资讯
三菱电机入局最强半导体，氧化镓将在10年后打败第三代半导体(2023-08-07)
化硅（SiC）以外，其他所有新兴宽带隙半导体必须生长在另一种材料盘中，比如氮化镓通常依靠复杂的工艺在硅、碳化硅、蓝宝石基底上生长，由于基底的晶体结构明显不同于氮化镓的晶体结构，这种差异会造成基底和氮化镓......
半导体贵族砷化镓，蠢蠢欲动(2024-09-29)
规电学指标上与国外水平大体相当，但是材料的微区特性、晶片精密加工和超净清洗封装方面与国外差距很大。
砷化镓材料是最重要的半导体材料之一，其应用领域不断扩大，产业规模也在急剧扩张，业界认为，未来砷化镓材料发展可以从增大晶体......
日本团队采用新技术制备氧化镓晶体(2024-08-02)
在大功率和高频率应用中具有优势，且导通电阻更低，损耗更小。
目前，中国、日本、韩国等国的研究机构和团队在氧化镓材料的技术研发和产业化方面都取得了一定的进展。其中，厦门大学的研究团队在氧化镓......
氧化镓：10年后将直接与碳化硅竞争(2023-01-09)
接与碳化硅器件竞争。
氧化镓目前主要是中日美三国在进行研究。晶圆主要是中日在进行生产。2014年日本用倒模法生长了4英寸的晶圆，2016年推出了6英寸，随后又实现了4英寸氧化镓材料的突破及产业化。美国、德国、法国等也在加紧氧化镓......
国产4英寸氧化镓晶圆衬底技术获突破！(2022-12-09)
说不具备大尺寸主面（001）晶相氧化镓晶体的生长工艺，氧化镓市场应用端推动过程将极为困难。
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氧化镓是“何方神圣”？
氧化镓，是继Si、SiC及GaN后的第四代宽禁带半导体材料，以β-Ga2O3单晶为基础材料的......
氧化镓商业化脚步临近，或将与碳化硅直接竞争(2023-09-22)
的研发，成功突破多项关键技术，包括2英寸氧化镓晶体与外延技术，以及氧化镓材料的量产等。其中，Novel Crystal公司已实现2 英寸、4英寸的衬底及外延的批量化供应，2022年7月宣布计划 2025......
GaN将成PA主流技术，这家公司恐成最大赢家(2017-07-27)
序数为 31。镓在自然界中不存在游离态，而是锌和铝生产过程中的副产品。
GaN 化合物由镓原子和氮原子排列构成，最常见的是纤锌矿晶体结构。纤锌矿晶体结构（如下图所示）呈六方形，通过两个晶格常数（图中......
史上最全第三代半导体产业发展介绍(2017-07-27)
长Ⅲ族氮化物外延层及器件结构的理想衬底，其优点包括：与GaN有很小的晶格失配和热膨胀系数失配；化学性质相容；晶体结构相同，不出现层错层；同样有极化表面；由于有很高的稳定性并且没有其它元素存在，很少......
华为哈勃持股23.91%，年产能15万片的化合物半导体项目投产(2022-04-25)
化铟产品则在射频、光电子、移动通信、数据通信等多项领域的广泛应用。
集邦咨询半导体分析师龚瑞骄透露，高端磷化铟和砷化镓材料主要用于光通信、激光器、探测器以及射频器件等领域。
纵观国内市场，虽然......
全球大赛再夺殊荣，晶泰科技 AI+量子物理技术再解行业难题(2024-12-23 09:38)
Prediction，简称 CSP）是根据化合物结构预测稳定的晶体结构的技术方法，是材料科学研究中的一个重要领域，在药物研发、材料科学及化学工程等领域有极高价值，其准确性和应用范围深受关注。晶体结构......
中国研发再突破！15亿美元的氧化镓市场如何引发多国博弈？(2022-05-12)
现了批量产业化，随后又实现了4英寸氧化镓材料的突破及产业化。
据中国电子报报道，日本企业Novell Crystal Technology正联合村田制作所、三菱电机、日本电装和富士电机等科技巨头，以及......
