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了室温下的激射阈值,提高了ZnO材料的激发效率。基于这些特点,ZnO材料既是一种宽禁带半导体,又是一种具有优异光电性能和压电性能的多功能晶体。 它既适合制作高效率蓝色、紫外发光和探测器等光电器件,还可用于制造气敏器件......
是高分子聚合物正温热敏电阻,归属线性元器件的一种,是由特殊材料半导体制作的电阻,由于对温度比较灵敏,其电阻会随着温度的变化而变化,目前常见的PTC有两种,PPTC聚合物自恢复保险丝与CPTC陶瓷......
低磁场下实现良好的磁性能,适用于制作高灵敏度的磁性元件。        非晶态合金:非晶态合金具有优异的磁性能和耐腐蚀性,能在高温下保持稳定的磁性能,适用于制作高温环境下的磁性元件。 纯电......
滑油失去作用等。冷却系的主要功用是把受热零件吸收的部分热量及时散发出去,保证发动机在最适宜的温度状态下工作。冷却系按照冷却介质不同可以分为风冷和水冷,如果把发动机中高温零件的......
三倍。作为零级器件,意法半导体新推出的运放可在 65°C 下连续工作25 年以上,与车辆寿命相同,而一级器件的使用寿命是八年无故障。因此,TSU111H非常适合混动和电动汽车的电池管理系统(BMS......
和热导率高的优点,各项性能均优于硅和氮化镓(GaN),因而更适合于制作高温、高频及大功率器件,可以有效实现电力电子系统的高效率、小型化和轻量化。 基于上述优势特性,SiC功率器件被广泛应用于新能源、充电......
杂的块状单晶。 具体而言,氧化镓是一种多变的半导体材料,它有六种不同的晶相,其中最稳定的是β相。β相氧化镓可以通过熔融法生长出大尺寸的单晶衬底,这对于制作高性能的功率器件......
材料,因此,也更适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率器件。氮化镓和碳化硅的材料广泛应用于新能源汽车、射频、充电桩、基站/数据中心电源、工控等领域,具有巨大的发展前景和市场机遇。 针对......
系统的电能转化效率等。功率半导体是电能转换的核心,碳化硅功率器件比硅基器件有低导通损耗、高开关频率和高工作耐压等优势,能获得更高的系统电能转换效率,且在使得同等电量情况下,比使用硅基功率器件获得更多的续航里程。因此电动汽车对于碳化硅功率器件的......
材料作为电子信息技术发展的 基础,经历了数代的更迭。随着应用场景提出更高的要求,以碳化硅、氮化镓为代 表的第三代半导体材料逐渐进入产业化加速放量阶段。相较于前两代材料,碳化硅 具有耐高压、耐高温、低损耗等优越性能,广泛应用于制作高温......
效和紧凑尺寸的技术特性对于解决巨大的功率需求和热管理挑战至关重要,适用于 AI 服务器数据中心的电源。技术开发规划意法半导体通过垂直整合制造战略加快 SiC 功率器件的开发,同时还在开发多项 SiC 技术创新,推动功率器件......
效和紧凑尺寸的技术特性对于解决巨大的功率需求和热管理挑战至关重要,适用于 AI 服务器数据中心的电源。 技术开发规划 意法半导体通过垂直整合制造战略加快 SiC 功率器件的开发,同时还在开发多项 SiC 技术创新,推动功率器件......
效和紧凑尺寸的技术特性对于解决巨大的功率需求和热管理挑战至关重要,适用于 AI 服务器数据中心的电源。 技术开发规划 意法半导体通过垂直整合制造战略加快 SiC 功率器件的开发,同时还在开发多项 SiC......
饱和漂移速率约是硅基材料的2倍。碳化硅材料的耐高压、耐高温、高频特性相较于硅基器件能应用于更严苛的工况,可显著提高效率和功率密度,降低应用端的成本、体积和重量。 图1 各类半导体材料性能对比 根据......
车厂逐步加大SiC车规级使用 据悉,碳化硅是制作高温、高频、大功率、高压器件的理想材料之一,基于碳化硅的解决方案可使系统效率更高、重量更轻,且结构更紧凑。随着SiC分立器件或模块在汽车逆变器、车载......
