资讯
51单片机存储器内存的讲解(2023-09-04)
的一部分，所以外部扩展时要减去内部的地址空间，当然要小于64K。而数据存储器是内外部分别编址，内外部数据存储器用不同的指令进行访问，所以不用担心单片机会混淆内外部数据存储器，所以外部数据存储器扩展能力有64K。
......
STC89系列单片机(2024-03-12)
形成一个芯片外部的时钟振荡器。在芯片内部，它作为放大器的输出端，与前述的输入端一起构成芯片内部的振荡器。
5)30脚（ALE/PROG）:地址锁存允许/编程信号接口。芯片需要对片外存储器进行访问时，该接......
STM32F7x6的存储器映射(2023-03-07)
支持位带操作。
Cortex-M7有4类总线接口，这4类总线接口都有自己可以访问的地址，总线接口和要访问的地址范围之间是存在一个固定的映射，这个固定的映射决定了通过哪个接口来访问我的存储器。存储器的属性可以通过MPU设置......
s3c2440裸机-内存控制器(三-1、norflash编程之NorFlash原理)(2023-08-10)
出现位反转）
可擦除次数
10000 ~ 100000
100000 ~ 1000000
接口
与ram类似，可直接访问任意地址
I/O接口（无地址线,必须串行访问，命令、地址、数据共用8位IO......
SPI存储器的结构特点及在自动测试仪上实现测试的方法研究(2023-01-03)
芯片AT25HP512 为例，实现了测试程序开发。实验证实，该方法可以克服SPI 存储器地址算法自动产生的困难，对该类芯片测试具有通用性。
0 引言
串行存储器大多采用I2C 或SPI 接口进行访问......
赛普拉斯推出了16-Mbit非易失性静态随机访问存储器nvSRAM系列(2012-09-12)
赛普拉斯推出了16-Mbit非易失性静态随机访问存储器nvSRAM系列;赛普拉斯半导体公司（纳斯达克股票代码：CY）日前推出了 16-Mbit 非易失性静态随机访问存储器 (nvSRAM) 系列......
AT89S51单片机各引脚的功能解析(2023-03-20)
，但在执行访问外部程序存储器或外部数据存储器指令“MOVC”或“MOVX”时，ALE仍然有效。也就是说，ALE的禁止位不影响对外部存储器的访问。
PROG（的反）为该引脚的第二功能，即在对片内Flash......
浅析STM32 FSMC操作LCD的过程(2023-08-10)
突发模式支持。定义控制器是否将一个AHB突发环回访问分割成两个线性访问。仅在突发模式下访问存储器时有效。0：未使能直接环回突发；1：使能直接环回突发。这里不采用环回突发模式。
bit9：等待信号极性位。定义存储器......
STM32F7高速缓存(2023-03-06)
用高速缓存的时候会带来一致性问题，一个原因是程序员不能控制对存储器的访问时机，不知道什么时候会发生CPU访问存储器，可能在读数据写数据的时候都是从缓存中读从缓存中取和把数据写到缓存中，根本就没有真正地访问存储器，可能......
【MCS-51】内部资源及工作时序(2023-04-23)
状态标志和一般性变量等数据。外部扩展RAM 则可以通过地址总线和数据总线进行访问。
51单片机的 ROM 包括主程序存储区和专门的数据存储区。主程序存储区包括程序代码和常量，大小通常为 4KB 或 8KB。数据存储......
单片机的存储器(2024-04-10)
是普林斯顿结构（Princeton），将程序和数据合用一个存储器空间，即ROM和RAM的地址同在一个空间里分配不同的地址。CPU访问存储器时，一个地址对应惟一的一个存储单元，可以是ROM，也可以是RAM，用同类的访问......
基于MC9328MX1芯片的嵌入式系统(2023-05-05)
应用程序或者其他在系统掉电后需要保存的用户数据等；
SDRAM：作为系统运行时的主要区域，系统及用户数据、堆栈均位于该存储器中；
串行接口：用于MX1系统与其他应用系统的短距离双向串行通信；
JTAG......
cc2530内部存储结构图(2024-01-15)
XDATA存储空间访问存储器，因此能够访问所有物理存储器。每个通道（触发器、优先级、传输模式、寻址模式、源和目标指针和传输计数）用DMA 描述符在存储器任何地方配置。许多硬件外设（AES 内核、闪存......
单片机开发时FLASH和EEPROM有啥区别？怎么选？(2023-03-14)
方式
Flash和EEPROM都采用随机读取，可以通过地址直接访问存储器中的数据。
2.写入方式
Flash和EEPROM的写入方式不一样，EEPROM可以按字节进行写入，而Flash通常......
