资讯
两家国产企业半导体设备有新进展(2023-11-29)
浓度是一个重要的技术参数。目前，行业普遍使用电容电压（CV）法来测量同质外延层的载流子浓度。该方法可直接在半导体上形成肖特基势垒测得外延层的载流子浓度，也可以形成MOS电容结构对CVD工艺等进行监控，从而有效评估各类半导体材料制造工艺中外延层的载流子......
一文解析MOS管/三极管/IGBT之间的关系(2024-11-09 00:48:11)
。
2、载流子：导电介质，分为多子和少子，概念很重要，后边会引用
3、空穴”带正电，电子带负电，但掺杂后的半导体......
美国麻省理工学院：成功开发一款超轻太阳能电池(2022-12-22)
司推出有机太阳能电池OPV、钙钛矿太阳能电池、OLED器件和其他有机半导体器件载流子迁移率测量系统，可以测量器件的载流子迁移率、载流子寿命、载流子动力学过程、阻抗谱等，还可以对瞬态光电流谱TPC，瞬态光电压谱TPV、调制......
模拟电路入门100个知识点！(2024-11-10 22:13:28)
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13、频率响应是指在输入正弦信号的情况下，
输出随频率连续变化的稳态响应
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14、本征半导体的载流子为......
上海雷卯推出稳定性和效率兼备的MOSFET新产品(2023-09-04)
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MOSFET 的工作原理基于栅电压的控制。通过施加正电压或负电压到栅极，可以改变栅电场，进而影响通道中的载流子浓度。当栅电压施加在阈值电压之上时，形成一个导电通道，载流子......
基于昆明物理研究所的Au掺杂碲镉汞长波探测器探究(2023-03-17)
流的大小决定了器件性能。碲镉汞器件各种暗电流中，扩散电流和产生-复合电流由材料电学性能及复合机制决定，隧道电流与材料缺陷性能有关。扩散电流是PN结空间电荷区两端载流子在电场作用下发生扩散和漂移而形成的电流，是热平衡下由空间电荷区两端少子扩散长度内的载流子......
讲透三极管(2024-06-13)
的问题其实并不简单，它涉及到晶体的能级分析能带结构，以及载流子移动的势垒分析等。所以，并不是随便找一种或两种具有载流子的导体或半导体就可以制成PN结，就可以制成晶体管，晶体......
“终极功率半导体”获突破性进展！金刚石成下一代半导体材料(2023-01-30)
“终极功率半导体”获突破性进展！金刚石成下一代半导体材料;近日，被称为“”、使用的电力控制用半导体的开发取得进展。日本佐贺大学教授嘉数教授与精密零部件制造商日本Orbray合作开发出了用制成的功率半导体......
“终极功率半导体”获突破性进展！金刚石成下一代半导体材料(2023-01-29)
成为人造卫星等所必需的构件。
半导体材料是制作半导体器件和集成电路的电子材料。耐高压、大射频、低成本、耐高温，多重特性助推金刚石成下一代半导体材料。金刚石禁带宽度5.5eV超现有氮化镓、碳化硅等，载流子......
双向双极结技术的力量(2023-04-07)
模式：在图 2(b) 中，将 1 V 的正驱动偏压施加到顶部喷油器 B1-E1。这种偏压注入导致少数载流子的载流子密度增加，然后注入漂移区。结果，由于 N 漂移区中载流子密度的增加，顶部 E1 和底部 E2......
适用于运输领域的SiC：设计入门(2023-04-19)
近左侧的隔离器），在导通模式下可成为极其出色的导体（Si和SiC的载流子流动性都很高）。
图2. 漂移区更窄是SiC的WBG特性的主要影响，这是导致总Rdson增大的最大因素。
目标......
三极管知识讲解，补课(2024-11-09 18:33:37)
近受光子的轰击，半导体内被束缚的价电子吸收光子能量而被击发产生电子—空穴对，这些载流子的数目，对于多数载流子影响不大，但对P区和N区的少数载流子来说，则会使少数载流子的浓度大大提高，在反向电压作用下，反向......
具有金属源极和漏极触点的肖特基势垒 (SB) MOSFET 的介绍(2022-12-09)
由于沟道中的电荷对通过 SB MOSFET
的源极侧的载流子注入的影响而发生的。正如仿真所示，当 V ds增加时，通道中存在的电荷会从平衡值动态减少到与通过 SB MOSFET
源极......