下一代半导体：一路向宽，一路向窄(2021-09-28)
下一代半导体：一路向宽，一路向窄;随着以氮化镓、碳化硅为代表的第三代半导体步入产业化阶段，对新一代半导体材料的探讨已经进入大众视野。走向产业化的锑化物，以及国内外高度关注的氧化镓、金刚石、氮化......
重点研发“卡脖子”项目，同济大学氧化镓材料项目签约江苏无锡(2023-06-21)
重点研发“卡脖子”项目，同济大学氧化镓材料项目签约江苏无锡;6月20日，同济大学第四代半导体氧化镓材料项目落地江苏省无锡市高新区。
据“无锡高新区在线”介绍，同济大学第四代半导体氧化镓材料项目利用同济大学在晶体......
第四代半导体氧化镓，被忽略的商机(2023-07-31)
管，击穿电压大于250V。同年，NCT突破了2英寸氧化镓晶体与外延技术，随后于2014年实现了氧化镓材料的量产；2017年与田村制作所合作成功开发出全球首创氧化镓MOS型功率电晶体，大幅......
光电子先导院亮相第25届中国国际光电博览会(2024-09-11)
子先导院”）已连续八年参展。在时间沉淀与创新升级中，该公司已经具备砷化镓（GaAs）基化合物光电芯片研发、中试代工、检测等全流程技术服务能力，已经开发了基于砷化镓材料的VCSEL（垂直腔面发射激光器）单孔......
最新回应！事关“芯片新粮食”出口管制(2023-07-04)
在第二次世界大战期间就被认为是一种战略性和关键金属，目前镓的世界总储量约23万吨，中国的镓金属储量居世界第一，约占世界总储量的80%-85%。其中：
被列入出口管制中的砷化镓作为第二代半导体材料的代表，在高频、高速......
博世创业投资公司投资致能科技，加速第三代半导体布局(2022-09-14)
（Internet Data Center）等市场。尽管如此，由于器件结构的限制，氮化镓材料的优势仍远未得到充分发挥，基于氮化镓材料的功率器件性能仍有巨大的提升空间。致能科技在氮化镓设备、工艺、器件......
中国首颗6英寸氧化镓单晶成功制备，第四代半导体呼啸而来(2023-02-28)
热场设计出发，成功构建了适用于6英寸氧化镓单晶生长的热场结构，突破了6英寸氧化镓单晶生长技术，可用于6英寸氧化镓单晶衬底片的研制，将有力支撑我国氧化镓材料实用化进程和相关产业发展。
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国内氧化镓......
中国首颗6英寸氧化镓单晶成功制备，第四代半导体呼啸而来(2023-02-28)
热场设计出发，成功构建了适用于6英寸氧化镓单晶生长的热场结构，突破了6英寸氧化镓单晶生长技术，可用于6英寸氧化镓单晶衬底片的研制，将有力支撑我国氧化镓材料实用化进程和相关产业发展。
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国内氧化镓......
首个中红外波长超级反射镜制成，反射率高达99.99923%(2023-12-08)
造出中红外超级反射镜，研究团队结合传统薄膜涂层技术与新型半导体材料和方法，开发出一种新涂层工艺。为此，他们先研制出直径为25毫米的硅基板，然后让高反射半导体晶体结构在10厘米的砷化镓晶片上生长，接着......
又贵又强的砷化镓电池 未来能便宜点吗(2024-04-10)
主要应用在芯片、LED照明、LED显示上。而只有不到2%才用来制作太阳能电池。
因此，砷化镓太阳能电池的贵，只有一部分是体现镓材料上，而更大一部分贵的原因是体现在制备上。
砷化镓......
摩尔定律还能延续？纳米碳管电晶体性能已超越矽电晶体(2016-10-18)
，并且首次在性能上同时超越了矽电晶体和砷化镓电晶体。
顾名思义，纳米碳管晶体是由纳米碳管做为沟道导电材料制作而成的电晶体，其管壁只有一个原子厚，这种材料不仅导电性能好，而且体积能做到比现在的矽电晶体......
GaN在射频功率领域会所向披靡吗？(2017-08-01)
（在铝-金刚石模型复合材料中），散热片的进步通过使用高导热系数的材料和其他技术。这些其他方法可让功率密度增加。而今天晶体管门功率密度实际是低于10 W / mm(砷化镓......
