资讯

,IRCD为MOS管导通时RCD吸收电路产生的电流,可由下面吸收电路计算得到。 考虑到启动瞬间MOS管电压比正常工作时要高,所以选择1500V的MOS管,其损耗为 式中, Co.Q——MOS管输......
内阻)为例,国外各大品牌在2023年初的单价普遍在300元以上。 发货周期太长 目前国外品牌的货源普遍非常紧张,部分品牌的订单周期甚至达到4—12个月。 驱动电路难以选择 驱动碳化硅MOS管时,由于......
电源防反接电路笔记(2024-11-11 14:18:47)
管功耗也越大。 低功耗 低功耗主要反应在ESR(等效电阻)要小,MOS管就能满足要求,因为一般MOS管的Rdson(等效导通电阻)都是毫欧级别。 2.MOS管的简化等效电路......
保护 输入欠压保护,内置过冲吸收电路,无需外接齐纳管。 PWM振荡器输出频率 输出PWM频率......
在关断期间dv/dt必须限制在500~1kV/μs。为此,人们不得不使用体积大、昂贵的吸收电路。另外它的门极驱动电路较复杂和要求较大的驱动功率。到目前为止, 在高压(VBR 》 3.3kV )、大功......
6万片/月,深圳这条8英寸碳化硅产线年底通线;近期,深圳方正微电子有限公司(下文简称“方正微电子”)发布了车规/工规碳化硅MOS 1200V全系产品碳化硅新品,还表示公司8英寸碳化硅产线将于2024......
以加一个光耦 2、对于感性负载 比如电动机,因为它的内部有线圈,100W的电动机在启动的时候可能达到1000W,因此这类电器电路就要加多一个阻容吸收电路,必要时候同时加一个压敏电阻,可以使10471,根据......
半导体丨可靠性考核 其中,碳化硅二极管作为第三代半导体材料在大功率PFC电路中是必不可少的,凭借碳化硅二极管的高频性能,无反向恢复的特性,可以减小开关损耗和整机体积,显著提高转换效率和功率密度。据了......
,为了RC 缓冲电路充分吸收电压尖峰,RSNB 和CSNB 的谐振频率ωSNB 必须比电压尖峰的谐振频率ωSURGE 低很多,需要结合算式(5)所示的RC 缓冲电路的谐振频率ωSNB 来确认。 (5......
片同一个栅极电阻阻值的状态下,开关损耗也会比同类产品更小,从而提升开关速度,以及开关损耗的减少。以罗姆750V耐压产品对于同类650V耐压产品,应对VDS Surge设计更容易,有利吸收电路的简化。 高可靠性方面,罗姆......
一文了解SiC MOS的应用;作为第三代半导体产业发展的重要基础材料,碳化硅MOSFET具有更高的开关频率和使用温度,能够减小电感、电容、滤波器和变压器等组件的尺寸,提高系统电力转换效率,并且......
采用新型的横向变掺杂技术,以专有的功率MOS结构,高温特性优良,同时极大提升了产品的雪崩能量和抗浪涌能力; 碳化硅基功率器件包括碳化硅SBD和碳化硅MOSFET,产品涵盖650V-1200V-1700V......
-MOS导通,引脚联通GND。**该方式既提高电路的负载能力,又提高开关速度。 ** 开漏输出:无法直接输出高电平,要在外部连接上拉电阻才行,输出的电压由上拉电阻连接的电源决定。适合做电流型的驱动,其吸收电......
这一比例将增长至74%。 图 SiC主要应用市场及占比 在国产碳化硅功率器件企业中,基本半导体依托强大的技术团队,以及在车规级SiC模块产品积累的丰富经验,研发推出的第二代SiC MOS在光伏储能、充电......
之后芯片内置MOS管可能会容易损坏,因此,一般都要增加吸收电路。 如下图是反激式开关电源局部电路,看看改变电阻R1阻值,Uds波形参数会有什么变化,取R1分别等于360K、180K、106K,市电......
