资讯
功率MOS体二极管参数分析(2024-12-07 19:11:23)
降低开关频率或者采用dead time更小的MOS驱动芯片，或者外部并联肖特基二极管，减小VSD。
体二极管导通压降损耗
我们来比较因体二极管的正向压降Vf引起的损耗与理想4 mohm的......
交流耦合视频驱动程序的直流恢复电路(2024-07-17)
和快速恢复或开关时间。射频(RF)肖特基二极管的导通电压低。具有30 mV导通电压的二极管在单电源应用中可提供令人满意的结果。
当耦合电容上的负载较高时，如ADA4432-1输入阻抗缓冲器，耦合电容上的平均电压沿正向电压......
除了二极管，防反接电路还能用什么？(2023-09-12)
除了二极管，防反接电路还能用什么？;串联本文引用地址：以常用的5V/2A为例。常用串联在中，在电源时，承担所有的电压，有效防止电源损坏后级设备。但是，二极管上压降较大，损耗较高。使用肖特基二极管......
SiC 半导体功率器件对能源效率的重要性(2023-02-16)
相互关联;通常，较低电荷值的元件将具有稍高的导通电阻。
碳化硅二极管
碳化硅二极管多为肖特基二极管。经典硅二极管基于 PN 结。在肖特基二极管中，金属被 p 型半导体取代，形成金属-半导......
氧化镓半导体器件，中国再获重要进展(2022-12-14)
边缘电场，从而有效提高器件的耐压能力。
优化后的器件实现了2.9mΩ·cm2的低导通电阻和2.1kV的高击穿电压，其功率品质因数高达1.52GW/cm2。此外，利用该优化工艺成功制备并封装了大面积的氧化镓肖特基二极管......
常用电平转换电路汇总！~(2024-11-24 22:52:40)
会产生较大的压降
此处二极管的选择尽量选择低压降的肖特基二极管，以保证信号传输不会因为二极管的压降过大导致电平读取出错。
工作......
速开关，可提升车载充电机整机效率。
碳化硅肖特基二极管B1D30120HC的特点如下：
1、结温最大额定值为175℃，存储温度范围为-55~175℃，符合车载高温应用要求。
2、反向电压（重复峰值）最大......
ADALM2000测量二极管动态特性(2024-12-14)
10kHz，可以看到单向导通特性出现了一些变化。将三角波的频率提高到 100kHz，可以观察到二极管在反向电压下，出现了恢复电流。将二极管替换成肖特基二极管。在同样的频率下，肖特基二极管......
NIV3071 eFuse 在汽车应用中的优势(2024-04-23)
上述公式和图5，用户可以设置导通容性负载时的最大浪涌电流。下面的图6和图7提供了一个测试用例：
图6 浪涌电流控制测试用例
图7 测试用例的测量结果
大容性负载和肖特基二极管
对于较大的容性负载（和低......
国芯思辰｜基本半导体650V SiC肖特基二极管B1D10065F(替代IDK10G65C5)助力车载充电机;车载充电机可实现交流输入（85VAC~265VAC）/直流输出（200VDC......
给SiC“挖坑”，国产有机会吗？(2024-06-17)
MOSFET产品CoolSiC，该结构以牺牲一半沟道宽度的条件下，通过深注入P+区域更好的保护栅氧，使其不受到高电 场的影响提高了器件的可靠性；
2018年，瀚薪公司将肖特基二极管集成到MOSFET......
中国科大在氧化镓半导体器件领域取得重要进展(2022-12-13)
后的器件实现了2.9 mΩ·cm2的低导通电阻和2.1kV的高击穿电压，其功率品质因数高达1.52 GW/cm2。此外，利用该优化工艺成功制备并封装了大面积的氧化镓肖特基二极管，器件正向偏压2V下电......
NIV3071 eFuse 在汽车应用中的优势(2024-04-23)
器件关断时保护 eFuse 的体二极管免受过大反向电流的影响。一旦输入电压降至 UVLO 以下，器件就会关断，由于输出电容在完全放电之前维持输出电压，这会在器件上产生反向电压。与此同时，负电压对肖特基二极管......
耗为129W（@25℃）。相对其他同类产品来说导通特性好、损耗小、功率效率更高，具有更高的稳定性。
此外，B1D05120K碳化硅肖特基二极管的工作温度和储存温度范围都为-55℃~+175℃，满足......
新手必看！单片机掉电检测与数据掉电保存方案(2022-12-09)
空心不带蓝色的）肖特基二极管（1N5819）从法拉电容向单片机VCC放电，还同时阻断法拉电容对上电加速电路的旁路作用，用肖特基二极管是基于其在小电流下导通电压只有0.2V左右考虑的，目的是尽量减少法拉电容在单片机掉电时的电压......
