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MOS管在电路中两大作用?(2024-10-25 10:56:18)
MOS管在电路中两大作用?;
MOS管在电路中作为开关,NMOS和PMOS开关连接方式不同,开关条件为G极电压与S极电压比较。寄生二极管负极接输入端,正极......
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MOS管在汽车LED 中的应用方案(2024-07-09)
电路完成高效电能转换时,用线性电路抑制电路纹波,得到有源纹波补偿Buck电路,实现可靠性高、寿命长的LED驱动。
电路的设计参数如下:
LED驱动电压电路中MOS管的选择
有效选择适合的MOSFET可降低电源电路的开关......
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MOS管的导通条件和MOS驱动电流计算(2023-12-20)
时对于栅极的电流没有任何要求。 其实这样的理解是不正确的。 这里就需要再重新理解下MOS管的开关过程。我们需要引入MOS管的寄生电容与米勒效应。
图中的CGD和CGS和CDS都是mos管的寄生电容,它是由于mos管的......
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摊牌了,MOS管的真面目!(2025-01-01 18:07:51)
也可。
5
MOS管的开关......
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MOS管驱动电流估算(2024-04-02)
电流只需 250mA左右即可。仔细想想这样计算对吗?
这里必须要注意这样一个条件细节,RG=25Ω。所以这个指标没有什么意义。
应该怎么计算才对呢?其实应该是这样的,根据产品的开关速度来决定开关电流。根据I......
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NMOS和PMOS详解(2023-12-19)
管、NMOS做上管的电路设计复杂,一般情况下意义不大,所以很少采用。
下面先了解MOS管的开通/关断原理,请看下图:
NMOS管的主回路电流方向为D→S,导通条件为VGS有一定的压差,一般为5~10V......
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从内部结构到电路应用,这篇文章把MOS管讲透了。(2024-04-29)
关断过程非常迅速,开关时间在10—100ns之间,工作频率可达100kHz以上,普通的晶体三极管由于少数载流子的存储效应,使开关总有滞后现象,影响开关速度的提高。
目前采用MOS管的开关......
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几种常用的防反接电路(2024-06-05)
出,P沟道的MOS管时,S极进入D极流出,应用在这个电路中时则正好相反,通过寄生二极管的导通来满足MOS管导通的电压条件,MOS管只要在G和S之间建立一个合适的电压就会完全导通,导通之后D和S之间就像是一个开关......
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MOS管开通过程的米勒效应及应对措施(2023-02-14)
引起积分过充振荡,要想解决解决这个米勒振荡,在频率和电压不变的情况下,一般可以提高MOS管的驱动电阻,减缓开关的边沿速度,其次比较有效的方式是增加Cgs电容。在条件允许的情况下,可以在Cds之间......
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功率MOS管总烧毁,看看是不是这些原因?(2024-09-27 19:49:51)
两个相对 mos 管的控制信号重叠,则可能会出现两个mos 管同时导通的情况,这会使电源短路,也就是击穿条件。
如果发生这种情况,每次发生开关转换时,电源......
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PMOS做双向开关电路-PMOS防倒灌、防反接电路(2024-12-04 14:45:57)
PMOS做双向开关电路-PMOS防倒灌、防反接电路;
用MOS做高侧开关时,PMOS比NMOS更便于控制:
1、不用......
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MOS管基础及选型指南(2024-03-20)
的压降(体二极管的压降是比MOS的导通压降大很多的),同时也要关注体二极管的过电流能力。
当满足MOS管的导通条件时,MOS管的D极和S极会导通,这个时候体二极管是截止状态,因为MOS管的导通内阻极小,一般......
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这位大牛记录下了电路设计的全过程(2024-04-24)
MOS 管的应力越小,然而,次级整流管的电压应力却增大。因此,我们应当在保证MOS 管的足够裕量的条件下,尽可能增大Dmax,来降低次级整流管的电压应力。Dmax 的取值,应当保证Vdsmax 不超......
