络盟扩充东芝场效应管产品系列，满足全球市场日益增长的需求(2023-11-17 15:24)
的最新分水岭。新型场效应管的RDS(on)仅为55毫欧，性能较东芝DTMOSIV-H系列的同类器件提升了13%。
• TPH9R00CQ5功率场效应管：基于U-MOS X-H沟槽工艺，这种新型功率场效应管......
STM32单片机的GPIO端口设置(2024-04-16)
式输出级即提高电路的负载能力，又提高开关速度。
4.2 开漏电路
场效应管是电压控制型元器件，当对场效应管的栅极施加电压时，漏极与源极会导通。结型场效应管有一个特性就是它的输入阻抗非常大，这意味着：没有电流......
e络盟扩充东芝场效应管产品系列，满足全球市场日益增长的需求(2023-11-17)
的最新分水岭。新型场效应管的RDS(on)仅为55毫欧，性能较东芝DTMOSIV-H系列的同类器件提升了13%。
TPH9R00CQ5功率场效应管：基于U-MOS X-H沟槽工艺，这种新型功率场效应管......
H桥电机正反转换控制电路图(2024-11-01 11:31:00)
H桥电机正反转换控制电路图;
电机控制电路
所谓的H桥电路就是控制电机正反转的。下图①就是一种简单的H桥电路，它由2个P型场效应管Q1、Q2与2个N型场效应管Q3......
RS瑞森半导体低压MOS在小家电的应用(2022-11-28)
RS瑞森半导体低压MOS在小家电的应用;
一、分类
MOSFET是集成电路中带有绝缘层的栅型场效应管，主要分为N沟道和P沟道两大类。其中N沟道MOS管电路中BEEP引脚......
纯直流场效应管功放电路(2023-06-20)
纯直流场效应管功放电路;【电路原理】这款场效应管功放，适合那些倾心于电子管音色，因而各种原因无法自制出靓声的胆后级发烧友。此款双极型场效应管功放与电子管的输出特性极为相似，频率特性好，音色......
揭秘十大常用电子元器件背后的那些门道！(2024-10-20 21:14:56)
获得一般晶体管很难达到的性能。
2、场效应管分成结型和绝缘栅型两大类，其控制原理都是一样的。
3、场效应管与晶体管的比较
(1)场效应管......
采用4线制接线法的DZC-4型智能低电阻测量仪的设计(2023-05-24)
源部分是整个仪器安全性能的薄弱环节，必须考虑各种内部和外部的可能因 素对仪器造成的损坏，从而影响安全性能。主要采取了以下措施：
限制电流利用结型场效应管的恒流特性限制测试电流ITEST大小，一般取IDSS≈2*ITEST......
不同的电平信号的MCU怎么通信(2023-01-09)
NPN型晶体三极管引脚，图二所示是P沟道MOS管和PNP型晶体三极管引脚对应图。
2、场效应管是电压控制电流器件，由VGS控制ID，普通的晶体三极管是电流控制电流器件，由IB控制IC。MOS管道......
不同的电平信号的MCU串口通信(2024-10-24 15:47:14)
参数，请移步此
篇文章：
MOS管基本认识
。
2、场效应管是电压控制电流......
不同的电平信号的MCU怎么通信？(2024-10-22 16:01:50)
沟道MOS管和NPN型晶体三极管引脚，图二所示是P沟道MOS管和PNP型晶体三极管引脚对应图。
2、场效应管是电压控制电流器件，由VGS控制ID......
）今日宣布，率先在业界推出采用 TOLL 封装的 4mΩ 碳化硅（SiC）结型场效应晶体管（JFET）——UJ4N075004L8S。该产......
圣邦微电子推出 60V 高压降压转换器 SGM61630(2023-03-04)
内部集成高边 NMOS 类型场效应管，MOSFET 导通内阻典型值 140mΩ。芯片静态电流仅 50μA，在休眠关闭模式下漏电流仅 2μA，非常适合电池供电的高压转低压应用，如车......
