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SiC功率模块——FMF800DC-66BEW,适用于铁路、电力系统等大型工业设备。样品于5月31日开始发售。该新结构芯片有望帮助实现铁路牵引等电气系统的小型化和节能化,促进直流输变电的普及,从而......
英寸n型4HSiC衬底,双方共同致力于扩大8英寸SiC器件的生产规模。 芯粤能SiC芯片制造项目加速一期产能爬坡 近日,据芯粤能晶圆厂厂长邵永华介绍,目前整个工厂正在扩产爬坡,预计......
芯粤能SiC芯片制造项目加速一期产能爬坡;近日,据芯粤能晶圆厂厂长邵永华介绍,目前整个工厂正在扩产爬坡,预计今年年底实现年产24万片6英寸车规级SiC芯片的规划产能。预留的8英寸产线就在6英寸......
。 随着新能源汽车电压平台逐渐向800V平台靠拢,这部分半导体价值也越来越多的体现在SiC芯片企业的业绩当中。 仍以......
士兰微:士兰明镓SiC功率器件生产线初步通线,首个SiC器件芯片投片成功;10月24日,士兰微发布公告称,近期,士兰明镓SiC功率器件生产线已实现初步通线,首个SiC器件芯片已投片成功,首批......
碳化硅受车企青睐,小鹏汽车独家投资这家厂商;今(2月16日),国内碳化硅(SiC)功率半导体和芯片解决方案提供商上海瞻芯电子科技有限公司(以下简称“瞻芯电子”)宣布,公司......
的产业链已经有一定的了解了。也就是从衬底到芯片,对于一个SiC功率器件来说只是完成了一半的工作,还有剩下一半就是这次我们要分享的封装。好的封装才能把SiC的性能发挥出来,这次我们会从AQG324这个测试标准的角度来看芯片......
消息称2025年中国SiC芯片价格将下降高达30%; 【导读】据报道,业内人士表示,预计未来两年中国碳化硅(SiC芯片价格将下降高达30%。这归......
建成达产后,将现有平面栅SiC MOSFET芯片技术能力提升到满足沟槽栅SiC MOSFET芯片研发能力,将现有4英寸SiC芯片线提升到6英寸,将现有4英寸SiC芯片线年10000片/年的能力提升到6英寸SiC芯片......
多家晶圆厂已加码SiC供应;碳化硅(SiC)芯片经常出现在媒体报导中,这一事实充份预告着这种宽能隙(wide bandgap;WBG)半导体材料已经认证,可望成为打造更小、更轻......
揭秘碳化硅芯片的设计和制造;揭秘碳化硅芯片的设计和制造 众所周知,对于碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)来说,高质量的衬底可以从外部购买得到,高质量的外延片也可以从外部购买到,可是......
用特点,介绍了车载充电机和直流变换器DC/DC应用中的SiC 的典型使用场景,并针对SiC 的特性推荐了驱动芯片方案。最后,本文根据SiC MOSFET驱动对供电的特殊要求,对不......
揭秘碳化硅芯片的设计和制造;众所周知,对于碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)来说,高质量的衬底可以从外部购买得到,高质量的外延片也可以从外部购买到,可是......
三安半导体8英寸碳化硅设备入场;7月24日,三安半导体宣布,芯片二厂M6B设备入场。这标志着三安碳化硅(SiC)项目二期通线在即,将为全面加速8英寸SiC产业布局,实现......
芯片,目的都包括实现快充和在一定程度上增加续航里程。 同样是1200V SiC产品和高压纯电平台,蔚来与芯联集成签约有助于在新能源汽车产品方面对标理想等竞争对手,抢占市场份额。 目前......
位错(BPD)和堆垛层错(SF)等缺陷,而由于主驱级SiC MOSFET的芯片尺寸通常较大(约25mm2),对缺陷更为敏感。 在同样衬底缺陷密度时,SiC MOSFET的芯片尺寸越大,其芯片......
制造技术也走在世界前列,其战略转型是:All in SiC,公司目前拥有SiC 全产业链一体化平台,其中,衬底在美国生产,抛光和外延是在捷克工厂完成,芯片前端处理、减薄、背面金属和晶圆测试 (WAT) 在韩......
引了全球汽车厂商的目光。搭载SiC芯片的智能电动汽车,可提高续航里程,对突破现有电池能耗与控制系统上瓶颈,乃至整个新能源汽车行业都有重要意义。 目前,业内普遍认为以SiC为代......
量产应用,这吸引了全球汽车厂商的目光。搭载 SiC 芯片的智能电动汽车,可提高续航里程,对突破现有电池能耗与控制系统上瓶颈,乃至整个新能源汽车行业都有重要意义。 目前,业内普遍认为以 SiC 为代......
