技术咨询
代买器件
商务客服
研发客服7月24日，三安半导体宣布，芯片二厂M6B设备入场。这标志着三安碳化硅（SiC）项目二期通线在即，将为全面加速8英寸SiC产业布局，实现产线正式投产奠定良好基础。
据三安半导体介绍，湖南三安SiC项目总投资高达160亿人民币，旨在打造6英寸/8英寸兼容SiC全产业链垂直整合量产平台。项目达产后，将具备年产36万片6英寸SiC晶圆、48万片8英寸SiC晶圆的制造能力。预计到今年12月，M6B将实现点亮通线，8英寸SiC芯片将正式投产，湖南三安半导体正式转型为8英寸SiC垂直整合制造商。
重庆三安意法SiC项目总规划投资约300亿元人民币，项目达产后将建成全国首条8英寸SiC衬底和晶圆制造线，具备年产48万片8英寸SiC衬底、车规级MOSFET功率芯片的制造能力，预计营收将达170亿人民币。
封面图片来源：拍信网
文章来源于:全球半导体观察 原文链接
本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的，且明确注明来源，不希望被转载的媒体或个人可与我们联系，我们将立即进行删除处理。