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随机存取存储器有哪些特点?寄存器和存储器有什么区别?(2022-12-30)
内容，故主要用于存储短时间使用的程序。按照存储单元的工作原理，随机存储器又分为静态随机存储器(英文：StaticRAM，SRAM)和动态随机存储器(英文DynamicRAM，DRAM)。
随机存取存储器的最大特点......
英飞凌扩展集成嵌入式纠错码（ECC）的抗辐射异步静态随机存取存储器（RAM）产品线(2024-01-15)
英飞凌扩展集成嵌入式纠错码（ECC）的抗辐射异步静态随机存取存储器（RAM）产品线;英飞凌扩展集成嵌入式纠错码（ECC）的抗辐射异步静态随机存取存储器（RAM）产品线，适用......
英飞凌扩展集成ECC的抗辐射异步静态RAM产品线(2024-01-15)
Solution近日宣布推出采用专利技术RADSTOP™设计的最新（rad hard）随机存取存储器。全新产品专为高可靠性和高性能极为关键的太空及其它恶劣环境应用而设计。 本文引用地址：
（rad hard）随机存取存储器......
内存变革将至，DRAM 后谁扛大旗？MRAM、FERAM 和 ReRAM 摩拳擦掌(2024-02-22)
前无法确认哪种新兴内存技术成为最后的赢家，最终取代客户端 PC 和服务器中的 DRAM。
铁电随机存取内存的特点是快速写入周期，但它还有诸多强大的竞争者。这是因为 MRAM、FERAM 和 ReRAM 等多种新型存储器......
英飞凌扩展集成嵌入式纠错码（ECC）的抗辐射异步静态随机存取存储器（RAM）产品线(2024-01-18)
英飞凌扩展集成嵌入式纠错码（ECC）的抗辐射异步静态随机存取存储器（RAM）产品线;
【导读】卫星上的边缘计算和推理可实现近乎实时的数据分析和决策制定。随着......
英飞凌扩展集成嵌入式纠错码（ECC）的抗辐射异步静态随机存取存储器（RAM）产品线，适用于航空等极端环境(2024-01-16 09:28)
英飞凌扩展集成嵌入式纠错码（ECC）的抗辐射异步静态随机存取存储器（RAM）产品线，适用于航空等极端环境;卫星上的边缘计算和推理可实现近乎实时的数据分析和决策制定。随着......
英飞凌扩展集成嵌入式纠错码（ECC）的抗辐射异步静态随机存取存储器（RAM）产品线，适用于航空等极端环境(2024-01-16 09:28)
英飞凌扩展集成嵌入式纠错码（ECC）的抗辐射异步静态随机存取存储器（RAM）产品线，适用于航空等极端环境;卫星上的边缘计算和推理可实现近乎实时的数据分析和决策制定。随着......
北京大学公开存储器专利(2024-03-11)
样的背景下，由于嵌入式铁电随机存取存储器(Embedded Ferroelectric Random Access Memory，eFeRAM)具有非易失、高密度、低功耗以及读取速度快等特点，可提......
国内研发出110nm新型铁电存储器(2024-01-31)
的可靠性比现有技术提升了10倍；第三，实现了新型铁电存储技术从平面结构存储单元到3D结构存储单元的跨越。
FeRAM（铁电随机存取存储器Ferroelectric RAM），采用铁电质膜用作电容器来存储......
赛普拉斯整合Ramtron F-RAM解决方案, 推出快速写入非易失性存储器产品系列(2012-12-27)
赛普拉斯整合Ramtron F-RAM解决方案, 推出快速写入非易失性存储器产品系列;赛普拉斯半导体在其产品系列中整合了Ramtron International的铁电随机存取存储器（F-RAM......
赛普拉斯半导体推出一系列16Mb非易失性静态随机存取存储器（nvSRAM）(2014-05-09)
赛普拉斯半导体推出一系列16Mb非易失性静态随机存取存储器（nvSRAM）;赛普拉斯半导体公司日前宣布推出一系列16Mb非易失性静态随机存取存储器（nvSRAM），包括......
为什么单片机内存那么少？(2023-03-27)
单片机内存少的几点内容。
（备注：本文说的单片机，指MCU，微控制器）
关于RAM
RAM：Random Access Memory，随机存取存储器，也是大家所说的内存。
RAM是一种易失性存储器，也就是说断电就会丢失存储......
九种计算机内存类型(2024-01-25)
内存类型
主内存是计算机内存的一部分，可以直接访问以进行快速处理和更快的启动。它通常放置在物理上靠近 CPU 的位置，以最大限度地减少通信时间。主存储器类型的示例包括随机存取存储器（RAM）和只读存储器......
