资讯
MOS管基础及选型指南(2024-03-20)
），主要有两种结构形式：N沟道型和P沟道型。
根据场效应原理的不同，分为耗尽型（当栅压为零时有较大漏极电流）和增强型（当栅压为零，漏极电流也为零，必须再加一定的栅压之后才有漏极电流）两种。
因此......
RS瑞森半导体低压MOS在小家电的应用(2022-11-28)
按导电方式也可将MOS管分为耗尽型与增强型，如下图所示：
二、产品应用及特点
低压MOS管的器件主要应用于家电领域，如：榨汁机、果汁杯、暖奶瓶、打蛋器、吸尘器等。
产品特点：成熟的Trench设计......
NMOS和PMOS详解(2023-12-19)
要在栅极加合适的电压才能工作，下面说明其工作原理：
增强型NMOS管工作原理
电源E1通过R1加到场效应管D, S极，电源E2通过开关S加到G, S极。
当开关S断开时，栅极无电压，由于衬底是P型......
一种低电压、低功耗模拟电路设计方案(2024-07-23)
级的输出端和输入端连接在一起，在第二级中补偿电容实际作为密勒电容使用。
通过提供足够的栅源电压值使场效应管导通，衬底驱动MOS晶体管即以耗尽型器件的原理工作，通过施加在衬底端的输入电压调制流经晶体管的电流，完成......
从内部结构到电路应用，这篇文章把MOS管讲透了。(2024-04-29)
须清楚这个参数是否符合需求。
解释2：n型
上图表示的是p型mos管，读者可以依据此图理解n型的，都是反过来即可，因此，不难理解，n型的如图在栅极加正压会导致导通，而p型的相反。
解释3：增强型
相对于耗尽型，增强型......
涨知识！氮化镓（GaN）器件结构与制造工艺(2024-06-17)
涨知识！氮化镓（GaN）器件结构与制造工艺;功率器件与硅基功率器件的特性不同本质是外延的不同，本文通过深入对比HEMT与硅基MOS管的外延，再对增强型和耗尽型的HEMT进行对比，总结......
还在为用氮化镓设计高压电源犯难？试试这两个器件(2023-03-29)
模式。增强模式 FET 是常闭的，因此必须在栅极上施加相对于漏极/源极的正电压，以使 FET 导通。耗尽型 FET 是常开的，因此必须施加相对于漏极/源极的负栅极电压来关断 FET。耗尽型......
中科大在氧化镓功率电子器件领域取得重要进展(2022-05-27)
晶体管
增强型晶体管具有误开启自保护功能，且仅需要单电源供电，因此在功率应用中通常选用增强型器件。但由于氧化镓P型掺杂技术缺失，场效应晶体管一般为耗尽型器件，增强型......
如何利用IT2800源表快速实现MOSFET器件的I-V特性测试？(2023-03-17)
驱动电路简单，驱动功率小，开关速度快，工作频率高、热稳定性高于GTR等优点。按导电沟道功率MOSFET可分为P沟道和N沟道。按栅极电压幅值可分为;耗尽型;当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道，增强型;对于......
4个常用的单片机防反接电路(2022-12-08)
=44A
Rds=0.027Ω
我们可以看到，其导通电阻只有27mΩ。
如下图所示，这是一个用N沟道场效应管构成的防反接电路：
这个电路的最大一个特点，就是场效应管的D极和S极的接法。通常我们在使用N沟道的增强型的......
防反接常用单元电路，收藏了(2024-10-26 11:31:16)
构成的防接反电路
这个电路的最大一个特点就是场效应管的D极和S极的接法。通常我们在使用N沟道的增强型的MOS管时......
分享：直流电防接反电路的总结！(2024-12-17 20:30:32)
构成的防接反电路：
这个电路的最大一个特点就是场效应管的D极和S极的接法。通常我们在使用N沟道的增强型的MOS管时，一般是电流由D极进入而从S极流出。应用......
VisIC Technologies为大功率氮化镓牵引逆变器铺平了道路，成功运行了BEV电机(2023-02-16)
实验室中完成了基于永磁同步电机的大功率逆变器拖载台架测试，成功测试了其 2.2mΩ 650V 半桥功率模块，该模块由 4 个8mΩ 氮化镓功率场效应管并联组成，采用......
30V MOS管N沟道PKC26BB替代料SVG032R4NL5(2023-09-26)
LVMOS工艺技术制造是100A、30VN沟道增强型场效应管，可兼容替代尼克森PKC26BB。
PKC26BB替代料SVG032R4NL5特点
■ 100A,30V,RDs(on)(典型值)=2.0mΩ......
