资讯

都有不同程度进展。 ·碳化硅领域 2024年4月,Coherent基于CHIPS法案获得1500万美元的资金,用于加速下一代宽带隙和超宽带隙半导体(分别为碳化硅和单晶金刚石)的商业化。 9月26日......
续确保未来从研究到生产的无缝过渡。 安世半导体德国首席运营官兼董事总经理Achim Kempe称,未来,公司汉堡晶圆厂将覆盖宽带隙半导体的全系列,同时其仍然是最大的小型信号二极管和晶体管工厂。 此外,同月,安世半导体首批高压GaN......
) •数字控制拓扑和宽带隙半导体 •厚度:65mm,带盖子(1.5U) •优化了传导水冷底板的设计 •5年保......
的禁带意味着更高的激发要求,即电子和空穴更难以形成,这 也导致了宽带隙半导体在不需要工作时可以保持类似绝缘体的特性,这也使得其具 有更好的稳定性,宽禁带同时也有助于提高击穿电场强度,进而......
碳化硅 (SiC) 是一种由硅 (Si) 和碳 (C) 组成的半导体化合物,属于宽带隙 (WBG) 材料系列。它的物理结合力非常强,使半导体具有很高的机械、化学和热稳定性。宽带隙和......
是激发电子使之从束缚状态释放到自由状态以进行导电所需的最小能量(表 1)。 表 1:区分宽带隙半导体(如 GaN 和 SiC)与硅半导体的关键属性摘要。(表格来源:Art Pini) 用宽带隙半导体制造的器件相比传统半导体材料(如硅)具有......
电压为180-528VAC •高达94%的效率 •最多可10台并联使用(31.5kW) •数字控制拓扑和宽带隙半导体 •厚度:65mm,带盖子(1.5U) •优化了传导水冷底板的设计 •5年保......
面临的技术挑战 在制造方面,充分发挥宽带隙半导体的潜力面临接二连三的挑战,其中包括提高晶圆良率,降低缺陷率和成本,以及通过严格的测试验证芯片的长期可靠性。设计人员必须仔细评估寄生参数和热特性,同时......
功率逆变器应用采用宽带隙半导体器件时,栅极电阻选型注意事项;本文为大家介绍氮化镓 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 等宽带隙半导体器件用作电子开关的优势,以及如何权衡利弊。主要......
极性器件的优势较大(实现了开关权衡),宽带隙半导体也是一种可以尽量减少不利影响的替代性技术解决方案。图1重点介绍了宽价带的优势(粒子不能占据这个带区)。“宽带隙”材料的主要优点在于,在阻断模式下可成为较好的隔离器(更接......
宽带隙技术发展现状 不断演变的宽带隙半导体技术; 简介 几乎所有采用电气控制、通信、电力、驱动和传感的技术系统都已实现了电气化以及电气连接。从20世纪50年代开始,硅(Si) 一直......
不同的子电池堆叠而成,窄带隙子电池能够吸收宽带隙子电池吸收不了的光,理论上,叠层组件的光电转化效率应该更高,21.7%这个结果显然不能令人满意。”论文共同第一作者、南京大学2019级直......
新一代化合物半导体有望在2027年大规模生产?;2月20日,据日刊工业新闻报道,电子元器件厂商Qualtec将于2027年开始大规模生产超宽带隙半导体材料二氧化锗 (GeO2) 晶圆。 据了......
新一代化合物半导体有望在2027年大规模生产?;2月20日,据日刊工业新闻报道,电子元器件厂商Qualtec将于2027年开始大规模生产超宽带隙半导体材料二氧化锗 (GeO2) 晶圆。本文......
RS瑞森半导体碳化硅二极管在光伏逆变器的应用; 一、前言 (SiC) 是一种由硅 (Si) 和碳 (C) 组成的半导体化合物,属于宽带隙 (WBG) 材料系列。它的物理结合力非常强,使半导体......