士兰明镓 SiC 功率器件生产线已实现初步通线,首个SiC 器件芯片已投片成功;10月23日晚间,杭州士兰微电子股份有限公司发布公告称,近期,士兰明镓 SiC 功率器件生产线已实现初步通线,首个......
120亿+15亿,国内2个8英寸碳化硅项目迎来新进展;近日,士兰集宏8英寸碳化硅功率器件芯片制造生产线项目在海沧正式开工。 该项目总投资120亿元,建设一条以SiC-MOSEFET为主......
,并且大都采用车规级标准设计。 据官方介绍,瞻芯电子是一家聚焦于碳化硅(SiC)半导体领域的高科技芯片公司,2017年成立于上海临港。公司致力于开发SiC功率器件、驱动和控制芯片SiC功率......
聚焦SiC芯片,两家公司深化合作;2月6日,芯联集成(原“中芯集成”)发官微称,其下属子公司芯联动力科技(绍兴)有限公司(下文简称“芯联动力”)与国电南瑞控股子公司南京南瑞半导体有限公司(下文......
足电动汽车市场的需求。800V SiC已经从2021年开始就逐渐在市场渗透。SiC功率元件作为各家电动汽车性能致胜的一大依赖技术,整车厂们无不在争相绑定未来几年的SiC供应。纵观整个SiC芯片市场,主要的碳化硅芯片......
)电驱逆变器的碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)裸片样品。这是三菱电机首款标准规格的SiC-MOSFET功率半导体芯片,将助力公司应对xEV逆变器的多样化需求,并推动xEV的日......
家聚焦于碳化硅(SiC)半导体领域的高科技芯片公司,致力于开发碳化硅(SiC)功率器件、驱动和控制芯片、碳化硅(SiC)功率模块产品。 瞻芯电子表示,第三代1200V 13.5mΩ SiC MOSFET已经......
中汽创智首批自主研发SiC MOSFET正式下线;据“AUTOSEMO”消息,11月30日,中汽创智首批自主研发的1200V 20mΩ SiC MOSFET在积塔工厂正式下线。本款芯片......
多家下游行业龙头认可和大规模应用,2022年自主建设的SiC晶圆厂已建成投产,已成为国内极少数具备SiC MOSFET IDM能力的功率半导体整体解决方案商。 据官方介绍,瞻芯电子是一家聚焦于碳化硅(SiC)半导体领域的高科技芯片......
家聚焦于碳化硅(SiC)半导体领域的高科技芯片公司,致力于开发碳化硅(SiC)功率器件、驱动和控制芯片、碳化硅(SiC)功率模块产品。 瞻芯电子表示,第三代1200V 13.5mΩ SiC MOSFET......
级IGBT 芯片SiC MOSFET芯片及模组封测等的代工企业。 研发投入的影响:报告期内,为保证产品具有国际竞争力,公司持续在 8 英寸功率半导体、MEMS、连接等方向增加研发投入,同时......
材料公司今日宣布推出多项全新产品以帮助世界领先的碳化硅 (以下简称SiC芯片制造商从150毫米晶圆量产转向200毫米晶圆量产,使每个晶圆的芯片数产出近乎翻倍,可满足全球对于卓越的电动车动力系统日益增长的需求。 SiC 电力......
半导体等在内的企业产能利用率接近满载,部分高性能功率器件已率先开启涨价潮。 在此市场景气上行之际,功率半导体市场也将迎来新一轮放量周期,近期士兰微投资120亿元的8英寸SiC功率器件芯片制造生产线正式开工,除此......
理想x三安半导体,车用SiC芯片势在必得?;1月25日,国家市场监督管理总局反垄断司官网中经营者集中简易案件公式显示,北京车和家汽车科技有限公司(“车和家”)拟与湖南三安半导体共同设立合资公司,车和......
半导体模块的样品。该模块降低了内部电感,并集成了第二代SiC芯片,有望帮助实现更高效、更小型、更轻量的工业设备。 三菱电机集团近日(2023年6月13日)宣布,将于6月14日开......
国产碳化硅芯片项目面临的几个实际问题;在近日的“集邦咨询第三代半导体前沿趋势研讨会”上,泰科天润应用测试中心主任高远分析了国产碳化硅芯片项目实施中面临的几个实际问题,涉及到晶圆厂的建设成本、SiC......
未实现批量商用的企业。 国产SiC衬底/外延玩家 目前,无论是碳化硅衬底还是外延,主流尺寸都是4英寸和6英寸。资料显示,当衬底/外延从6英寸扩大到8英寸时,可切割出的碳化硅芯片数量有望从448颗增加到845颗。当前......
