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TechInsights对于“碳化硅JFETs原子探针层析成像”的探讨(2022-12-07)
TechInsights对于“碳化硅JFETs原子探针层析成像”的探讨;去年，通过一系列博客展示了电气特性的力量，对于揭示碳化硅器件规格书远远不能提供的碳化硅器件特性。本文引用地址：分析半导体掺杂......
TechInsights对于“碳化硅JFETs原子探针层析成像”的探讨(2022-12-07)
揭示器件规格书远远不能提供的器件特性。
分析半导体掺杂的技术多种多样，例如：
· 扫描式电容显微镜(SCM )，我们经常将它包含在我们的功耗报告中，这为我们提供了大面积的相对掺杂物分析。
· 扫描式电阻测定(SRP......
TechInsights对于“碳化硅JFETs原子探针层析成像”的探讨(2022-12-07)
揭示碳化硅器件规格书远远不能提供的碳化硅器件特性。
分析半导体掺杂的技术多种多样，例如：
• 扫描式电容显微镜（SCM ），我们经常将它包含在我们的功耗报告中，这为我们提供了大面积的相对掺杂物分析。
• 扫描......
一文解析MOS管/三极管/IGBT之间的关系(2024-11-09 00:48:11)
PN结说起
PN结是半导体的基础，掺杂是半导体的灵魂，先明确几点：
1、P型和N型半导体：本征半导体掺杂三价元素，根据......
半导体器件击穿机理分析及设计注意事项(2023-09-25)
可以近似的认为当耗尽区最大电场EMAX达到某临界电场Ec时，即发生雪崩击穿。Ec与结的形式和掺杂浓度有一定关联，硅PN结典型值为Ec = 2×105 V/cm。
图[4]：电场的强相关函数图
为了更好地理解PN结电......
中电化合物8吋SiC外延片首批产品交付(2023-11-03)
大幅度降低碳化硅器件成本，为进一步推进碳化硅材料的降本增效提供有力支持。技术指标上，8吋SiC外延片厚度均匀性可实现≤3%、掺杂浓度均匀性≤5%、表面致命缺陷≤0.5/cm²。
中电化合物表示，8吋外......
基于昆明物理研究所的Au掺杂碲镉汞长波探测器探究(2023-03-17)
在Au掺杂器件工艺中，首先需控制Au掺杂材料稳定性。由于富Te液相外延生长的碲镉汞薄膜中会有大量汞空位（VHg）存在，掺杂Au原子在此条件下很容易占据汞格点实现受主掺杂，可实现较高的掺杂浓度......
2025年全球硅外延片市场规模将达109亿美元(2022-12-22)
延片是指在硅单晶衬底上外延生长一层或多层硅单晶薄膜的材料，用于制造半导体分立器件和集成电路。根据衬底片的掺杂浓度不同，分为轻掺杂衬底外延片和重掺杂衬底外延片。前者通过生长高质量的外延层，可以提高CMOS栅氧......
两家国产企业半导体设备有新进展(2023-11-29)
据介绍，SICV200是一款用于测量硅片电阻率、SiC或其它半导体材料掺杂浓度的半导体量测设备，可支持对包括12英寸在内的各种不同尺寸晶圆，进行可持多频率下CV特性分析。机台......
中科院物理所科学家发现里德堡莫尔激子(2023-08-01)
德堡激子的束缚和调控。通过低温光谱技术，他们进一步证实了里德堡莫尔激子的调控特性。在WSe2/0.6度转角石墨烯异质结器件中，随着载流子掺杂浓度的提高，WSe2的里德堡激子态表现为多支能量劈裂，发生......
半导体CVD设备国产化进行到哪步了？(2023-07-24)
，包括分子束外延、磁控溅射和脉冲激光淀积等,CVD的优势在于可以精确控制外延膜厚度和掺杂浓度、缺陷较少、生长速度适中、过程可自动控制等优点，是目前已经成功商业化的 SiC外延技术。
评价......