革新电路保护：Qorvo 4mΩ SiC JFET 助力固态断路器升级(2024-09-09)
革新电路保护：Qorvo 4mΩ SiC JFET 助力固态断路器升级;
【导读】Qorvo推出了一款750V、4毫欧（mΩ）碳化硅（SiC）结型场效应晶体管（JFET）产品；其采......
科普丨十大最常用电子元器件介绍(2024-10-22 09:33:32)
晶体管具有较高输入阻抗和低噪声等优点，因而也被广泛应用于各种电子设备中。尤其用场效管做整个电子设备的输入级，可以获得一般晶体管很难达到的性能。
2、场效应管分成结型和绝缘栅型两大类，其控制原理都是一样的。如图1-1-1......
从内部结构到电路应用，这篇文章把MOS管讲透了。(2024-04-29)
从内部结构到电路应用，这篇文章把MOS管讲透了。;管学名是场效应管，是金属-氧化物-半导体型场效应管，属于绝缘栅型，本文就结构构造、特点、实用电路等几个方面用工程师的话详细描述。本文引用地址：其结......
浅析基本放大电路！(2024-10-05 18:03:02)
信号必须能够作用于放大管的输入回路。对于晶体管，输入信号必须能够改变基极与发射极之间的电压，产生
。对于场效应管，输入信号必须能够改变栅-源之间的电压，产生
。这样，才能改变放大管输出回路的电流......
【干货】抛开教材，从实用的角度聊聊MOS管(2022-11-29)
晶体管，以硅片为秤体，利用扩散工艺制作.......有N沟道和P沟道两个型。不仅如此，它还有两个兄弟，分别是结型场效应管以及晶体场效应管.......
面对这么大一段话，我不......
NMOS和PMOS详解(2023-12-19)
极之间没有导电沟道，所以电流为0；
当开关S闭合，场效应管栅极获得正电压，上面会带有正电荷，它产生的电场穿过电介质，将P衬底中的电子吸引过来并聚集，从而在两个都是N型掺杂的源漏极之间出现导电沟道，由于......
泰克先进半导体开放实验室再升级，开启功率器件测试新篇章(2024-05-16)
具备极高的灵活性，适配多种测试标准。
SPT1000A 静态参数测试系统
SPT1000A静态参数测试系统可用于各类二极管、三极管、绝缘栅型场效应管、结型场效应管、单向和双向可控硅、普通和高速光耦、整流桥、共阴......
中科大在氧化镓功率电子器件领域取得重要进展(2022-05-27)
特性表明器件具有良好的栅极控制能力。此外，器件的导通电阻得到了很好的保持，为151.5Ω·mm，并且击穿电压达到了980V。
▲图2.基于异质PN氧化镓结型场效应晶体管（a）结构示意图及工艺流程图，（b）不同......
模拟电路入门100个知识点！(2024-11-10 22:13:28)
级放大电路中总的通频带比其中每一级的通频带窄。
40、场效应管从结构上分成
结型FET
和
MOSFET
两大......
线圈匝间短路测试仪的工作原理和应用特点分析(2023-01-30)
组成比例放大及整流滤波电路，使结型场效应管Q工作在可变电阻区，从而实现对振荡器输出的正弦波稳幅。
2、耦合指示电路
如图3，电容C5与后续放大电路的输入电阻构成阻容耦合电路，该阻......
线圈匝间短路测试仪的原理、特点及应用设计(2022-12-08)
组成比例放大及整流滤波电路，使结型场效应管Q工作在可变电阻区，从而实现对振荡器输出的正弦波稳幅。
2、耦合指示电路
如图3，电容C5与后续放大电路的输入电阻构成阻容耦合电路，该阻......
STM32控制的电子负载(2022-12-08)
结构图
电子负载采用3.7V锂电池供电，在使用时就不需要单独准备辅助电源或从被测电源取电，这将大大方便用户使用。
系统结构框图
硬件设计
负载晶体管与电流检测
该模块采用两根IRFP250场效应管......