英飞凌推出业界首款抗辐射1 Mb和2 Mb并行接口铁电RAM F-RAM(2024-07-16)
2 Mb并行接口铁电RAM（F-RAM）非易失性存储器。这款存储器是英飞凌丰富存储器产品组合中的新成员，其特点是具有出色的可靠性和耐用性，在85摄氏度条件下的数据保存期长达 120 年，并且能以总线速度进行随机存取和全存储器......
并行接口铁电RAM（F-RAM）非易失性存储器。这款存储器是英飞凌丰富存储器产品组合中的新成员，其特点是具有出色的可靠性和耐用性，在85摄氏度条件下的数据保存期长达 120 年，并且能以总线速度进行随机存取和全存储器......
西安紫光国芯助力高可靠车规芯片市场(2023-08-10)
型号产品是一款具有自主知识产权的LPDDR4（第四代低功耗同步动态随机存取存储器）。容量支持2Gb、4Gb、8Gb，位宽支持x16、x32；内嵌ECC自纠错功能，在提供更高性能更低功耗的同时，保证......
西安紫光国芯推出多款具有自主知识产权车规级存储芯片(2023-08-11)
技术信息：
西安紫光国芯SCE11N8G322AF-06YA2型号产品是一款具有自主知识产权的LPDDR4（第四代低功耗同步动态随机存取存储器）。容量支持2Gb、4Gb、8Gb，位宽支持x16......
台积电、高通两大半导体巨头试水存储赛道？(2024-08-23)
台积电、高通两大半导体巨头试水存储赛道？;近日，晶圆代工巨头台积电和半导体芯片设计龙头厂商高通各自公布了多项半导体技术专利，其中都包括一项与存储领域相关的专利。
台积电：双端口静态随机存取存储器......
格芯收购瑞萨非易失性电阻式RAM技术，加强存储器产品组合(2023-02-11)
格芯收购瑞萨非易失性电阻式RAM技术，加强存储器产品组合;当地时间2月9日，晶圆代工厂格芯（GlobalFoundries）宣布，已收购瑞萨电子（Renesas）的专利和经过生产验证的导电桥接随机存取存储器......
AI新星Groq横空出世，带动SRAM概念爆火(2024-02-25)
AI新星Groq横空出世，带动SRAM概念爆火;
【导读】SRAM（静态随机存取存储器）作为一种传统存储方案，近两日相关概念连续点燃A股半导体板块。2月21日，SRAM概念股再度拉升，西测......
剖析STM32的FLASH和SRAM的使用情况(2023-08-23)
，但是FLASH的存储容量都普遍的大于EEPROM，在存储控制上，最主要的区别是FLASH芯片只能一大片一大片地擦除，而EEPROM可以单个字节擦除。
SRAM是静态随机存取存储器。它是一种具有静止存取......
Weebit Nano推出电阻式RAM(2023-08-02)
支持诸多安全技术，包括嵌入在两个金属层之间。
用户可以将该模块作为子系统的一部分，例如 RISC-V 微控制器、静态随机存取存储器 (SRAM)、系统接口和外设。 此外，Weebit ReRAM 可根......
Mb和2 Mb并行接口铁电RAM（F-RAM）非易失性存储器。这款存储器是英飞凌丰富存储器产品组合中的新成员，其特点是具有出色的可靠性和耐用性，在85摄氏度条件下的数据保存期长达 120 年，并且能以总线速度进行随机存取和全存储器......
Mb和2 Mb并行接口铁电RAM（F-RAM）非易失性存储器。这款存储器是英飞凌丰富存储器产品组合中的新成员，其特点是具有出色的可靠性和耐用性，在85摄氏度条件下的数据保存期长达 120 年，并且能以总线速度进行随机存取和全存储器......
结合STM32给大家描述一下单片机常见的划分区域(2023-08-22)
理特性
首先，我们需要明白RAM和ROM、Flash Memory的物理特性。
9、RAM
RAM又称随机存取存储器，存储的内容可通过指令随机读写访问。
RAM中的存储的数据在掉电是会丢失，因而只能在开机运行时存储......
学习51单片机必知的寄存器知识(2023-09-05)
单元。
二、51单片机有哪些内部存储器
1.片内RAM
RAM(Random Access Memory)又叫随机存取存储器，正常情况下不仅可以写入数据到RAM，也可以从RAM读取......
从诞生到三足鼎立格局，DRAM到底经历了什么？(2022-12-30)
中国品牌将成为最有潜力的消费客户。
概念与原理
RAM随机存取存储器主要包括“动态随机存取存储器”（Dynamic Random Access......