年产新增1万片氮化镓外延片，晶湛半导体项目获新进展(2022-08-02)
）与增强型（E-mode）两种外延结构。
今年3月，晶湛半导体宣布完成B+轮数亿元战略融资。
歌尔微电子（歌尔股份控股子公司）领投，高瓴创投、惠友资本、创新工场、禾创致远、共青城军合、无限......
Transphorm GaN技术引领氮化镓革命(2024-06-26 17:08)
Transphorm GaN技术引领氮化镓革命;长期以来，宽禁带行业一直围绕两种不同架构氮化镓晶体管争论高下——常闭耗尽型 （D-mode）和增强型（E-mode）氮化镓。在设计电路时，人们倾向于使用增强型......
MCS-51单片机指令系统（4）(2022-12-12)
脚上反映真实的输入信号，必须要 设法先让该引脚内部的场效应管截止才行，否则当场效应管导通时，P1口引 脚上将永远为低电平，无法正确反映外设的输入信号。让场效应管截止，就是用指令给P1口的相应位送一个“１”电平，这就......
蔚来资本增持晶湛半导体，氮化镓前景广阔(2023-09-01)
涵盖了200V, 650V, 1200V甚至更高压的应用场景，并能提供耗尽型（D-mode）与增强型（E-mode）两种外延结构。
资料显示，氮化镓因具备宽禁带、高频率、低损耗、抗辐射强等优势，可以......
这40个模拟电路基础知识太有用了！(2024-06-06)
NPN管，这应该在确定电源形式时同时考虑。有些的外壳与某个电极相连，对于硅管来说往往是集电极。在需要某极接地时应考虑这个因素。
11、场效应晶体管与BJT在工作过程中有很大的区别：BJT中的......
90%的工程师会忽略的 40 个实用模拟电路小常识，你是其中之一吗？(2024-10-20 23:26:13)
的英文名称是gate,门一样的存在，和基极的作用差不多>其中P型衬底一般与栅极g相连。
21、增强型FET必须依靠栅源电压Vgs才能起作用（开启电压Vt），耗尽型FET则不......
90%的人会忽略的40个实用模拟电路小常识(2024-11-30 17:23:02)
地时应考虑这个因素。
11、场效应晶体管与BJT在工作过程中有很大的区别：BJT中的电荷载体是空穴或被击出的少量的“少子”，FET中的电荷则是数目相对多几个数量级的自由电子，“多子......
电子工程师必备！40个模拟电路小常识！(2024-12-15 01:50:33)
场效应晶体管与BJT在工作过程中有很大的区别：BJT中的电荷载体是空穴或被击出的少量的“少子”，FET中的......
指针式万用表对场效应管进行判别方法(2023-02-08)
依次对准位置，这就确定了两个栅极G1、G2的位置，从而就确定了Ｄ、S、G1、G2管脚的顺序。
（5）用测反向电阻值的变化判断跨导的大小
对ＶＭＯＳ Ｎ沟道增强型场效应管测量跨导性能时，可用......
VisIC Technologies为大功率氮化镓牵引逆变器铺平了道路，成功运行了BEV电机(2023-02-16)
个8mΩ 氮化镓功率场效应管并联组成，采用三相桥配置。
VisIC Technologies 3-phase prototype inverter system
因此，VisIC......
VisIC Technologies为大功率氮化镓牵引逆变器铺平了道路，成功运行了BEV电机(2023-02-16 10:37)
个8mΩ 氮化镓功率场效应管并联组成，采用三相桥配置。
VisIC Technologies 3-phase prototype inverter system
因此，VisIC......
VisIC Technologies为大功率氮化镓牵引逆变器铺平了道路，成功运行了BEV电机(2023-02-16)
块由 4 个8mΩ 氮化镓功率场效应管并联组成，采用三相桥配置。
VisIC Technologies 3-phase prototype inverter system
因此，VisIC......
pHEMT功率放大器的有源偏置解决方案(2023-10-30)
沟道的高电导率可能会导致器件烧毁。本文探讨耗尽型射频(RF)放大器的工作原理以及如何对其有效偏置。耗尽型场效应晶体管(FET)需要负栅极电压，并且必须小心控制开启/关断的时序。文中......
用指针万用表检测场效应管的方法(2023-02-07)
确定了两个栅极G1、G2的位置，从而就确定了Ｄ、S、G1、 G2管脚的顺序。
４、用测反向电阻值的变化判断跨导的大小
对ＶＭＯＳＮ沟道增强型场效应管测量跨导性能时，可用红表笔接源极Ｓ、黑表笔接漏极Ｄ，这就......
介绍用指针万用表检测场效应管的方法(2023-03-07)
依次对准位置，这就确定了两个栅极G1、G2的位置，从而就确定了Ｄ、S、G1、 G2管脚的顺序。
４、用测反向电阻值的变化判断跨导的大小
对ＶＭＯＳＮ沟道增强型场效应管测量跨导性能时，可用......
