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2022年下半年开始，嘉芯半导体多次中标客户特色工艺生产线，包含氮化硅等离子刻蚀机、金属等离子刻蚀机、深槽刻蚀机、侧墙等离子刻蚀机；高密度等离子薄膜沉积设备（HDP-CVD)、掺杂硼磷二氧化硅薄膜......
与整合工程师在寻求隔离方案时可以考虑已经被证实可行的方法：沉积可调的平面介电层或共形二氧化硅或氮化物。但现在的介电层既需要可调性和共形性，也需要能够沉积含有硅碳键的薄膜如SiCO，从而获得更高的刻蚀选择性，因为......
团队的新方法以硒化铟的质子化为基础，从而产生多种铁电相。研究人员将这种铁电材料纳入了一个由硅支撑的堆叠异质结构组成的晶体管中进行评估。 他们在异质结构上层叠了一层硒化铟薄膜，异质结构由嵌套在底部铂层和顶部多孔二氧化硅之间的氧化......
述圆片被彻底清洗干净后，再放入灼热的氧化炉内，使其表面生成二氧化硅薄绝缘层。然后再涂上一层软的易感光的塑料(称为光刻胶或光致抗蚀剂)。将掩模放在圆片的上方，使紫外线照射在圆片上，使没......
等离子刻蚀机、深槽刻蚀机、侧墙等离子刻蚀机；高密度等离子薄膜沉积设备（HDP-CVD)、掺杂硼磷二氧化硅薄膜化学沉积设备（SACVD）、钛/氮化钛沉积设备（MOCVD）、铝铜金属溅射设备（Metal......
备，包括合金化工艺低压立式炉管、缓冲层氧化膜炉管、铝刻蚀机、铝金属物理气相沉积机、铝铜金属溅射设备等；拓荆科技中标3台二氧化硅等离子薄膜沉积设备、8台二氧化硅氮化硅氟化硅氮氧化硅等离子薄膜......
。团队基于集成电路材料全国重点实验室300 mm SOI研发平台，依次解决了300 mm RF-SOI晶圆所需的低氧高阻晶体制备、低应力高电阻率多晶硅薄膜沉积、非接触式平坦化等诸多核心技术难题，实现......
晶圆。团队基于集成电路材料全国重点实验室300 mm SOI研发平台，依次解决了300 mm RF-SOI晶圆所需的低氧高阻晶体制备、低应力高电阻率多晶硅薄膜沉积、非接触式平坦化等诸多核心技术难题，实现......
对应的就是硅晶圆。硅在自然界中以硅酸盐或二氧化硅的形式广泛存在于岩石、砂砾中，硅晶圆的制造有三大步骤：硅提炼及提纯、单晶硅生长、晶圆成型。 硅的提纯是第一道工序，需将......
我国科学家成功探测人工神经元突触的量子成像;记者16日从中国科学技术大学获悉，该校郭光灿院士团队孙方稳课题组与合作者合作，制备了基于二氧化钒相变薄膜的类脑神经元器件，并利用金刚石中氮-空位（NV......
遍采用的是化学机械抛光。化学机械抛光是化学腐蚀和机械磨削同时进行，分为铜离子抛光、铬离子抛光和普遍采用的二氧化硅胶体抛光。二氧化硅胶体抛光是由极细的二氧化硅粉、氢氧化钠（或有机碱）和水配制成胶体抛光液。抛光后的硅片还要在做一次清洗以去除硅片表面的有机物杂质和氧化......
新一代化合物半导体有望在2027年大规模生产？;2月20日，据日刊工业新闻报道，电子元器件厂商Qualtec将于2027年开始大规模生产超宽带隙半导体材料二氧化锗 (GeO2) 晶圆。本文......
新一代化合物半导体有望在2027年大规模生产？;2月20日，据日刊工业新闻报道，电子元器件厂商Qualtec将于2027年开始大规模生产超宽带隙半导体材料二氧化锗 (GeO2) 晶圆。 据了......
温下直接生产硅纳米颗粒）的开发取得了重大突破。 （图片来源：Kinaltek） Kinaltek的技术能力已得到扩展，除了纳米颗粒，还可以直接生产硅纳米线和硅碳复合材料。这些材料均以二氧化硅......
该系统回收利用的 PET 薄膜可减少约10%*3二氧化碳的排放量。再生薄膜将应用于 MLCC 以外的其他产品，旨在提高其他产品中使用 MLCC 的比例。 PET 薄膜回收利用之所以能够取得成功，离不开 TDK 为追......
