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由静电和电源波动引起的意外过电压和浪涌的影响。 整流二极管和肖特基势垒二极管利用的是二极管的正向特性，而TVS二极管与齐纳二极管（ZD）一样，利用的是二极管的反向特性。 如下图所示将TVS二极管与IC并联，当电路正常工作时，TVS二极管......
SemiQ推出高性能1700V SiC肖特基二极管和双二极管模块; 【导读】近日，半导体器件领域企业SemiQ宣布，其QSiC™产品系列中新增了1700V SiC(碳化硅)肖特基分立二极管和双二极管......
SemiQ推出高性能1700V SiC肖特基二极管和双二极管模块;近日，半导体器件领域企业SemiQ宣布，其QSiC™产品系列中新增了1700V SiC(碳化硅)肖特基分立二极管和双二极管模块。这一创新举措旨在满足包括开关......
Nexperia的650 V SiC二极管产品组合现可满足汽车和更广泛的工业应用需求; 【导读】Nexperia今天宣布，其一流的650 V、10 A碳化硅(SiC)肖特基二极管......
Nexperia的650 V SiC二极管产品组合现可满足汽车和更广泛的工业应用需求;符合汽车标准的肖特基二极管现采用R2P DPAK封装 奈梅亨，2024年6月13日：Nexperia今天......
（SBD）是2001年上市的第一款商用碳化硅功率器件。SBD是SiC材料和肖特基二极管结构的组合，是Si PIN二极管的完美替代品。SBD优于Si PIN二极管的最重要特性是其快速反向恢复特性。它不......
功耗低。 B1D10065F封装TO-263-2 基本半导体碳化硅肖特基二极管的低开关损耗和高开关频率可达MHz特性，可无限的将PFC效率提升至99%以上。B1D10065F可替代罗姆的SCS210AJ......
硬件工程师入门基础元器件与电路原理; 本文介绍了硬件工程师入门的基础元器件，包括二极管、三极管、MOS管和IGBT。对比了肖特基二极管与硅二极管的特性，探讨了三极管作为开关......
针对车载充电机的二次侧整流部分推荐基本半导体的1200V碳化硅肖特基二极管B1D30120HC（替代科锐C4D30120D），该二极管是以AEC-Q101为标准、支持车载的碳化硅肖特基二极管，可降低开关损耗，可高速开关......
Nexperia的650 V SiC二极管产品组合现可满足汽车和更广泛的工业应用需求;符合汽车标准的肖特基二极管现采用R2P  DPAK封装Nexperia今天宣布，其一流的650  V、10......
伏逆变器中，碳化硅肖特基二极管主要用于BOOST电路，如图2所示拓扑为Single Boost，是光伏逆变器中使用较为广泛的拓扑，拓扑中的D1在使用碳化硅肖特基二极管时，可以降低对应换流回路中开关管的开关......
积更小且更有效率的便携式、移动和可穿戴设备克服了设计难题。此系列创新的高电流沟槽肖特基整流器采用仅占  0.84mm² 电路板空间的芯片级封装  (CSP)，适用于各种用途，可作为阻流或反极性保护二极管、升压二极管和开关二极管......
满足100kHz以上高频脉冲的整流，对整流二极管的反向恢复时间、电流有很高的性能要求。 基本半导体的高性能碳化硅肖特基二极管，可以实现高频整流，开关损耗非常低。下面以一个常用的40A/1200V的碳化硅肖特基二极管......
频率或者采用dead time更小的MOS驱动芯片，或者外部并联肖特基二极管，减小VSD。 体二极管导通压降损耗 我们来比较因体二极管的正向压降Vf引起的损耗与理想4 mohm的......
车充电一般原理图 据此，本文提到基本半导体的碳化硅肖特基二极管B1D05120K，具有高效率、无开关损耗、低散热器要求和并联设备无热失控现象等优点，起到整流作用，可应用于开关电源（SMPS）等领......
电容上的平均电压沿正向电压向上渗透。低电压肖特基二极管提供同步端箝位功能，如图4所示。当二极管的阴极电压高于零时，二极管用作单向开关。因此，信号的最低部分被强制为基准电压，即肖特基二极管阳极的电压电平。耦合......
Nexperia的650 V SiC二极管产品组合现可满足汽车和更广泛的工业应用;Nexperia近日宣布，其一流的650 V、10 A碳化硅(SiC)肖特基二极管现已符合汽车标准(PSC1065H......
