资讯
一文解析MOS管/三极管/IGBT之间的关系(2024-11-09 00:48:11)
硅面的正面制作元胞并用钝化层保护好，在硅片减薄之后，首先在硅片的背面注入磷，形成N+截止层，最后注入硼，形成P+collector。
三极管，MOSFET，IGBT的区别?为什么说IGBT是由......
MOS管基础及选型指南(2024-03-20)
电压和其他参数可以看具体器件的SPEC。
对PMOS来说，Vs-Vg>Vgs(th)，即S极和G极的压差大于一定值，MOS管会导通，同样的，具体参数看器件的SPEC。
▉ 与三极管的区别
三极管是电流控制，MOS管是......
一文读懂硬件设计的工作流程(2024-05-07)
以在原理图上画图了，按照datasheet和系统设计的要求，通过wire把相关元件连接起来。
在相关的地方添加line和text注释。wire和line的区别在于，前者有电气属性，后者没有。wire适用......
从原理到实例：GaN为何值得期待？(2021-11-30)
直流参数上，没有反向二极管（0 Reverse Recovery），主要原因在于GaN晶体管没有SJ MOSFET的寄生PN结。此外，两者在直流参数以及Vth等也有着不小的区别，同规格情况下，GaN晶体......
CCM与DCM的区别(2024-09-11 16:00:35)
CCM与DCM的区别;
简介
反激变换器常用于进行AC/DC和DC/DC转换的开关模式电源，尤其是中低功率范围（约2W至100W）的电源。在这个功率范围内，反激......
上海雷卯推出稳定性和效率兼备的MOSFET新产品(2023-09-04)
主要区域组成。依照其“通道”(工作载流子的极性不同，可分为“N型“与“P 型”的两种类型，通又称为 NMOS与 PMOS。
一. MOSFET工作......
stm32引脚的VCC与VDD如何连接(2023-08-31)
作为单片机中的电源引脚，是最为关键的两个引脚之一。本文将介绍VCC和VDD的区别及其在单片机中的应用。
一、VCC与VDD的区别
在单片机中，VCC是最常见的电源引脚，通常......
电源设计必学电路之驱动篇(2024-04-22)
半桥电路的控制要求。
2、IGBT驱动
IGBT常被用于中大功率数字电源开发，其驱动电压范围为-15~15V。IGBT驱动电路分为正压驱动和负压驱动，两者的区别在于关断时的门极电位。采用......
双运放电流源的基本操作(2024-01-03)
DMOS SiC MOSFET 草图（左）和垂直沟槽 TMOS SiC MOSFET 以及电阻相关贡献的相应位置
关于关键 MOSFET 元件 SiC-SiO 2界面，必须考虑与硅相比的以下差异：与......
【干货】经验分享：硬件电路怎么设计？(2024-11-28 21:37:07)
和系统设计的要求，通过wire把相关元件连接起来。在相关的地方添加line和text注释。wire和line的区别在于，前者有电气属性，后者没有。wire适用于连接相同网络，line适用于注释图形。这个......
从内部结构到电路应用，这篇文章把MOS管讲透了。(2024-04-29)
率均大幅的下降。
由于MOS管和大功率晶体三极管在结构、特性有着本质上的区别，在应用上驱动电路也比晶体三极管复杂，致使维修人员对电路、故障的分析倍感困难，此文即针对这一问题，把MOS管及其应用电路作简单介绍，以满......
谈谈几种常用的MOSFET驱动电路(2024-04-22)
考虑本身寄生的参数。对一个确定的MOSFET，其驱动电路，驱动脚输出的峰值电流，上升速率等，都会影响MOSFET的开关性能。
当电源IC与MOS管选定之后，选择合适的驱动电路来连接电源IC与MOS管就......
KAIST 告三星、高通侵犯其FinFET 专利，台积电、苹果也躺枪？(2016-12-02)
Semiconductor Field Effect Transistor， MOSFET）」， 构造如图一所示，左边灰色的区域（矽）叫做「源极（ Source）」 ，右边灰色的区域（矽）叫做「汲极......
东芝推出采用其最新一代工艺的80V N沟道功率MOSFET，助力提高电源效率(2020-03-30)
东芝推出采用其最新一代工艺的80V N沟道功率MOSFET，助力提高电源效率;2020年3月30日，东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，其“U-MOS X-H系列”产品......
理清推挽、开漏、OC、OD的特点与应用(2024-11-03 23:04:17)
输出
常说的与推挽输出相对的就是开漏输出（Open Drain Output），对于开漏输出和推挽输出的区别最普遍的说法就是开漏输出无法真正输出高电平，即高电平时没有驱动能力，需要......