Corporation 将其制成薄膜。TDK随后购买这些薄膜，并经过特殊工艺加工后，再次用于制造工艺。相较于传统 PET 薄膜，经过该系统回收利用的 PET 薄膜可减少约10%*3二氧化碳的排放量。再生薄膜......
仪器隔离接口市场与应用经理Michael Schultis和德州仪器技术经理沈军在发布会上详细介绍了此技术的特点。Michael表示，此光耦仿真器与业内常见的光耦是引脚兼容的，可以无缝地集成到现有的设计中。采用基于二氧化硅......
第四代半导体氧化镓蓄势待发！;新能源汽车大势之下，以碳化硅为代表的第三代半导体发展风生水起。与此同时，第四代半导体也在蓄势待发，其中，氧化镓（Ga2O3）基于其性能与成本优势，有望成为继碳化硅......
引述市调机构UBI Research报告显示，三星可能最快在今年上半年开始为苹果生产 LTPO OLED 面板，该屏幕与Galaxy Note 20 采用了相同技术。 公开资料显示，传统OLED采用低温多晶硅薄膜......
— 氧化物 — 半导体）电容器组成的阵列。在 P 型或 N 型硅衬底上生长一层很薄（约 120nm）的二氧化硅，再在二氧化硅薄层上依次序沉积金属或掺杂多晶硅电极（栅极），形成规则的 MOS 电容器阵列，再加......
物分子束外延设备，克服制备瓶颈，生长了高质量二氧化钒外延薄膜，并通过微纳加工制备了生物神经元和突触阵列，实现了直接模拟神经元之间的突触动态连接过程。 这个过程中，实验......
器件样品和评估板已经可以申请。 　　相对于传统光耦，首先，TI 的光耦仿真器是基于二氧化硅的隔离技术，它没有发光器件，因此不存在老化问题。其次，在一致性方面，它的工艺和芯片生产相同，一致性可以得到保证。最后，新品......
镓异质集成材料与器件领域取得突破性进展。 上海微系统所研究团队创新发展XOI晶圆转印技术，在国际上率先实现阵列化氧化镓单晶薄膜与1英寸金刚石衬底的异质集成。转移处理后氧化镓单晶薄膜材料摇摆曲线半高宽为78......
，顶部是一个二氧化硅（SiO2）键合层，允许单晶硅层作为外延GaN生长的成核层。 这种技术使得可以在300mm晶圆上实现高质量、无翘曲和无裂纹的GaN外延生长，从而显著降低了器件成本。 信越......
球半导体观察不完全统计，今年来共有超30项关键技术取得重要进展，涉足类脑芯片、光子芯片、人工智能芯片、第三/四代半导体（碳化硅/氮化镓/氧化钾/金刚石等），以及光刻胶材料、存储器、晶体......
现构建新型容错量子计算机这一长期梦想的起点。 哈工大科研团队在铪基铁电薄膜领域取得新进展 4月下旬，哈工大科研团队在铪基铁电薄膜领域取得重要进展，为实现超快铁电存储提供依据。 二氧化铪铁电相是亚稳结构，作为二氧化......
DNP：全新设计的LCD背光系统组件实现高亮度和宽视角;努力减少零件数量和组件厚度，有助于减少二氧化碳排放量Dai Nippon Printing Co., Ltd. (DNP, TOKYO......
TDK推出采用生物质材料的环境可持续电波吸收体;• 已获日本生物塑料协会（JBPA）正式批准• 通过混合超过25 wt%的生物质材料，与传统产品相比，可减少13%的二氧化碳排放量 注册......
TDK推出采用生物质材料的环境可持续电波吸收体;• 已获日本生物塑料协会（JBPA）正式批准• 通过混合超过25 wt%的生物质材料，与传统产品相比，可减少13%的二氧化碳排放量 注册......
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后的硅碳氮刻蚀工艺步骤中，为了与下层金属1钌相接，需要进行刻蚀工艺，使硅碳氮介电层产生较高的倾斜度。这可以减少对间隙闭合介电层的过度刻蚀，并在通孔刻蚀工艺中保持空气间隙闭合。图3左右的模拟结果分别展示了需要的二氧化硅......
与下层金属1钌相接，需要进行刻蚀工艺，使硅碳氮介电层产生较高的倾斜度。这可以减少对间隙闭合介电层的过度刻蚀，并在通孔刻蚀工艺中保持空气间隙闭合。图3左右的模拟结果分别展示了需要的二氧化硅......