寄存器，存储器，RAM，ROM有什么区别？(2023-03-14)
我们先来看一张图：
其实RAM和ROM都是属于存储器，RAM代表随机存储器，ROM代表只读存储器。
1.RAM
随机存储器（RAM）是计算机存储器的一种，它的特点是数据可以随机存取。
读取......
工作温度横跨400度！工研院VLSI发表世界顶尖“磁性存储器”技术(2022-06-16)
技术领先群。
制程微缩是在半导体先进制程的重要趋势，其中磁阻式随机存取存储器（MRAM）具有可微缩至22纳米以下的潜力，并拥有高读写速度、低耗电，断电后仍可保持资料特性，特别适用于嵌入式存储器......
贸泽电子即日起开售Fujitsu Semiconductor Memory Solution产品(2021-12-13)
即日起开售Fujitsu Semiconductor Memory Solution的铁电随机存取存储器 (FRAM) 和高密度电阻式随机存取存储器 (ReRAM) 产品。
Fujitsu......
贸泽电子即日起开售Fujitsu Semiconductor Memory Solution产品(2021-12-13)
即日起开售Fujitsu Semiconductor Memory Solution的铁电随机存取存储器 (FRAM) 和高密度电阻式随机存取存储器 (ReRAM) 产品。
Fujitsu......
DRAM如何改变世界？写在DRAM授予专利的55年(2023-06-05)
特·丹纳德 (Robert Dennard) 发明了动态随机存取存储器 (DRAM)。两年后——1968年6 月 4 日，DRAM 专利被授予。
为了开发这项技术，Dennard 领导了 IBM 的一......
存储器和高能激光芯片设备有新突破！(2024-07-31)
的同行评议科学期刊《npj Unconventional Computing》发布了一项名为计算随机存取存储器（Computational Random-Access Memory, CRAM）的最......
三星：已成功开发出第二代SmartSSD(2022-07-21)
（图形处理单元）和RAM（随机存取存储器）之间的数据传输。此项技术可避免存储设备和CPU之间，在转移数据时经常出现的瓶颈，继而显著提高系统性能和能源效率。
利用Arm内核......
2021年全球半导体产值上看5272亿美元，存储器增幅最大(2021-06-09)
%；日本与美国将分别成长12.7%及11.1%。
受惠宅经济驱动的电脑与网通等需求持续强劲，以及5G及车用需求拉动半导体货，继而带动全球半导体产量。
终端市场对存储器类半导体需求体量庞大，尤其以动态随机存取存储器......
Ramtron推出世界上最低功耗的非易失性存储器(2012-02-06)
Ramtron推出世界上最低功耗的非易失性存储器;世界领先的非易失性铁电随机存取存储器 (F-RAM) 和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International......
Ramtron通过低功耗非易失性存储器来控制时间(2012-04-05)
Ramtron通过低功耗非易失性存储器来控制时间;世界领先的非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation......
光刻机巨头抛出重要信号！半导体行业大拐点要来了？(2024-11-15)
使客户进一步从多重曝光转向使用低数值孔径（0.33 NA）EUV和高数值孔径（0.55 NA）EUV的单次曝光工艺，以支持先进逻辑和动态随机存取存储器（DRAM）的发展。
因此，ASML预计......
赛普拉斯半导体推出一款具有四个串行外设接口的1Mb非易失性静态随机存取存储器(2015-08-04)
赛普拉斯半导体推出一款具有四个串行外设接口的1Mb非易失性静态随机存取存储器;赛普拉斯半导体公司今天宣布推出一款具有四个串行外设接口（SPI）的1Mb 非易失性静态随机存取存储器（nvSRAM......
拍字节铁电随机存储器PB85RS128C替代FM25V01-G用于汽车尾门控制器(2023-11-02)
使用拍字节的PB85RS128C，本文将详细介绍相关参数及应用。
PB85RS128C是一种标准的FRAM（铁电随机存取存储器），使用SPI接口进行通讯，工作电压宽为2.7-3.6V，提供低功耗和低待机电流，待机电流最大......
51单片机的内部结构和程序执行过程解析(2023-09-05)
指令来将定义的变量放在ROM，而不是RAM中，节省RAM资源
2.RAM：随机存取存储器，用于存储定义的变量等，速度快
51单片机的RAM存储容量远小于ROM，但是速度非常之快
内部详细图示
内部......
SMT BGA制程工艺术语清单(2024-11-03 06:42:34)
-Rate Synchronous
Dynamic Random Access Memory
双倍速率同步动态随机存取存储器
20.Df......
富士通电子将自9月推出业内最高密度8Mbit ReRAM产品(2019-08-08)
非常适用于需电池供电的小型穿戴装置，包括助听器、智能手表及智能手环等。
MB85AS8MT采用极小的晶圆级封装 (WL-CSP)
MB85AS8MT的三大特色与相关应用
富士通电子提供各种铁电随机存取......
