资讯
NMOS和PMOS详解(2023-12-19)
Transistor, ）。
其中，G是栅极，S是源极，D是漏极。
二、nmos和pmos的原理与区别
英文全称为N-Metal-Oxide-Semiconductor。 意思为N型金......
MOS管基础及选型指南(2024-03-20)
有一个寄生二极管，有的也叫体二极管。
红色标注的为体二极管
从上图可以看出NMOS和PMOS寄生二极管方向不一样，NMOS是由S极→D极，PMOS是由D极→S极。
寄生二极管和普通二极管一样，正接......
PMOS做信号开关NMOS做电平转换(2024-12-02 10:02:21)
！
利用PMOS和NMOS的G极和S极，可以做逻辑转换，电平转换。
二极管也能做电平转换，但是有缺陷。
2 PMOS做信......
几种常用的防反接电路(2024-06-05)
形成保护。
NMOS防反
3、采用PMOS防护
如下图，上电瞬间，MOS管的寄生二极管导通，系统形成回路，源极S的电位大约为Vbat-0.7V，而栅极G的电位为0，MOS管的开启电压极为：Ugs-0......
MOS管在电路中两大作用？(2024-10-25 10:56:18)
MOS管在电路中两大作用？;
MOS管在电路中作为开关，NMOS和PMOS开关连接方式不同，开关条件为G极电压与S极电压比较。寄生二极管负极接输入端，正极......
ADALM2000实验：CMOS逻辑电路、D型锁存器(2023-06-09)
使用ADALP2000模拟部件套件中的CD4007 CMOS阵列和分立式NMOS和PMOS晶体管（ZVN2110A NMOS和ZVP2110A PMOS）。CD4007由3对互补MOSFET组成，如图1所示。每对......
MOS管选型问题，有那么纠结吗？(2024-11-19 11:29:47)
MOS管选型问题，有那么纠结吗？;
MOS管选型需考虑沟道类型（NMOS或PMOS）、电压、电流、热要求、开关性能及封装，同时需结合电路设计、工作环境及成本，避免混淆NMOS和PMOS......
彻底弄清MOS管 （NMOS为例(2024-01-30)
称叫P沟道管，容易想出沟道是什么类型取决于S和D端掺杂的是什么类型，立即推：S和D端区域写了N，管子就是NMOS；S和D端区域写了P，管子就是PMOS。
好，继续敲黑板知识点：MOS管的标准符号中，衬底......
ADALM2000实验：CMOS逻辑电路、传输门XOR(2022-12-06)
部件套件中的CD4007 CMOS阵列和分立式NMOS和PMOS晶体管（ZVN2110A NMOS和ZVP2110A PMOS）。CD4007由3对互补MOSFET组成，如图1所示。每对共用一个栅极（引脚6、3......
ADALM2000实验：CMOS逻辑电路、传输门XOR(2023-05-15)
模拟部件套件中的CD4007 CMOS阵列和分立式NMOS和PMOS晶体管（ZVN2110A NMOS和ZVP2110A PMOS）。CD4007由3对互补MOSFET组成，如图1所示。每对......
汽车电源线上的脉冲干扰，PMOS防反保护电路的缺点(2023-09-12)
体二极管实现防反保护功能。
在低边串联NMOS
这种电路需要在低边放置一个 NMOS。简化的栅极驱动电路通常会采用高性价比的 NMOS。该电路的功能类似于放置在高边的PMOS。但是，这种......
NMOS 、 PMOS管 原理、选型、应用（非常实用值得参考）(2024-11-04 21:17:04)
NMOS 、 PMOS管 原理、选型、应用（非常实用值得参考）;
一、原理介绍
如上图MOS管符号，要注......
瞬态事件如何影响LDO的动态性能？(2022-12-16)
元件也会相应地以导通和关闭做出响应。
您可以将类似的原则应用于含NMOS传递元件的LDO。含PMOS传递元件的LDO有一个针对输入电压VIN的栅源电压VGS，而含NMOS传递元件的LDO有一个针对输出电压VOUT的栅源电压VGS......
摊牌了，MOS管的真面目！(2025-01-01 18:07:51)
MOS管和增强型的P沟道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是这两种。
至于为什么不使用耗尽型的MOS管，不建议刨根问底。
对于......
一文详解电池充电器的反向电压保护(2024-04-26)
方法比使用二极管更好，因为电源
(电池) 电压增强了 ，因而产生了更少的压降和实质上更高的电导。该电路的 NMOS 版本比 PMOS 版本更好，因为分立式
NMOS 晶体管导电率更高、成本......