碳元素和硅元素组成的一种化合物。这种半导体材料的性能大大优于传统硅材料:禁带宽度是其3倍,导热率达到4到5倍,击穿电压是8到10倍,电子饱和漂移速率也能达到2至3倍。由于性能优异,SiC被认为是制作高温、高频、大功率、高压器件的......
开发和销售氧化镓晶圆的日本公司。 以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为代表的宽禁带半导体材料,凭借耐高温、抗高压、开关速度快、效率高、节能、寿命长等特点,近年来业界热度一路飙升。然而,在宽禁带半导体材料发展势如破竹的同时,学术界和科研界不约而同地展望下一代半导体......
政府将购买Coherent旗下位于英国达勒姆郡NewtonAycliffe的化合物半导体制造工厂,以巩固本土化合物半导体供应链。 英国,将收获一座砷化镓工厂 当地时间9月27日,材料、网络和激光器领域垂直整合制......
很低的能量损耗和优异的开关性能,同时,品质因数成为新的市场标杆。与上一代产品相比,意法半导体最新的MDmesh DM9 技术确保栅源阈值电压(VGS(th)) 分布更窄,使开关波形更加锐利,导通......
ST 先进的电隔离栅极驱动器 STGAP3S为 IGBT 和 SiC MOSFET 提供灵活的保护功能; 【导读】意法半导体的 STGAP3S系列碳化硅 (SiC) 和 IGBT功率开关栅极驱动器集成了意法半导体最......
拥有稳定的门极阈值电压便于并联控制,因此非常适合高功率并需要快速上市的应用场景。纳微半导体最新发布的4.5kW高功率密度AI服务器电源参考设计,基于CRPS185外形尺寸,其采用了额定650V、40mΩ的......
在电子电气设备的散热中应用较为广泛,可以有效的满足散热装置灵活、高效且可靠的特性,现阶段在电气设备、电子元器件冷却以及半导体元件的......
斯坦的量子液晶之所以有这样的表现是因为,晶体分子受限于宿主材料,人工生长的砷化镓金属存在单个平面的结构。随后,科学家们在其他材料中也发现了二维量子液晶,并用其制作高温超导体,能够在温度为负150摄氏......
有良好的热管理系统的,必须做到家里每个空间的环境都是人体最适温度,从阳台走到客厅,到卧室再到浴室,都应该能实实在在感觉到家里的温暖。 一种新型的适合家居环境的、便捷的、智能的、环保的、安全的、温度......
统硅基材料相比,碳化硅具有大禁带宽度、高击穿电场、高饱和电子漂移速度、高热导率、高抗辐射等特点,适合制造高温、高压、高频、大功率的器件。 这一特性下,碳化硅在新能源汽车市场大有可为。 全球......
意法半导体发布新工具链及软件包,以配合智能惯性传感器简化边缘计算开发; 【导读】意法半导体发布了一个智能传感处理器编程工具链及配套软件包,方便开发者为意法半导体最新一代智能MEMS IMU......
系列3D再添新成员。这款新器件具有更高的长行程精度(高达30mm)、更强的抗杂散磁场干扰(SFI)性能且符合ISO26262(支持ASIL D系统集成)要求,完美的兼顾了性能与价格,非常适合制......
特点及选型原则的示意图,结合被测纳米材料或纳米电子器件的类型及测试要点,选择最适合的SMU。4200 – SCS 几乎适用于全部种类的纳米材料的测试,当然,某些特殊的源表更适合一些特殊的应用。 纳米线/碳纳米管及电子器件......
一代产品相比,意法半导体最新的MDmesh DM9 技术确保栅源阈值电压(VGS(th)) 分布更窄,使开关波形更加锐利,导通和关断损耗更低。此外,新产品还提高了体二极管反向恢复性能,所采......
技术是电路技术的一个重大进步,这种方法通过将小口径线材绕在连接点的柱子上,提升了线路的耐久性以及可更换性。本文引用地址:当电子行业从真空管、继电器发展到硅半导体以及集成电路的时候,电子元器件的尺寸和价格也在下降。电子......