防反接电路、防倒灌电路、过流保护电路(2024-09-14 14:51:48)
有大电流经过的时候就会发热 功率比较高。（一般选用 肖特基二极管导通压降比较低 也要考虑反向电压）
2.保险丝和二极管（稳压二极管）防反接
二极管......
大联大诠鼎集团推出TOSHIBA LED智能照明解决方案(2014-06-24)
-0.65B
大联大诠鼎集团正是顺应市场对低功耗、智能照明的需求，基于Toshiba的产品提供了针对LED智能照明应用装置的各种需求。如更高性能的非隔离式的LED控制器。低导通电压的肖特基二极管......
东芝开发带嵌入式肖特基势垒二极管的低导通电阻高可靠性SiC MOSFET(2022-12-13)
东芝开发带嵌入式肖特基势垒二极管的低导通电阻高可靠性SiC MOSFET;
【导读】东芝电子元件及存储装置株式会社(Toshiba Electronic Devices &......
MOSFET选得好，极性反接保护更可靠(2023-02-27)
% 增加），VF 将从 0.35 V 提高到 0.40 V（15% 增加）。
图 3. NRVBSS24NT3G 肖特基二极管的典型正向电压
MOSFET
二极管的一种替代方案是 MOSFET。当......
学子专区—ADALM2000实验：有源整流器(2023-05-12)
。二极管的该正向压降与交流电源串联，这会降低潜在的直流输出电压。此外，该压降与通过二极管提供的电流的乘积意味着功耗和发热量可能相当大。
肖特基二极管的较低正向电压是对标准二极管的改进。但是，肖特基二极管同样有一个内置的固定正向电压......
纳芯微全新发布1200V系列SiC二极管，布局SiC生态系统(2023-07-11)
高频开关器件配合使用，提高开关频率，从而减小系统整体的体积和成本。
3.较低的正向导通电压
相较于1200V的硅基二极管，SiC二极管采用肖特基......
对标C4D40120D，1200V SiC肖特基二极管B2D40120HC1让车载充电机更高效(2023-10-24)
对标C4D40120D，1200V SiC肖特基二极管B2D40120HC1让车载充电机更高效;车载充电机是电动汽车的核心部件，其功能是按照电池管理系统的指令，动态调节充电电流和电压参数，完成......
浅析太阳能草坪灯系统设计方案(2024-09-10)
也能够使DC-DC电路工作正常，但是会降低DC-DC转换器5％～10％的效率，所以D3采用正向导通电压较低、反应时间较短的肖特基二极管lN5817。
2.3光控电路
超级......
中国科大在氧化镓半导体器件领域取得重要进展(2022-12-13)
有效提高器件的耐压能力。优化后的器件实现了 2.9 mΩ・cm2 的低导通电阻和 2.1kV 的高击穿电压，其功率品质因数高达 1.52 GW / cm2。此外，利用该优化工艺成功制备并封装了大面积的氧化镓肖特基二极管，器件......
Vishay推出新型第三代1200 V SiC肖特基二极管(2024-07-02)
Vishay推出新型第三代1200 V SiC肖特基二极管;
【导读】日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出16款新......
东芝开发带嵌入式肖特基势垒二极管的低导通电阻高可靠性SiC MOSFET(2022-12-13 11:33)
东芝开发带嵌入式肖特基势垒二极管的低导通电阻高可靠性SiC MOSFET;
东芝电子元件及存储装置株式会社(Toshiba Electronic Devices & Storage......
Vishay推出新型第三代1200 V SiC肖特基二极管，提升开关电源设计能效和可靠性(2024-06-28)
Vishay推出新型第三代1200 V SiC肖特基二极管，提升开关电源设计能效和可靠性;器件采用MPS结构设计，额定电流5 A~ 40 A，低正向压降、低电容电荷和低反向漏电流低
美国 宾夕......
碳化硅肖特基二极管在光伏逆变器的应用(2023-03-20)
逆变器中选用的碳化硅器件的规格也在不断提升，对器件的浪涌能力、击穿电压、雪崩能量以及正向电流等参数要求都在变高。
基本半导体面向光伏及储能领域推出了碳化硅肖特基二极管、碳化硅MOSFET和碳化硅功率模块三类产品。其中碳化硅肖特基二极管......
通俗易懂讲解三极管(2023-10-11)
会自感产生很高的反向电动势，而续流二极管提供的续流通路，同时钳位反向电动势，防止击穿三极管。
续流二极管的选型必须是快恢复二极管或肖特基二极管，两者响应速度快。
如图5，对于某些控制信号为低电平时，可能......
兼容C3D02065E，碳化硅肖特基二极管B1D02065E助力LED显示屏电源(2023-08-16)
显示屏体正常显示。肖特基二极管整流器因具有极快的开关速度、超低的正向电压降、极低的反向恢复时间、低泄漏和高结温能力而深受设计师们的喜爱。本文介绍了基本半导体碳化硅肖特基二极管B1D02065E在LED显示......
