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如何将电池储能系统的性能提升到更高水平？(2023-07-28)
) 之间的区别及其各自的常见电路拓扑。本文还建议使用 (onsemi) 的碳化硅 (SiC) 方案，将 BESS 性能提升到全新水平。本文引用地址：
图 1：BESS 实施概览
采用 BESS......
3.9s破百，1千公里续航，蔚来 ET7 是如何做到的？有哪些值得关注的黑科技？(2021-09-29)
于100kWh NCM811镍钴锰电池包提升了50%。
蔚来所谓的固态电池其实称之为“混合固液电解质锂电池”或“半固态电池”更为合适。
固态电池相较传统锂电池最大的区别在于电解质，采用......
热泵及其谐波电流解决方案(2023-09-27)
FS3L35R07W2H5_C40两个模块可选，封装如图9，两个模块的区别是C56是焊接版本，C40是压接版本，其他参数都一样。模块内部IGBT采用35A的H5，可支持开关频率到40 kHz，输出功率8 kW左右......
PLC控制步进电机的速度和角度 PLC控制柜由哪些元件组成(2023-09-11)
指令之数学函数
17.正反转控制电路
18.门禁如何接线
19.如何根据电机功率选择接触器
20.变频器端子中COM和GND的区别
21.四地分别控制启停一台电机接线图
22.断相......
设计三相PFC请务必优先考虑这几点(2024-06-14)
个关键决定是使用两电平还是三电平。这对效率有很大影响，主要包括开关和二极管中的开关损耗、电感器中的高频损耗，以及EMI。这还会极大影响拓扑结构，因为并非所有拓扑结构都支持三电平功能。
图4和图5显示了二电平和三电平开关之间的区别......
Ameya360：平面MOSFET与超级结MOSFET区别(2023-03-13)
表示处理各功率晶体管的功率与频率范围。可以看出，Si-MOSFET在这个比较中，导通电阻与耐压略逊于IGBT和SiC-MOSFET，但在低～中功率条件下，高速工作表现更佳。
平面MOSFET与
Si......
干货｜IGBT和SiC 栅极驱动器基础知识(2022-12-23)
干货｜IGBT和SiC 栅极驱动器基础知识;IGBT 和 SiC 电源开关有哪些市场和应用？本文引用地址：高效的电源转换在很大程度上取决于系统中使用的功 率半导体器件。由于功率器件技术不断改进，大功......
第三代半导体功率器件在汽车上的应用(2023-02-01)
第三代半导体功率器件在汽车上的应用;目前碳化硅(SiC)在车载充电器(OBC)已经得到了普及应用，在电驱的话已经开始逐步有企业开始大规模应用，当然SiC和Si的在成本上还有一定的差距，主要......
电源设计必学电路之驱动篇(2024-04-22)
半桥电路的控制要求。
2、IGBT驱动
IGBT常被用于中大功率数字电源开发，其驱动电压范围为-15~15V。IGBT驱动电路分为正压驱动和负压驱动，两者的区别在于关断时的门极电位。采用......
适用于运输领域的SiC：设计入门(2023-04-19)
为一种根本性的挑战。在图3b中，捕捉到了SiC-MOS和Si-IGBT的典型传输特性。读者会发现，SiC-MOS的沟道打开速度略微“缓慢”，在20V左右时，Rdson达到最小值。鉴于此，栅极......
新能源汽车加速爆发，功率器件迎来增长新契机(2023-06-06)
器件主要用于电驱、OBC和DC/DC转换等领域，能够显著降低电力电子系统的体积、重量和成本，提高功率密度。微型轻量化的SiC器件还可以减少因车辆本身重量而导致的能耗。
以主驱逆变器中的应用为例，碳化......
光伏赛道火热，却受“心脏”产能制约，SIC与IGBT谁是新能源的最优解？(2022-11-16)
光伏赛道火热，却受“心脏”产能制约，SIC与IGBT谁是新能源的最优解？;
【导读】“逆变器就靠排队抢货，单子可以接，队伍请排好”，在各大光伏行业交流群里，询问......
Boost变换器中SiC与IGBT模块热损耗对比研究*(2023-01-28)
仿真的方式对SiC与Si MOS进行了对比研究，但缺乏试验验证。本文在以上研究的基础上，对SiC 和IGBT 器件在电路应用中的进行对比研究，力求提供具有实用价值的SiC和热损耗计算公式，再将......
功率半导体“放量年”，IGBT、MOSFET与SIC的思考(2023-04-26)
SiC加码，IGBT、MOSFET市场迎变局
当下功率半导体市场中IGBT和MOSFET仍然占据主流，后来者SiC相比Si基产品，具有大禁带宽度、高临界击穿场强、高热导率三个最显著特征，基于......
