资讯
s3c2440裸机-nandflash编程（二. nand控制器和nand访问时序）(2023-08-02)
型号和性能来配置我们的nand控制器。我们以K9F2G08U0C这款nandflash为例进行讲解，手册上命令和地址锁存周期如下：
和nand控制器的命令/地址锁存时序图对比发现:
TACLS......
Rambus推出6400MT/s DDR5寄存时钟驱动器，进一步提升服务器内存性能(2023-02-22)
Rambus推出6400MT/s DDR5寄存时钟驱动器，进一步提升服务器内存性能;
【导读】作为业界领先的芯片和半导体IP供应商，致力于使数据传输更快更安全，Rambus Inc.（纳斯......
LCD实验学习笔记（六）：存储控制器(2023-06-15)
控制BANK0到BANK5 的时序，用默认值0x0700即可。
BANKCON6和BANKCON7：两个BANK接到内存上，除[14:0]控制时序外，[16:15]用于设置内存类型。根据内存......
Rambus推出6400MT／s DDR5寄存时钟驱动器，进一步提升服务器内存性能(2023-02-23 15:22)
Rambus推出6400MT／s DDR5寄存时钟驱动器，进一步提升服务器内存性能;新闻摘要：• 与Gen1 DDR5设备相比，数据速率和带宽提高了33%• 为未......
通过DDR5为数据中心带来先进的服务器性能(2022-11-01 14:14)
量增加了三倍，达到256GB。加载延迟：带宽的大幅增加和新的通道架构也对DDR5的加载延迟产生了积极影响。虽然DDR5和DDR4之间的总体延迟差距不大，但凭借极高的带宽和通道效率，在产生大量内存......
s3c2440裸机-nandflash编程-2-nand控制器和访问时序(2024-07-04)
送row地址，此款nandflash是用了5个周期发送地址。
2.数据锁存时序（写数据）
从前面的命令地址锁存时序图中我们得知，CLE信号拉高，ALE信号拉低时，表示发送的命令；当CLE信号拉低，ALE信号......
澜起科技率先试产DDR5第二子代RCD芯片(2022-05-09)
方案还包含CA、CS和DFE训练模式及双频支持等高级功能。
澜起科技DDR5第二子代寄存时钟驱动器芯片
澜起科技总裁Stephen Tai先生表示："计算能力的飞速增长要求内存带宽不断提升，对于内存......
澜起科技率先试产DDR5第二子代RCD芯片(2022-05-09)
方案还包含CA、CS和DFE训练模式及双频支持等高级功能。
澜起科技DDR5第二子代寄存时钟驱动器芯片
澜起科技总裁Stephen Tai先生表示："计算能力的飞速增长要求内存带宽不断提升，对于内存......
澜起科技率先试产DDR5第二子代RCD芯片(2022-05-09)
方案还包含CA、CS和DFE训练模式及双频支持等高级功能。
澜起科技DDR5第二子代寄存时钟驱动器芯片
澜起科技总裁Stephen Tai先生表示："计算能力的飞速增长要求内存带宽不断提升，对于内存......
美光 MRDIMM创新技术打造最高性能、低延迟主存，为数据中心工作负载加速(2024-07-19)
（经验数据为 8800MT/s）和 TSV RDIMM（预估数据为 6400MT/s）在不同内存时钟下的只读带宽数据进行测试。] 该款全新内存产品为美光 MRDIMM 系列的首代，将与英特尔® 至强® 6......
美光 MRDIMM 创新技术打造最高性能、低延迟主存，为数据中心工作负载加速(2024-07-18 15:20)
MRDIMM（经验数据为 8800MT/s）和 TSV RDIMM（预估数据为 6400MT/s）在不同内存时钟下的只读带宽数据进行测试。2. 基于英特尔 Memory Latency Checker......