8051单片机的特点_8051单片机的控制总线信号有哪些(2024-01-03)
进行直接地址到直接地址的数据传送，能把一个并行I/O口中的内容传送到内部RAM单元中而不必经过累加器A或工作寄存器Rn。这样可以大大提高传送速度和缓解累加器A的瓶颈效应。
（2）用变址寻址方式访问程序存储器......
stm32案例分享之使D-CACHE时FMC外设运行不正常原因(2023-09-28)
的操作会用到内核的缓存(CACHE)的。
使能了CACHE的好处就是可以提高内核访问存储器的速度。为什么使用缓存能提高速度呢？是因为在操作可以被缓存的存储器的时候，内核不是每次都去直接操作这些存储器......
五、精简指令集和复杂指令集指令格式(2023-07-11)
RISC 架构的特点
采用固定长度的指令格式
使用单周期指令，便于流水线操作
大量使用寄存器，采用 LS 结构访问存储器
采用 CISC 架构的处理器具有相反的特征， 不过功能更强大。 采用 CISC......
【MCS-51】总线系统(2023-04-23)
功能寄存器映射
51单片机内部还有一些特殊功能寄存器，例如中断控制器、定时器/计数器等，也可以通过地址总线和数据总线进行访问和设置。
三、总线应用
1. 存储器扩展
当需要扩展51单片机的存储容量时，可以......
STM32F7x6的系统架构(2023-03-07)
，但是需要注意的是AHBS不能访问ITCM总线。DMA不能访问映射到ITCM总线的存储空间，包括ITCM-RAM和映射到ITCM地址的FLASH空间。
DMA1只能实现外设和存储器......
深度解读MCS51单片机时序分析及系统扩展(2023-08-30)
。AT89S51单片机内部有4 KB的程序存储器，不需要外部的ROM空间，如果不够可以选择AT89S52或其他内部存储器更大的单片机，所以接高电平，即：不使用外部ROM，只使用内部的存储器。
1.2 MCS51......
8051单片机架构类型有哪些(2023-10-20)
。今天的处理速度大大超过了内存访问时间，只使用了非常快且数量很少的内存（缓存）。
哈佛架构
哈佛架构为指令和数据提供单独的存储和信号总线。这种架构的数据存储完全包含在CPU中，并且无法将指令存储作为数据进行访问......
关于MCS-51单片机的经典14问(2023-02-08)
为地址锁存允许信号，在访问外部存储器时，ALE 用来锁存 P0送出的低 8 位地址信号。 PSEN ——外部程序存储器的读选通信号。当访问外部 ROM 时， PSEN 产生负脉冲作 为外部 ROM的选......
Microchip推出4 Mb串行EEPROM存储器25CSM04(2020-08-26)
Microchip推出4 Mb串行EEPROM存储器25CSM04;串行电可擦可编程只读存储器（EEPROM）是这些应用的首选存储器，它具备非易失性、字节级控制、方便......
存储器需要一场新的技术革命(2017-02-21)
Fowler Nordheim（FN）电子隧穿，比嵌入式闪存使用的热载流子注入更节能。”
另一个考虑是访问机制。例如，许多Flash技术需要串行访问。CEA-Leti的高......
51单片机——存储器（二）(2022-12-14)
51单片机——存储器（二）;3.RAM（数据存储器）
RAM（数据存储器）存放数据（常量或变量）或运算的结果，相当于计算机的内存；
3.1 片内外RAM（数据存储器）
8051单片机内部有256......
为提高单片机开发系统稳定性和可扩展性的C8051F 单片机实验系统设计(2024-03-04)
接口。
2.3 SRAM 模块
C8051F020 内部有位于外部数据存储器空间的4 096 字节的片上RAM，还有外部数据存储器接口EMIF，可用于访问片外存储器和存储器映射的I/O 器件。外部数据存储器......
如何改进8051微控制器创建可执行高达33MIP的高性能直接替代品(2024-01-11)
。
NV SRAM技术使数据和程序存储器能够在系统内逐字节动态重新编程。在标准微控制器系统中，程序存储器需要从系统中物理移除（EPROM）或块擦除，从而禁止在擦除（闪存）期间访问存储器。基于NV......
Microchip推出容量更大、速度更快的串行 SRAM产品线(2024-03-29 15:13)
Kb到4 Mb不等，支持 SPI、SDI 和 SQI 总线模式。请访问Microchip存储器产品页面，了解公司的所有存储器产品。供货与定价2 Mb和4 Mb串行SRAM器件单价为1.60 美元......
Microchip推出容量更大、速度更快的串行 SRAM产品线(2024-03-29 15:13)
Kb到4 Mb不等，支持 SPI、SDI 和 SQI 总线模式。请访问Microchip存储器产品页面，了解公司的所有存储器产品。供货与定价2 Mb和4 Mb串行SRAM器件单价为1.60 美元......