功率半导体“放量年”，IGBT、MOSFET与SIC的思考(2023-04-27)
，IGBT、MOSFET市场迎变局
当下功率半导体市场中IGBT和MOSFET仍然占据主流，后来者SiC相比Si基产品，具有大禁带宽度、高临界击穿场强、高热......
IGBT驱动芯片进入可编程时代，英飞凌新品X3有何玄机？(2023-08-21)
IGBT驱动芯片进入可编程时代，英飞凌新品X3有何玄机？;俗话说，好马配好鞍，好自然也要配备好的驱动IC。一颗好的驱动不仅要提供足够的驱动功率，最好还要有完善的保护功能，例如退饱和保护、两电......
双运放电流源的基本操作(2024-01-03)
器件的另一个显着区别，由于沟道中的缺陷密度较高，DMOS 器件通常表现出较弱的电阻对温度的依赖性。
图 6：MOSFET 导通电阻随温度变化的主要行为、Si 和 SiC 之间......
满足高度紧凑型1500-V并网逆变器需求的新型ANPC功率模块(2022-12-09)
有成本效益且高效的硅基IGBT解决方案相结合带来的优势。图1a显示了所述解决方案的桥臂。其中，T1至T4由硅基IGBT和相应的硅基续流二极管（FWD）组成；T5和T6由SiC T-MOSFET和内部体二极管组成。采用[6]中提......
SiC规模量产前，IGBT还有多大商机？(2020-12-25)
进发。[!--empirenews.page--]
中资企业在IGBT芯片技术上的突破，进一步加剧了该市场的竞争，也鞭策国内外厂商朝更新的方向布局。实际上，未雨绸缪也一直都是功率器件“领头羊”们的做法。
如何看待IGBT和SiC......
士兰微电子推出小体积高性能270A/750V IGBT电机驱动模块(2023-08-07)
士兰微电子推出小体积高性能270A/750V IGBT电机驱动模块;
【导读】随着新能源汽车的普及，汽车电气化已经成为一个不可逆的趋势。相比传统汽车，汽车电气化最大的区别......
电动压缩机设计-SiC模块,压缩机(2024-09-25)
AFGHL40T120RWD 和SiC MOSEFT NVHL070N120M3S 为例，根据I/V曲线来评估开通损耗， 在电流小于18A时，SiC MOSEFT的导通压降都是小于IGBT的，而电......
电动压缩机设计-SiC模块篇(2024-09-25)
的开关速度
更好的热特性：更高的温度范围
2.更小损耗及更高效率
以安森美适用于800V平台电动压缩机应用的最新一代IGBT AFGHL40T120RWD 和SiC......
SiC MOSFET在汽车和电源应用中优势显著(2024-07-24)
SiC MOSFET在汽车和电源应用中优势显著;商用硅基功率MOSFET已有近40年的历史，自问世以来，MOSFET和IGBT一直是开关电源的主要功率处理控制组件，被广泛用于电源、电机......
谈谈SiC MOSFET的短路能力(2024-02-02)
能 力 ， 即 使 有 ， 也 比 较 短 ， 例 如 英 飞 凌 的CoolSiCTM 单管封装器件标称短路时间是3us，EASY封装器件标称短路时间是2us。
为什么IGBT和SiC 短路......
从硅到碳化硅，更高能效是功率器件始终的追求(2023-09-07)
功率器件的节能趋势
上面我们已经提到了，功率器件的种类非常丰富，为了满足行业对节能增效的需求，不只是IGBT和SiC MOSFET这样的热门器件在不断更新迭代，传统功率器件也在进行积极创新。
目前，功率......
功率半导体市场需求快速扩容，国内厂商IGBT、SiC布局盘点(2022-01-04)
功率半导体市场需求快速扩容，国内厂商IGBT、SiC布局盘点;
IGBT即绝缘栅双极型晶体管，是工业控制及自动化领域能源变换和传输的核心元器件。在如日中天的新能源汽车中，IGBT以较......
变频启动和星三角启动的区别(2023-09-13)
的调整的场景。
综上所述，星三角启动和变频启动各有优劣，应根据不同的需要选择不同的启动方式。
变频器降压启动和星三角降压启动的区别如下：
一、原理不同
1、变频器降压启动：靠内部IGBT......
如何利用 SiC 打造更好的电动车牵引逆变器(2024-07-23)
出现的拐点电压，这对于最高 200A 的所有电流电平都是有益的，在轻负荷和中负荷运行对应的较低电流下尤其有益。
图 2：200A SiC FET 和 IGBT 的导电损耗特征
图 3 是适合 750 V 器件......
