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蓉矽半导体1200V碳化硅二极管产品“NovuSiC® EJBS™”系列实现量产;​据成都蓉矽半导体有限公司官方发布消息，具有自主知识产权的1200V碳化硅二极管产品“NovuSiC® EJBS™......
REASUNOS瑞森半导体碳化硅二极管在大功率电源上的应用;大功率电源通常由一个变压器、整流电路、滤波电路、功率半导体器件和开启电路等多个部分组成。变压......
相互关联;通常，较低电荷值的元件将具有稍高的导通电阻。 碳化硅二极管 碳化硅二极管多为肖特基二极管。经典硅二极管基于 PN 结。在肖特基二极管中，金属被 p 型半导体取代，形成金属-半导......
统的可靠性和稳定性提供了重要保障。 纳芯微具备完善且严格的质量管理体系。为客户提供最可靠的碳化硅二极管产品，我们在碳化硅芯片的生产过程中实施了严格的质量控制措施。每个碳化硅二极管......
三款汽车发电机电路图;　　汽车发电机电路一： 　　电路工作原理：它由三极管VT、稳压二极管VD4以及普通二极管VD，~ VD3等组成，实际上是一个高门槛晶体管。在这里，VD，一VD3为硅二极管，VD......
硬件工程师入门基础元器件与电路原理; 本文介绍了硬件工程师入门的基础元器件，包括二极管、三极管、MOS管和IGBT。对比了肖特基二极管与硅二极管的特性，探讨了三极管......
RS瑞森半导体碳化硅二极管在光伏逆变器的应用;碳化硅 (SiC) 是一种由硅 (Si) 和碳 (C) 组成的半导体化合物，属于宽带隙 (WBG) 材料系列。它的物理结合力非常强，使半......
【慕尼黑华南电子展】蓉矽半导体圆满收官！;  11月17日，为期三天的慕尼黑华南电子展成功收官。蓉矽半导体作为参展商，携NovuSiC️ 1200V碳化硅二极管和NovuSiC️ 1200V......
中可以看出，只要加在二极管两端的正向电压大于其导通电压（对于硅二极管来说，此电压约为0.5-0.6v；对于锗二极管来说，此电压约为0.18-0.2v；随型号而异）之后，这个正向电压的微小变化，就会使二极管......
产品在充电桩市场占有领先地位。 2019年，飞锃半导体已大规模量产650V和1200V碳化硅二极管；2021年第四季度，飞锃半导体开始批量出货碳化硅MOSFETS。其产品广泛应用于EV快充、光伏......
RS瑞森半导体碳化硅二极管在光伏逆变器的应用; 一、前言 (SiC) 是一种由硅 (Si) 和碳 (C) 组成的半导体化合物，属于宽带隙 (WBG) 材料系列。它的物理结合力非常强，使半......
单元会采用三电平的NPC拓扑，安森美器件能覆盖这样的设计，目前能提供的单管产品除今年新发布的第七代1200V IGBT外，还有650V和1200V的碳化硅二极管和MOSFET。据悉，目前安森美的650V碳化硅二极管......
镓等宽禁带材料为主的第三代半导体全产业链生产与研发基地，是全球第三条、中国首条碳化硅全产业链生产线。 2021年6月，湖南三安一期项目完成建设并顺利点亮投产，并于11月量产下线碳化硅肖特基二极管全系列产品。 据悉，“长沙造”碳化硅二极管......
系统轻载和空载期间的高能效。与超快恢复二极管不同，第三代器件几乎没有恢复拖尾，从而能够进一步提升效率。  碳化硅二极管典型应用包括FBPS和LLC转换器AC/DC功率因数校正（PFC）和 DC/DC超高频输出整流，适用......
降低了导通损耗，确保系统轻载和空载期间的高能效。与超快恢复二极管不同，第三代器件几乎没有恢复拖尾，从而能够进一步提升效率。 与击穿电压相当的硅二极管相比，SiC二极管热导率高，反向电流低，反向恢复时间短。二极管......
%，是保护采用小型IC的现代电子产品的理想选择。结构中采用的硅二极管能够处理>1000 ESD震击或瞬态浪涌而不会降低性能，相比之下，替代技术则具有固有的内部磨损缺陷。......
从事碳化硅功率器件的研发与产业化。该公司掌握领先的碳化硅核心技术，研发覆盖碳化硅功率半导体的材料制备、芯片设计、封装测试、驱动应用等产业链关键环节，核心产品包括碳化硅二极管和MOSFET芯片、汽车......
代器件几乎没有恢复拖尾，从而能够进一步提升效率。碳化硅二极管典型应用包括FBPS和LLC转换器AC/DC功率因数校正（PFC）和 DC/DC超高频输出整流，适用于光伏逆变器、储能系统、工业驱动器和工具、数据......
电源电压的火线和中性线分别用L和N表示，而输出电压和电流分别用V OUT和I OUT表示。电阻器 R1 和 C1 的电抗均用于减少浪涌电流，浪涌电流可能会损坏组件。D2 是典型的硅二极管，其任务是对交流电压进行整流，而 D1......