国内首批！铭镓半导体实现4英寸氧化镓晶圆衬底技术突破(2023-03-13 14:40)
企业解决扩产空间需求，助推氧化镓扩大加工线及新建洁净室顺利落地。2023年底完成扩产计划后，铭镓半导体将建成国内首条集晶体生长、晶体加工、薄膜外延、性能测试于一体的氧化镓完整产业线，成为年产千片以上规模的氧化镓材料......
第四代半导体氧化镓，浙大杭州科创中心新技术路线制备2英寸晶圆(2022-05-09)
制造出直径4英寸级别的大尺寸氧化镓晶圆，进一步助力国内氧化镓材料的产业发展。
封面图片来源：拍信网......
氮化镓激光芯片终于实现国产，氮化镓正在向快充以外的市场进军(2023-08-29)
企业需求全部依赖进口。
近年来，格恩半导体集中优势资源力量，凭借在化合物半导体、尤其是氮化镓材料领域丰富的研发和生产经验，攻克了一系列技术难点，成为国内首家可以规模量产氮化镓激光芯片的企业。目前，格恩半导体已具备覆盖氮化镓激光器结构......
华为再次投资半导体企业，这次瞄准它(2020-12-11)
华为再次投资半导体企业，这次瞄准它;华为将又一次出手投资半导体企业，这次瞄准的是一家砷化镓及磷化铟衬底生产商。
12月10日，云南临沧鑫圆锗业股份有限公司（以下简称“云南锗业”）公告披露，公司董事会同意控股子公司云南鑫耀半导体材料......
全球芯片正在破局...(2024-07-15)
层进行生长，不断形成新的晶体层。这和自然界中很多植物的生长方式类似，就像‘顶蘑菇’一样。
这种“顶蘑菇”式的生长方式，可保证每层晶体结构的快速生长和均一排布，有效避免缺陷的积累，极大提高了晶体结构......
突破！西安高校团队从 8 英寸硅片制备出氧化镓外延片~(2023-03-17)
与器件。
近两年，我国在氧化镓材料的制备上不断取得突破性进展，相关技术也逐步成熟。
2022 年 5 月，浙大杭州科创中心首次采用新技术路线成功制备 2 英寸氧化镓晶圆，不仅......
电子新材料产业园项目封顶，将新建20余条第三代半导体材料应用等生产线(2023-08-15)
电子新材料产业园项目封顶，将新建20余条第三代半导体材料应用等生产线;据渭滨宣传消息，近日，姜谭经开区电子新材料产业园项目研发大楼主体结构封顶，标志着项目进入二次结构、装饰装修阶段。
电子新材料......
基础知识之薄膜压电MEMS(2024-04-02)
科学原理将现象和信息等转换为电信号等的装置
执行机构：将电等能源转换为机械运动，用于运行设备的驱动装置
离子：指因电子过剩或缺失而携带电荷的原子
压电材料：表现压电性的结晶性物质的统称
压电单晶：材料内部的晶体结构均匀连续的压电材料......
拟上科创板！砷化镓衬底厂商通美晶体已进行上市辅导(2021-06-07)
拟上科创板！砷化镓衬底厂商通美晶体已进行上市辅导;6月6日，据北京监管局披露，海通证券发布关于北京通美晶体技术股份有限公司（简称“通美晶体”）首次......
东京理科大学开发镁充电电池正极材料 或可替代锂(2023-02-13)
环次数的不同，也有很大的差异。为了解其中原因，研究人员分析了材料中钒原子附近的局部结构。Idemoto教授表示：“观察显示，特别稳定的晶体结构和大量的钒电荷补偿，使Mg1.33V1.57Mn0.1O4具有......
优化衬底助推第三代半导体实现汽车创新(2023-01-09)
决开关速度或带隙需求等紧迫挑战。Soitec复合衬底提供了无需折衷的解决方案。”利用标准Smart Cut™ 技术，Soitec提供专为客户定制的工程衬底。“例如，我们可以将薄层的晶体材料从氮化镓或InGaN......
