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MOS管在电路中两大作用?; MOS管在电路中作为开关,NMOS和PMOS开关连接方式不同,开关条件为G极电压与S极电压比较。寄生二极管负极接输入端,正极......
电路完成高效电能转换时,用线性电路抑制电路纹波,得到有源纹波补偿Buck电路,实现可靠性高、寿命长的LED驱动。 电路的设计参数如下: LED驱动电压电路中MOS管的选择 有效选择适合的MOSFET可降低电源电路的开关......
时对于栅极的电流没有任何要求。 其实这样的理解是不正确的。 这里就需要再重新理解下MOS管的开关过程。我们需要引入MOS管的寄生电容与米勒效应。 图中的CGD和CGS和CDS都是mos管的寄生电容,它是由于mos管的......
也可。 5 MOS管的开关......
电流只需 250mA左右即可。仔细想想这样计算对吗? 这里必须要注意这样一个条件细节,RG=25Ω。所以这个指标没有什么意义。 应该怎么计算才对呢?其实应该是这样的,根据产品的开关速度来决定开关电流。根据I......
NMOS和PMOS详解(2023-12-19)
管、NMOS做上管的电路设计复杂,一般情况下意义不大,所以很少采用。 下面先了解MOS管的开通/关断原理,请看下图: NMOS管的主回路电流方向为D→S,导通条件为VGS有一定的压差,一般为5~10V......
关断过程非常迅速,开关时间在10—100ns之间,工作频率可达100kHz以上,普通的晶体三极管由于少数载流子的存储效应,使开关总有滞后现象,影响开关速度的提高。 目前采用MOS管的开关......
出,P沟道的MOS管时,S极进入D极流出,应用在这个电路中时则正好相反,通过寄生二极管的导通来满足MOS管导通的电压条件MOS管只要在G和S之间建立一个合适的电压就会完全导通,导通之后D和S之间就像是一个开关......
引起积分过充振荡,要想解决解决这个米勒振荡,在频率和电压不变的情况下,一般可以提高MOS管的驱动电阻,减缓开关的边沿速度,其次比较有效的方式是增加Cgs电容。在条件允许的情况下,可以在Cds之间......
两个相对 mos 管的控制信号重叠,则可能会出现两个mos 管同时导通的情况,这会使电源短路,也就是击穿条件。 如果发生这种情况,每次发生开关转换时,电源......
PMOS做双向开关电路-PMOS防倒灌、防反接电路; 用MOS做高侧开关时,PMOS比NMOS更便于控制: 1、不用......
的压降(体二极管的压降是比MOS的导通压降大很多的),同时也要关注体二极管的过电流能力。 当满足MOS管的导通条件时,MOS管的D极和S极会导通,这个时候体二极管是截止状态,因为MOS管的导通内阻极小,一般......
MOS 管的应力越小,然而,次级整流管的电压应力却增大。因此,我们应当在保证MOS 管的足够裕量的条件下,尽可能增大Dmax,来降低次级整流管的电压应力。Dmax 的取值,应当保证Vdsmax 不超......
电动车窗开关MOS管的应用解析;随着科技的不断发展,电动车窗系统已经成为现代汽车中不可或缺的一部分。而MOS(金属氧化物半导体)管的应用,为电动车窗开关注入了新的活力,极大......
在少子储存效应,因而关断过程非常迅速,开关时间在10—100ns之间,工作频率可达100kHz以上,普通的晶体三极管由于少数载流子的存储效应,使开关总有滞后现象,影响开关速度的提高(目前采用MOS管的开关......
时间在10—100ns之间,工作频率可达100kHz以上,普通的晶体三极管由于少数载流子的存储效应,使开关总有滞后现象,影响开关速度的提高(目前采用MOS管的开关电源其工作频率可以轻易的做到100K......
的路径都有理想的相同电感。尽管V2中低边和高边的不对称性增加了,但可以实现整体开关损耗的巨大减少--在相同的di/dt下约为7%(图4)。 图4:在图2和图4所示的开关条件下,模块布局V1和V2......
在少子储存效应,因而关断过程非常迅速,开关时间在10—100ns之间,工作频率可达100kHz以上,普通的晶体三极管由于少数载流子的存储效应,使开关总有滞后现象,影响开关速度的提高(目前采用MOS管的开关......
导通门限电压,Q2导通,也就是说Vout输出导通。 开关管Q1 可以选择NMOS或者NPN三极管,根据MCU的IO电压来选择MOS管的开启电压要大于三极管的开......
0.1欧姆或者更低)。若不加R509电阻,高压情况下便会因为mos开关速率过快而导致周围元器件被击穿。但R509电阻过大则会导致MOS管的开关速率变慢,Rds从无穷大到Rds(on)的需......