确召回曲线下面积和96.9%的最高准确率。 此外,自动表征工具显著加快了表征过程,计算200个样品的带隙仅需6分钟,检测降解仅需20分钟,而传统方法分别需要510分钟和数小时或数天。 应用 该工具在半导体......
Onsemi:使用SIC等功率器件为碳中和做出的贡献; 为可再生能源提供动力以创造更美好的明天,因此,不仅是 GaN 和 SiC 等宽带隙半导体,还有围绕电力电子、智能电网、微电网、宏观......
的客户面临的挑战是提供安全可靠的电源电子设计,这些设计融合了高能量密度电池、高效电机、智能电源逆变器和宽带隙半导体等新技术,以实现高功率和高性能,从而推动行业电气化并满足不断增长的能源需求,为世界提供动力。”  泰克......
获得了领先的应用技术知识并据此开发出让我们的客户和终端用户更加满意的全新和改进型充电与放电系统。我们期待与英飞凌一起进一步开发基于氮化镓和碳化硅(SiC)的功率解决方案,推动可再生能源和电动汽车的发展。” 由碳化硅和氮化镓制成的宽带隙半导体......
4月,Coherent曾宣布,其基于CHIPS法案Coherent获得1500万美元的资金,用于加速下一代宽带隙和超宽带隙半导体(分别为碳化硅和单晶金刚石)的商业化。Coherent表示,由于......
SiC 的带隙值几乎是 3.26eV 的三倍。 SiC是一种由硅(Si)和碳(C)组成的半导体,属于宽带隙材料(WBG)家族。它的物理结合非常牢固,使半导体具有很高的机械、化学和热稳定性。宽带隙和......
得该技术甚至可以在高工作温度下使用。 宽带隙参数 宽带隙半导体的带隙比硅或砷化镓 (GaAs) 等普通半导体宽得多。这自然会转化为更大的击穿电场,并转......
据材质颜色随时间的变化来评估材质的稳定性。 该团队应用这两种新算法对大约70个印刷半导体样品的带隙和稳定性进行了表征。这些样品含有不同成分比例的钙钛矿。运用一种算法, 整个带隙提取过程约需6分钟。另一......
项重要步骤就是采用SiC开关。 崩溃场强度超出10倍碳化硅多项特性胜出 为了了解硅和碳化硅解决方案之间的差异,必须明确指出:碳化硅装置属于所谓的宽带隙半导体。硅与SiC材料......
于混合动力飞机和全电动城市飞行器。 据悉,双方已经对探索宽带隙半导体材料对飞机的好处进行了全面的评估,SiC/ 等有助于开发更小、更轻、更高效的高性能电子器件和系统,特别是在需要高功率、高频或高温操作的应用中。 此次......
少具有两个通道的示波器来分离共模和差模噪声分量的简单方法,这使得优化共模和差分噪声成为可能。 - 模式滤波器组件分开,从而为设计输入滤波器提供更准确的数据。 和宽带隙半导体的......
设计融合了高能量密度电池、高效电机、智能电源逆变器和宽带隙半导体等新技术,以实现高功率和高性能,从而推动行业电气化并满足不断增长的能源需求,为世界提供动力。”泰克科技总裁 Chris Bohn 表示:“许多......
的客户面临的挑战是提供安全可靠的电源电子设计,这些设计融合了高能量密度电池、高效电机、智能电源逆变器和宽带隙半导体等新技术,以实现高功率和高性能,从而推动行业电气化并满足不断增长的能源需求,为世界提供动力。” 泰克科技总裁Chris......
试图通过新一代材料解决上述问题。 据悉,金刚石具备极强的导热性能,氮化镓具有宽带隙和高导电性等特性,居于上述特性,以金刚石为衬底的氮化镓晶体管被寄予厚望。 在最新研究中,大阪......