一文看懂MOS器件的发展与面临的挑战(2017-07-10)
道效应中的器件亚阈值电流成为妨碍工艺进一步发展的主要因素，尽管提高沟道掺杂浓度可以在一定程度上抑制短沟道效应，然而高掺杂的沟道会增大库伦散射，使载流子迁移率下降，导致器件的速度降低，所以......
具有金属源极和漏极触点的肖特基势垒 (SB) MOSFET 的介绍(2022-12-09)
SB。
假设源极和漏极与纳米线接触，这适用于硅化物接触，并描述了沉积到纳米线和金属纳米线耦合的接触，这并不弱。对于该实验，假设了 d
nw的纳米线，它足够薄以解释一维电子传输，可以认为它在广泛的通道掺杂浓度......
高压SiC MOSFET研究现状与展望(2023-02-06)
向导通时，电子从N 型掺杂区通过，因此可以提高 N 型掺杂浓度，使之在维持击穿电压的情况下进一步降低比导通电阻。陈星弼院士于 1991 年首次提出纵向功率器件的 SJ 结构并申请专利，该结......
吉时利2450型触摸屏数字源表的性能特点及应用优势(2023-05-25)
吉时利2450型触摸屏数字源表的性能特点及应用优势;电容-电压（C-V）测量广泛用于测量半导体参数，尤其是MOS CAP和MOSFET结构，C-V 测试可以方便的确定二氧化硅层厚度dox、衬底掺杂浓度......
刷新行业记录：润阳N型组件功率624.9W 组件效率24.2%(2024-09-25 14:08)
组件封装材料的光学性质，优化电池绒面结构和减反膜层，进一步提升光学吸收；经过高效电池实验室测试分析，制备出新型掺杂的背面超薄poly层，提升长波段光学响应。通过模拟、表征复合损失，设计出低表面掺杂浓度的硼扩散工艺、匹配......
用数字万用表判断三极管的引脚(2023-06-26)
BJT(bipolar junction transistor)是一种电流控制电流器件。按结构来分，它有两种类型:NPN型和PNP型。
基区很薄而且参杂浓度很低，发射区参杂浓度很高，集电......
汽车级大功率IGBT现状及未来趋势研究 (2024-07-14)
，称之为集电极。当栅极接负电压或者零电压时，IGBT 关断。这时发射极电压要远低于集电极电压即 IGBT 正向阻断，PN 结 J2 阻断。为了获得足够的阻断能力，必须使得 N - 区足够宽，且掺杂浓度......
氧化镓：10年后将直接与碳化硅竞争(2023-01-09)
由于功率集成的重要性日益突出，横向肖特基二极管也应受到关注。
对于p型掺杂，氧化物半导体通常很难同时实现实用的P型和N型，例如氧化镍通常是P型的，而氧化镓里P型则很难实现。因此可以考虑发展异质PN结来......
刷新行业记录：润阳N型组件功率624.9W 组件效率24.2%(2024-09-25)
电池绒面结构和减反膜层，进一步提升光学吸收；经过高效电池实验室测试分析，制备出新型掺杂的背面超薄poly层，提升长波段光学响应。通过模拟、表征复合损失，设计出低表面掺杂浓度的硼扩散工艺、匹配......
ATA-2041功率放大器在电致瞬态光谱系统中的应用(2024-06-07)
发出的光信号由光电倍增光捕捉，将光信号转变为电信号，由功率放大器放大，再由示波器将电信号显示出来。周期2.5ms，占空比0.4%，脉冲宽度10μs，正脉冲12V,负脉冲-7V。对比了效率接近的MADN. NPB为主体掺杂......
揭秘碳化硅芯片的设计和制造(2023-04-04)
计对于实现所需的击穿电压并避免因器件边缘处高电场而导致的过早击穿至关重要。
以下是SiC JTE设计的一些关键考虑因素：
1. JTE区域的宽度和掺杂：JTE区域的宽度和掺杂浓度确定器件边缘处的电场分布。较宽和重掺JTE区域......
揭秘碳化硅芯片的设计和制造(2023-04-04)
JTE设计的一些关键考虑因素： 1. JTE区域的宽度和掺杂：JTE区域的宽度和掺杂浓度确定器件边缘处的电场分布。较宽和重掺JTE区域可以减少电场并提高击穿电压。 2. JTE的锥角和深度：JTE的锥......