SiC风再大也难掩硅基IGBT的“光彩”，国内几大项目何时量产？(2023-07-07)
SiC风再大也难掩硅基IGBT的“光彩”，国内几大项目何时量产？;
【导读】近年来，以SiC（SiC）、氮化镓（GaN）等材料为代表的化合物半导体因其宽禁带、高饱和漂移速度、高临......
Littelfuse推出用于SiC MOSFET和高功率IGBT的IX4352NE低侧栅极驱动器(2024-05-26)
Littelfuse推出用于SiC MOSFET和高功率IGBT的IX4352NE低侧栅极驱动器;
【导读】Littelfuse宣布推出IX4352NE低侧SiC MOSFET和IGBT......
光伏三相逆变器系列（一）：光伏行业及三相逆变器特点浅析(2023-10-20)
TNPC的结构区别
如下是INPC和TNPC的结构示意图：
图5 INPC 结构示意图
图6 TNPC结构示意图
从结构示意图看，不同点如下：
● INPC由4个IGBT和4个体......
讨论下电动汽车的发电模式(2023-07-10)
乘以压降VF，也就是说，续流二极管（其实这时应该叫整流二极管）的压降VF决定了整流电路的效率。
那么对于发电电路，IGBT和SiC MOSFET哪个效率更高呢？
简单粗暴，直接上数据手册对比：
上图......
士兰微：2023年上半年IGBT业务营收同比增长300%以上(2023-08-22)
（包括IGBT器件和PIM模块）的营业收入已达到5.9亿元，较去年同期增长300%以上。
基于公司自主研发的V代IGBT和FRD芯片的电动汽车主电机驱动模块， 已在比亚迪、吉利、零跑、汇川......
Littelfuse推出用于SiC MOSFET和高功率IGBT的IX4352NE低侧栅极驱动器(2024-05-23)
推出IX4352NE低侧SiC MOSFET和IGBT栅极驱动器。这款创新的驱动器专门设计用于驱动工业应用中的碳化硅（SiC）MOSFET和高功率绝缘栅双极晶体管（IGBT）。
IX4352NE低侧......
SiC MOSFET用于电机驱动的优势(2023-12-22)
以下工况，对比三款器件：
IGBT IKW40N120H3，
SiC MOSFET IMW120R060M1H和IMW120R030M1H。
测试条件
Vdc=600V, VN,out=400V, IN,out......
西门子1200与300的九大区别(2023-05-30)
西门子1200与300的九大区别;一、硬件的区别
在硬件扩展方面，S7-300的主机架多支持八个扩展模块，而S7-1200支持扩展多八个信号模块和多三个通信模块。以S7-300 CPU313C和S7......
缺货或持续至明年上半年，IGBT后，谁能成车用半导体厂商下一个风口？(2023-03-28)
根本买不到”。
IGBT又称绝缘栅双极性晶体管，是一种三端半导体开关器件，由BJT和MOS管组合而成，也可以看作BJT和MOS管的融合体，具有MOS的输入特性和BJT管的输出特性。IGBT在电......
三菱电机发布J3系列SiC和Si功率模块样品(2024-01-26)
电机已为提高耐热循环性等可靠性并解决逆变器小型化等问题的xEV提供了大量功率模块，并已搭载在各种EV和HEV中。
此次，三菱电机将推出配备SiC-MOSFET或RC-IGBT（Si）的J3系列紧凑型模块，作为......
是什么使SiC成为组串式逆变器的完美解决方案(2023-02-09)
结构的一种具有成本效益的方法是将的1200V Cool™ MOSFET与TRENCHSTOP™ IGBT7技术优化组合。图2显示了参考方案中的一个桥臂，其中T1、T4、T5和T6由硅基IGBT和相......
高频逆变器和工频逆变器的区别和相同点(2024-05-13)
高频逆变器和工频逆变器的区别和相同点;逆变器工频和高频是什么意思
逆变器的“工频”和“高频”指的是逆变器所操作的交流电的频率范围。
“工频”是指通常用于公共电力供应和家庭用电的标准交流电频率。在大......
三菱电机发布J3系列SiC和Si功率模块样品(2024-01-25 10:06)
更长的续航里程和更低的电力成本——使用两种类型的半导体元件：SiC-MOSFET和RC-IGBT（Si）• 沟槽SiC-MOSFET结合了低损耗和高速驱动，使逆变器体积更小功率损耗更低，从而使EV和PHEV提供......
GaN和SiC在电动汽车中的应用(2024-01-24)
GaN和SiC在电动汽车中的应用;汽车设计的几乎每个组件，包括底盘、动力总成、信息娱乐、连接和驾驶辅助系统 (ADAS)，都在汽车领域经历快速发展和创新。
设计人员正在寻求先进技术，从基......