转换器解决方案，以用于中小尺寸的多晶硅薄膜晶体管 (TFT) 液晶 (LCD) 显示屏。该器件采用单节锂离子/锂聚合物电池或任何 2.5V 至 6V 的电压电源作为工作电源。一个 1.5MHz 同步......
SPHERILEX®60 AB 二氧化硅产品适用于高透明薄膜的开口剂产品。相关产品具有球形外观、可控的颗粒尺寸和较窄的颗粒尺寸分布等优势，为各类塑料薄膜产品带来显著的开口性能。而作......
二氧化硅产品适用于高透明薄膜的开口剂产品。相关产品具有球形外观、可控的颗粒尺寸和较窄的颗粒尺寸分布等优势，为各类塑料薄膜产品带来显著的开口性能。而作为塑料粉体的高效外添产品，SIPERNAT®......
的方式，完成了对石墨烯垂直方向电场的屏蔽。再使用原子层沉积的二氧化铪作为栅极介质、化学气相沉积的单层二维二硫化钼薄膜作为沟道。具体器件结构、工艺流程、完成实物图如下所示： △亚1纳米......
日本团队采用新技术制备氧化镓晶体;作为一种新兴的超宽禁带半导体材料，氧化镓具备大禁带宽度（4.8eV）、高临界击穿场强（8MV/cm）和良好的导通特性，与碳化硅和氮化镓相比，氧化......
铪单原子层之间组成的超晶格结构总厚度不到两纳米，这提供了最佳的负电容效应环境。由于大多数最先进的硅晶体管已经使用了由二氧化硅上面氧化铪所组成的两纳米二氧化锆，并且氧化锆也被用于硅技术，这使......
端设备技术和综合工序以及应用专业技术相结合，从研发、原型制作到批量生产，提供定制化的真空应用工艺技术及设备解决方案。 SiC业务方面，近日，汇成真空公开一项“一种高均匀性碳化硅高温氧化炉”专利，申请公布号为CN117824353A，申请......
游模组、终端产品供应商，都在强调这样的主题。可见双碳本质上还不光是战略，也是营收增长点。在这一主题的展现上，东芝大概是进博会现场最不遗余力的参展商之一了。从氢能、二氧化碳分离回收技术，到SCiB锂离......
是俄罗斯本土光刻生产线构建的一部分。 根据报道，俄罗斯工业和贸易部委托开发的这种半导体设备，用于对二氧化硅、钨和铜介电层进行化学机械抛光（CMP）。设备的国外功能原型是由美国应用材料公司（Applied Materials）生产......
施(Carl Frosch)和林肯·德里克(Lincoln Derick)在晶片上生长了一层二氧化硅薄膜，以保护其表面，并允许受控扩散到底部的硅层。 图......
产品已实现全面自主研发和量产，有用于金属及非金属硬脆材料加工的切削研磨抛光材料及研磨抛光的精细化工产品，包括但不限于团聚金刚石微粉、团聚金刚石研磨液、氧化铝抛光液、二氧化硅......
家为半导体和光电子制造行业提供封装材料及解决方案的国家级高新技术企业。目前公司已经形成半导体清润模橡胶材料、半导体及光电器件封装环氧树脂、有机硅薄膜化光电封装材料、新型CSP芯片尺寸级别光源器件五大类产品系列，服务半导体、LED封装、光电显示、智能照明等行业应用。此外......
英飞凌一站式系统解决方案，助力户用储能爆发式发展;当前全球面临的最大挑战之一是气候变化，而二氧化碳排放量是导致气候变化的主要原因。根据IEA的调研，从1910年到2022年，二氧化......
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半导体芯片的工厂。 Pragmatic Park预期将在未来五年内创造500个高技能工作岗位，并加强英国的科技生态系统。该公司还声称，相较传统硅芯片生产，该公司的生产过程更环保，耗能和水量更少，二氧化......
引用地址：Pragmatic Park预期将在未来五年内创造500个高技能工作岗位，并加强的科技生态系统。该公司还声称，相较传统硅芯片生产，该公司的生产过程更环保，耗能和水量更少，二氧化......
凌的气候战略建立在两个支柱之上：一方面，我们通过提高能源利用率实现低碳制造，使用清洁能源，减少直接碳排放，并促进资源循环利用。我们目标是到2025年，将二氧化碳排放量较2019 年减少70%，到2030 年实......
明提供了一种改性纳米银太阳能电池导电浆料及其制备方法，以质量份数计，所述导电浆料包括：6580份复合改性纳米银、110份乙二醇、520份聚乙烯吡咯烷酮和110份助剂；其中，所述复合改性纳米银为二氧化硅......

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