闪存大厂铠侠即将发布三大创新研究成果(2024-10-24)
解，此次发布包括三大创新技术，分别是氧化物半导体通道晶体管DRAM（OCTRAM）、高容量交叉点MRAM（磁阻随机存取存储器）技术、具有水平单元堆叠结构的下一代3D存储技术。
氧化......
Fujitsu推出运行温度达125摄氏度的汽车级I2C接口512Kbit FeRAM(2023-08-08 09:45)
Semiconductor Memory Solution专注提供高质量和高可靠性的非易失性存储器，如铁电随机存储器(FeRAM)和电阻式随机存取存储器(ReRAM)。该公司总部位于横滨，于2020年3月31日成立，是......
Fujitsu推出运行温度达125摄氏度的汽车级I2C接口512Kbit FeRAM(2023-08-08 09:45)
Semiconductor Memory Solution专注提供高质量和高可靠性的非易失性存储器，如铁电随机存储器(FeRAM)和电阻式随机存取存储器(ReRAM)。该公司总部位于横滨，于2020年3月31日成立，是......
嵌入式系统的外设器件选择(2024-03-28)
程序代码、固件和其他常驻应用数据。它具有快速读取速度，且相对较低的功耗。闪存有不同类型，包括NOR和NAND，具有不同的读写特性和应用场景。
另一种常见的存储器则是随机存取存储器（RAM......
晶圆级拆解英特尔Optane 3D XPoint存储器，探索黑科技！(2017-06-27)
料分析，XPoint是一种非挥发性存储器(NVM)技术。位元储存根据本体(bulk)电阻的变化，并结合可堆叠的跨网格数据存取阵列。其价格预计将会较动态随机存取存储器(DRAM)更低，但高于快闪存储器......
尺寸最小+功耗最低，三星即将宣布MRAM重要突破(2022-10-28)
研究人员在14nm FinFET逻辑工艺平台上实现了磁性隧道结堆叠的磁阻式随机存取存储器(MRAM)制造，据称是目前世界上尺寸最小、功耗最低的非易失性存储器。
该团队采用三星28nm嵌入式MRAM，并将......
MRAM达成新里程碑，存储产业变革要来了？(2017-08-09)
的投资力度以及存在同样大的市场需求，MRAM也有望称为未来主流内存产品。
大概十年前，飞思卡尔半导体宣布该公司将与多家创投公司集资成立一间以磁性随机存取存储器(MRAM)为主要产品的独立新公司——EverSpin......
相关企业
IC eMMC F-RAM NAND闪存 NOR闪存 NVRAM 可擦除可编程ROM 电可擦除可编程只读存储器 动态随机存取存储器 托管型NAND 存储器 存储器 IC 开发工具 存储器
RAM（伪静态随机存储器）4Mbit~64Mbit. 5,Die（
IC（MTK.高通.字库.CPU.FLASH.中频.功放.电源.蓝牙等）、电脑IC（南北桥.声卡显卡网卡.内存.CPU）、以及其它各类冷门IC、各种存储器(RAM随机存储器、SRAM静态随机存储器
随机存储器、SRAM静态随机存储器、DRAM动态随机存储器、SDRAM同步动态随机存储器、SGRAM同步图形随机存储器、NtRAM、PBSRAM假静态随机存储器)。 ........公司
;上海英芯电子科技有限公司;;英尚国际有限公司(Ramsun International Limited),是一家专业从 事随机存储器、程序存储器芯片市场推广及销售；公司拥有较为专业的市 场服
;舜翰科技有限公司;;舜翰科技有限公司SOLTEK ELECTRONICS CO., LTD.成立于2001年，是一家专业从事随机存储器、程序存储器芯片市场推广及销售，针对不同的客户领域提供性价比不同的存储
ramtron;铁电;;Ramtron公司总部设在美国科罗拉多州Colorado Springs市，是全球领先的非易失性铁电半导体的供应商。Ramtron产品包括串行和并行铁电随机存储器（F-RAM
: W25N01GV 单层式（SLC）NAND型闪存: 1Gb: W29N01GV 并口式闪存: W29GL032C;W29GL064C;W29GL128C 同步动态随机存取记忆体（SDRAM）: 16Mb
;英尚微电子深圳有限公司;;英尚国际有限公司，既是韩国EMLSI与Silicon7i在中国指定的代理商，也是美国Everspin和德国IPSilog的一级代理商。 专业从事随机存储器、程序存储器
;颍兆科技有限公司;;我司是三星中国区授权指定代理，专业经销三星全系列SRAM（静态随机存储器）。