穿电场、高饱和电子漂移速度、高热导率、高抗辐射等特点,适合制造高温、高压、高频、大功率的器件,主要用于电驱、OBC和DC/DC转换等领域,能够显著降低电力电子系统的体积、重量和成本,提高......
拉动力系统工程负责人Colin Campbell在提到要减少75%的碳化硅使用量之前,首先强调了碳化硅部件的关键作用。 事实上,碳化硅的确优点诸多。作为第三代半导体中的代表材料,碳化硅是制作高温、高频、大功率、高压器件的......
高功率并需要快速上市的应用场景。 纳微半导体最......
对一些常用热参数逐一说明: TDP—器件热耗散功耗,单位W(瓦),表示器件实际发热量的大小 Tc–器件壳体温度,单位℃ Tj–结点温度,单位℃。随着结点温度的提高,半导体器件性能将会下降。结点......
公司,立志成为中国车规级功率半导体龙头企业。 长城汽车表示,第三代半导体模组将应用在新能源汽车的主逆变器与充电领域,得益于其优越的物理性能,更适合制造耐高温、耐高压、耐大电流的高频大功率器件......
空中客车公司和意法半导体合作研发功率电子器件,助力飞行电动化;• 双方将合作研发先进功率半导体技术,推动航空业向混动和纯电动系统转型• 合作研发的半导体器件将助力未来的混动直升机、飞机、以及......
空中客车公司和意法半导体合作研发功率电子器件,助力飞行电动化; 双方将合作研发先进功率半导体技术,推动航空业向混动和纯电动系统转型 合作研发的半导体器件将助力未来的混动直升机、飞机、以及......
管是SiC PIN二极管,非常适合在10 kV至20 kV范围内工作,因为电导率调制可有效降低漂移区域电阻。 碳化硅开关 在许多工业应用中,功率半导体器件的阻断电压要求约为1.2至3.3 kV......
汽车发动机冷却系统保养简介;  在汽车发动机不断运转的情况下,它的最高燃烧温度可能高达2500度,即使在怠速或低转速下,燃烧室的平均温度也在1000度以上,在这样的高温下运行,会让......
的木质雕刻品),而不会对其中精美的花样造成进一步损坏。 作为一名自由修复师,Mattia 主要为意大利文物保护机构 Fondazione Opificio 工作,他开创了使用 3D 打印技术为受损的历史文物制作高精度更换件的......
有什么差异?   电源功率温度循环试验 (PTC - Power and Temperature Cycling)  PTC本实验对受到温度波动严重的半导体器件进行了电源及温度循环测试来验证芯片器件对高温......
儒卓力全新CO2感应适配板RAB2,为您缩短预研时间; RSS(儒卓力系统方案)产品组合新增了CO2 感应适配器板RAB2。这款板卡以独特方法,展示了英飞凌和盛思锐的两款超现代传感器产品,使用户能够在预研阶段使用一块板卡来评估哪种传感器最适合......
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断时存在拖尾电流,造成比较大的关断损耗,而SiC MOSFET是单极器件,不存在IGBT的拖尾电流问题。 SiC MOSFET具有如此多的优势,主要有赖于第三代半导体......
转换器等模拟功能供电,是20 纳米以下唯一支持此功能的半导体工艺技术。 该技术的耐高温工作、辐射硬化和数据保存期限已经过汽车市场的检验,能够满足工业应用对可靠性的严格要求。 FD-SOI和PCM技术详情访问意法半导体......
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硅)和GaN(氮化镓)的竞争格局、发展趋势以及供应商情况做过解读,本文则再谈谈SiC、GaN的产业化进度。 作为产业化最快的第三代半导体材料,SiC和GaN近两年来的表现突出——2021年,SiC功率器件......
兴与sureCore和SemiWise在该项目中合作,提供我们的低温表征服务。Incize提供广泛的技术支持服务,包括广泛应用的表征和建模,以及针对高性能半导体器件的制造工艺优化。”SemiWise使用......

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