SiC在电动车功率转换中的应用(2024-07-23)
整流器的替代方案是 Vienna 整流器，如图 5 所示，它允许将 650V 硅基超结器件与 SiC 肖特基二极管联用，以降低成本。在这个电路中，开关并不会进行硬开关。不过需要的半导体数量更多，且二极管......
Vishay推出新型第三代1200 V SiC肖特基二极管，提升开关电源设计能效和可靠性(2024-07-01 09:46)
Vishay推出新型第三代1200 V SiC肖特基二极管，提升开关电源设计能效和可靠性;
器件采用MPS结构设计，额定电流5 A~ 40 A，低正向压降、低电容电荷和低反向漏电流低日前，威世......
民德电子：全资子公司拟累计5.18亿元购买江苏联芯6英寸晶圆生产线设备(2022-07-06)
产能的提升及技术改进项目主要投向面向新型能源供给的45V-150V高能效低导通压降硅基沟槽型肖特基二极管的产能提升，以及200V-300V高压硅基肖特基二极管的研发和产业化，产品主要应用于光伏接线盒、各种拓扑电源等领域。项目......
Nexperia针对要求严苛的电源转换应用推出先进的650 V碳化硅二极管(2023-04-20)
半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布推出650 V碳化硅(SiC)肖特基二极管，主要面向需要超高性能、低损耗和高效功率的电源应用。10 A、650 V SiC肖特基二极管满足工业级器件标准，可应对高电压......
意法半导体推出热切换理想二极管控制器，适用于ASIL－D 汽车安全关键应用(2023-08-10)
控制器驱动一个外部 MOSFET开关管，替代过去在输入反向保护和输出电压保持电路中常用的肖特基二极管。MOSFET上的电压降比肖特基二极管的正向电压降低，因此，正常工作期间的耗散功率也低于二极管。当电......
意法半导体推出热切换理想二极管控制器，适用于ASIL－D 汽车安全关键应用(2023-08-10)
控制器驱动一个外部 MOSFET开关管，替代过去在输入反向保护和输出电压保持电路中常用的肖特基二极管。MOSFET上的电压降比肖特基二极管的正向电压降低，因此，正常工作期间的耗散功率也低于二极管。当电......
意法半导体推出热切换理想二极管控制器,适用于ASIL-D汽车安全关键应用(2023-08-10)
意法半导体推出热切换理想二极管控制器,适用于ASIL-D汽车安全关键应用; STPM801是率先市场推出的车规集成的，适合汽车功能性安全应用。本文引用地址：这款驱动一个外部 MOSFET开关管，替代过去在输入反向保护和输出电压保持电路中常用的肖特基二极管......
40A/1200V碳化硅肖特基二极管B2D40120HC1用于机车空调(2023-10-26)
40A/1200V碳化硅肖特基二极管B2D40120HC1用于机车空调;在动车或地铁中，机车空调需要有稳定的电力供电，保持车厢内的空气质量。当机车出现故障时，需要通过后备电池给空调供电。而机车中常规的后备电池电压......
意法半导体推出热切换理想二极管控制器，适用于ASIL-D 汽车安全关键应用(2023-08-15)
——意法半导体 STPM801是率先市场推出的车规集成热切换的理想二极管控制器，适合汽车功能性安全应用。
这款理想二极管控制器驱动一个外部 MOSFET开关管，替代过去在输入反向保护和输出电压保持电路中常用的肖特基二极管......
Nexperia针对要求严苛的电源转换应用推出先进的650 V碳化硅二极管(2023-04-20)
，主要面向需要超高性能、低损耗和高效功率的电源应用。10 A、650 V SiC肖特基二极管满足工业级器件标准，可应对高电压和高电流应用带来的挑战，包括开关模式电源、AC-DC和DC-DC转换器、电池......
Nexperia成功增强其CFP功率二极管的范围(2022-10-13)
程师仅从一家供应商即可获取市场上最为广泛的CFP封装二极管产品组合。
这些新平面肖特基二极管的工作范围为30-100 V和3-15 A。针对低正向电压优化的版本(VF)（包括 PMEG100V080ELPE/-Q）可在防反应用中提供低导通......
Vishay推出新型第三代650 V SiC肖特基二极管，提升开关电源设计能效和可靠性(2023-05-23)
Vishay推出新型第三代650 V SiC肖特基二极管，提升开关电源设计能效和可靠性;器件采用MPS结构设计，额定电流4 A~ 40 A，正向压降、电容电荷和反向漏电流低
美国 宾夕......