GPIO输入输出各种模式（推挽、开漏、准双向端口(2024-12-19 14:43:04)
模式主要有开漏（Open Drain）模式和推挽（Push-Pull）模式，这一部分涉及的知识点比较多；对于输入输出IO，容易产生疑惑的地方是准双向和双向端口的区别。
下面......
电机控制器中的MOS驱动(2024-10-18 15:10:10)
沟道功率MOSFET，可以适配不同功率、各种通信方式和各种驱动方式。
控制器中的功率MOS驱动
如上......
STM32 GPIO工作原理及LED电路原理(2024-08-15)
出控制电路输出0时：P-MOS管截止N-MOS管导通，被下拉到低电平，IO口输出为低电平0同时IO口输出的电平可以通过输入电路读取8，GPIO输出工作模式4-复用推挽输出模式
与推挽输出模式唯一的区别......
开漏输出和推挽输出(2024-02-23)
开漏输出和推挽输出;概述
在STM32或者GD32中，普通的输出GPIO输出方式主要是开漏输出和推挽输出，下面我们开始讲解这2种模式的区别。
下图是GPIO内部的结构示意图。
在上图中，P......
PLC控制步进电机的速度和角度 PLC控制柜由哪些元件组成(2023-09-11)
与相序保护继电器如何使用
23.三极管MOS管IGBT的区别
24.电动机综合保护器线路接线方法
25.道闸杆控制接线图
26.电机的四种启动方式：变频启动、软启动器启动、星三角降压启动、全压......
基于STM32F0的SPI通信的FLASH程序分析(2023-09-26)
锁相环路就可以实现这个目的。
附注2：STM32的GPIO口的输出：开漏输出和推挽输出
1、推挽输出与开漏输出的区别：
》》推挽输出：可以输出高，低电平，连接数字器件
》》开漏输出：输出......
stm32单片机GPIO端口的特点及应用解析(2023-09-26)
锁相环路就可以实现这个目的。
附注2：STM32的GPIO口的输出：开漏输出和推挽输出
1、推挽输出与开漏输出的区别：
》》推挽输出：可以输出高，低电平，连接数字器件
》》开漏输出：输出......
STM32的GPIO介绍(2024-02-03)
管分别受两互补信号的控制，总是在一个三极管或MOS管导通的时候另一个截止。高低电平由输出电平决定。
推挽电路是两个参数相同的三极管或MOSFET，以推挽方式存在于电路中，各负......
STM32中GPIO工作原理详解(2024-10-26 11:28:55)
式输出级既提高电路的负载能力，又提高开关速度。
开漏输出和推挽输出的区别？
开漏输出：只可以输出强低电平，高电......
C51单片机的IO口介绍(下)(2024-03-15)
信号通过一个非门取反后送入一个MOS管，MOS管负责控制这个IO的高低电平，配合内部上拉电阻完成高低电平的输出
为了方便我们分析，我们把这个MOS管看成一只NPN三极管。区别是三极管靠电流导通，MOS管靠电压导通
结合......
适用于运输领域的SiC：设计入门(2023-04-19)
适用于运输领域的SiC：设计入门;简介
在这篇文章中，作者分析了运输辅助动力装置（APU）的需求，并阐述了SiC MOSFET、二极管及栅极驱动器的理想静态和动态特性。
为什么使用宽带隙（WBG......
STM32端口复用和端口重映射？什么是端口复用重映射？(2024-06-04)
开漏输出（alternate function open-drain）、复用推挽输出（alternate function push-pull）等8种模式。
先说明一下开漏输出和推挽输出的区别。
STM32Fxx系列......
硬件电路工程师有多不容易，这篇文章告诉你！(2024-11-20 21:43:40)
充足的库之后
，就可以在原理图上画图了，按照datasheet和系统设计的要求，通过wire把相关元件连接起来。在相关的地方添加line和text注释。wire和line的区别在于，前者......
STM32的GPIO电路原理详解(2023-06-15)
以从负载抽取电流。推拉式输出级既提高电路的负载能力，又提高开关速度。
开漏输出和推挽输出的区别?
开漏输出：只可以输出强低电平，高电平得靠外部电阻拉高。输出端相当于三极管的集电极。适合于做电流型的驱动，其吸......
STM32的GPIO电路原理(2023-01-09)
既可以向负载灌电流，也可以从负载抽取电流。推拉式输出级既提高电路的负载能力，又提高开关速度。
开漏输出和推挽输出的区别？
开漏输出：只可以输出强低电平，高电平得靠外部电阻拉高。输出端相当于三极管的集电极。适合......