Nexperia针对要求严苛的电源转换应用推出先进的650 V碳化硅二极管;合并PIN肖特基结构可带来更高的稳健性和效率 奈梅亨，2023年4月20日：基础......
µA，因此降低了导通损耗，确保系统轻载和空载期间的高能效。与超快恢复二极管不同，第三代器件几乎没有恢复拖尾，从而能够进一步提升效率。    碳化硅二极管......
三安半导体产业园一期项目已实现从“碳化硅晶体生长”到“器件封测”的量产线全线贯通，并于2021年11月量产下线碳化硅肖特基二极管全系列产品。 据长沙晚报今年年初报道，湖南三安碳化硅二极管实现量产出货，车规级二极管......
不断攀升，公司光技术的营收能力将进一步增强。 电力电子产品主要为高功率密度碳化硅二极管、MOSFET及硅基氮化镓产品。碳化硅二极管上半年新开拓客户518家，出货客户超过180家，超过60种产......
限制正常工作范围。）   仅使用具有低反向电流的硅二极管或肖特基二极管。UL 建议的典型反向电流为 1μA。可以使用的一些具有低反向电流的二极管包括但不限于 BAS40、BAS70 和 BAT54 二极管。其中......
于提升效率，减小散热器和感性元件体积，从而降低系统体积、重量和成本 。 SiC SBD替换传统硅二极管的优势在于仅对现有产品电路结构做极小的改动即可实现产品性能的优化，快速对应市场需求。 目前，瑞能车规级650V......
的材料、功率等不同，额定电流一般在10～40mA左右，发光二极管导通时的正向压降VF比较大，一般为1.5～3V（普通硅二极管约为0.7V）。因此在正常使用中，为了保证发光二极管在电源电压V的作......
不同，第三代器件几乎没有恢复拖尾，从而能够进一步提升效率。与击穿电压相当的硅二极管相比，SiC二极管热导率高，反向电流低，反向恢复时间短。二极管反向恢复时间几乎不受温度变化的影响，可在+175 °C高温......
器件产生过多的热量。观察SiC器件，比如SICW 40C120，一个40A 1,200V的SiC整流器，揭示了开关损耗几乎是可以忽略的，虽然不是完全没有。这在图2中的小峰值中得以体现，与硅二极管相比，损耗......
器件。示例包括 MLV（多层压敏电阻）、聚合物 ESD 抑制器以及硅二极管或阵列。为简单起见，本文将仅关注硅器件，因为它们的性能在 ESD 钳位能力方面往往更为优越。尽管如此，下文......
桥式整流电路 桥式整流注意事项 使用桥式整流电路从交流输入提供直流输出时，需要考虑以下几点： 电压降： 千万不要忘记，流过桥式整流电路的电流会通过两个二极管。结果，输出电压将下降这个量。由于大多数桥式整流电路使用硅二极管......
重点展示，设计的产品就包括了瑞能650V（600V）/1200V 快恢复二极管，800V/1200V/1600V标准整流二极管，1200V可控硅，650V/1200V 碳化硅二极管, 1200V......
量产线研发自主工艺并开发高性能高可靠性碳化硅器件，推出的1200V碳化硅二极管通过AEC-Q101认证及新能源头部企业测试，已实现规模销售，目前可批量提供1200V平台下各规格的SiC二极管产品。2022年第......
代器件几乎没有恢复拖尾，从而能够进一步提升效率。 与击穿电压相当的硅二极管相比，SiC二极管热导率高，反向电流低，反向恢复时间短。二极管......
Nexperia针对要求严苛的电源转换应用推出先进的650 V碳化硅二极管; 【导读】基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布推出650 V碳化硅(SiC)肖特基二极管......
市面上首款击穿电压达到2000 V的分立碳化硅二极管。该产品系列适用于直流链路电压高达1500 VDC的应用，额定电流为10 A至80 A，是光伏、电动汽车充电等高直流母线电压应用的完美选择。 采用......
解决方案。二极管是非常有用的器件，对许多应用都很重要。标准硅二极管的压降为0.6 V至0.7 V。肖特基二极管的压降为0.3 V。一般来说，压降不是问题，但在高电流应用中，各个压降会产生显著的功率损耗。理想二极管......
Nexperia针对要求严苛的电源转换应用推出先进的650 V碳化硅二极管; 合并PIN肖特基结构可带来更高的稳健性和效率基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布推出650 V......
， 为全球客户提供功率半导体整体解决方案。公司产品涵盖SiC碳化硅MOS、SiC碳化硅二极管、硅基平面MOS、超结MOS、中低压MOS、LED驱动IC、电机驱动IC和系列ESD&TVS静电......
期待！关于森国科深圳市森国科科技股份有限公司是一家专业从事功率器件、模块，功率IC的高新科技企业。功率器件主要包括碳化硅二极管、碳化硅MOSFET、IGBT，功率芯片主要包括功率器件驱动芯片、无刷......
纳微半导体发布新一代650V MPS SiC碳化硅二极管;专有的“低门槛电压”技术带来更好的温控效果，第五代GeneSiC™碳化硅(SiC)二极管实现更高速、更高......