来作为积分器对MOS管的开关特性进行精确控制。控制了漏极电压线性度就能精确控制冲击电流。 3.2.2电路描述: 图9所示为基于MOS管的自启动有源冲击电流限制法电路。MOS管 Q1放在DC/DC电源......
MOS管的导通电阻减小,从而减少发热损耗,因此仍然建议采用轮流导通的方式,用自举电容产生的大压差使MOS管导通工作。 4.控制逻辑 时序控制图: 简单看来,就是SD控制输出的开关(高电......
晶体管和二极管之间的电压应力关系。(图片来源:Mornsun Power)从表 2 可以看出,传统的开关模式电源只考虑 373 V 的输入电压 (VIN = 373 V),而 MOS 晶体管和二极管的......
,下图就是这种H桥电路。它由2个P型场效应管Q1、Q2与2个N型场效应管Q3、Q4组成,桥臂上的4个场效应管相当于四个开关。    相对于前文4个N型MOS管的H桥电路,此电......
介绍H桥电机驱动电路(2024-11-05 11:58:11)
MOS管的H桥,另外还有包含2个N型、2个P型MOS管的H桥, 下图就是这种H桥电路。它由2个P型场效应管Q1、Q2与2个N型场效应管Q3、Q4组成,桥臂上的4个场效应管相当于四个开关......
就实现了MOS管的高输入阻抗和晶体管的低导通电阻特性,可以当做开关应用在大功率的驱动电路中。 图片来源:华秋......
;12V时通态损耗加大,>20V时难以实现过流及短路保护。关断偏压-5到-15V目的是出现噪声仍可有效关断,并可减小关断损耗最佳值约为-8~10V。 栅极参数对电路的影响 IGBT内部的续流二极管的开关......
【干货】抛开教材,从实用的角度聊聊MOS管;我们把单片机的一个IO口接到这个的gate端口,就可以控制这个灯泡的亮灭了。当然别忘了供电。当这个单片机的IO口输出为高的时候,NMOS就等效为这个被闭合的开关......
电机是意大利YSA公司研制的高速主轴电机,电机具体参数如表1所示。电机控制方式为有速度FOC,如图4所示为IPM的W相桥臂开关管的dv/dt。 表1 高速电机参数 实验工况一 在空载运行条件......
计中需要类似的功率器件。在这期间,随着电机、螺线管和燃油喷射器日益普及,车用功率MOSFET也不断发展壮大。 汽车电子 在汽车电子领域,MOS管的应用是非常普遍的。其中大部分是用作开关管的,从电......
详解12种桥式电路(2024-12-05 16:42:28)
拉电阻。 由曲线性RC电阻实现的开启延迟 两个线性RC电路(每个电路由47KΩ电阻和1nF电容组成)延迟MOS管的开......
硅MOSFET具有更低的开关损耗和更高的工作频率。 一个20kHz的碳化硅MOSFET模块的损耗可以比一个3kHz的硅IGBT模块低一半,一个50A的碳化硅模块可以取代一个150A的硅模块。显示......
箭头方向总是一致的:要么都由S指向D,要么都由D指向S。 5. MOS管的作用? 在我们天天面对的笔记本主板上,MOS管有一个很重要的作用:开关作用。 以上MOS开关......
减小系统的体积。 开关损耗可以在双脉冲测试电路中测量。基本开关波形如图5(a)所示。损耗的开关周期定义为:EON从栅极增加的10%到VDS=0V,EOFF从栅极下降的90%到ID=0A。开关条件为 VDS=800V......
ESR 和流过电容电流成正比,该电流纹波主要是和开关管的开关频率有关,基本为开关频率的 N 次谐波,为了减少纹波,让 ESR......
功率MOS体二极管参数分析; 体二极管的作用 MOS的体二极管能够让感性负载电流在MOS处于“关断”状态时绕开MOS。因此,它在同步整流 和续......
晶闸管 MCT的等效电路图 MCT 是一种新型MOS 与双极复合型器件。如上图所示。MCT是将 MOSFET 的高阻抗、低驱动图 MCT 的功率、快开关速度的特性与晶闸管的高压、大电......
值电压为4V。但是只是使用4V电压进行驱动MOS管时,MOS管Rds比较大,MOS管不能流过过大电流,如下图所示: 从图中可以看出,随着栅源电压的增大MOS管的通流能力也就随着增大。所以......
谐振属于电流谐振。 其次软开关和硬开关的差异是: 硬开关过程中电压电流有重叠,软开关要么电流为零(ZCS)要么电压为零(ZVS)。 MOS管的软开关......
综合考虑失调电压的两种极性。 MOS 管的栅极电容较大,通常约1nF,所以为了避免迟缓的开关时间,采用推挽输出的比较器更合适。为了实现尽量快的响应时间,比较器必须尽可能快的关闭MOS 管,更强的电流输出能力允许比较器更快的开关......