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电动车窗开关中MOS管的应用解析(2024-08-16)
电动车窗开关中MOS管的应用解析;随着科技的不断发展,电动车窗系统已经成为现代汽车中不可或缺的一部分。而MOS(金属氧化物半导体)管的应用,为电动车窗开关注入了新的活力,极大......
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不同的电平信号的MCU串口通信(2024-10-24 15:47:14)
在少子储存效应,因而关断过程非常迅速,开关时间在10—100ns之间,工作频率可达100kHz以上,普通的晶体三极管由于少数载流子的存储效应,使开关总有滞后现象,影响开关速度的提高(目前采用MOS管的开关......
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不同的电平信号的MCU怎么通信?(2024-10-22 16:01:50)
时间在10—100ns之间,工作频率可达100kHz以上,普通的晶体三极管由于少数载流子的存储效应,使开关总有滞后现象,影响开关速度的提高(目前采用MOS管的开关电源其工作频率可以轻易的做到100K......
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如何通过优化模块布局解决芯片缩小带来的电气性能挑战(2023-03-13)
的路径都有理想的相同电感。尽管V2中低边和高边的不对称性增加了,但可以实现整体开关损耗的巨大减少--在相同的di/dt下约为7%(图4)。
图4:在图2和图4所示的开关条件下,模块布局V1和V2......
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不同的电平信号的MCU怎么通信(2023-01-09)
在少子储存效应,因而关断过程非常迅速,开关时间在10—100ns之间,工作频率可达100kHz以上,普通的晶体三极管由于少数载流子的存储效应,使开关总有滞后现象,影响开关速度的提高(目前采用MOS管的开关......
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分享一个PMOS的电路设计,详细解析电路中各个元器件的作用(2024-09-20 13:53:37)
导通门限电压,Q2导通,也就是说Vout输出导通。
开关管Q1
可以选择NMOS或者NPN三极管,根据MCU的IO电压来选择MOS管的开启电压要大于三极管的开......
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MOS管防护电路解析实测(2023-12-20)
0.1欧姆或者更低)。若不加R509电阻,高压情况下便会因为mos管开关速率过快而导致周围元器件被击穿。但R509电阻过大则会导致MOS管的开关速率变慢,Rds从无穷大到Rds(on)的需......
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解析开关电源的冲击电流的几种控制方法(2024-06-10)
来作为积分器对MOS管的开关特性进行精确控制。控制了漏极电压线性度就能精确控制冲击电流。
3.2.2电路描述:
图9所示为基于MOS管的自启动有源冲击电流限制法电路。MOS管
Q1放在DC/DC电源......
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H桥电机驱动解析(2024-03-04)
令MOS管的导通电阻减小,从而减少发热损耗,因此仍然建议采用轮流导通的方式,用自举电容产生的大压差使MOS管导通工作。
4.控制逻辑
时序控制图:
简单看来,就是SD控制输出的开关(高电......
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两步走 解决开关电源输入过压的烦恼!(2023-02-06)
晶体管和二极管之间的电压应力关系。(图片来源:Mornsun Power)从表 2 可以看出,传统的开关模式电源只考虑 373 V 的输入电压 (VIN = 373 V),而 MOS 晶体管和二极管的......
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什么是H桥?介绍H桥电机驱动电路(2023-10-30)
,下图就是这种H桥电路。它由2个P型场效应管Q1、Q2与2个N型场效应管Q3、Q4组成,桥臂上的4个场效应管相当于四个开关。 相对于前文4个N型MOS管的H桥电路,此电......
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介绍H桥电机驱动电路(2024-11-05 11:58:11)
MOS管的H桥,另外还有包含2个N型、2个P型MOS管的H桥,
下图就是这种H桥电路。它由2个P型场效应管Q1、Q2与2个N型场效应管Q3、Q4组成,桥臂上的4个场效应管相当于四个开关......
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IGBT在新能源汽车上的应用(2024-10-22 08:01:16)
就实现了MOS管的高输入阻抗和晶体管的低导通电阻特性,可以当做开关应用在大功率的驱动电路中。
图片来源:华秋......