60v mos管万代ao4264E/威兆VS6410AS替代料SVGP069R5NSA(2023-09-12)
60v mos管万代ao4264E/威兆VS6410AS替代料SVGP069R5NSA;MOS管是电压控制电流器件，用栅极电压的变化控制漏极电流的变化，N沟道增强型功率MOS场效应管......
pHEMT功率放大器的有源偏置解决方案(2023-11-13)
栅极和漏极偏置时序不正确，漏极沟道的高电导率可能会导致器件烧毁。本文探讨耗尽型pHEMT射频(RF)放大器的工作原理以及如何对其有效偏置。耗尽型场效应晶体管(FET)需要负栅极电压，并且必须小心控制开启/关断......
Normally-off D-Mode 氮化镓晶体管的根本优势(2023-10-16)
Normally-off D-Mode 氮化镓晶体管的根本优势;常闭耗尽型 (D-Mode) 与增强型 (E-Mode) 氮化镓晶体管本质优势对比之简短指南
氮化......
e络盟扩充东芝场效应管产品系列，满足全球市场日益增长的需求(2023-11-16)
件利用先进的散热能力来支持更大的汽车电流。40V器件采用热增强L-TOGLTM封装，能够承受更大电流，且导通电阻更低。
客户现可通过Farnell（欧洲、中东和非洲地区）、Newark（北美地区）和e络盟（亚太区）购买全新场效应管系列和其他东芝半导体产品。
......
Littelfuse宣布推出采用改进型SOT－223－2L封装的 800V N沟道耗尽型MOSFET(2023-10-17 15:33)
Littelfuse宣布推出采用改进型SOT－223－2L封装的 800V N沟道耗尽型MOSFET;非常适合工业、能源、电信和LED照明市场的电源应用Littelfuse公司......
Littelfuse宣布推出采用改进型SOT－223－2L封装的 800V N沟道耗尽型MOSFET(2023-10-17 15:33)
Littelfuse宣布推出采用改进型SOT－223－2L封装的 800V N沟道耗尽型MOSFET;非常适合工业、能源、电信和LED照明市场的电源应用Littelfuse公司......
Littelfuse宣布推出采用改进型SOT-223-2L封装的 800V N沟道耗尽型MOSFET;非常适合工业、能源、电信和LED照明市场的电源应用
Littelfuse宣布......
e络盟扩充东芝场效应管产品系列，满足全球市场日益增长的需求(2023-11-17)
e络盟扩充东芝场效应管产品系列，满足全球市场日益增长的需求;
中国上海，2023年11月16日—安富利旗下全球电子元器件产品与解决方案分销商e络盟宣布新增250多种东芝（Toshiba）产品......
e络盟扩充东芝场效应管产品系列，满足全球市场日益增长的需求(2023-11-17 15:24)
有器件相比，该二极管可将反向恢复电荷(Qrr)降低约74%（达到34nC的典型值）。
• XPQR3004PB功率场效应管：该器件利用先进的散热能力来支持更大的汽车电流。40V器件采用热增强L-TOGLTM......
模拟电路入门100个知识点！(2024-11-10 22:13:28)
。
35、场效应管同双极型三极管相比，其输入电阻
大
，热稳定性
好......
简述8051单片机结构与原理(2024-01-15)
态的数据输入缓冲器BUF1和BUF2。
2个场效应管（FET）。
多路开关、反相器、与门各1个。
P0口工作原理——用作复用的地址/数据总线
输出：“控制”信号为1，硬件自动使转接开关MUX打向上面，接通......
8051单片机的结构与原理(2024-01-15)
态的数据输入缓冲器BUF1和BUF2。
2个场效应管（FET）。
多路开关、反相器、与门各1个。
P0口工作原理——用作复用的地址/数据总线
输出：“控制”信号为1，硬件自动使转接开关MUX打向上面，接通......
关于8051单片机基础结构解析与工作原理及电路结构(2024-02-03)
据输出锁存器。
2个三态的数据输入缓冲器BUF1和BUF2。
2个场效应管（FET）。
多路开关、反相器、与门各1个。
P0口工作原理——用作复用的地址/数据总线
输出：“控制”信号为1，硬件......
详解：8051单片机的结构与原理(2023-03-28)
。
2个场效应管（FET）。多路开关、反相器、与门各1个。
P0口工作原理——用作复用的地址/数据总线输出：“控制”信号为1，硬件自动使转接开关MUX打向上面，接通反相器的输出，同时使“与门”开启......