试图通过新一代材料解决上述问题。 据悉,金刚石具备极强的导热性能,氮化镓具有宽带隙和高导电性等特性,居于上述特性,以金刚石为衬底的氮化镓晶体管被寄予厚望。 在最新研究中,大阪......
上海微系统所在Nature Electronics报道新型碳基二维半导体材料基本物性研究重大进展;以石墨烯为代表的碳基二维材料自发现以来受到了广泛关注。然而,石墨烯的零带隙半导体......
面,GaN的宽带隙和巴利加优值优秀,能够在高频和高功率下工作,由于其宽带隙,它的临界击穿场至少是GaAs和硅的十倍,使得GaN晶体管可以缩小到更小的长度,从而获得更高的性能;另一方面,GaN的自......
行业使用硅晶体管实现更好的供电解决方案。所谓DrGaN则与DrMOS有异曲同工之妙,就是将GaN和硅基CMOS集成在一起,利用“层转移”工艺,在300毫米硅晶圆上完成全部的大规模的3D单片工艺。为什么要使用GaN?一方面,GaN的宽带隙和......
致力于开发200mm晶圆。此外,意法半导体表示,正在改变其全球制造业务,增加300mm制造能力,并重点关注宽带隙半导体,以支持其2000亿美元以上的收入目标。 据了解,意法半导体大批量STPOWER碳化......
予EcoVadis金奖,在其行业内被评为前5%的公司之一,重申了其积极推动行业变革的承诺。 此外,Nexperia通过引入行业领先的宽带隙半导体、能量采集器件,以及对其功率半导体的持续投资,提高......
断电源(UPS)以及太阳能和储能系统(ESS)逆变器等各种工业应用中越来越受欢迎。这也进一步证明了Nexperia与三菱电机公司(MELCO)之间成功的战略合作伙伴关系,两家公司联手将SiC宽带隙半导体的......
元素的各类晶体材料具有优良的热电和制冷效应,是长期以来热电制冷器件领域的重要技术方向,具有广阔的应用前景。 在制备方面,锑化物窄带隙半导体与砷化镓、磷化铟等III-V族体系的结构特性、制备......
的高需求是由于硅基功率器件接近其物理极限,特别是对于高速或大功率应用,宽带隙半导体代表了当前替代品中最有前途的选项,而SiC在材料特性和供应链成熟度方面都处于最前沿。此外,电动汽车、充电基础设施、绿色......
电容器还支持储能系统、IGBT和宽带隙(WBG)半导体器件的功率转换。 —— C44U-M、C44P-R和R75H系列提供可靠的功率转换和功率密度和性能   KEMET(“KEMET”或“公司”),Yageo......
(Si)基功率器件长期以来一直主导着市场,但由于较低的带隙和电击穿场,其性能已达到极限。因此,开关频率、阻断电压和工作温度存在限制。 随着采用宽带隙(WBG)材料设计的革命性新器件的引入,可以......
表中国在该项电池技术领域的最高水平。 据了解,叠层电池的原理是宽带隙顶部电池吸收高能量光子,窄带隙底部电池提高光子利用率,二者合作能突破单结电池的理论效率极限,理论转化效率高达40%+,因此转化效率可突破传统的天花板。 而且......
十分高兴高意集团能够加入到英飞凌的战略供应商阵营,并与英飞凌一起发展业务。”  高意集团新风险投资和宽带隙电子技术部执行副总裁Sohail Khan表示:“英飞凌作为功率半导体......
(1.61 英寸)(含外盖),符合 1U 高度 • 效率⾼达 94% • 最多可并联 10 台(31.5kW),有功电流共享 • 采用数字控制拓扑及宽带隙半导体 • 内置 12V/1A 辅助电源,用于......
也把国内外新的行业标准与测试方法带给客户。在碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等宽带隙半导体技术方面,泰克为工程师提供了强大的功率分析仪和软件,轻松解决测试难题。泰克致力于成为智能汽车测试的领跑者,聚焦智能座舱、自动......