Intel携手Micron推出3D XPOINT技术(2015-07-30)
进一步提高系统容量。选择器 - 存储器单元进行访问，并通过改变电压发送到每个选择器的金额写入或读取。这消除了对晶体管，增加容量，同时降低成本。快速开关单元 - 具有小单元尺寸，快速开关选择器，低延......
单片机c语言教程第十六章--C51指针的使用(2023-04-13)
单元的地址，而读写这个编号的动作就叫做寻 址，通过寻址就能访问到存储区中的任一个能访问的单元，而这个功能是变量或数组等 是不可能代替的。C 语言也因此引入了指针类型的数据类型，专门......
第十六课 C51指针的使用(2023-06-07)
写这个编号的动作就叫做寻 址，通过寻址就能访问到存储区中的任一个能访问的单元，而这个功能是变量或数组等 是不可能代替的。C 语言也因此引入了指针类型的数据类型，专门用来确定其他类型数据的 地址。用一......
对lpc2000系列微控制器片内flash编程的方法(2023-03-06)
乱地址序列的数据旁路和跳转跟踪缓冲器三个功能块的联合工作，并用两组128位宽度的存储器来进行并行访问，消除延时。
存储器加速模块的作用取决于系统时钟的大小。LPC2000系列片上闪存的访问时间为50nS，对于......
MCS-51单片机的基本知识(2023-04-13)
机包含中央处理器、程序存储器(ROM)、数据存储器(RAM)、定时/计数器、并行接口、串行接口和中断系统等几大单元及数据总线、地址总线和控制总线等三大总线，现在我们分别加以说明：
中央处理器：
中央处理器(CPU......
单片机的结构和原理说明(2024-01-17)
（ROM）、并行接口、串行接口和中断系统等几大单元及数据总线、地址总线和控制总线等三大总线，现在我们分别对其原理加以说明：
·数据存储器（RAM）：
8051内部有128个8位用户数据存储......
ARM Cortex-M7处理器体系结构简介(2022-12-16)
采用了RISC技术；
二、存储器模型以及缓存机制：
存储器地址映射示意图
在M7上，将代码区，数据区，外设区，FSMC区和内核区统一组织在4GB的线性地址空间中。CPU只能通过LDR，STR等存储加载指令访问存储器......
液体RAM在可穿戴设备、机器人和植入物领域展现出其强大的性能，可能还会推出非挥发(2024-01-22)
中国清华大学的研究人员从生物模仿的长期传统中汲取灵感，开发出了一种可以经受几乎任何变形的终极柔性存储器。这种存储器被称为FlexRAM，是一种全柔性的阻性随机访问存储器设备，采用了液体金属的方法。
在《先进材料》杂志......
以s3c2440为例讲解arm芯片的启动过程(2023-01-03)
以s3c2440为例讲解arm芯片的启动过程;arm 嵌入式芯片的启动过程对于嵌入式菜鸟来说其实是很复杂的，很多人都是一知半解，存在很多误区。在笔者看来，要想真正了解这一启动过程必须要首先了解存储器......
以s3c2440为例的arm芯片的启动过程(2023-01-09)
以s3c2440为例的arm芯片的启动过程;arm 嵌入式芯片的启动过程对于嵌入式菜鸟来说其实是很复杂的，很多人都是一知半解，存在很多误区。在笔者看来，要想真正了解这一启动过程必须要首先了解存储器......
浅谈STM32芯片的存储结构(2023-07-03)
号”，以便精准控制每个外设。ARM Cortex-M3系列的处理器，采用存储器与I/O设备（外设）统一编址的方式，将部分存储器地址范围用于外设，这种通过存储器地址访问外设的方式，称为存储器地址映射。
二......
以AT89C51单片机为控制核心的低成本高精度倒计时系统设计(2023-06-21)
制寄存器。用户可以在任何时候对其进行访问以对DS12C887进行控制操作， 有113字节的通用RAM 供用户使用。用户还可对DS12C887进行编程以实现多种方波的输出， 并对......
单片机C语言教程第二课-初步认识51芯片(2023-05-24)
程序时输出指令字节，要求外接上拉电阻。
在访问外部程序和外部数据存储器时，P0口是分时转换的地址(低8位)/数据总线，访问期间内部的上拉电阻起作用。
(2) P1端口[P1.0－P1.7] P1是一......
89C51单片机结构框图(2023-03-27)
都可分为两个独立空间：内部和外部RAM。由不同的指令来访问。
1.访问内部数据存储单元时，使用 MOV 指令；
2.访问外部数据存储器时，使用 MOVX 指令。内部RAM从功能上将256B空间......