从原理到实例：GaN为何值得期待？(2021-11-30)
降低了漂移区电阻率，以获得更低的Ron和更高的功率性能。
3、高电子饱和漂移速率：在半导体器件工作过程中，多数是利用电子作为载流子实现电流的传输。高电子饱和漂移速率可以保证半导体......
【测试案例分享】 如何评估热载流子引导的MOSFET衰退(2024-09-19)
-SCS（半导体表征系统）中使用这些关键功能来执行热载流子退化测试。
图1. 漏极雪崩热载体效应
MOSFET热载流子效应及器件性能监测
今天的超大规模集成电路MOSFET器件......
钻石，颠覆传统芯片(2023-12-25)
性和使用寿命。」华为专利主要就是利用金刚石的高散热性。
第二，5.5eV 的禁带宽度。金刚石是一种超宽禁带半导体材料，其禁带宽度是 Si 的 5 倍；载流子迁移率也是 Si 材料的 3 倍，理论上金刚石的载流子迁移率比现有的宽禁带半导体......
RS瑞森半导体碳化硅二极管在光伏逆变器的应用(2022-12-30)
使得碳化硅材料可以很好地适用于高性能(高频、高温、高功率、抗辐射)电子器件。高的热导率有利于大的热耗散和高密度集成，高的载流子饱和迁移速率可以使之应用于高速开关器件；高的临界位移能使碳化硅器件的抗辐射性能优于Si器件。
主要......
汽车级大功率IGBT现状及未来趋势研究 (2024-07-14)
的沟道重组将阻止自由电子继续注入漂流区。此时，漂流区载流的浓度很高，所以大量的电子向集电极 P + 区移动，而空穴向 P 区移动。由于电子浓度逐渐拉平，载流子的移动逐步停止，剩余的载流子只能依靠复合来移除。因而 IGBT......
一文看懂MOS器件的发展与面临的挑战(2017-07-10)
注入效应。随着MOS器件的特征尺寸不断缩小到亚微米，热载流子注入效应变得越来越严重，为了改善热载流子注入效应，半导体业界通过利用LDD （Lightly Doped Drain – LDD）结构改善漏端耗尽区的峰值电场来改善热载流子......
CCD 图像传感器 —— 颠覆人类记录影像的方式(2022-12-01)
）：在 CCD 中，电荷注入的方式可分为光注入和电注入两类。当光照射到 CCD 硅片上时，在栅极附近的半导体体内产生电子-空穴对，多数载流子被栅极电压排斥，少数载流子则被收集在势阱中形成信号电荷。
背照......
基础知识之SiC功率器件(2024-03-21)
基础知识之SiC功率器件;SiC半导体
1. SiC材料的物性和特征
SiC（碳化硅）是一种由Si（硅）和C（碳）构成的化合物半导体材料。 不仅绝缘击穿场强是Si的10倍，带隙是Si的3倍，而且......
中国科学家在铁电多值存储器方面取得进展(2022-11-28)
铁电性存在较强耦合。
此外，研究人员通过制备3×4的阵列结构，展示了该型铁电忆阻器件应用于存储交叉阵列的可行性。研究人员进一步通过在上方MOSFET施加栅极电压，有效调控了二维半导体层MoS2的载流子......
突破！中国科学家在铁电多值存储器方面取得进展(2022-11-28)
铁电性存在较强耦合。
此外，研究人员通过制备3×4的阵列结构，展示了该型铁电忆阻器件应用于存储交叉阵列的可行性。研究人员进一步通过在上方MOSFET施加栅极电压，有效调控了二维半导体层MoS2的载流子......
干货 | 图解二极管单向导通的原因(2024-10-28 19:03:53)
意图
在 P 型和 N 型半导体的交界面附近，由于 N 区的自由电子浓度大，于是带负电荷的自由电子会由 N 区向电子浓度低的 P 区扩散；扩散的结果使 PN 结中靠 P 区一侧带负电，靠 N......
RS瑞森半导体碳化硅二极管在光伏逆变器的应用(2023-01-03)
热导率有利于大功率器件的热耗散和高密度集成，高的载流子饱和迁移速率可以使之应用于高速开关器件；高的临界位移能使碳化硅器件的抗辐射性能优于Si器件。
主要性能：
极小的反向恢复电荷可降低开关损耗；
出色......