 等公司都已宣布计划建设 8 英寸 SiC 芯片工厂。 TrendForce 补充说,其中许多公司也在上游基板和外延材料领域取得了进展。 意法半导体(ST):5月31日,意法......
)MOSFET芯片(具有3300 V和800 A特征)的模块——“MG800FXF1ZMS3[1]”和“MG800FZF1JMS3[2]”,这些模块采用第三代SiC MOSFET和SBD芯片......
以能达成此次合作,是因为双方已于2020年建立了“电力电子技术开发合作伙伴关系”,并基于合作伙伴关系进行了密切的技术合作,开展了适用于电动汽车的SiC功率元器件和采用SiC芯片......
为双方已于2020年建立了“电动汽车电力电子技术开发合作伙伴关系”,并基于合作伙伴关系进行了密切的技术合作,开展了适用于电动汽车的SiC功率元器件和采用SiC芯片的逆变器产品的开发。 作为......
,同一工艺的芯片在12英寸晶圆上生产,会比在8英寸晶圆上生产多2.385倍芯片。现在,高端智能手机、高端显卡等追求先进工艺的芯片使用12英寸晶圆。 值得庆幸的是,SiC/GaN芯片采用成熟制程,无需......
罗姆第4代SiC MOSFET裸芯片批量应用于吉利集团电动汽车品牌“极氪”3种主力车型; 日前,搭载了罗姆(总部位于日本京都市)第4代SiC MOSFET裸芯片......
所有 SiC解决方案都有价值),汽车制造商仍然面临着降低 SiC 芯片成本的压力。PGC Consultancy 和 Exawatt 的成本分析显示,衬底占成品芯片成本的 40-50%,市场......
领域亦有涉足。上个月,奇瑞汽车与SiC新兴独角兽企业长飞先进成功举办了“汽车芯片联合实验室”战略合作签约仪式。未来,双方将充分发挥各自领域的技术和资源优势,在车规级芯片及其汽车应用技术、市场......
(单车搭载)数量持续增长,高性能MCU持续供不应求;此外,SiC功率元件作为各家电动汽车性能致胜的一大依赖技术,整车厂们争相绑定未来几年的SiC供应。 为了解决业界目前面临的车用芯片......
2023年下半年汽车行业供需将保持紧张。 车用芯片方面,随着汽车电动化、智能化渗透率继续加速,车用MCU(单车搭载)数量持续增长,高性能MCU持续供不应求;此外,SiC功率......
注意的是,无论IGBT还是SiC,国产化率仍较低,特别是在芯片上,仍高度依赖于国际大厂,因此我们看到,借助未来较长的过渡期,本土IGBT及SiC产业......
进发。[!--empirenews.page--] 中资企业在IGBT芯片技术上的突破,进一步加剧了该市场的竞争,也鞭策国内外厂商朝更新的方向布局。实际上,未雨绸缪也一直都是功率器件“领头羊”们的做法。 如何看待IGBT和SiC......
全新电驱的碳化硅成本减少50%等等。上游衬底、芯片产能和良率不断提升,SiC模块具备一定的降价空间。 全球 SiC 从 6英寸往 8英寸发展,有望带动芯片单价下降。正如硅片晶圆从 8 英寸往 12 英寸......
生长技术为客户提供优良产品和服务,并持续加码大尺寸SiC外延生长技术研发,积极布局8英寸SiC产线。南方半导体则专注于半导体元器件及解决方案,涵盖了功率半导体集成电路、晶体、芯片及检测中心等众多领域。 烁科......

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;广宏电力设备有限公司;;ABB-SafeRing充气柜,施耐德SM6开关柜,SC6-SIC,SC6-SQC开关,SFG开关,EV12断路器,施耐德RM6充气柜,VD4真空断路器,施耐德SC6负荷开关
;上海硕元电子有限公司;;上海硕元电子是一家代理日立ACF,SIC硅胶皮,铁氟龙,ACF除液的公司.产品质优价廉.欢迎有需要的公司咨询采购!
器件和射频于一体的著名制造商和行业领先者。   Cree公司是市场上领先的照明革新者与半导体制造商,以显著提高固态照明,电力及通讯产品的能源效果来提高价值。   Cree的市场优势来源于碳化硅(SiC)材料,以及用此来外延芯片和制备相关的器件。这些芯片
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恢复损耗,提高EMI正常在5%个DB左右.具有很低的Vf电压. GaN产品,GaN的二极管具有0反向恢复时间.是代替SIC产品的理想材料,且价格比SIC低许多.适合高频工作.可达800KHZ. 模块
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