市场有哪些产品用了三星14nm FinFET 制程(2016-10-26)
会再度出现钨填充。
图5：虚拟NMOS和PMOS晶体管
我们在前面曾经提到三星的FinFET晶体管较所描述的制程节点长度更长，但并不是只有三星如此。包括......
背面供电再迎创新：IEDM2023英特尔放出一个“王炸”(2023-12-14 10:10)
以通过使用PowerVia和背面触点来实现供电，当同步使用两种技术，就能实现非常高效的晶体管堆叠。除了这两个关键技术外，还需要栅极之间的连接及一对NMOS 和 PMOS 堆栈的源极之间的连接，这都......
背面供电再迎创新：IEDM2023英特尔放出一个“王炸”(2023-12-13)
实现非常高效的晶体管堆叠。除了这两个关键技术外，还需要栅极之间的连接及一对NMOS 和 PMOS 堆栈的源极之间的连接，这都需要新的垂直互连，被称为栅极连接和 Epi-Epi连接，英特尔已经能够制造出这种连接。
也就......
使用先进的SPICE模型表征NMOS晶体管(2024-06-18)
欢使用比“nmos”或“pmos”更具体的东西，所以我将模型名称（图3）更改为nmos_90nm和pmos_90nm。
NMOS和PMOS型号名称。
图3。NMOS和PMOS型号名称。图片......
PMOS做双向开关电路-PMOS防倒灌、防反接电路(2024-12-04 14:45:57)
PMOS做双向开关电路-PMOS防倒灌、防反接电路;
用MOS做高侧开关时，PMOS比NMOS更便于控制：
1、不用......
用于模拟IC设计的小信号MOSFET模型(2024-01-26)
和操作的文章中看到了这个图，它帮助我们比较了NMOS和PMOS晶体管的漏极电流。
NMOS和PMOS晶体管的漏极电流与漏源极电压的关系。
图2:NMOS和PMOS晶体管的漏电流与VDS的关系。W / L......
LDO 基础知识(2024-10-11 17:47:03)
压过程如下图所示，当负载电压升高/降低时，采样电路所采到的电压就跟着升高/降低，传递给误差放大器后通过调节导通器件的导通程度来调节输出电压。
导通器件
导通器件常见的有 PMOS、NMOS、BJT......
为什么使用mos管作为电池反向保护?(2024-10-08 16:32:14)
温度额定值示例。
额定功率耗散
4、MOSFET 如何作为电池反向保护的电路仿真
1）在正常电压应用期间
下面是 PMOS 和 NMOS MOSFET 作为......
PMOS开关典型电路工作原理及分析(2024-09-25 17:14:11)
PMOS开关典型电路工作原理及分析;
PMOS管经典开关电路
以下为两款经典PMOS管开关电路应用范例：首先，第一款为NMOS管，其在高电平时导通，低电......
防反接电路、防倒灌电路、过流保护电路(2024-09-14 14:51:48)
比较多的一种）
PMOS：
在 PMOS 管防反接电路中，栅极那边的两个电阻主要起到限流和保护的作用。这些电阻的阻值通常根据具体的电路设计要求来选择，一般需要根据 PMOS 管的......
分享一个PMOS的电路设计，详细解析电路中各个元器件的作用(2024-09-20 13:53:37)
分享一个PMOS的电路设计，详细解析电路中各个元器件的作用;
今天分享一个PMOS的电路设计，详细了解下各个元器件在电路中起到的作用。
这里的Q1为NPN三极......
STM32 GPIO的工作模式(2024-07-17)
口推挽输出就是，对输出数据寄存器进行置0或置1操作，然后通过输出控制缓冲器对双MOS电路进行控制。 IO电平输出的双MOS电路通路同时由PMOS和NMOS组成，当输出控制端输出为1时，上方PMOS导通......
更低损耗、更快反向保护！思瑞浦推出汽车级理想二极管ORing控制器TPS65R01Q(2024-07-19 09:40)
道电阻急剧增加，从而在PMOS两端产生较大的电压降，这可能会引起断路，导致系统重新启动。TPS65R01具有出色的冷启动性能，即使在冷启动运行期间输入电压低于4V（仍高于3.2V）时，也能确保外部NMOS......
更低损耗、更快反向保护！思瑞浦推出汽车级理想二极管ORing控制器TPS65R01Q(2024-07-19 09:40)
道电阻急剧增加，从而在PMOS两端产生较大的电压降，这可能会引起断路，导致系统重新启动。TPS65R01具有出色的冷启动性能，即使在冷启动运行期间输入电压低于4V（仍高于3.2V）时，也能确保外部NMOS......