NTC 热敏电阻阻值和温度的换算(2024-11-12 17:37:00)
热敏电阻是以锰、钴、镍和铜等金属氧化物为主要材料，采用陶瓷工艺制造而成的.这些金属氧化物材料都具有半导体性质，因为在导电方式上完全类似锗、硅等半导体材料.温度低时，这些氧化物材料的载流子（电子......
浅析阻式旋转变压器的基本工作原理(2023-09-12)
电的基本关系
1).安培定则(“电生磁”) :螺旋管载有电流，产生磁场。
图1.
2).法拉第电磁感应定律（“磁生电”）：磁通量的变化产生感应电动势。
图2.
2. 磁阻效应
“金属或半导体的载流子......
中国科研团队第四代半导体氧化镓领域获重要突破(2024-04-19)
团队在金半界面处引入了钝化层改善器件性能：利用AlN/β-Ga2O3界面工程对金半界面处的载流子传输进行调控，所制备的金属-绝缘体-半导体-绝缘体-金属（MISIM）结构......
中国科研团队第四代半导体氧化镓领域获重要突破(2024-04-19)
团队在金半界面处引入了钝化层改善器件性能：利用AlN/β-Ga2O3界面工程对金半界面处的载流子传输进行调控，所制备的金属-绝缘体-半导体-绝缘体-金属（MISIM）结构的日盲光电探测器实现了响应度和响应速度的同时优化。具有 3 nm......
半导体器件击穿机理分析及设计注意事项(2023-09-25)
尽区电场增加到一定程度，碰撞电离激发出的新电子-空穴对，即“二次载流子”，又可能继续产生新的载流子，这个过程将不断进行下去，称为雪崩倍增。如果由于雪崩倍增效应导致流出PN结的电流趋于无穷大，则发生了所谓的雪崩击穿，该过......
性能比硅优越的半导体材料，立方砷化硼取得研究进展(2022-07-25)
的形式制造，才能进一步谈及替代无处不在的硅，直到最近，麻省理工学院团队首次透过实验验证立方砷化硼材料在室温下的高载流子迁移率。
虽然科学家证明了立方砷化硼出色的热性能和电性能，看起来几乎是理想的半导体......
Nexperia推出新款600 V单管IGBT，可在电源应用中实现出色效率(2023-07-05)
器件的市场预计将随着太阳能面板和电动汽车(EV)充电器的日益普及而有所增长。Nexperia的600 V IGBT采用稳健、经济高效的载流子储存沟槽栅场截止(FS)结构，在最高175℃的工......
中国科大在半导体p-n异质结中实现光电流极性反转(2021-09-27)
: PEC PD)引起了人们的浓厚兴趣，其工作过程不仅包含传统半导体物理中载流子的产生、分离及传输过程，还涉及电子和空穴在半导体表面/电解液界面处的氧化/还原反应过程。重要的是，在光......
碳化硅肖特基二极管在光伏逆变器的应用(2023-03-20)
硅材料特性及优势介绍
碳化硅作为宽禁带半导体的代表性材料之一，其材料本征特性与硅材料相比具有诸多优势。以现阶段最适合用于做功率半导体的4H型碳化硅材料为例，其禁带宽度是硅材料的3倍，热导率是硅材料的3倍......
清华大学材料学院李千课题组合作在半导体中子探测晶体研发领域取得进展(2023-05-12)
探测器能够在单一材料层中实现中子俘获、能量沉积、载流子产生和收集，具有接近100%的理论本征探测效率和器件结构简单的特点。然而，在设计和开发具有适用于直接中子探测的材料时仍然面临诸多困难。适合于直接探测中子的半导体......
oled与led的差异(2023-03-11)
芯片作为发光材料的。当这种发光材料的两端加上正电压，半导体中的载流子发生负荷引起光子发射而产生了光。这就是比较传统的液晶电视的工作原理。OLED工作原理是利用了ITO玻璃透明电极和金属电极，分别......
Nexperia推出新款600 V单管IGBT，可在电源应用中实现出色效率(2023-07-05)
器的日益普及而有所增长。Nexperia的600 V IGBT采用稳健、经济高效的载流子储存沟槽栅场截止(FS)结构，在最高175℃的工作温度下可提供超低导通和开关损耗性能与高耐用性。这可提高功率逆变器、感应......
如何用4200A-SCS进行晶圆级可靠性测试?(2023-10-24)
需等待器件封装，这一过程可能长达两周，所以周转时间明显缩短。在器件和WLR测试中，大部分测试是相同的，所以相对容易能够迁移到晶圆级测试。
WLR测试的应力测量技术
应力测量测试是一种通常用于评估半导体......