详解STM32单片机GPIO的工作原理(2024-04-15)
既可以向负载灌电流，也可以从负载抽取电流。推拉式输出级既提高电路的负载能力，又提高开关速度。
2、开漏输出和推挽输出的区别？
开漏输出：只可以输出强低电平，高电平得靠外部电阻拉高。输出......
C语言常见问题(2024-08-02)
用指针之前要判断指针是否为NULL，引用不需要判断；
18、malloc（）与colloc（）的区别
1、malloc（）与colloc（）都是在堆上申请动态内存空间；
2、malloc（）只有一个参数，即要......
STM32的GPIO工作原理详解(2023-05-19)
导通损耗小、效率高。输出既可以向负载灌电流，也可以从负载抽取电流。推拉式输出级既提高电路的负载能力，又提高开关速度。
2、开漏输出和推挽输出的区别？
开漏输出：只可以输出强低电平，高电平得靠外部电阻拉高。输出......
STM32的GPIO介绍及电路图讲解(2023-07-19)
既可以向负载灌电流，也可以从负载抽取电流。推拉式输出级既提高电路的负载能力，又提高开关速度。
2、开漏输出和推挽输出的区别?
开漏输出：只可以输出强低电平，高电平得靠外部电阻拉高。输出端相当于三极管的集电极。适合......
STM32 GPIO工作原理详解(2023-03-20)
别受两互补信号的控制，总是在一个三极管或MOS管导通的时候另一个截止。高低电平由输出电平决定。
推挽电路是两个参数相同的三极管或MOSFET，以推挽方式存在于电路中，各负责正负半周的波形放大任务。电路工作时，两只......
STM32的GPIO详细介绍(2023-06-25)
在一个三极管或 MOS 管导通的时候另一个截止。高低电平由输出电平决定。
推挽电路是两个参数相同的三极管或 MOSFET，以推挽方式存在于电路中，各负责正负半周的波形放大任务。电路工作时，两只......
STM32的八种GPIO工作方式详解(2023-06-09)
结构一般是指两个参数相同的三极管或MOS管分别受两互补信号的控制，总是在一个三极管或MOS管导通的时候另一个截止。高低电平由输出电平决定。
推挽电路是两个参数相同的三极管或MOSFET，以推挽方式存在于电路中，各负......
STM32的GPIO工作方式与基本结构(2023-07-19)
别受两互补信号的控制，总是在一个三极管或MOS管导通的时候另一个截止。高低电平由输出电平决定。
推挽电路是两个参数相同的三极管或MOSFET，以推挽方式存在于电路中，各负责正负半周的波形放大任务。电路工作时，两只......
STM32的GPIO工作原理(2023-03-07)
式输出级既提高电路的负载能力，又提高开关速度。
2、开漏输出和推挽输出的区别？
开漏输出：只可以输出强低电平，高电平得靠外部电阻拉高。输出端相当于三极管的集电极。适合于做电流型的驱动，其吸收电流的能力相对强(一般......
瑞森半导体超小内阻20mΩ和TO-220F封装70mΩ的超结MOS新品上市(2023-08-08)
瑞森半导体超小内阻20mΩ和TO-220F封装70mΩ的超结MOS新品上市;
【导读】瑞森半导体进一步壮大和完善超结（SJ）MOSFET系列，推出600V超结功率MOSFET......
变频器和电动机的区别(2023-07-20)
变频器和电动机的区别;变频器的概念和工作原理
变频器又称为变频调速器，是一种用于控制交流电机转速的电子设备。它通过改变电机的供电频率来调整电机转速，从而实现对电机的精确控制。它广......
如何用单片机控制220V交流电的通断(2024-01-17)
容性负载上电瞬间的波形与过流、短路波形的区别，防止误保护。使用三极管的原理也是类似的，由于篇幅的原因，就不为大家详细说明了，真正要详细分析几千字估计都不够。
......
模拟集成电路设计中的MOSFET非理想性(2024-01-18)
模拟集成电路设计中的MOSFET非理想性;MOS表现出理想模型所没有的各种二阶效应。为了设计在现实世界中工作的模拟集成电路，我们需要了解这些非理想因素。本文引用地址：在上一篇文章中，我们......
类比半导体八半桥电机驱动DR7808在新能源汽车中的应用(2024-09-11)
明MOSFET与电池相连，存在短路状况。
空载检测：此步骤涉及HBx与HBy之间的电机连接检测。首先，将BD_PASS设为0，HBx_MODE与HBy_MODE均配置为00b或11b，HBxIDIAG设为0以激......