美光 MRDIMM 创新技术打造最高性能、低延迟主存，为数据中心工作负载加速(2024-07-18)
-AP 平台，使用英特尔 Memory Latency Checker（MLC）工具，针对 MRDIMM（经验数据为 8800MT/s）和 TSV RDIMM（预估数据为 6400MT/s）在不同内存时......
澜起科技在业界率先试产DDR5第三子代RCD芯片(2023-10-27 10:19)
澜起科技在业界率先试产DDR5第三子代RCD芯片;澜起科技宣布在业界率先试产DDR5第三子代寄存时钟驱动器芯片M88DR5RCD03，该芯片应用于DDR5 RDIMM内存模组，旨在进一步提升内存......
澜起科技在业界率先试产DDR5第三子代RCD芯片(2023-10-27 10:19)
澜起科技在业界率先试产DDR5第三子代RCD芯片;澜起科技宣布在业界率先试产DDR5第三子代寄存时钟驱动器芯片M88DR5RCD03，该芯片应用于DDR5 RDIMM内存模组，旨在进一步提升内存......
魅族选得对吗？Helio P20对比骁龙625：谁强秒懂(2016-11-30)
较大的升级。
▲Helio P20拥有更高的核心频率
在内存支持方面可以看到Helio P10和P20同样支持单通道的LPDDR3 933MHz，最高支持4GB的内存，这个也是现时大部分中端手机支持的内存规格。Helio......
DDR5内存浪潮到来，佰维存储推出DDR5-4800大容量内存(2021-10-25)
DDR5内存浪潮到来，佰维存储推出DDR5-4800大容量内存;
此前，Intel已经宣布，在即将推出的12代酷睿Alder Lake-S处理器上首发支持DDR5内存，PC领域即将进入DDR5内存时......
大内存时代振奋人心的CXL技术（下）(2023-02-06)
大内存时代振奋人心的CXL技术（下）;在《大内存时代，振奋人心的CXL技术（上）》中，我们对CXL技术是什么，解决了什么问题，以及CXL1.0/1.1、CXL2.0和CXL3.0技术......
澜起科技发布业界首款DDR5第三子代寄存时钟驱动器工程样片(2022-12-05)
澜起科技发布业界首款DDR5第三子代寄存时钟驱动器工程样片;
【导读】澜起科技宣布在业界率先推出DDR5第三子代寄存时钟驱动器（简称RCD或DDR5 RCD03）工程样片，并已向业界主流内存......
iPhone 15和15 Pro都上USB-C接口！但是两者千差万别(2023-03-28)
率不理想，基于3nm的A17芯片最终可能无法达到最激进的性能目标设定。
iPhone 15和iPhone 15 Pro之间的差异可能还体现在这几个方面：iPhone 15 Pro将摒......
三星承认：芯片业务面临危机，誓言卷土重来(2024-05-31)
电子的半导体业务去年亏损近 15 万亿韩元（109 亿美元），表明在经历了行业最严重的周期性衰退之一后，复苏速度慢于预期。该公司在高带宽内存芯片方面面临来自本土竞争对手 SK 海力士的激烈竞争，并且正在努力缩小与台积电在合同制造方面的差距......
澜起科技发布业界首款DDR5第三子代寄存时钟驱动器工程样片(2022-12-01)
样片，并已向业界主流内存厂商送样，该产品将用于新一代服务器内存模组。
澜起科技DDR5第三子代寄存时钟驱动器
DDR5第三子代RCD芯片，支持......
DDR5内存浪潮到来，佰维存储推出DDR5-4800大容量内存(2021-10-21)
DDR5内存浪潮到来，佰维存储推出DDR5-4800大容量内存;此前，Intel已经宣布，在即将推出的12代酷睿Alder Lake-S处理器上首发支持DDR5内存，PC领域即将进入DDR5内存时......