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IGBT驱动电路介绍(2024-02-29)
;12V时通态损耗加大,>20V时难以实现过流及短路保护。关断偏压-5到-15V目的是出现噪声仍可有效关断,并可减小关断损耗最佳值约为-8~10V。
栅极参数对电路的影响
IGBT内部的续流二极管的开关......
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【干货】抛开教材,从实用的角度聊聊MOS管(2022-11-29)
【干货】抛开教材,从实用的角度聊聊MOS管;我们把单片机的一个IO口接到这个的gate端口,就可以控制这个灯泡的亮灭了。当然别忘了供电。当这个单片机的IO口输出为高的时候,NMOS就等效为这个被闭合的开关......
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基于IM828-XCC的高速电机驱动器设计(2024-07-04)
电机是意大利YSA公司研制的高速主轴电机,电机具体参数如表1所示。电机控制方式为有速度FOC,如图4所示为IPM的W相桥臂开关管的dv/dt。
表1 高速电机参数
实验工况一
在空载运行条件......
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MOSFET在汽车电子上的应用(2024-06-20)
计中需要类似的功率器件。在这期间,随着电机、螺线管和燃油喷射器日益普及,车用功率MOSFET也不断发展壮大。
汽车电子
在汽车电子领域,MOS管的应用是非常普遍的。其中大部分是用作开关管的,从电......
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详解12种桥式电路(2024-12-05 16:42:28)
拉电阻。
由曲线性RC电阻实现的开启延迟
两个线性RC电路(每个电路由47KΩ电阻和1nF电容组成)延迟MOS管的开......
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碳化硅MOSFET在新能源行业有怎样的应用和发展(2024-03-22)
硅MOSFET具有更低的开关损耗和更高的工作频率。
一个20kHz的碳化硅MOSFET模块的损耗可以比一个3kHz的硅IGBT模块低一半,一个50A的碳化硅模块可以取代一个150A的硅模块。显示......
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MOS管的三个极怎么判定?(2024-03-08)
箭头方向总是一致的:要么都由S指向D,要么都由D指向S。
5. MOS管的作用?
在我们天天面对的笔记本主板上,MOS管有一个很重要的作用:开关作用。
以上MOS开关......
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全面升级!安森美第二代1200V SiC MOSFET关键特性解析(2024-04-09)
减小系统的体积。
开关损耗可以在双脉冲测试电路中测量。基本开关波形如图5(a)所示。损耗的开关周期定义为:EON从栅极增加的10%到VDS=0V,EOFF从栅极下降的90%到ID=0A。开关条件为 VDS=800V......
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电源设计--DC/DC工作原理及芯片详解(2024-11-08 11:12:29)
ESR
和流过电容电流成正比,该电流纹波主要是和开关管的开关频率有关,基本为开关频率的
N
次谐波,为了减少纹波,让
ESR......
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功率MOS体二极管参数分析(2024-12-07 19:11:23)
功率MOS体二极管参数分析;
体二极管的作用
MOS的体二极管能够让感性负载电流在MOS处于“关断”状态时绕开MOS。因此,它在同步整流
和续......
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常用的功率元器件大全(2023-02-06)
晶闸管
MCT的等效电路图
MCT 是一种新型MOS 与双极复合型器件。如上图所示。MCT是将 MOSFET 的高阻抗、低驱动图 MCT 的功率、快开关速度的特性与晶闸管的高压、大电......
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在ROS学习平台中常常使用到的直流电机控制原理与驱动电路(2023-09-18)
值电压为4V。但是只是使用4V电压进行驱动MOS管时,MOS管Rds比较大,MOS管不能流过过大电流,如下图所示:
从图中可以看出,随着栅源电压的增大MOS管的通流能力也就随着增大。所以......
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大牛多年研发电源问题汇总(受益匪浅)!(2024-11-14 22:46:54)
谐振属于电流谐振。
其次软开关和硬开关的差异是:
硬开关过程中电压电流有重叠,软开关要么电流为零(ZCS)要么电压为零(ZVS)。
MOS管的软开关......