射频从业者必看，全球最大的砷化镓晶圆代工龙头解读(2017-02-08)
晶圆代工龙头稳懋就是最大的受益者。
稳懋：全球最大的砷化镓晶圆代工龙头
稳懋成立于1999年10月，是亚洲首座以六吋晶圆生产砷化镓微波通讯晶片的晶圆制造商，自2010年为全球最大砷化镓晶圆代工厂。
公司主要从事砷化镓......
3家半导体厂商正式闯关科创板(2022-01-11)
项目、以及补充流动资金。
据披露，砷化镓半导体材料项目分为砷化镓（晶体）半导体材料项目和砷化镓（晶片）半导体材料项目两个子项目，产品主要为2、3、4、5、6、8英寸砷化镓......
性能比硅优越的半导体材料，立方砷化硼取得研究进展(2022-07-25)
理工学院研究人员首次取得重要科学进展，于实验中发现立方砷化硼晶体为电子、电洞提供高载流子迁移率，扩大该材料于商业领域的潜在用途，比如提高CPU速度。
硅、砷化镓等材料具有良好的电子迁移率，但电......
从手机充电器到汽车充电器，氮化镓开启逆袭之路(2023-10-08)
所能承受的电场，更大的禁带宽度可以开发出载流子浓度更高的器件结构。
由于氮化镓具有更小的晶体管、更短的电流路径、超低的电阻和电容等优势，氮化镓......
铭镓半导体在氧化镓材料开发及应用产业化方面实现新突破(2024-06-06)
铭镓半导体在氧化镓材料开发及应用产业化方面实现新突破;据北京顺义消息，北京铭镓半导体有限公司（以下简称“铭镓半导体”）在超宽禁带半导体氧化镓材料开发及应用产业化方面实现新突破，已领......
泰克TSP-2000-SOLAR半导体器件的多组太阳能电池I-V测试系统方案(2023-05-30)
最大电流Imax和电压Vmax、开路电压Voc、短路电流Isc以及效率η。
越来越多的科研工作者投入到太阳能电池的研究中，其中有机薄膜材料电池、砷化镓材料电池、染料敏化材料等太阳能电池已经成为研究热点。太阳......
国内首条6英寸氧化镓单晶及外延片生长线开工！(2024-09-14)
州富加镓业科技有限公司（以下简称：富加镓业）官微消息，富加镓业6英寸氧化镓单晶及外延片生长线于9月10日在杭州富阳开工建设。
资料显示，富加镓业成立于2019年12月，致力于超宽禁带半导体氧化镓材料的......
Intel公布目标：2030年实现单芯片集成1万亿个晶体管(2022-12-05)
温环境、低漏电率下，达成了非常理想的晶体管开关速度。
第一次深入揭示了2D材料的电接触拓扑，可实现更高性能、更有弹性的晶体管通道。
3、高性能计算能效、内存......
中国科大首次研制出氧化镓垂直槽栅场效应晶体管(2023-02-28)
在成本上将比SiC和GaN等材料更具优势。
目前，氧化镓材料面临一个重要的难点：难以实现氧化镓的p型掺杂，这导致氧化镓场效应晶体管面临着增强型模式难以实现和功率品质因数难以提升等问题。氧化镓垂直场效应晶体......
铭镓半导体预计2023年底完成扩产计划，将建成氧化镓完整产业线(2022-08-04)
生长、晶体加工、薄膜外延、性能测试于一体的氧化镓完整产业线，成为年产千片以上规模的氧化镓材料企业，满足下游100多家器件设计、制造封装工业企业与科研院所的材料供应需求。
封面......
上海、山西、辽宁、湖南...国内再添一批第三代半导体项目(2021-08-12)
集成电路（GaAs MMIC）的纯晶圆代工（Foundry）服务制造商之一，已建成国内第—条6英寸砷化镓/氮化镓半导体晶圆生产线，目前已达到砷化镓2000片/月，氮化镓600片/月的晶......
2025年，全球SiC/GaN功率半导体市场将增至52.9亿美元(2022-05-06)
提供半导体级单晶硅炉、碳化硅单晶炉和蓝宝石单晶炉等定制化的晶体生长设备。其中，碳化硅单晶炉主要应用于碳化硅单晶衬底制造，蓝宝石单晶炉主要应用于LED衬底及消费电子领域材料制造。2021年，碳化......