RECOM扩展栅极驱动 DC/DC 系列产品(2023-12-20)
RECOM扩展栅极驱动 DC/DC 系列产品;
【导读】非对称稳压输出适合 IGBT、Si、SiC 和 GaN 共源共栅栅极驱动 - 现在，借助新型 R24C2T25 DC/DC 转换......
RECOM推出栅极驱动 DC/DC 系列产品扩展(2024-02-27)
RECOM推出栅极驱动 DC/DC 系列产品扩展;
【导读】非对称稳压输出适合 IGBT、Si、SiC 和 GaN 共源共栅栅极驱动 - 现在，借助新型 R24C2T25 DC/DC 转换......
有效测量碳化硅信号(2023-08-21)
有效测量碳化硅信号;碳化硅（SiC）技术已超越传统的硅（Si）绝缘栅双极晶体管（IGBT）应用，因为它具有大功率系统的主要热和电气优势。这些优势包括更高的开关频率、更高的功率密度、更好......
中国车规芯片系列（6）：功率半导体迎来超越窗口期(2023-11-20)
、超结功率MOSFET和IGBT等，具体主要分为以新能源汽车和工业控制为代表的高功率应用场景，和以消费类电子产品为代表的中低功率应用市场。
根据Yole的数据，2022年全球IGBT的市......
Power Integrations推出具有快速短路保护功能且 适配62mm SiC和IGBT模块的门极驱动器;Power Integrations推出具有快速短路保护功能且适配62mm SiC和......
厂商谈IGBT大缺货：根本买不到！(2023-03-21)
业用途上，则有AC伺服马达、变频器、风力及太阳能发电等绿电应用，在高压部分则是高速铁路等轨道运输以及电网的应用。
02
IGBT后，SiC成车用半导体厂商下一个风口
当下SiC功率......
为什么矿机电源对效率和可靠性要求越来越高(2022-12-08)
等。
我们要为大家推荐的第二款器件同样属于UnitedSiC第四代750V SiC FET产品系列，和UJ4C075060K3S的区别在于封装。UnitedSiC UJ4C系列第四代750V SiC FET......
IGBT主导新能源汽车上半场，SiC提速上车剑指新周期(2023-01-26)
IGBT主导新能源汽车上半场，SiC提速上车剑指新周期;
【导读】2022年，半导体行业依然在挑战中前行。后疫情时代、行业下行、地缘政治等因素仍深刻地影响着全球半导体产业链及生态。来到......
相关企业
了可显着提高电动汽车和可再生能源应用性能和效率的变革性技术。我们的栅极驱动器内核，即插即用栅极驱动器中获得专利的增强开关TM技术，适用于SiC和IGBT开关。它们用于各种应用，包括电动汽车，太阳能逆变器，风力涡轮机，储能，电机驱动，储能，牵引
;梅安茶庄;;清香型安溪铁观音和浓香型安溪铁观音最主要的区别就在于:浓香型在精制工艺上多了一道烘焙工序，因而冲泡时汤色较浓。 浓香型产品精制工艺:毛茶→验收→归堆→投放→筛分→风选→拣剔→号茶
and manufacturing company dedicated to products based on Silicon Carbide (SiC) technologies and Amorphous
：手套白色棉布型及黑色橡胶型，加长加厚。 性能：耐磨、耐高压。 喷砂手套和普通的橡胶手套的区别在于： 喷砂手套是采用高耐磨橡胶经达特殊的生产工艺制成。 吸尘布袋各种规格非标订做,白色
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;施克斯集团有限公司;;施克斯集团有限公司前身是德国 SIC Silicone materials institute（硅材料研究事物所），成立于1981年6月，位于德国科特布斯市蒂姆大街，是专
;西安众鑫特种材料有限公司;;西安众鑫特种材料有限公司是一家专业从事SiC微粉和SiC晶须及其下游产品研发、生产和销售的高新技术企业，也是全球首家突破传统生产技术，利用
;树仁系统;;安利与天狮的区别,安利公司创立于1959年，迄今为止已经近50年，它是直销这个行业的创始者，没有安利公司就没有世界直销业，也不会有更多的直销公司，安利
管模块,IGBT模块,THRYSITOR晶闸管模块,大电流肖特基模块等产品,其模块产品一直应用于日本国的高铁,动车系统,在日本二极管及模块市场点有47％的份额.现由于市场的需要,在中国开拓内地市场.以优
;北京CS科技发展有限公司;;本公司生产并销售OTTO和EZE焊接设备.同时还销售各种进口的IGBT等模块.三菱,冬芝,仙童,三社,Fine suntronix almel