电池电压的升高,对于转换器更高功率密度,更 低开关损耗的要求,宽带隙半导体器件,例如SiC和 GaN,将扮演越来越重要的角色。功率转换系统还可 以帮助电池组更好地管理分布式发电系统中的功率 波动,并使......
制氮化镓的开关,而P型栅,虽然也是常关的氮化镓器件,虽然也是需要给门极施加一定的电压,但是从本质上看,P型栅是属于电流型驱动的氮化镓。在这一点上,几种结构的氮化镓略微有些区别。 作为一种宽带隙材料,氮化......
制氮化镓的开关,而P型栅,虽然也是常关的氮化镓器件,虽然也是需要给门极施加一定的电压,但是从本质上看,P型栅是属于电流型驱动的氮化镓。在这一点上,几种结构的氮化镓略微有些区别。作为一种宽带隙材料,氮化......
的泄漏电流、更低的导通电阻以及更高的工作温度。结果是提高了运行效率,降低了能耗,有助于遵守法规和认证要求,以及符合当前的 JEDEC JC-70 宽带隙电力电子转换半导体标准。为了确保合规性,需要对这些先进的半导体......
的频率响应、更小的泄漏电流、更低的导通电阻以及更高的工作温度。结果是提高了运行效率,降低了能耗,有助于遵守法规和认证要求,以及符合当前的 JEDEC JC-70 宽带隙电力电子转换半导体标准。为了......
期这样做的努力产生了不一致的结果。边缘位错、三角缺陷和其他问题减缓了 SiC 作为半导体的商业化,尽管它有许多潜在的应用,但它的使用仍然相对较少。 但是,是什么让 SiC 成为如此有效的半导体呢?作为一种宽带隙半导体......

相关企业

portfolio.;全球电力技术集团是全球机会基金的投资组合公司(GOF),这是一个风险投资基金唯一专注于宽带隙材料技术的发展应用频率高、温度高、高效的电力半导体器件。 2007组建,GOF催生
讯在通信技术的发展上拥有30余年的丰富经验,并充分利用其在混合讯号处理方面的专长,为各类通信应用提供集成系统和半导体产品。科胜讯的产品涵盖语音和数码通信网络、无线和手机、个人影像设备及线缆数据传输和宽带通信网络。
marvell;美满;;Marvell(迈威科技(集团)有限公司,现更名美满)是一家提供全套宽带通信和存储解决方案的全球领先半导体厂商,是一个针对高速,高密度,数字资料 存贮和宽
;深圳市联杰半导体元器件公司;;深圳市联杰半导体电子有限公司,成立于一九九九年,专业经销国外几大厂牌产品,在推广开发市场中得到各大厂家的大力支持,同时本公司以诚信、互利
电视类、DVB大功率线型放大器、DVB选频型选带型多载波宽带直放机、MMDS(DTV)宽带直放机、宽/窄带滤波器、4/6/8路多工器。其他:1MHz~3000MHz宽带、分段、选频、选带、功率从0.5W
系统:数字电视类、DVB大功率线型放大器、DVB选频 型选带型多载波宽带直放机、MMDS(DTV)宽带直放机、宽/ 窄带滤波器、4/6/8路多工器。 其他:1MHz~3000MHz宽带、分段、选频、选带
;科通数字有限公司;;科通宽带是科通集团下属公司, 专业从事半导体之分销。 主要代理产品线有:ON(安森美)、Skyworks、Panasonic、Broadcom、RFMD..... 联系
Er光纤放大器、掺Yt光纤放大器和激光器、DFB激光器和宽带光源等。
维护调度PDA终端、综合网管系统、通信线缆测试仪器等,产品覆盖了从语音、窄带到宽带,从线缆 到光纤等通信维护领域的各个方面。 专业的生产厂家,产品质量优、性价比高.
ad;亚德诺半导体公司(ADI);Analog Devices offers the broadest portfolio of RF ICs covering the entire RF