场效应管:基于U-MOS X-H沟槽工艺,这种新型功率场效应管可用于高性能开关电源,例如通信基站及其他工业应用的开关电源。在使用同步整流的高性能电源解决方案中,反向恢复性能非常重要。全新TPH9R00CQ5包括......
信号就已经完成了信号转换,以避免串通现象)。 大家可以去查查通用三极管的开关时间,查完之后你或许就会发现,上P下N型推......
考虑本身寄生的参数。对一个确定的MOSFET,其驱动电路,驱动脚输出的峰值电流,上升速率等,都会影响MOSFET的开关性能。 当电源IC与MOS管选定之后,选择合适的驱动电路来连接电源IC与MOS管就......
工作原理是通过斩波形式将平均输出电压予以降低,可以将输入接在光伏电池输出端,通过调节其输出电压来达到调节负载之目的,以保持光伏阵列输出电压在其最大功率点的电压和电流处。这里控制目标是输出功率为最大,调节手段是改变开关管的开......
MOS管子又炸,分享几种常见的MOS管驱动波形的判断; 回忆起多年前做大功率电源产品的一段经历,那段时间主要调试MOS管的参数,一不小心就炸机,老板......
管还能仅在事先确定的信号到达时才工作,这时发挥的是开关作用。 我们常听到的“IC”也好“LSI”也好,都是晶体管的集合体,是晶体管构成了其功能的基础。本文引用地址: 【晶体管的基本功能示意图】 作为开关使用的晶体管 下面通过发射极接地时的开关工作来介绍起到开关......
为其导通内阻低,开关速度快,因此被广泛应用在开关电源上。而用好一个MOS管,其驱动电路的设计就很关键。下面分享几种常用的驱动电路。 【付费】STM32嵌入......
电源防反接电路笔记(2024-11-11 14:18:47)
,此时存在电流的通路,同时会给GS之间的结电容充电。当充电到Vgs_th的阈值电压,MOS管打开。此时电流经过MOS管从S流向D,由于Rdson很小,此时SD两端电压很小,低于体二极管的开启电压,体二......
硬件工程师入门基础元器件与电路原理; 本文介绍了硬件工程师入门的基础元器件,包括二极管、三极管、MOS管和IGBT。对比了肖特基二极管与硅二极管的特性,探讨了三极管作为开关......
电路设计篇:开关电源设计实例(二);提起电源设计,那肯定会提到的就是,应用范围也十分广,但是的理解可能也会难到一部分人。本文引用地址:是利用电子开关器件比如晶体管,MOS管等来控制电路,使得......

相关企业

;深圳富邦科技有限公司;;我司代理电源管理IC,现在有很多内置三极管和MOS管的电源IC方案,100W以内的都有方案,主要品牌有:亚成微,微盟,芯联,芯龙,信安,BYD。各种性IC和MOS管的性价比非常高。
;鸿海集团(香港);;鸿海集团在深圳的分公司,主要做IC、MOS管的现货销售
;上海继恩实业有限公司;;我们公司是专业产家MOS管的原厂,欢迎各位厂家来订购!
;深圳市宝佳科技有限公司;;本公司主要代理CET(华瑞)全系列MOS管的产品销售。 MOS系列广泛应用于MP3,MP4,PMP数码产品,电源,充电 产品,解码板,LCD显示
;深圳市亿伟世电子科技有限公司;;深圳市亿伟世科技有限公司是比亚迪电源IC和高压MOS管的一级代理,电源IC:BF1501 BF1502 BF1508 MOS:2N60-12N60,保持原装,价格
;丰艺电子有限公司;;丰艺电子股份有限公司是台湾上市公司,为AOS品牌MOS管的原厂一级代理商,价格优势,交货稳定!!
;深圳市赛尚电子科技有限公司;;本公司是专业代理多种知名品牌IC和MOS管的厂家,“以质量求生存,以信誉求发展”
;瑞特鑫电子科技(深圳)有限公司;;本公司是美国力特保险丝及台湾UTC系列MOS管的代理商,向业内人士提供优质的相关产品,欢迎垂询
能为更多的客户代理更好的产品及更好的服务. 富鼎先进为台湾第一家做MOS管的企业,经过13年的发展,已形成低,中,高电压全系列一千多个型号的产品,能满足不同客户的需求
康桥)、CBC(上海源赋创盈)。MOS管的品牌:KEC(韩国半导体)、CET(台湾华瑞)、AP(台湾富鼎先进)、AOS(美国万代)、CBC(上海源赋创盈),灯珠品牌:samsung(韩国三星)、HELIXEON