澜起科技发布业界首款DDR5第三子代寄存时钟驱动器工程样片(2022-12-01 14:01)
澜起科技发布业界首款DDR5第三子代寄存时钟驱动器工程样片;澜起科技宣布在业界率先推出DDR5第三子代寄存时钟驱动器（简称RCD或DDR5 RCD03）工程样片，并已向业界主流内存厂商送样，该产品将用于新一代服务器内存......
新一代DDR5 DIMM的五大亮点(2021-04-20)
号完整性。其两个通道的总线都通向寄存时钟驱动器，然后呈扇形散开到DIMM的两侧，有效减少了主机内存控制器观察到的CA总线负载。Rambus的DDR5数据缓冲（DB）芯片将减少数据总线上的有效负载，从而......
Rambus领先一步推出6400MT/s的第三代DDR5寄存时钟驱动器(2023-02-28)
Rambus领先一步推出6400MT/s的第三代DDR5寄存时钟驱动器;日前，Rambus宣布推出6400 MT/s DDR5寄存时钟驱动器（RCD），并向各大DDR5 RDIMM内存......
内存科普：深入浅出，带你深入了解内存各项参数，附科赋CJR颗粒内存超频实战(2020-12-25)
手里也是搞到了一根科赋DDR4 8GB 3200MHz内存，到手价为185元，算是一个比较不错的价格了。这款内存使用了海力士CJR颗粒，工作电压为1.2V，时序为CL22-22-22，频率为3200MHz......
Linux内核内存管理(2024-08-12)
void free_hot_page(struct page *page);
在请求内存时，参数中有个 gfp_mask 标志，这个标志是控制分配内存时必须遵守的一些规则。
gfp_mask 标志有3类......
AI三巨头联手！SK海力士、台积电、NVIDIA共同开发下一代HBM(2024-08-26 11:21)
现更微小的互连间距。SK海力士一直是NVIDIA AI GPU HBM内存的独家供应商，预计在2026年NVIDIA推出的Rubin系列将正式采用HBM4技术。这一合作将进一步巩固三方在AI半导体产业中的领导地位，并扩大与等竞争对手的差距......
大内存时代振奋人心的CXL技术（上）(2023-01-28)
大内存时代振奋人心的CXL技术（上）;存储成本不断增加，以及更为现实的计算和带宽失衡困境，使得英特尔二十年前开创的PCI-e（PCI Express）技术逐渐乏力，我们越来越期待一种以内存......
三星，扩大苏州厂封装产能(2024-11-22)
正专注于提升其封装能力，以确保未来的技术竞争力，并缩小与SK海力士的差距。
三星电子正在扩大其在国内外生产基地的投资，以加强其先进的半导体封装业务。随着下一代高带宽内存......
三星计划 2025 年后在业界率先进入 3D DRAM 内存时代(2024-04-01)
三星计划 2025 年后在业界率先进入 3D DRAM 内存时代;4 月 1 日消息，据外媒 Semiconductor Engineering 报道，三星电子在行业会议 Memcon 2024......
三星计划 2025 年后在业界率先进入 3D DRAM 内存时代(2024-04-02 09:16)
三星计划 2025 年后在业界率先进入 3D DRAM 内存时代;据外媒 Semiconductor Engineering 报道，三星电子在行业会议 Memcon 2024 上表示计划于 2025......
瑞萨率先推出第二代面向服务器的DDR5 MRDIMM 完整内存接口芯片组解决方案(2024-11-20 14:02)
瑞萨率先推出第二代面向服务器的DDR5 MRDIMM 完整内存接口芯片组解决方案;全新多路复用寄存时钟驱动器、多路复用数据缓冲器和PMIC，使下一代MRDIMM速度提升至高达每秒12,800兆次......
瑞萨推出第二代面向服务器的DDR5 MRDIMM 完整内存接口芯片组解决方案(2024-11-21)
）的完整内存接口芯片组解决方案。
全新多路复用寄存时钟驱动器、多路复用数据缓冲器和PMIC，使下一代MRDIMM
速度提升至高达每秒12,800......