下一代纳米结构开启制造超低功率电子元件的可能(2023-04-25 09:55)
来源：东京都立大学
在使用从二硒化钨生长出来的二硫化钼证明了他们技术的稳健性之后，他们把注意力转向了铌掺杂的二硫化钼，一种p型半导体。通过生长出未掺杂的二硫化钼（一种n型半导体）的多层结构，研究......
下一代纳米结构开启制造超低功率电子元件的可能(2023-04-23)
。资料来源：东京都立大学
在使用从二硒化钨生长出来的二硫化钼证明了他们技术的稳健性之后，他们把注意力转向了铌掺杂的二硫化钼，一种p型半导体。通过生长出未掺杂的二硫化钼（一种n型半导体）的多......
中国科大首次研制出氧化镓垂直槽栅场效应晶体管(2023-02-28)
-Ion Implantation”为题在线发表于Applied Physics Letters、IEEE Electron Device Letters期刊。
功率半导体......
炜盛科技推出高性能家用燃气报警器专用气体传感器MR007(2023-07-24)
型气体传感器原理介绍
热线型气体传感器是在一定条件下，被测气体到达半导体表面并与半导体表面的吸附氧及半导体材料本身的晶格氧发生氧化还原反应，反应引起自由电荷浓度的变化，导致了半导体......
碳化硅市场快速崛起，IDM和代工厂加快布局，产业链打响“最后的战役”(2023-01-24)
(Ron)。为了提高效率，我们通过增加电子迁移率来降低‘导通’电阻。”
目标是完美的晶体。“电子迁移率可以通过栅极方向和单元间距减小来提高，并且与掺杂浓度......
从内部结构到电路应用，这篇文章把MOS管讲透了。(2024-04-29)
、MOS管的构造
在一块掺杂浓度较低的P型半导体硅衬底上，用半导体光刻、扩散工艺制作两个高掺杂浓度的N+区，并用金属铝引出两个电极，分别作为漏极D和源极S。
然后在漏极和源极之间的P型半导体......
石墨烯超导重大发现，上海交通大学研究登 Nature(2024-06-20)
/ nm 的垂直位移电场。
▲ 样品结构示意图和光学显微镜照片
通过开展系统的极低温量子输运测量，结合电场调控和静电掺杂调控，实验团队揭示了该系统中空穴掺杂超导随位移电场和载流子浓度变化的完整相图。
实验团队在电子掺杂......
汉威科技新品发布！护航半导体产业电子气体安全(2024-07-31)
气体包括电子大宗气体和电子特种气体两大类，其中电子大宗气体是生产制造过程中的环境气、保护气和载体，而电子特种气体主要应用于光刻、刻蚀、成膜、清洗、掺杂、沉积等芯片制造工艺之中。与此同时，在半导体生产制造过程中，还可......
UCLA教授Subramanian S. Iyer：用新型封装延续摩尔定律(2017-02-07)
电子很容易就由旁边的夹层注入，从而在晶体管中由发射极经过基极到集极的电流可以大大提高，晶体管的放大倍率（beta）也为之增加；同时基极的厚度可以减小，其掺杂浓度可以增加，因而基区渡越时间减小，于是......
氧化镓半导体器件，中国再获重要进展(2022-12-14)
氧化镓半导体器件，中国再获重要进展;高功率氧化镓肖特基二极管
如何开发出有效的边缘终端结构，缓解肖特基电极边缘电场是目前氧化镓肖特基二极管研究的热点。由于氧化镓P型掺杂目前尚未解决，PN结相......
灵感源于大自然的光合作用，掺杂空气可让有机半导体更导电(2024-05-20)
灵感源于大自然的光合作用，掺杂空气可让有机半导体更导电;
新方法是将导电塑料浸入特殊的盐溶液（一种光催化剂）中，然后用光照射它一小段时间，形成p掺杂导电塑料，其中唯一消耗的物质是空气中的氧气。图片......