驱动,在MOS管的D端增加了一个RCD吸收电路,升压后的电压通过一个电容耦合到雾化片一端。 (2)雾化片一端接MOS管S端,S端串接采样电阻采样电流Icur,另一端通过滤波电路检测电压FB来追频,以......
干扰有较大的衰减作用; 2、可选择紧贴变压器的铁芯粘铜箔,铜箔要闭环。 3、处理后端输出整流管的吸收电路和初级大电路并联电容的大小。 4、在变......
锐骏半导体完成C轮融资 将持续投入IGBT、碳化硅SIC SBD/SIC MOS研发等;据同创伟业3月28日消息,近日,深圳市锐骏半导体股份有限公司(以下简称“锐骏半导体”)宣布完成C轮融资。据已......
MOS管目前在新能源汽车上的用量还不大,但是萨科微看好新能源汽车的发展空间和市场想象力,制造碳化硅功率器件的工艺还可以在其他新品上应用,对萨科微来说相关技术的平移就好,碳化硅MOS管在......
, 为全球客户提供功率半导体整体解决方案。公司产品涵盖SiC碳化硅MOS、SiC碳化硅二极管、硅基平面MOS、超结MOS、中低压MOS、LED驱动IC、电机驱动IC和系列ESD&TVS静电......
南京江智-全系列中低压车规级MOS 碳化硅MOS; 全系列中低压车规级MOS  碳化硅MOS 产品描述: 南京江智主要产品为车规级MOS和SIC MOS,车规级MOS已批......
MOS替换硅基IGBT后,会获得电机控制器的效率的提升,NEDC工况下,对电池续航的贡献提升在3%-8%之间,所以电控应用对碳化硅器件的需求最为迫切。同时,在国......
纹波: A.选择低ESR的电容。 B.加大电容容值。 C.优化电源布局布线。 D.提高开关频率。 抑制开关噪声: A.SW加缓冲吸收电路。 B.外置MOS栅极串小阻值电阻,使开关边沿变缓。 C.内置MOS可以......
中芯集成拟更名,此前刚成立车规级碳化硅制造及封装公司;11月14日,中芯集成发布公告称,拟将公司中文名称“绍兴中芯集成电路制造股份有限公司”变更为“芯联集成电路制造股份有限公 司”,拟将......
性能“天花板”。据悉这是我国在这一领域的首次突破。 公开资料显示,碳化硅是第三代半导体材料的主要代表之一,具有宽禁带、高临界击穿电场、高电子饱和迁移速率和高导热率等优良特性。碳化硅MOS主要......
是以松下和英飞凌为代表的电流控制型。所谓电流控制,指的是门级驱动使用电流,而不是电压来控制。另外一类则是和硅MOS管以及碳化硅MOS管一样,使用门级电压驱动。 表 1 主流增强型P-GaN工艺......
信息产业商会”、“广东连接器协会”会员。   一次机缘,宋仕强与正在研发第三代半导体碳化硅MOS管的LE 韩国延世大学功率器件研发团队相识,并随后成立深圳市萨科微半导体有限公司,注册了“SLKOR”商标,专业推广销售LE......
等小功率电机驱动产品提供经济高效的解决方案。森国科IPM智能功率模块KG05AS05B1M1集成了6个MOS管和3个半桥高压栅极驱动电路,具备欠压保护和失效保护功能,以保证电子设备的安全和可靠性。由于......
持续短缺,还不动声色地涨价,几毛钱的东西涨到过上百块,跟它打交道的打工人们望眼欲穿。 穷人靠变异,富人靠科技,同样是碳化硅赛道的佼佼者,安森美一路闷声发大财,一路砸钱收购扩产,布局碳化硅,一不......
产替代正在进行中,公司6英寸导电型碳化硅衬底已通过外延厂商和下游终端客户认证。 针对下游MOS和SBD应用场景,上游碳化硅衬底端几乎没有区别,只有极少几个参数,差别主要在外延层结构。公司碳化硅......