瑞萨电子推出工业温度级DDR5和DDR4寄存时钟驱动器(2021-11-04)
瑞萨电子推出工业温度级DDR5和DDR4寄存时钟驱动器;全球半导体解决方案供应商瑞萨电子集团今日宣布，推出支持工业温度等级DDR5（5RCD0148H）和DDR4（4RCD0232K）寄存时......
瑞萨电子推出工业温度级DDR5和DDR4寄存时钟驱动器(2021-11-04)
瑞萨电子推出工业温度级DDR5和DDR4寄存时钟驱动器;全球半导体解决方案供应商瑞萨电子集团今日宣布，推出支持工业温度等级DDR5（5RCD0148H）和DDR4（4RCD0232K）寄存时......
瑞萨电子推出工业温度级DDR5和DDR4寄存时钟驱动器(2021-11-04)
瑞萨电子推出工业温度级DDR5和DDR4寄存时钟驱动器;全球半导体解决方案供应商瑞萨电子集团今日宣布，推出支持工业温度等级DDR5（5RCD0148H）和DDR4（4RCD0232K）寄存时......
Fabless销售额占比在去年创下34.8%的历史新高(2022-07-11)
增长情况与IDM厂商的差距尤为明显。2019 年，在内存市场崩盘的推动下，IDM厂商销售额暴跌了20%。相比之下， Fabless 的销售额仅下降了 1%。 2020年， Fabless的销......
基于无操作系统的STM32单片机开发(2024-03-26)
无操作系统的STM32单片机开发，功能强大，可申请到地址空间连续的不同大小的内存空间，且用户接口简单，使用方便。
正文部分:
1
源码说明
源码包含memory.h 和 memory.c 两个文件（嵌入......
Rambus发布业界首款5600 MT/s DDR5寄存时钟驱动器（RCD），进一步提升服务器存储性能;
· 第二代寄存时钟驱动器（RCD）将DDR5数据速率提高17%，同时......
Rambus发布业界首款5600 MT/s DDR5寄存时钟驱动器（RCD），进一步提升服务器存储性能;
· 第二代寄存时钟驱动器（RCD）将DDR5数据速率提高17%，同时......
Rambus发布业界首款5600 MT/s DDR5寄存时钟驱动器（RCD），进一步提升服务器存储性能;
· 第二代寄存时钟驱动器（RCD）将DDR5数据速率提高17%，同时......
澜起科技发布业界首款DDR5第一子代时钟驱动器工程样片(2022-09-01)
跟踪市场趋势，在业界率先完成了DDR5CK01工程样片的研发及送样。该芯片的主要功能是缓冲来自台式机和笔记本电脑中央处理器的高速内存时钟信号，并将之输出驱动到UDIMM、SODIMM模组上的多个DRAM内存......
澜起科技发布业界首款DDR5第一子代时钟驱动器工程样片(2022-09-01)
跟踪市场趋势，在业界率先完成了DDR5CK01工程样片的研发及送样。该芯片的主要功能是缓冲来自台式机和笔记本电脑中央处理器的高速内存时钟信号，并将之输出驱动到UDIMM、SODIMM模组上的多个DRAM内存......
澜起科技发布业界首款DDR5第一子代时钟驱动器工程样片(2022-09-01)
跟踪市场趋势，在业界率先完成了DDR5CK01工程样片的研发及送样。该芯片的主要功能是缓冲来自台式机和笔记本电脑中央处理器的高速内存时钟信号，并将之输出驱动到UDIMM、SODIMM模组上的多个DRAM内存......
最新手机性能排名：同是骁龙821差距如此之大！(2016-11-02)
、小米5s Plus、锤子M1L的差距明显，看来内存和系统的影响不容忽视。
值得一提的是，鉴于10月底发布的小米Note 2和小米MIX均是在11月才开售，因此其后台安兔兔数据没有达标，本期......