Littelfuse推出采用改进型SOT-223-2L封装的800V N沟道耗尽型MOSFET(2023-10-13)
Littelfuse推出采用改进型SOT-223-2L封装的800V N沟道耗尽型MOSFET;
【导读】芝加哥2023年10月2日讯-- Littelfuse公司......
Littelfuse宣布推出采用改进型SOT-223-2L封装的800V N沟道(2023-10-17)
兴宣布推出CPC3981Z，一种800V、100mA、45欧姆小功率N沟道耗尽型MOSFET。本文引用地址：与标准SOT-223封装相比，这款新产品的SOT-223-2L封装去掉了中间引脚。 这将......
e络盟扩充东芝场效应管产品系列，满足全球市场日益增长的需求(2023-11-17)
有器件相比，该二极管可将反向恢复电荷(Qrr)降低约74%（达到34nC的典型值）。
XPQR3004PB功率场效应管：该器件利用先进的散热能力来支持更大的汽车电流。40V器件采用热增强L-TOGLTM封装......
软启动和变频启动的区别(2023-09-05)
主电路是又6个场效应管组成的电路，在控制电路精准的控制之下，使六个场效应管轮流导通，在单位时间内，管子导通的次数越多，那么输出的电压和频率就越高，因此......
SuperGaN使氮化镓产品更高效(2023-10-18)
SuperGaN® 技术是一种共源共栅（cascode）结构的常闭耗尽型（normally-off d-mode）氮化镓平台。该平台特点使得SuperGaN 具备了增强型（e-mode）氮化......
使用电机驱动器IC实施的PCB设计(2024-08-30)
使用电机驱动器IC实施的PCB设计;直流电机驱动电路的设计目标
在直流电机驱动电路的设计中，主要考虑以下几点：
功能：电机是单向还是双向转动?需不需要调速?对于单向的电机驱动，只要用一个大功率三极管或场效应管......
为什么单片机的I/O口需要驱动(2023-02-01)
/O口使用，不需要多路转换电路MUX。其输出级电路内部有上拉电阻，与场效应管共同组成输出驱动电路。因此，P1口作为输出时，不需要再外接上拉电阻，而当P1口作为输入口使用时，仍然需要先向锁存器写“1......
相关企业
.MOS场效应晶体管系列：结型场效应管.低噪声场效应管.高频场效应管.开关场效应管.高输入阻抗场效应管.双栅场效应管.高压场效应管.MOS耗尽型场效应管.CS系列场效应管. 进口晶圆，完全替代IR
;深圳市福田区华达创谊电子;;深圳市华达创谊电子科技是一家专业从事军工通讯家电医疗设备电子测量信息技术应用电子元件经销商。 经营范围:贴片IC、增强型IC、二（三）极管、单（双）向可控硅、场效应管
们共同为电子界携手创造美好繁荣的未来. 专营贴片：微波高中低频三极管,MOS,GaAs,FET,增强型场效应,双栅场效应管,结形场效应管.高频IC电路,CMOS逻辑电路. VCO,CATV,FM,AM,肖特基,变容二极管,PIN,RF
；GT60N321等；场效应管TO-3P：2SK1317；2SK2225；2SK1020；2SK2652；2SK2690-01；IGBT驱动片：EXB841；M57962AL等，有着型号全，品种多的元器件库存，并与
突破性设计技术平台紧密合作，为客户提供新型高速MOSFETs（增强型和耗尽型VDMOS）和面向功率管理领域的新型BCD集成电路技术应用。其新型高速中低压MOSFETs具有行业中最佳Ron＊Qg 以及Ron＊Qgd 参数，特有
;嵘威科技有限公司;;万代AOS的场效应管mosfet，IGBT，东芝Toshiba的场效应管mosfet，光耦TLP系列。
;深圳市正瑞恩电子有限公司;;〈MOS、FET场效应管〉、三端稳压、肖特基、开关管、高频、整流、快恢复、变容管、稳压管、升压IC、降压IC、复位IC、〉、封装： SOD-523、SOT-523
;结型场效应管 蒋德平;;深圳市六度丰电子有限公司位于广东 深圳市龙岗区，主场效应管中环(环鑫品牌HX)\(韩国WISDOM) (国宇GF)与二三极管等。公司秉承“顾客至上，锐意进取”的经
;杭州友善电子科技;;分销ST、IR、FSC、PHI、TI、HIT、NS、KEC、台湾威森 等知名品牌二极管、三极管、可控硅、场效应管、集成电路等，尤其在三极管、场效应管和可控硅
;结型场效应管 欧阳志航;;欧信电子商行位于中国汕头市潮南区司马浦镇华里西村华祥路顺德楼，欧信电子商行是一家主营各厂家场效应管、肖特基、功率管、可控硅等晶体管的经销批发的个体经营。欧信电子商行经营的主营各厂家场效应管