Schottky)二极管与碳化硅MOSFET;硅基产品有175˚C高结温的理想二极管MCR®(MOS-Controlled Rectifier)及FRMOS(Fast Recovery MOSFET)。广泛......
等小功率电机驱动产品提供经济高效的解决方案。 森国科IPM智能功率模块KG05AS05B1M1集成了6个MOS管和3个半桥高压栅极驱动电路,具备......
在 10 至 11 纳秒 (ns) 范围内)需要精心布局,以尽量减少寄生电感,并使用 RC 吸收电路来抑制电压和电流瞬变引起的瞬时振荡。在设计中,高压电源和地之间要设置多个 RC 吸收电路(R17 至......
; GPIO状态推挽输出 可以输出强高低电平,连接数字器件。 开漏输出 只可以输出强低电平,高电平需要外部电阻拉高,输出端相当于三极管的集电极,要得到高电平,需要上拉电阻,适合做电流型的驱动,其吸收电......
产品进展顺利,去年碳化硅器件整体销售规模同比增长约2.3倍,待交订单超过1000万元,投片量逐月稳步增加。车规级碳化硅MOS碳化硅模块研发工作进展顺利,已完成多款碳化硅MOS模块产品出样。华润......
年的时间,完成了1,200V的碳化硅二极管和MOS管的设计、量产,建立了以碳化硅高性价比的高可靠系列产品,同时在供应链体系保障和质量体系都建立了完善了体系。 SiC在双碳背景下的发展机遇 由于......
界击穿电场、高电子饱和迁移速率和高导热率等优良特性。 碳化硅 MOS 主要有平面结构和沟槽结构两种结构,目前业内应用主要以平面型碳化硅 MOSFET 芯片为主。 平面碳化硅 MOS 结构......
能直接影响到新能源汽车的能效、续航里程以及可靠性。目前,硅基IGBT(绝缘栅双极型晶体管)和碳化硅(SiC)功率器件是两种主流的解决方案,它们在新能源汽车中有着各自独特的应用特点。 一、硅基IGBT在新......
天域半导体12亿,2023年第一季碳化硅产业融资21起;当下,国际企业凭借着先发优势,在碳化硅领域频繁扩产;而国产企业在技术追赶、产能突破之余,也频繁获得资本的支持。 1 Q1融资超21起......
平台有望大面积普及。 图片来源:中芯集成 回到公司层面,芯联动力控股股东中芯集成是目前国内少数能够实现大规模碳化硅MOS量产的公司,车规级碳化硅 MOS产品出货量在国内大幅领先。截至2023年6月底,中芯集成具备2000片......
,目前产品验证速度和产品爬坡进度按计划进行。预计年底产能达到2万片,争取达到2.5万片,明年预计产能达到3万片,争取达到3.5万片。 华润微还表示,公司第三代宽禁带半导体碳化硅......
根本买不到”。 IGBT又称绝缘栅双极性晶体管,是一种三端半导体开关器件,由BJT和MOS管组合而成,也可以看作BJT和MOS管的融合体,具有MOS的输入特性和BJT管的输出特性。IGBT在电路中作为电路......
双向OBC产品,搭载多颗SiC MOS器件。 ● 中国电科:基于碳化硅驱动控制技术,展示了最新的风冷式、集成式车载DC-DC电源。 博格华纳:供应800V SiC OBC 11月7日,博格......
碳化硅模块助力更可靠更高效的换电站快充电路设计;换电与充电并存     在电动车发展的过程当中,充电和换电是两个同时存在的方案。车载充电OBC可以通过两相或三相电给汽车充电,但其......
端相当于三极管的集电极。 要得到高电平状态需要上拉电阻才行。 适合于做电流型的驱动,其吸收电流的能力相对强(一般20ma以内)。 推挽结构一般是指两个三极管分别受两互补信号的控制,总是......