89C51单片机的结构框图及原理解析(2023-05-10)
分为两个独立空间：内部和外部RAM。由不同的指令来访问。
1.访问内部数据存储单元时，使用 MOV 指令;
2.访问外部数据存储器时，使用 MOVX 指令。内部RAM从功能上将256B空间分为二个不同的块：
1.低......
基于LPC2138的超市收银机系统设计策略(2023-02-15)
Flash存储器；可以实现在系统可编程(ISP)、在应用可编程(IAP)；2个8路10位A／D转换器、1个D／A转换器，转换迅速、准确；引脚资源丰富，多达47个可承受5 V电压的通用I／O口；多个串行......
嵌入式处理器中cache数据不一致性的解决方法(2023-02-07)
地址作为行索引，寻址到一高速缓冲行，检测该行的标签。若标签与存储器的相应地址匹配，则Cache命中。该高速缓存行当前即为欲访问存储块的唯一映像。从上面的分析可以看出，在写直达模式下，由于每次Cache......
英飞凌扩展数据记录存储器产品组合，推出业内首款1Mbit车规级串行EXCELON F－RAM存储器及新型4Mbit F－RAM存储器(2023-08-08 15:20)
英飞凌扩展数据记录存储器产品组合，推出业内首款1Mbit车规级串行EXCELON F－RAM存储器及新型4Mbit F－RAM存储器;汽车事件数据记录系统（EDR）市场的不断发展正在推动专用数据记录存储......
英飞凌扩展数据记录存储器产品组合，推出业内首款1Mbit车规级串行EXCELON F－RAM存储器及新型4Mbit F－RAM存储器(2023-08-08 15:20)
英飞凌扩展数据记录存储器产品组合，推出业内首款1Mbit车规级串行EXCELON F－RAM存储器及新型4Mbit F－RAM存储器;汽车事件数据记录系统（EDR）市场的不断发展正在推动专用数据记录存储......
Microchip推出容量更大、速度更快的串行 SRAM产品线(2024-03-29)
于最大限度地减少整个电路板的尺寸。
2 Mb和4 Mb串行SRAM 器件解决了串行SRAM最常见的缺点——并行比串行存储器快，通过可选的四通道SPI(每个时钟周期 4 位)，将总线速度提高到143 MHz，大大缩小了串行......
AT89C51与AT89S51有何不同_AT89C51与AT89S51的区别(2023-03-07)
个机器周期的高电平时间。
ALE/PROG：当访问外部存储器时，地址锁存允许的输出电平用于锁存地址的低位字节。在FLASH编程期间，此引脚用于输入编程脉冲。在平时，ALE端以......
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. 2,Serial SRAM（串行静态随机存储器）1Mbit~8Mbit. 3,PSRAMPseudo SRAM,UtRAM （虚拟静态随机存储器）4Mbit~64Mbit. 4,Cellular
ramtron;铁电;;Ramtron公司总部设在美国科罗拉多州Colorado Springs市，是全球领先的非易失性铁电半导体的供应商。Ramtron产品包括串行和并行铁电随机存储器（F-RAM
将竭诚为您服务~~ 主营存储芯片： 1：Low power SRAM （低功耗静态随机存储器）1Mbit~8Mbit. 2：Serial SRAM（SPI串行静态随机存储器）64Kbit~512Kbit. ......
等。该产品的存储器具有速度快、功耗低、稳定性高等优势。该系列产品包括FALES,MCU和串行FALES,其中FALES产品容量从512K到64M,MCU8051从8KB到64KB,串行FALES512K到
PROM、FLASH存储器（NOR 和NAND）、BPROM、NVRAM、SPLD、CPLD、EPLD、单片机、MCU、Nand flash、iNand； 2、可测试IC品牌：AMD、SST
bergmicro;博观科技;;广东博观科技有限公司于2012年4月落户珠海高新技术开发区，是国内一家从事高端通用闪型存储器芯片研发的高新集成电路设计公司，在上海设有研发机构工作站，在美
;深圳市乐雅电子有限公司销售部;;乐雅电子始于2003年，藉前瞻性的市场定位和专业的营销团队迅速成长为南京微盟（电源管理IC），上海复旦微（二线制串行EEPROM存储器）的一级代理商，目前
;深圳市琴芯电子有限公司;;联系QQ:2303721985;半导体 无线和射频半导体 PIN 二极管 无线和射频集成电路 射频晶体管 分立半导体 二极管与整流器 分立半导体模块 晶体管 晶闸管 存储器
;上海英芯电子科技有限公司;;英尚国际有限公司(Ramsun International Limited),是一家专业从 事随机存储器、程序存储器芯片市场推广及销售；公司拥有较为专业的市 场服
;新生活科技有限公司;;代理美国Microsemi存储器（WEDC）、继电器、压力传感器、Sullins连接器、台湾巨景CHIPSIP存储器