纳微半导体发布新一代650V MPS™ SiC碳化硅二极管; 【导读】唯一全面专注的下一代功率半导体公司 — 纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）宣布推出第五代高速GeneSiC碳化......
70kHZ、80kHZ甚至更高的频率设计，这对IGBT和FRD提出了越来越高的高频要求。目前已有空调厂家开始选用碳化硅二极管，比传统硅快回复二极管具有更小的正向导通压降，更高的耐温及高温稳定性，PFC效率......
期待！ 关于森国科 深圳市森国科科技股份有限公司是一家专业从事功率器件、模块，功率IC的高新科技企业。功率器件主要包括碳化硅二极管、碳化......
模拟电路入门100个知识点！; 1、在常温下，硅二极管的门槛电压约为 0.5V ，导通......
桥接式 PFC，如图二所示。交流开关拓朴使用两个在开启状态下导通的高频场效应晶体管 （FET） 和在关闭状态下导通的碳化硅 （SiC） 二极管和硅二极管。有源桥式 PFC 直接以四个低频 FET 取代连接到交流线路的二极管......
年的时间，完成了1,200V的碳化硅二极管和MOS管的设计、量产，建立了以碳化硅高性价比的高可靠系列产品，同时在供应链体系保障和质量体系都建立了完善了体系。 SiC在双碳背景下的发展机遇 由于......
断状态时使用一个碳化硅 (SiC) 二极管和一个硅二极管导电。有源桥式 PFC 用四个低频 FET 取代连接到交流线路的二极管桥式整流器，但这需要额外的控制和驱动器电路。有源桥式 PFC 在导通状态时使用三个 FET 导电，在关......
可能提高效率的拓扑包括交流开关无桥 PFC、有源桥式 PFC 和无桥 PFC（如图 2 所示）。交流开关拓扑在导通状态时使用两个高频场效应晶体管 (FET) 导电，在关断状态时使用一个碳化硅 (SiC) 二极管和一个硅二极管......
市森国科科技股份有限公司是一家专业从事功率器件、模块，功率IC的高新科技企业。功率器件主要包括碳化硅二极管、碳化硅MOSFET、IGBT，功率芯片主要包括功率器件驱动芯片、无刷电机驱动芯片两大类。公司......
的管压降基本不变特性。二极管的管压降特性：二极管导通后其管压降基本不变，对硅二极管而言这一管压降是0.6V左右，对锗二极管而言是0.2V左右。如图所示是由普通3只二极管......

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苏州英能电子科技有限公司
;苏州英能电子科技有限公司;;苏州英能电子科技有限公司，成立于2011年5月，是一家专注碳化硅二极管研发、生产、销售的半导体制造公司，其以优秀的归国博士团队为基，与浙江大学电力电子中心密切合作，引进国外碳化硅二极管
北京瑞田达技贸有限责任公司
器件业务部代理经营世界各国（或地区）著名公司生产的电力电子器件，主要包括IGBT模块、IGBT单管、IGBT驱动电路和驱动板、可控硅二极管模块、可控硅二极管分立器件、单三相整流桥、快恢复二极管、无感
深圳市祥鋆（yun）科技有限公司
发可控硅，硅二端触发开关，固态放电管，场效应管(IGBT.MOS)，烙铁咀，电烙铁，各种性能三极管，防雷管，整流管，整流桥堆，各种模块，快速恢复二极管，肖特基二极管，瞬变二极管，触发二极管，整流二极管
深圳市灿阳科技有限公司
国独立生产半导体的厂商。产品种类超过40多种封装形式和10000多种型号。产品分为稳压二极管、肖特基、可控硅二极管、ＴＶＳ.桥式整流器等.瞬变(瞬态)抑制二极管简称TVS器件,在规定的反向应用条件下,当承
长沙市芙蓉区歆凯电子元件厂
整流模块、可控硅整流模块、可控硅二极管混合模块、超快恢复二极管整流模块。ZP型普通整流管、KP型普通晶闸管、KK型快速晶闸管、KS型双向晶闸管、模块、组件。产品按照国家标准组织生产，性能稳定，价格
苏州固锝电子股份有限公司深圳办事处（广州办事处）
认证的企业，在公司管理上建立了管理信息体系，从订单接收、生产安排（MRP-II），再到履行交货，我们所提供的一切服务都是由电脑控制的。这样，使产品品质及准时交货得到了有效的保证。 公司主营：半导体分立器件中的硅二极管
固锝电子股份公司广州办
单接收、生产安排（MRP-II），再到履行交货，我们所提供的一切服务都是由电脑控制的。这样，使产品品质及准时交货得到了有效的保证。 公司主营：半导体分立器件中的硅二极管：TVS二极管、稳压二极管、肖特基二极管
苏州固锝电子广州办事处
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苏州固锝电子股份有限公司深圳办事处
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苏州固锝电子股份有限公司广办
体制造商之一,是全国最大的二极管生产厂家之一，公司去年在深圳已成功上市，（股票代码:002079）。 公司主营：半导体分立器件中的硅二极管（包括桥堆）的芯片制造及封装、销售业务。 研发优势： 公司