体 (ms) 结或肖特基势垒。这提供了低传导压降、高开关速度和低噪声。肖特基二极管用于控制电路内电流的方向，使其仅从阳极流向阴极。当肖特基二极管处于无偏置状态时，自由电子将从 n 型半......
上述公式和图5，用户可以设置导通容性负载时的最大浪涌电流。下面的图6和图7提供了一个测试用例： 图6 浪涌电流控制测试用例 图7 测试用例的测量结果 大容性负载和肖特基二极管 对于较大的容性负载（和低......
英飞凌与威迈斯加强合作，为电动汽车提供节能经济的快速充电服务;科技股份公司的新型CoolSiC™混合分立器件采用 TRENCHSTOP™ 5 快速开关 IGBT 和 CoolSiC 肖特基二极管......
得该器件成为大功率电动汽车充电系统的上佳之选。此外，坚固耐用的第5代 CoolSiC肖特基二极管还具有更强的抗浪涌电流能力，最大程度地提高了可靠性。该SiC二极管的扩散焊接改善了封装的热阻 (Rth)，使芯片尺寸变得更小，从而提高了功率开关......
整流器采用仅占 0.84mm² 电路板空间的芯片级封装 (CSP)，适用于各种用途，可作为阻流或反极性保护二极管、升压二极管和开关二极管使用。本文引用地址：这三款产品是首次设计使用X3......
积更小且更有效率的便携式、移动和可穿戴设备克服了设计难题。此系列创新的高电流沟槽肖特基整流器采用仅占 0.84mm² 电路板空间的芯片级封装 (CSP)，适用于各种用途，可作为阻流或反极性保护二极管、升压二极管和开关二极管......
电流控制测试用例 图 7.测试用例的测量结果 大容性负载和肖特基二极管 对于较大的容性负载（和低电流直流负载），可以在输出和输入之间放置一个肖特基二极管，如图 8 所示，以在......
不能满足车载充电机日益增长的性能需求，而高耐压、低损耗且具有高速开关特性的SiC器件，正逐步取代Si器件，成为车载充电机的主流应用。 下面我们以6.6kW车载充电机为例，介绍基本半导体的SiC肖特基二极管......
著地丰富了产品的多样性，也进一步巩固了Nexperia作为封装创新领导者的地位。可通过拥有值得信赖的供应链的半导体制造商为客户提供更广泛的器件选择。要了解有关采用CFP3-HP封装的Nexperia平面肖特基二极管的......
产品组合将为市场带来更多选择和便利性。” Nexperia的SiC肖特基二极管的初始目标市场是工业和消费类应用，包括： 开关模式电源(SMPS) AC-DC和DC-DC转换器 电池充电基础设施 不间断电源(UPS) 光伏逆变器 Nexperia还计......
10kHz，可以看到单向导通特性出现了一些变化。将三角波的频率提高到 100kHz，可以观察到二极管在反向电压下，出现了恢复电流。将二极管替换成肖特基二极管。在同样的频率下，肖特基二极管的......
TI推出支持业界最低功耗的智能旁路二极管SM74611;TI推出一款采用标准表面贴装封装并支持 15A 电流处理功能与业界最低功耗的智能旁路二极管。与采用 3 个传统肖特基二极管的......
成，这个二极管选用肖特基二极管，因为肖特基二极管的导通压降比普通二极管低。 2.2驱动LED稳压电路 由于所选用的LED灯的额定电压为3.3 V，而超级电容器的电压为5.0 V，并且......
匹克盛会”。中国科大国家示范性微电子学院龙世兵教授课题组两篇关于氧化镓器件的研究论文（高功率氧化镓肖特基二极管和氧化镓光电探测器）成功被大会接收，这也是中国科大首次以第一作者单位在IEEE IEDM上发......
微电子开发和生产了包括高反压双极晶体管、小信号外延双极晶体管、中功率外延晶体管、平面肖特基二极管、快恢复及开关二极管、稳压二极管、TVS（瞬态电压抑制）二极管等门类，拥有600多种......
高的正向电压。二极管的该正向压降与交流电源串联，这会降低潜在的直流输出电压。此外，该压降与通过二极管提供的电流的乘积意味着功耗和发热量可能相当大。 肖特基二极管的较低正向电压是对标准二极管的改进。但是，肖特基二极管......
显示屏体正常显示。肖特基二极管整流器因具有极快的开关速度、超低的正向电压降、极低的反向恢复时间、低泄漏和高结温能力而深受设计师们的喜爱。本文介绍了基本半导体碳化硅肖特基二极管B1D02065E在LED显示......