电路设计少不了ESD，详述一下其理论，超详细！(2024-04-17)
短接在一起，把Drain结在I/O端承受ESD的浪涌(surge)电压，NMOS称之为GGNMOS (Gate-Grounded NMOS)PMOS称之为GDPMOS (Gate-to-Drain......
干货分享丨一文讲透全电放电（ESD）保护，ESD细讲学问太深了！(2024-04-21 15:22:24)
结在I/O端承受ESD的浪涌(surge)电压，NMOS称之为GGNMOS (Gate-Grounded NMOS)，PMOS称之为GDPMOS (Gate-to-Drain PMOS......
一款无刷电机控制器DIY设计方案(2023-01-11)
部分网上基本都是成熟的方案。三相H桥，H桥一般有上臂mos和下臂mos组成，如果只是简单的做演示上臂选pmos下臂选nmos控制电路简单直接用单片机的io就可以驱动。但是pmos低内阻的价格高。功率......
思瑞浦推出汽车级理想二极管ORing控制器TPS65R01Q(2024-07-23)
。
更好的冷启动性能
在汽车冷启动期间，电池电压会降低到4V左右，在这种情况下，使用PMOS（P型金......
自制无刷电机控制器，牛啊(2024-11-01 12:19:17)
，如果只是简单的做演示上臂选pmos下臂选nmos控制电路简单直接用单片机的io就可以驱动。但是pmos低内阻的价格高。功率......
灿瑞科技推出高效双色温LED闪光灯驱动芯片(2023-03-27)
电阻检测脚。
OCP81373提供软启动、UVLO、OVP、OTP、Time-out、IVFM、PMOS限流、NMOS限流、输出短路及LED短路等保护功能，确保......
上海雷卯推出稳定性和效率兼备的MOSFET新产品(2023-09-04)
主要区域组成。依照其“通道”(工作载流子的极性不同，可分为“N型“与“P 型”的两种类型，通又称为 NMOS与 PMOS。
一. MOSFET工作......
ADALM2000实验：数模转换(2023-04-13)
M1和一个NMOS器件M2组成。通常，CMOS制造工艺经过特别设计，使得NMOS和PMOS器件的阈值电压VTH大致相等——即互补。然后，反相器的设计人员调整NMOS和PMOS器件的宽长比W/L，使其......
三星向外界公布 GAA MBCFET 技术最新进展(2023-06-27)
的通道宽度选择。
MBCFET 的这一特性为 SRAM 单元设计提供了更大的灵活性，可以在 PMOS 和 NMOS 之间形成最佳平衡。
封面图片来源：拍信网......
imec首次展示CFET晶体管，将在0.7nm A7节点引入(2024-06-24)
%。本文引用地址：从imec的逻辑技术路线图看，其设想在A7节点器件架构中引入技术。若与先进的布线技术相辅相成，有望将标准单元高度从5T降低到4T甚至更低，而不会降低性能。在集成nMOS和pMOS垂直......
LTC695数据手册和产品信息(2024-11-11 09:20:19)
也不例外。
LTC690 系列利用一个充电泵 NMOS 电源开关来给有源 CMOS RAM 供电，旨在实现低压差和低电源电流。当失去主电源时，将由辅助电源 (连接至电池输入引脚) 通过......
AD83586兼容TAS5805支持2x20W+1x40W 2.1声道数字音频放大器，带频率均衡(2024-03-21)
功能可以通过一个简单的I2C控制接口进行完全可编程。提供了强大的保护电路，以保护AD83586B免受意外错误操作条件造成的损坏。
AD83586B比模拟电路设计更容忍噪声（过程、电压和温度）和PVT......
替代TAS5707和TAS5711
模拟音频功放芯片：
AD51652，AD52010，AD52080兼容替代TPA2010，TPA2011
AD52060兼容替代TPA3110，AD52050兼容......
帝奥微推出具有完整诊断功能的车规级四开关同步升降压LED控制器DIA89360(2024-06-04 11:13)
况下，输出电容放电，输出电压降低，LED电流的建立有一定的延时，如竞品波形，当调光比高到一定数值时，LED电流无法快速响应PWM输入。2. 相比于集成低侧NMOS驱动，高侧的PMOS驱动......
帝奥微推出具有完整诊断功能的车规级四开关同步升降压LED控制器DIA89360(2024-06-04 11:13)
况下，输出电容放电，输出电压降低，LED电流的建立有一定的延时，如竞品波形，当调光比高到一定数值时，LED电流无法快速响应PWM输入。2. 相比于集成低侧NMOS驱动，高侧的PMOS驱动......