苹果M4深度揭秘(2024-05-09)
于为更强大的芯片提供足够的电力。
在工艺方面，台积电的 3 纳米工艺节点增强版是 M3 系列芯片使用的 N3B 工艺的升级版；N3E 的密度不如 N3B，但根据台积电的说法，它的性能和功耗特性略胜一筹。虽然两者之间的差距......
iPhone 15全系搭载灵动岛：传感器升级性能更具优势(2023-03-28)
意外的话该系列将继续推出包含 15、 15 Plus、iPhone 15 Pro和iPhone 15 Ultra四款机型，其中尤其两个高配版更是得到了非常多的曝光。本文引用地址：相比前代产品，今年的标准版机型与Pro版之间的差距......
科学家：UltraRAM技术可整合内存与闪存，耐用性极高(2022-01-13)
英特尔Optane 傲腾已尝试弥合DRAM和闪存存储之间的差距，并量产了傲腾内存产品，但仍不足以完全替代 RAM。而三星具备Z-NAND技术，铠侠和西部数据也希望将 XL-FLASH 存储......
英伟达成市值最高半导体企业 高达7732亿美元(2023-05-24)
，英伟达与排名第二的台积电（4810亿美元）的差距扩大了60%以上。另外，2018年排名第一的三星在今年5月中旬的市值仅为3413亿美元，仅次于英伟达和台积电，排名第三；2018年排名第三的英特尔今年5......
相关企业
;北京爱德康科技有限公司;;公司业务范围涉及广泛,积三十多年经验,可帮助企业改造落后生产环节,提高生产率,降低能耗成本,增收节支,缩小与国外先进企业的差距.
;北京利尔金福科技有限公司;;公司业务范围涉及广泛,积三十多年经验,可帮助企业改造落后生产环节,提高生产率,降低能耗成本,增收节支,缩小与国外先进企业的差距.
关于反向新概念的研究便如火如荼，时至今日，遍地开花的逆向工程开发企业已经为推动国内信息产业的发展做出了巨大贡献，国内电子产业与国外先进技术之间的差距正逐步缩小。
;深圳市晟迈科技有限公司;;深圳市晟迈科技有限公司（简称“晟迈”），位于广东省深圳市。是一家专业销售台系电源驱动IC和MOSFET。主要销售产品品牌有：台湾广鹏ＡＤＤ的ＬＥＤ电源驱动ＩＣ、台湾
税金3000万元。上全国互感器市场18份额。 技术力量雄厚，拥有高级技术人员8人，中级以上16人，拥有科研中心一家，专门从事互感器产品的研制和开发，产品一直领先国内先进水平，并不断缩小与国外先进产品的差距
了丰富的经验，致力于缩短中国制造业和国外的差距,已成功服务许多知名国内企业。主要从事 ◆ 电子产品委托开发,设计； ◆ 工业控制设备的功能测试和功能仿制； ◆ 成套控制板的生产； ◆ 各种
Specifications.
;Daburn -测量Daburn的差异
Daburn提供各类电线电缆及;收缩油管和套管;连接装置,插座及千斤顶;陶瓷绝缘体。我们专门从事微型、车船及hi
先进技术，突破国外技术封锁, 积累了丰富的经验，致力于缩短中国制造业和国外的差距,已成功服务许多知名国内企业。 公司工厂深圳市坂田龙壁工业区,***了高级技术人才多名，多年的开发生产经验，使我
。上缴税金3000万元。上全国互感器市场18份额。 技术力量雄厚，拥有高级技术人员8人，中级以上16人，拥有科研中心一家，专门从事互感器产品的研制和开发，产品一直领先国内先进水平，并不断缩小与国外先进产品的差距
;GaoTong Electronic Inc.;;我们的成员和经纪人论坛有三年的历史在延长网络的生存时间。 我们认为“质量第一、顾客至上”为基础的公司,是一家专业生产各类电子组件