随机存取存储器有哪些特点?寄存器和存储器有什么区别?(2022-12-30)
随机存取存储器有哪些特点?寄存器和存储器有什么区别?;相当于我们的大脑的存储单元，能够保存我们的电子数据。为增进大家对的认识，本文将对随机存取、和存储器的区别予以介绍。如果你对存储器具有兴趣，不妨......
NMOS和PMOS详解(2023-12-19)
与衬底之间不加电压时，栅极下面已有沟道存在。
MOS管的图形符号如下，一般用增强型MOS管用于门电路分析。
MOS管图形符号
增强型MOS管有P沟道和N沟道两种，其结构原理基本类似，主要区别......
MCS-51单片机指令系统（4）(2022-12-12)
MCS-51单片机指令系统（4）;某些指令说明
-“读引脚”和“读锁存器”指令的区别
关于并行I/O口的“读引脚”和“读锁存器”指令的区别
例如，当P1口的P1.0引脚外接一个发光二极管LED的阳......
基于MOSFET RFP50N06的功率逆变电路(2023-06-08)
定电流为 50 安培和 60 伏特。
** 如果您愿意，可以替换其他类型的 Mosfet。
LT1013 提供比 LM358 更好的驱动器，但它是您的选择。
电源变压器必须能够处理选定的功率输出。此外，Mos......
西门子1200与300的九大区别(2023-05-30)
西门子1200与300的九大区别;一、硬件的区别
在硬件扩展方面，S7-300的主机架多支持八个扩展模块，而S7-1200支持扩展多八个信号模块和多三个通信模块。以S7-300 CPU313C和S7......
一文看懂stm32的引脚的两种用途：GPIO和AFIO(2024-01-05)
了配置，也就能明白配置与模式的区别。
特别得，在下文中将会专门讨论一下输出配置中的推挽与开漏。
2、复用功能
复用功能有两种：没有重映像、重映像（包括部分重映像、完全重映像），使用引脚用作AFIO功能，同样......
相关企业
测试包装，结核两岸优势资源，可为客户定向开发专用IC与MOS芯片，产品广泛应用于LED大型户外彩屏，锂电池路灯，电脑，数字电视,车载，学习机，马达驱动・・・・・，以技术创新，产品
;梅安茶庄;;清香型安溪铁观音和浓香型安溪铁观音最主要的区别就在于:浓香型在精制工艺上多了一道烘焙工序，因而冲泡时汤色较浓。 浓香型产品精制工艺:毛茶→验收→归堆→投放→筛分→风选→拣剔→号茶
;思高捷科技有限公司;;Mosfet晶片组（IR）与FPGA（Xilinx） 、CPLD（Altera） 、特定应用IC（Intersil,TI）、晶体管（ROHM,ST）, 模拟IC（ADI
;深圳市国利电子有限公司;;深圳市国利电子有限公司代理销售电源管理IC与MOSFET，经销各大品牌EEPROM、SDROM、音频放大IC，欢迎咨询业务。
包括MOSFET,AC/DC,DC/DC,LDO等,尤其专注于 MOSFET,在电脑主板,显卡,笔记本电脑,INVERTER,LCD,LCM,eePC,DVD CARD等市场有很大的份额。 我们
;深圳汇干电子科技有限公司;;我司专业代理各种知名品牌电子芯片，应用于数码行业多年，有充电IC，LDO，DC-DC，MOSFET，AC-DC，高压MOS管等，欢迎前来咨询订购！
;深圳市金驰微科技有限公司;;深圳市金驰微科技有限公司总公司位于台湾高科技重镇台北，我们有着丰富的IC集成电路，MOSFET(MOS管)设计能力和专业的封测生产技术和生产经验，主要有半导体晶圆、集成
于大功率，大电流和低阻抗的MOS的设计和销售，为客户提供最优质的 功率MOSFET解决方案，在短短一年多的时间取得了突出的成绩，并在100V到600V都有成功流片并量产；公司在未来的几年 将在600V以上
;深圳市乾盛达科技有限公司;;臺灣TY專注致力於電源管理IC及功率器件（MOSFET）Discrete研發、設計、製造、封裝、測試及行銷業務。為提供客戶完整的解決方案及具價格競爭優勢。產品
;深圳联讯惠宝实业有限公司;;深圳联讯惠宝有限公司为Niko-sem半导体、CET、AUK、等半导体在中国大陆和香港的一级代理,代理各种场效应管（MOS管）与IC,如LDO、PWM IC、MCU等