半导体领域突破性成果！我国科学家首创(2024-07-08)
菇”式的生长方式，可保证每层晶体结构的快速生长和均一排布，有效避免缺陷的积累，极大提高了晶体结构可控性。
“利用新方法，制备出的二维晶体单层厚度仅为0.7纳米，可以用作极限尺度的电子集成电路。”北京大学物理学院凝聚态物理与材料......
研究人员已经开发出新方法制造用于高级电路的柔性半导体(2023-01-09)
研究人员已经开发出新方法制造用于高级电路的柔性半导体;
能隙作为半导体材料的本征特性之一，源自于材料内稳定的周期性晶体势场。当晶体的晶格受到应变而发生畸变时，原本稳定的周期性晶体......
山西新政：走出一条具有山西特色的半导体及集成电路产业发展之路(2021-06-22)
产业。发挥我省资源和能源优势，紧跟市场需求，引进技术领先的知名企业，发展大硅片晶圆等第一代半导体材料产业，聚焦低缺陷砷化镓晶体材料、高纯半绝缘碳化硅单晶衬底材料、氮化镓材料等第二/三代半导体材料......
Transphorm表示氮化镓供应链来源安全，生产可以稳定持续(2023-07-07)
期一宣布，将限制对半导体制造至关重要的镓和锗相关材料的出口。这些法规包括了氮化镓 (GaN) 晶圆材料。
作为高压 GaN 功率半导体制造商，Transphorm 依靠三甲基镓 (TMGa) 生产......
相关企业
;深圳市科莱特电子有限公司;;深圳市科莱特电子有限公司自2002年开始，在国内率先采用美国ANADIGICS砷化镓(GaAs)集成芯片与国外技术机构合作共同研制、开发出第一代、第二代砷化镓（GaAs
技术世界领先的美国光电技术研究所提供美国先进技术独家授权生产；销售方面直接面对客户，减少中间的代理商环节。 高质量荧光粉的晶体结构是近似球型的，鸿顺荧光粉运用先进、独特的专利生产工艺合成出的晶体是市场上最近似球型的结构。 鸿顺
;东莞中和光电有限公司;;本产品采用树脂封装，材料采用氮化镓（GaN），结构为电解出型，封装形式为直插型，型号有3mm,5mm,8mm,10mm及其他特殊型号，形状有圆头，椭圆，草帽，钢盔，方形
manufacturing in Taiwan.
; EPC设计，开发，市场，销售基于氮化镓的电源管理设备，采用成熟的晶圆代工厂。使最高效的能源转换，利用优越的半导体材料，EPC是率先推出增强型氮化镓上硅晶体
、蓝宝石、光学玻璃、表玻璃、手机玻璃、半导体硅片、石英晶体片、压电陶瓷、砷化镓、铌酸锂、钼片、活塞环、以及剃须刀等金属、非金属材料的双面、单面研磨抛光。 公司于2007年6月获
的质量，深受客户高度信赖和赞誉。 展望未来，公司将立足现状，以市场为导向，以产品结构为依托，坚持诚信为本，努力将公司打造成深圳乃至国内最具竞争力的晶体元器件生产销售商之一。
的产品以优良的性能、稳定的质量，深受客户高度信赖和赞誉。 展望未来，公司将立足现状，以市场为导向，以产品结构为依托，坚持诚信为本，努力将公司打造成深圳乃至国内最具竞争力的晶体元器件生产销售商之一。
精密加工、光学镀膜和检验分析的设备和技术力量，拥有大批量生产应用于红外的砷化镓激光晶体材料、高功率激光镜片、F-θ扫描镜、扩束境、专业切割镜、高效反射镜的系列化生产线，可向
的产品以优良的性能、稳定的质量，深受客户高度信赖和赞誉。 展望未来，公司将立足现状，以市场为导向，以产品结构为依托，坚持诚信为本，努力将公司打造成深圳乃至国内最具竞争力的晶体元器件生产销售商之一。
远销国内外市场。本公司产品以优良的性能、稳定的质量，深受客户高度信赖和赞誉。展望未来，公司将立足现状，以市场为导向，以产品结构为依托，坚持诚信为本，努力将公司打造成国内最具竞争力的晶体元器件生产销售商之一。