【泰克应用分享】如何用4200A-SCS进行晶圆级可靠性测试？(2023-10-24)
过程可能长达两周，所以周转时间明显缩短。在器件和WLR测试中，大部分测试是相同的，所以相对容易能够迁移到晶圆级测试。
WLR测试的应力测量技术
应力测量测试是一种通常用于评估半导体......
62亿！美国企业投建金刚石晶圆厂(2024-12-20)
的电子迁移率，拥有耐高压、大射频、低成本、耐高温等多重优异性能参数，以及其他优异的物理特性。具体来看，金刚石半导体具有超宽禁带(5.45eV)、高击穿场强(10MV/cm)、高载流子饱和漂移速度、高热导率(2000W......
复旦团队发明晶圆级硅基二维互补叠层晶体管(2022-12-12)
型硅-n型二硫化钼的异质互补CFET结构。二硫化钼的低温工艺与当前硅基集成电路的后端工艺流程高度兼容，大幅降低了工艺难度且避免了器件的退化。同时，两种材料的载流子迁移率接近，器件性能完美匹配，使异......
中国团队突破钙钛矿太阳电池寿命难题(2023-11-08)
酰基）吡咯（PSP）作为添加剂均匀化钙钛矿薄膜相分布，获得了 26.1% 的光电转换效率（PCE）。相关成果发表于《自然》（nature）杂志上。
据介绍，钙钛矿太阳电池是利用钙钛矿型的有机金属卤化物半导体......
如何用4200A-SCS进行晶圆级可靠性测试？(2023-10-25)
晶圆可以直接从生产线上拉下来进行测试，而无需等待器件封装，这一过程可能长达两周，所以周转时间明显缩短。在器件和WLR测试中，大部分测试是相同的，所以相对容易能够迁移到晶圆级测试。
WLR测试的应力测量技术
应力测量测试是一种通常用于评估半导体......
Nexperia推出新款600 V单管IGBT，可在电源应用中实现出色效率(2023-07-05 09:51)
器的日益普及而有所增长。Nexperia的600 V IGBT采用稳健、经济高效的载流子储存沟槽栅场截止(FS)结构，在最高175℃的工作温度下可提供超低导通和开关损耗性能与高耐用性。这可......
MOS管基础及选型指南(2024-03-20)
MOS管基础及选型指南;，即金属（Metal）—氧化物（Oxide）—半导体（Semiconductor）场效应晶体管，是一种应用场效应原理工作的半导体器件。本文引用地址：
和普......
SiC材料的进击路 从国产工规级碳化硅(SiC)MOSFET的发布谈起(2023-01-08)
第三代半导体的进击
近日，据东方卫视报道，我国首款基于6英寸晶圆通过JEDEC(暨工规级)认证的1200V 80mohm碳化硅（SiC）MOSFET产品......
突破！复旦团队发明晶圆级硅基二维互补叠层晶体管(2022-12-12)
堆叠在传统的硅基芯片上，形成p型硅-n型二硫化钼的异质互补CFET结构。二硫化钼的低温工艺与当前硅基集成电路的后端工艺流程高度兼容，大幅降低了工艺难度且避免了器件的退化。同时，两种材料的载流子......
oled和led的区别(2023-03-21)
是LED电视，是利用固体半导体芯片作为发光材料的。当这种发光材料的两端加上正电压，半导体中的载流子发生负荷引起光子发射而产生了光。这就是比较传统的液晶电视的工作原理。
OLED工作......
垂直GaN JFET的动态性能(2024-01-02)
栅极相比，JFET中的本征p-n结栅极没有能带不连续性，从而能够实现更高效的载流子供应或提取（特别是在SP-HEMT中p-GaN的肖特基接触的情况下）。”
......
【成电协·会员行】优秀的第三代半导体氮化镓芯片公司——氮矽科技(2022-08-11)
承载更高的能量密度，可靠性更高；较大的禁带宽度和绝缘破坏电场，使得器件导通电阻减少，有利与提升器件整体的能效；电子饱和速度快，以及较高的载流子迁移率，可让器件高速地工作。
“成电协·会员行”专题内容团队今天走进的是深耕第三代半导体......
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magnachip;;;MagnaChip是一家模拟及混合信号非半导体存储器专业企业
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