端相当于三极管的集电极。 要得到高电平状态需要上拉电阻才行。 适合于做电流型的驱动,其吸收电流的能力相对强(一般20ma以内)。 推挽结构一般是指两个三极管分别受两互补信号的控制,总是在一个三极管导通的时候另一个截止。 要实......
STM32的GPIO介绍(2024-02-03)
尽管如此,还是不能直接外接大功率器件,须加大功率及隔离电路驱动,防止烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。P-MOS管和N-MOS管:由P-MOS管和N-MOS管组成的单元电路使得GPIO具有“推挽......
STM32中GPIO工作原理详解(2024-10-26 11:28:55)
烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。 P-MOS管和N-MOS管:由P-MOS管和N-MOS管组成的单元电路使得GPIO具有“推挽输出”和“开漏输出”的模式。这里的电路......
资本上汽恒旭等相关或关联机构跟投。 爱仕特主要从事第三代半导体碳化硅大功率电力电子芯片与模块,以及相关系统方案的开发。本轮融资将用于加速车规级SiC功率MOS芯片研发与技术创新。 超芯星 1月1日,超芯......
切片技术等。 晟光硅研专注于第三代半导体材料的优化加工及工艺定型。目前已成功完成6英寸碳化硅晶锭的滚圆、切片及划片。 派恩杰 派恩杰在1月19日正式完成数亿元A轮融资,不仅如此,在壬寅年,仅车规级功率MOS芯片......

相关企业

;唐山德意陶瓷制造有限公司;;唐山恒通碳化硅有限公司(唐山德意陶瓷制造有限公司)成立于 2000 年 10 月 1 日,位于唐山市高新技术开发区。公司是由多名青年科技专家投资兴建,集科
;江苏环能硅碳陶瓷有限公司;;泰州市环能硅碳棒制造有限公司是一家专业生产碳化硅制品企业,公司致力于研发高性能硅碳棒及碳化硅陶瓷,并与高等科研所合作开发新型高温电热元件,是一
;淄博兴德碳化硅有限公司;;本公司目前致力于开发|磁性材料炉用推板 碳化硅莫来石结合新型耐火材料
;枣庄市鑫阳磨料磨具有限责任公司;;碳化硅 枣庄市鑫阳磨料磨具有限责任公司 地址:山东省滕州市经济工业园区 电话:0632-5883388 5883366 传真:0632-5883366 电子
和销售于一体的综合性企业。公司专业生产刚玉、碳化硅,刚玉莫来石耐火材料,产品广泛应用于磁性材料厂、陶瓷厂和玻璃窑炉等行业。现主要产品有:规格为25KG-1T的刚玉-碳化硅坩埚、浇口;粉体煅烧匣钵;氧化
;苏州英能电子科技有限公司;;苏州英能电子科技有限公司,成立于2011年5月,是一家专注碳化硅二极管研发、生产、销售的半导体制造公司,其以优秀的归国博士团队为基,与浙江大学电力电子中心密切合作,引进国外碳化硅
;潍坊通用工程陶瓷有限公司;;潍坊通用工程陶瓷有限公司是一家专业从事研究、生产、销售真空反应烧结碳化硅制品的股份制高新技术企业。本公 司引进德国真空反应烧结碳化硅生产工艺和软件技术,拥有
;山东天岳先进材料科技有限公司;;山东天岳先进材料科技有限公司是专业从事蓝宝石和碳化硅单晶生长加工的高新技术企业。公司的主要产品有2-6英寸蓝宝石和2-4英寸碳化硅单晶衬底,其产
全自动液压震动成型机和高速升温烧成梭式窑(1750℃)可生产大面、超厚、超薄耐火材料制品,主要产品有:碳化硅、莫来石、刚玉-莫来石、堇青石-莫来石、硅线石(红柱石)-莫来石系列产品,其中二氧化硅结合碳化硅转、莫来石结合碳化硅砖、刚玉
;潍坊六方碳化硅陶瓷有限公司;;