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电源防反接和防倒灌 - 使用MOS 管和运放实现理想二极管(2024-10-21 20:54:06)
综合考虑失调电压的两种极性。
MOS 管的栅极电容较大,通常约1nF,所以为了避免迟缓的开关时间,采用推挽输出的比较器更合适。为了实现尽量快的响应时间,比较器必须尽可能快的关闭MOS 管,更强的电流输出能力允许比较器更快的开关......
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e络盟扩充东芝场效应管产品系列,满足全球市场日益增长的需求(2023-11-16)
场效应管:基于U-MOS X-H沟槽工艺,这种新型功率场效应管可用于高性能开关电源,例如通信基站及其他工业应用的开关电源。在使用同步整流的高性能电源解决方案中,反向恢复性能非常重要。全新TPH9R00CQ5包括......
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栅极型推挽电路为什么不用上P下N(2024-12-21 16:16:49)
信号就已经完成了信号转换,以避免串通现象)。
大家可以去查查通用三极管的开关时间,查完之后你或许就会发现,上P下N型推......
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谈谈几种常用的MOSFET驱动电路(2024-04-22)
考虑本身寄生的参数。对一个确定的MOSFET,其驱动电路,驱动脚输出的峰值电流,上升速率等,都会影响MOSFET的开关性能。
当电源IC与MOS管选定之后,选择合适的驱动电路来连接电源IC与MOS管就......
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基于C8051F330芯片和MPPT技术实现太阳能路灯智能控制系统的设计(2024-02-23)
工作原理是通过斩波形式将平均输出电压予以降低,可以将输入接在光伏电池输出端,通过调节其输出电压来达到调节负载之目的,以保持光伏阵列输出电压在其最大功率点的电压和电流处。这里控制目标是输出功率为最大,调节手段是改变开关管的开......
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MOS管子又炸,分享几种常见的MOS管驱动波形的判断(2024-10-16 11:40:39)
MOS管子又炸,分享几种常见的MOS管驱动波形的判断;
回忆起多年前做大功率电源产品的一段经历,那段时间主要调试MOS管的参数,一不小心就炸机,老板......
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基础知识之晶体管(2024-03-21)
管还能仅在事先确定的信号到达时才工作,这时发挥的是开关作用。 我们常听到的“IC”也好“LSI”也好,都是晶体管的集合体,是晶体管构成了其功能的基础。本文引用地址:
【晶体管的基本功能示意图】
作为开关使用的晶体管
下面通过发射极接地时的开关工作来介绍起到开关......
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MOS管驱动电路有几种,看完就明白了(2024-11-01 12:17:03)
为其导通内阻低,开关速度快,因此被广泛应用在开关电源上。而用好一个MOS管,其驱动电路的设计就很关键。下面分享几种常用的驱动电路。
【付费】STM32嵌入......
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电源防反接电路笔记(2024-11-11 14:18:47)
,此时存在电流的通路,同时会给GS之间的结电容充电。当充电到Vgs_th的阈值电压,MOS管打开。此时电流经过MOS管从S流向D,由于Rdson很小,此时SD两端电压很小,低于体二极管的开启电压,体二......
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硬件工程师入门基础元器件与电路原理(2024-12-03 11:23:44)
硬件工程师入门基础元器件与电路原理;
本文介绍了硬件工程师入门的基础元器件,包括二极管、三极管、MOS管和IGBT。对比了肖特基二极管与硅二极管的特性,探讨了三极管作为开关......
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电路设计篇:开关电源设计实例(二)(2024-03-08)
电路设计篇:开关电源设计实例(二);提起电源设计,那肯定会提到的就是,应用范围也十分广,但是的理解可能也会难到一部分人。本文引用地址:是利用电子开关器件比如晶体管,MOS管等来控制电路,使得......
相关企业
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康桥)、CBC(上海源赋创盈)。MOS管的品牌:KEC(韩国半导体)、CET(台湾华瑞)、AP(台湾富鼎先进)、AOS(美国万代)、CBC(上海源赋创盈),灯珠品牌:samsung(韩国三星)、HELIXEON