SiC肖特基二极管设计电源的数据中心将更加符合严格的能源效率标准。   PSC1065K具备不受温度影响的电容开关和零恢复性能，提供先进的性能以及出色的品质因数(QC x VF)。其突出的开关性能几乎不受电流和开关......
得该器件成为大功率电动汽车充电系统的上佳之选。此外，坚固耐用的第5代 CoolSiC肖特基二极管还具有更强的抗浪涌电流能力，最大程度地提高了可靠性。该SiC二极管的扩散焊接改善了封装的热阻 (Rth)，使芯片尺寸变得更小，从而提高了功率开关......
分立器件采用 TRENCHSTOP™ 5 快速开关 IGBT 和 CoolSiC 肖特基二极管。中国领先的新能源汽车功率电子和电机驱动器制造商深圳威迈斯新能源股份有限公司（VMAX）将这款器件用于其下一代6.6 kW OBC......
，主要面向需要超高性能、低损耗和高效功率的电源应用。10 A、650 V SiC肖特基二极管满足工业级器件标准，可应对高电压和高电流应用带来的挑战，包括开关模式电源、AC-DC和DC-DC转换器、电池......
续流电流完全绕过 mos 管 和肖特基二极管。 这确保了 mos 管 体二极管永远不会被驱动导通，续流电流由快恢复二极管处理，快恢复二极管较少出现“击穿”问题。 七......
产能的提升及技术改进项目主要投向面向新型能源供给的45V-150V高能效低导通压降硅基沟槽型肖特基二极管的产能提升，以及200V-300V高压硅基肖特基二极管的研发和产业化，产品主要应用于光伏接线盒、各种拓扑电源等领域。项目......
控制器驱动一个外部 MOSFET开关管，替代过去在输入反向保护和输出电压保持电路中常用的肖特基二极管。MOSFET上的电压降比肖特基二极管的正向电压降低，因此，正常工作期间的耗散功率也低于二极管。当电......
控制器驱动一个外部 MOSFET开关管，替代过去在输入反向保护和输出电压保持电路中常用的肖特基二极管。MOSFET上的电压降比肖特基二极管的正向电压降低，因此，正常工作期间的耗散功率也低于二极管。当电......
碳化硅(SiC)肖特基二极管，主要面向需要超高性能、低损耗和高效功率的电源应用。10 A、650 V SiC肖特基二极管满足工业级器件标准，可应对高电压和高电流应用带来的挑战，包括开关模式电源、AC......
——意法半导体 STPM801是率先市场推出的车规集成热切换的理想二极管控制器，适合汽车功能性安全应用。 这款理想二极管控制器驱动一个外部 MOSFET开关管，替代过去在输入反向保护和输出电压保持电路中常用的肖特基二极管......
和可穿戴设备克服了设计难题。此系列创新的高电流沟槽肖特基整流器采用仅占  0.84mm² 电路板空间的芯片级封装  (CSP)，适用于各种用途，可作为阻流或反极性保护二极管、升压二极管和开关二极管......
积更小且更有效率的便携式、移动和可穿戴设备克服了设计难题。此系列创新的高电流沟槽肖特基整流器采用仅占 0.84mm² 电路板空间的芯片级封装 (CSP)，适用于各种用途，可作为阻流或反极性保护二极管、升压二极管和开关二极管......
集成表示，“良性竞争有助于产业链上下游协同发展，我们会加快新产品的推出速度和产能建设，以便保持先发优势。”据悉，三安集成碳化硅肖特基二极管于2018年上市后，已完成了从650V到1700V的产......
晶体管、晶闸管、开关二极管、稳压二极管、肖特基二极管、镀银点二极管、瞬态电压抑制二极管、光电二极管、FRD和双极型集成电路（IC）、电力电子器件及模块等。公司的功率器件芯片、高频......
、肖特基二极管、发光二极管、硅功率开关二极管、旋转二极管等。 按照管芯结构，又可分为点接触型二极管、面接触型二极管及平面型二极管。点接触型二极管是用一根很细的金属丝压在光洁的半导体晶片表面，通以......
意法半导体推出热切换理想二极管控制器,适用于ASIL-D汽车安全关键应用; STPM801是率先市场推出的车规集成的，适合汽车功能性安全应用。本文引用地址：这款驱动一个外部 MOSFET开关管，替代过去在输入反向保护和输出电压保持电路中常用的肖特基二极管......

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