多简单，无非就是读写擦，像我们这款nand数据位宽8bit，一个周期绰绰有余。但地址就不一样了，比如此款nandflash容量256M = 2^28，那么需要28根数据线来传输才能一个周期传输完，但这款nandflash的数据总线位宽只有8bit, 只有8根数据线，所以需要把地址拆分成多次发送，先发送col地址，再发送row地址，此款nandflash是用了5个周期发送地址。

2.数据锁存时序（写数据）

从前面的命令地址锁存时序图中我们得知，CLE信号拉高，ALE信号拉低时，表示发送的命令；当CLE信号拉低，ALE信号拉高时，表示发送的地址；那么当CLE、ALE都拉低时，表示发送的数据，如下图，nCE, CLE, ALE都拉低了，表示传输的是数据。

1)当到达①时，nWE还是高电平，写使能没有开启；

2)当到达②,③时，那么经过了tWP时间（TDS时间），数据开始被锁存；

3)到达④，经过tDH时间，数据锁存完成;

4)到达⑤，也就是数据开始锁存后再过了tWH时间后释放nWE信号；

5）重复②③④⑤过程。

根据上面这三个图（手册上的命令、地址、数据锁存时序图），下面详细解释各个时间参数的含义：

3.顺序访问周期（读数据）

1）①处，表示要过tRR后才能发送读使能信号nRE进行访问（上一次的访问结束后，需要等待ready状态稳定后才可以进行下一次访问）；

2）当到达②，需要经过rREA时间后nRE信号才有效（待nRE稳定）；

3）当到达③，DATA总线上的读取被读取；

4）当到达④，nRE释放tREH时间后才允许下一次读使能

我们看到连续顺序访问时，单次访问的时间为tRC，那么这些时间参数的值也可以从K9F2G08U0C datasheet中找到：为25ns