【泰克应用分享】 FET 生物传感器的直流I-V 特性研究(2023-11-17)
用于增加对分析物的灵敏度，因此更容易测量漏极电流。SMU2连接到漏极端并施加漏极电压（VD）并测量漏极电流（ID）。
扩展栅FET（EGFET）
图6显示了一个扩展栅FET，它包括一个传感结构和一个MOSFET。在这种生物场效应管......
无刷直流马达控制电路(2023-04-25)
）。该场效应管内藏续流二极管，为场效应管关断时提供电流通路，以避免管子的反向击穿，其典型特性参数见表1.T1~T3 采用PDTC143ET 为场效应管提供驱动信号。
无刷......
全面解析STC89C52单片机的LED调光系统电路(2023-10-08)
全面解析STC89C52单片机的LED调光系统电路;摘要： 在场效应管关断后让LED的负极电压升高，使得LED关闭。当场效应管导通时，LED的负极电压被拉低，使得LED发光。PWM调节......
使用电机驱动器IC实施的PCB设计(2024-08-30)
使用电机驱动器IC实施的PCB设计;直流电机驱动电路的设计目标
在直流电机驱动电路的设计中，主要考虑以下几点：
功能：电机是单向还是双向转动?需不需要调速?对于单向的电机驱动，只要用一个大功率三极管或场效应管......
基于C8051F的镍氢电池管理系统设计参考(2024-01-18)
占空比可调的PWM信号，控制NPN三极管5551的通断，最终实现对场效应管通断的控制，达到电流控制的目的。同时CPU实时检测当前电流值，并根据实时电流值闭环调节PWM信号的占空比，从而实现充电电流......
为什么单片机的I/O口需要驱动(2023-02-01)
”，截止场效应管。
内部上拉电阻阻值很大，经过测量大致在330KΩ左右，而内部电源Vcc仅仅+5V，这样以P1.X高电平驱动发光二极管为例，场效应管截止，相当于Vcc通过330KΩ的电阻向二极管提供电流......
ADA4625-1数据手册和产品信息(2024-11-11 09:18:09)
ADA4625-1数据手册和产品信息;UG-1201 介绍了用于 ADA4625-1 低噪声、快速稳定单电源轨到轨输出 (RRO) 结型场效应晶体管 (JFET) 运算放大器的评估板，此评......
® 今日宣布，率先在业界推出采用 TOLL 封装的 4mΩ 碳化硅（SiC）结型场效应晶体管（JFET）——UJ4N075004L8S。该产......
重庆万国造出自研自产 IGBT 元件，预计今年内实现量产(2022-08-12)
Transistor，BJT）双极型三极管和绝缘栅型场效应管（Metal Oxide Semiconductor，MOS）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有（Metal-Oxide......
安森美斥资1.15亿美元收购Qorvo旗下SiC JFET技术(2024-12-11)
安森美斥资1.15亿美元收购Qorvo旗下SiC JFET技术;近日，onsemi（安森美）宣布，已达成一项协议，以1.15亿美元现金从Qorvo收购碳化硅结型场效应晶体管（SiC JFET）技术......
简述8051单片机结构与原理(2024-01-15)
态的数据输入缓冲器BUF1和BUF2。
2个场效应管（FET）。
多路开关、反相器、与门各1个。
P0口工作原理——用作复用的地址/数据总线
输出：“控制”信号为1，硬件自动使转接开关MUX打向上面，接通......
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;结型场效应管 柯永俊;;
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;结型场效应管 深圳市沃��德科技有限公司;;
;结型场效应管 尼博集团有限公司;;尼博集
;结型场效应管 深圳市佰�N电子有限公司;;
;结型场效应管 深圳市福田区华捷盛电子商行;;
;结型场效应管 深圳市龙皓科技有限公司;;深圳市
;结型场效应管 深圳市德普微电子有限公司;;深圳市
;结型场效应管 深圳市鑫欧迪电子有限公司;;深圳市鑫
;结型场效应管 深圳市汇能伟业科技有限公司;;深圳市