爱旭颠覆性“满屏”新品全球首发，光伏行业迈入25%+量产效率新时代！(2024-06-13 13:10)
自主研发的超高阻硅片，掺杂浓度低于传统硅片一个数量级，电阻率大于30Ω·cm，少子寿命提升约10倍，带来产品全生命周期的低衰减、高发电，为ABC电池效率提升创造了更高空间；ABC电池正面无栅线，100%全面积受光，更接......
一种高增益低噪声的图像探测器读出电路设计(2024-08-12)
流散粒噪声与照度有关，很难消除。与暗电流有关的散粒噪声可以通过改变掺杂浓度减小暗电流，但这会降低量子效率。在本电路中，In=100fA，Is=20pA，Tint=20μs，Cint=2fF，则Vdarkn=0.28mV......
全球芯片正在破局...(2024-07-15)
构的发现以及2D-Mg掺杂机制的发现，为研究金属-半导体超晶格的能带结构和导电性能提供了新的平台，为半导体掺杂机制和材料科学的基础研究提供了新的平台。该成果已发表在英国科学杂志《自然》上。
6英寸......
环旭电子发展先进失效分析技术 应对SiP微小化高阶产品需求(2023-04-20 11:31)
做元素分析和化学态分析，在离子束溅射的帮助下，可以做元素由表及里的纵向浓度分布分析，分析氧化层或污染层的厚度以及掺杂的浓度分布。FTIR 则主要分析对红外有吸收的有机材料和半导体材料的组成和含量，带显......
新技术在水溶液中精确掺杂有机半导体(2024-01-16)
新技术在水溶液中精确掺杂有机半导体;
研究示意图。图片来源：日本国立材料科学研究所
由日本国立材料科学研究所、东京大学和东京科学大学组成的研究团队，首次开发出能在水溶液中精确掺杂有机半导体......
消费电子降温也没有“浇灭”MLCC扩产的决心，工业和车规级需求将持续增长(2022-11-08)
于玻璃的无序环境，声子能量高，大大降低掺杂离子的发光效率；而透明陶 瓷既具有陶瓷的高强度、耐高温，化学稳定性好等优点，又兼备玻璃良好的光学透 过性，同时作为一种晶体材料，激活离子掺杂浓度高，其晶......
SiC 半导体功率器件对能源效率的重要性(2023-02-16)
移动到形成势垒的金属。在正向偏置状态下，如果电压大于 0.2 V，电子可以穿过势垒。
碳化硅二极管的漏电流远低于普通二极管。作为 WBG
半导体，碳化硅具有低得多的漏电流并且可以比硅高得多的掺杂。此外，由于......
【泰克应用分享】 FET 生物传感器的直流I-V 特性研究(2023-11-17)
生物晶体传感器基于MOSFET或金属氧化物半导体FET，这是一个带有绝缘栅极的三端或四端FET。
图3显示了一个n沟道MOSFET或nMOS晶体管，具有四个端子：栅极、漏极、源极和体极（块体）。源极和漏极触点是大量掺杂......
中国科大在氧化镓半导体器件领域取得重要进展(2022-12-13)
中国科大在氧化镓半导体器件领域取得重要进展;近日，第68届IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM,国际电子器件大会)在美......
中国科大在氧化镓半导体器件领域取得重要进展(2022-12-13)
中国科大在氧化镓半导体器件领域取得重要进展;IT之家 12 月 12 日消息，据中国科大发布，第 68 届 IEEE International Electron Devices Meeting......
可重构晶体管登场，可用于构建有编程功能的芯片电路(2024-03-29)
于构建具有可随时编程功能的电路。本文引用地址：一颗 CPU 固然拥有数十亿个晶体管，但通常情况下是为执行一种特定功能而制造的。
传统的晶体管开发和生产过程中有一道“化学掺杂”的步骤，就是为纯的本质半导体引入杂质，从而......