模拟集成电路设计中的MOSFET非理想性(2024-01-18)
变化会改变重要的晶体管特性，导致不同的阈值电压、载流子迁移率和寄生电容等。这些工艺变化通常包含在四个“角落”：快-快、快-慢、慢-快和慢-慢。这些角落描述了基于最坏情况制造统计数据的PMOS和NMOS晶体......
倍思45W T-Space拓展坞拆解报告(2024-06-06)
少量的外围元器件，即可组成完整的高性能的Type-C 口/Type-A 口快速充电解决方案。
SW2303还支持I2C接口，内部集成放电功能，支持NMOS/PMOS VBUS开关管，并支持功率动态分配，满足......
STM32单片机I/O的工作模式(2024-03-07)
管或者NMOS、PMOS管以推挽方式存在于电路中，各负责正负半周波形放大的任务。两只对称管每次只有一个导通，损耗小效率高，既可以提高电路的带负载能力，又可以提高开关速度。电路如下图所示，大家可以到IO......
涨知识！氮化镓（GaN）器件结构与制造工艺(2024-06-17)
%），而氮化镓器件需要提供更高的电压设计裕量，650V器件至少需要900V以上的击穿电压（设计裕量>10%）。
（3）没有p型氮化镓管
硅基有NMOS（电子载流子）和PMOS（空穴载流子），但目......
升降压原理浅析(2023-03-20)
分压差和电流会产生一定的功耗：
这部分功耗都会体现在LDO发热上，故LDO效率都比较低，过电流能力也相对较小。
当然也有NMOS管架构的LDO，以适用较大电流低压差的应用场景。下面着重对PMOS......
帝奥微推出具有完整诊断功能的车规级四开关同步升降压LED控制器DIA89360(2024-06-07)
。
2. 相比于集成低侧NMOS驱动，高侧的PMOS驱动允许单根线束连接到LED灯串，灯串阴极接地，通过......
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为您提供的产品包括MOS(PMOS,NMOS,P+NMOS)，,DC/DC系 列(升压 DC/DC,降压DC/DC)，AC/DC系列，LDO稳压系列，MOS驱动，LED驱动IC，霍尔传感(Hall IC)等元件。
;nemi;;nmos cmos bipolar
;梅安茶庄;;清香型安溪铁观音和浓香型安溪铁观音最主要的区别就在于:浓香型在精制工艺上多了一道烘焙工序，因而冲泡时汤色较浓。 浓香型产品精制工艺:毛茶→验收→归堆→投放→筛分→风选→拣剔→号茶
：手套白色棉布型及黑色橡胶型，加长加厚。 性能：耐磨、耐高压。 喷砂手套和普通的橡胶手套的区别在于： 喷砂手套是采用高耐磨橡胶经达特殊的生产工艺制成。 吸尘布袋各种规格非标订做,白色
;树仁系统;;安利与天狮的区别,安利公司创立于1959年，迄今为止已经近50年，它是直销这个行业的创始者，没有安利公司就没有世界直销业，也不会有更多的直销公司，安利
超压保护功能，耐压 （160 ～ 180v） 3、振动传感器采用电磁传感器。特点：寿命长、不受音频干扰、误 触发。此技术也是我公司防盗器与一般防盗器的区别。 4、报警声采用七音报警声，让报警声不再烦人。
实行专人专线销售跟单服务，产品销往全国各地。深受广大用户的好评。 ・关于聚乙烯防腐胶带的发货问题 ・东莞PE胶袋和PP胶袋.OPP胶袋的区别 ・胶袋的原料 ・珍珠棉 ・各种胶带的功能和特性 ・胶带的介绍 ・如何
用全新的理念来设计客户交给我们的每一个订单，使中国制造的自动化设备缩小和欧美制造的自动化设备的差距，让客户真正的认识我们的公司。 ??? 我们的产品有科学的制造工艺，细致制造过程严格的出厂管理，在生产工艺上我们采用日本等自动化强国的先进设计理念与国内同行业的企业有着本质的区别
限度地满足用户的要求和个性化需求。 我公司的产品最大的特点是粘性强，字迹清晰，不断裂，不掉胶，足尺足码，完全符合出口包装得需要，特别是我公司的印字胶带是我们采用专业印刷钢板，特点是在印制图标时特别清晰。这与其它公司的产品制版有根本的区别
传统电路板的各种污染和不足。开创LED照明行业新模式. 其结构与目前其他LED灯具有本质的区别，散热性能.使用寿命得到极大提高，对环境几乎无污染，实现真正的高效、绿色照明。 联系方式： 喻生：13600302956 蔡生