Nexperia针对要求严苛的电源转换应用推出先进的650 V碳化硅二极管(2023-04-20 11:10)
碳化硅(SiC)肖特基二极管，主要面向需要超高性能、低损耗和高效功率的电源应用。10 A、650 V SiC肖特基二极管满足工业级器件标准，可应对高电压和高电流应用带来的挑战，包括开关模式电源、AC......
飞兆半导体的100V BOOSTPAK解决方案提高了可靠性，降低了LED应用中的系统成本(2013-06-05)
生产，这一先进工艺专用于最小化导通电阻，同时保持卓越的开关性能。 NP二极管为超快速整流器，带低正向导通压降，具有出色的开关性能。与肖特基二极管相比，其泄漏电流更低，改进......
英飞凌推出CoolSiC 肖特基二极管2000 V，直流母线电压最高可达1500 VDC，效率更高，设计更简单(2024-10-24 15:08)
英飞凌推出CoolSiC 肖特基二极管2000 V，直流母线电压最高可达1500 VDC，效率更高，设计更简单;如今，许多工业应用可以通过提高直流母线电压，在力求功率损耗最低的同时，向更......
Nexperia成功增强其CFP功率二极管的范围(2022-10-12)
系列的最新产品，主要应用于工业和汽车领域。此最新产品含有32个平面肖特基二极管以及8个超快速恢复整流二极管，均封装在CFP15B中。包含通用型号和符合AEC-Q101车规标准的带Q的器件。通过......
自动转换开关(2023-09-07)
位置。在此我们应注意两点：首先，肖特基二极管现在不导通，因为二极管阴极和阳极之间的电压差为零，即在结点处没有电位差。其次，LED 现在通过电阻和晶体管偏置，并由电池电压驱动。
自动......
Vishay推出新型第三代650 V SiC肖特基二极管，提升开关电源设计能效和可靠性(2023-05-23)
Vishay推出新型第三代650 V SiC肖特基二极管，提升开关电源设计能效和可靠性;
【导读】日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH......
Nexperia推出全新高性能碳化硅(SiC)二极管系列，继续扩充宽禁带半导体产品(2021-11-05)
的首款SiC肖特基二极管为工业级器件，重复反向峰值电压为650V(VRRM)，持续正向电流为10A(IF)，旨在为功率转换应用实现超高性能、高效率、低损耗。以及......
意法半导体推出热切换理想二极管控制器，适用于ASIL－D 汽车安全关键应用(2023-08-15)
控制器驱动一个外部 MOSFET开关管，替代过去在输入反向保护和输出电压保持电路中常用的肖特基二极管。MOSFET上的电压降比肖特基二极管的正向电压降低，因此，正常工作期间的耗散功率也低于二极管。当电......
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~ 36 伏特 保护用瞬态电压抑制二极管TVS400 ~ 5000瓦特5 ~ 376伏特 场效应管MOSFET0.2瓦特60伏特 小信号开关二极管0.2 ~ 0.5瓦特50 ~ 350伏特 小信号肖特基二极管
;东莞电子贸易有限公司;;供应类型： PIN 二极管 功率三极管 开关二极管 低电压二极管 达林顿管 整流二极管 稳压二极管 微波三极管 肖特基二极管 高频三极管 桥式整流桥 快恢复二极管 射频三极管
barrier)。 法商矽莱克半导体，主要做（1）高压大功率肖特基二极管，大功率的有20A-60A/60-200V TO-220，TO-3P封装，（2）降低成本肖特基二极管有10A/100-150V
、GBU、GBJ、RBV系列；方桥KBPC、SKBPC、BR、DB系列；MB、MBS、HD、DB、DF、板凳桥、贴片桥；全系列贴片二极管；高压肖特基二极管普通肖特基二极管
;金成电子（香港）有限公司;;场效应管 肖特基二极管 快速恢复二极管 三端稳压 三极管等等...
;深圳诚桩电子;;场效应管MOSFET,IGBT,电源驱动IC,快恢复二极管，肖特基二极管，SMD元件！
）优势产品： 品牌 型号 封装 规格 最小包装 备注 统懋（Mospec） S10C40C TO-220 10A/40V 2000PCS 肖特基二极管 统懋（Mospec） S16C40C
;深圳骏鹏科技;;一级代理品牌：日本英达NIEC（整流二极管、快恢复二极管、肖特基二极管）、台湾UTC MOS管、美国桑德斯SMC二极管、韩国HTC LDO、台湾GTM等等。 NIEC产品
;深圳市洲盛电子有限公司;;深圳市洲盛电子有限公司专业 IR（国际整流器公司）、ON（安森美）、Fairchild（仙童）系列：场效应管MOSFET，IGBT，电源驱动IC，快恢复二极管，肖特基二极管
;杭州丽日电子有限公司;;稳压管，开关管，整流二极管，肖特基二极管，瞬变管，桥式整流器，贴片，二三极管