光子芯片上掺铒波导激光器面世，可用于传感、电信、医疗诊断和消费电子领域(2024-06-13)
片允许在很宽的范围内动态调谐激光的波长，这一点不但使激光器用途广泛，同时还确保了它在整个光谱中都保持纯净、稳定地输出。
研究人员表示，该芯片级铒基激光器的性能优于许多传统系统。它保持了与当前半导体......
环旭电子发展先进失效分析技术 应对SiP微小化高阶产品需求(2023-04-20)
做元素分析和化学态分析，在离子束溅射的帮助下，可以做元素由表及里的纵向浓度分布分析，分析氧化层或污染层的厚度以及掺杂的浓度分布。FTIR 则主要分析对红外有吸收的有机材料和半导体材料的组成和含量，带显......
中科院在半导体所硅基外延量子点激光器研究取得进展(2023-06-26)
上研制高性能硅基外延激光器需要解决一系列关键的科学与技术难点。
近期，中国科学院半导体研究所材料科学重点实验室杨涛与杨晓光研究团队，在硅基外延量子点激光器及其掺杂调控方面取得重要进展。该团队采用分子束外延技术，在缓冲层总厚度2700nm条件下，将硅基GaAs......
量子工程材料如何赋能半导体性能提升？(2023-12-14)
有价值的。
如果一种量子工程材料，拥有与基准半导体材料(如硅)非常相似的物理和电学特性，那么它通常可以在传统制造工艺中轻松集成。然而，量子工程特性可能会微妙地改变其与电性掺杂物、半导体......
登上《Nature》，南大团队在二维半导体领域取得新突破！(2023-01-13)
的国际器件与系统路线图（IRDS）预测，在2nm技术节点以下，以MoS2为代表的二维半导体将取代硅成为延续摩尔定律的新沟道材料。
金属-半导体欧姆接触是实现高性能晶体管的关键，特别是在先进工艺节点下。传统硅基器件利用离子注入对接触区域进行高浓度掺杂......
相关企业
;北京爱尔帝光电科技有限公司;;北京爱尔帝光电科技有限公司是一家集科研、开发、生产、经营于一体的光电子高新技术企业。公司主要从事半导体激光器、半导体激光器封装器件及半导体应用产品的开发、生产
;深圳康高电子有限公司;;深圳市康高电子有限公司（Congo Technology）是一家专注于高科技半导体IC授权代理和经销商。主要为客户提供 音频功率放大器IC、电源管理IC、接口芯片、ESD
;飞利浦半导体广东有限公司;;飞利浦半导体（广东）有限公司是飞利浦电子集团创办的在中国的第一家独资半导体生产基地，于2000年9月1日正式投产，主要业务为半导体器件生产，产品
;北京信力时代科技有限公司;;北京信力时代科技有限公司是专业销售镁光(MICRON)存储芯片、凌特半导体（LINEAR）、德州半导体（TI）、安森美半导体（ON)）、仙童半导体(Fairchild
;上海世灏半导体有限公司;;半导体放电管,TVS二极管,M1-M7等半导体器件专业制造商！
;匹克半导体有限公司;;匹克半导体有限公司成立于2007年，本公司宗旨就是致力于发展中的中国半导体行业。本公司的主要任务是从西方引进半导体工艺设备和技术，并提供优质的售后服务。 匹克半导体有限公司采用了西方的客
;扬州杰利半导体有限公司;;扬州杰利半导体有限公司主要由扬杰电子科技有限公司投资建立的半导体芯片制造工厂，公司成立于二零零九年五月，总设计月产能15万片4英寸半导体芯片。所用设备主要是从美国、日本
magnachip;;;MagnaChip是一家模拟及混合信号非半导体存储器专业企业
非半导体存储器是指除半导体存储器(D-RAM, Nand flash等)以外的所有半导体的统称。其中模拟半导体
;夏圣按;;本公司是依托学校的研究性企业，出售微米级任何粒径和性能要求的尼龙(系列)粉，可按厂家要求改性。 出售可用于电子产品只有立方晶型和四方晶型的钇掺杂的纳米氧化锆.
;汕头半导体器件厂;;汕头半导体器件厂成立于1965年，系地方国营企业，国家定点的半导体专业生产厂家。